TW201326425A - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係防止影像信號線之圖案化時之影像信號線之斷線。影像信號線107、汲極電極107、源極電極107係於同層同時地形成。影像信號線107等係由基礎層1071、AlSi層1072、覆蓋層1073之3層形成。先前，於AlSi層1072中，在與覆蓋層1073之交界形成蝕刻速率較快之合金，在影像信號線107等之圖案化時產生斷線。於本發明係形成影像信號線107等時，藉由濺鍍而形成AlSi層1072之後，將TFT曝露於大氣中，於AlSi層之表面形成Al氧化層之後，藉由濺鍍而形成覆蓋層1073。藉此，防止於AlSi層產生蝕刻速率局部變快之合金，從而防止產生影像信號線等之斷線。

Description

液晶顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置，尤其關於一種賦予可防止影像信號線斷線之構成之液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置係設置有TFT基板，其係矩陣狀地形成有像素電極及薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)等；及對向基板，其與TFT基板對向，且於與TFT基板之像素電極對應之位置形成有彩色濾光片等；且於TFT基板與對向基板之間夾持液晶。而且，藉由對每個像素控制液晶分子之光之透射率而形成圖像。
液晶顯示裝置係平坦且輕量，故可廣泛用於TV等大型顯示裝置至行動電話或DSC(Digital Still Camera，數位靜態相機)等各種領域。又，液晶顯示裝置係圖像因觀察畫面之角度而不同之類的視角成為問題，但關於該視角，IPS(In Plane Switching，共平面切換)方式液晶顯示裝置具有優異之特性。
液晶顯示裝置係使影像信號線於第1方向上延伸且排列於第2方向上，且使掃描線於第2方向上延伸且排列於第1方向上。影像信號線係使用Al合金，以抑制線寬且減小電阻。Al合金於光微影步驟中之蝕刻或者顯影步驟中，容易產生缺陷。
IPS方式之液晶顯示裝置亦存在各種類型，但存在如下方式：於同一層(例如閘極絕緣膜)上形成影像信號線或汲 極電極與由ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)形成之像素電極，且於其上形成層間絕緣膜，並於該層間絕緣膜上形成梳齒狀之對向電極。於此情形時，存在由ITO之顯影液導致影像信號線或汲極電極溶解而產生缺陷或者斷線之類問題。
於「專利文獻1」中，記載有為了防止此種問題，而首先形成ITO之像素電極、其後，形成TFT之汲極電極或者影像信號線之構成。又，於「專利文獻2」中，記載有出於相同目的，而藉由使構成像素電極之ITO成為兩層構造來避免因ITO之顯影液損及汲極電極或影像信號線。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特願2010-217062號
[專利文獻2]日本專利特開2011-145530號公報
液晶顯示裝置係對應著各像素形成TFT。圖13係表示影像信號線107延伸於縱方向且排列於橫方向，掃描線105延伸於橫方向且排列於縱方向，且於由影像信號線107與掃描線105包圍之區域形成有像素之構成的平面圖。於圖13中，省略像素電極。對於各像素之影像信號係自影像信號線107經由第1通孔115通過3個TFT，並經由第2通孔116供給至未圖示像素電極。
於圖13中，掃描線105兼作TFT之閘極電極105。半導體 層103係自與影像信號線107連接之第1通孔115彎折，三次通過掃描線105(閘極電極)下，藉此，形成三個上閘極之TFT。
影像信號線107係對於TFT成為汲極電極107，且與影像信號線107同層地形成之金屬層成為源極電極107。影像信號線、汲極電極、源極電極係相同材料，且同時形成，因此，標註相同之編號107。為了減小電阻，影像信號線107由Al或Al合金形成。此處，使用AlSi，但Si量為1%左右。Al容易擴散至半導體層103，且容易產生突起(hillock)。
為防止Al擴散至半導體層103，而於AlSi層之下層形成MoW等之基礎層1071，且於AlSi層1072之上層形成MoW等之覆蓋層1073。可知悉，此種構成之影像信號線107係於光微影中之蝕刻步驟中，存在圖13所例示之產生影像信號線斷線的概率。
圖14係圖13之影像信號線107之斷線部分中之剖面圖。於圖14中，在TFT基板100上形成有第1底膜101、第2底膜102、閘極絕緣膜104、及層間絕緣膜106，且於其上形成有影像信號線107，但影像信號線107中產生有斷線70。於影像信號線107上形成有無機鈍化膜108，且於該無機鈍化膜108上形成有有機鈍化膜109，於該有機鈍化膜109上形成有上部絕緣膜111，於該上部絕緣膜111上形成有配向膜113。於圖14中，於影像信號線107斷線之部分以不規則之形狀沈積著無機鈍化膜108。
此種影像信號線107之斷線若無法修復，則該液晶顯示 裝置變得不良。本發明之主題在於防止圖13或圖14所示之3層構造之影像信號線107中的斷線。
本發明係克服上述問題者，具體方法主要如下所述。即，一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係掃描線延伸於第1方向且排列於第2方向，影像信號線延伸於第2方向且排列於第1方向，且於由上述掃描線與上述影像信號線包圍之區域形成有像素者，且，上述像素係包含TFT，上述TFT係包含半導體層、閘極絕緣膜、閘極電極、汲極電極、及源極電極，上述影像信號線係包含基礎層、AlSi層及覆蓋層，且於上述AlSi層中，與上述覆蓋層之交界部分中之氧量為上述AlSi層之中央部中之氧量之50倍以上。
又，本發明之製造方法之主要方法係一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於：該液晶顯示裝置係於TFT基板上，掃描線延伸於第1方向且排列於第2方向，影像信號線延伸於第2方向且排列於第1方向，且於由上述掃描線與上述影像信號線包圍之區域形成有像素，上述影像信號線包含基礎層、AlSi層及覆蓋層者，且該方法係藉由濺鍍而形成上述基礎層及上述AlSi層之後，將上述TFT基板自真空腔室中取出曝露於大氣中，其後，於真空腔室中濺鍍覆蓋層。
根據本發明，可於影像信號線、汲極電極、源極電極等中，防止圖案化製程造成斷線之產生，因此，可提昇液晶 顯示裝置之製造良率。
以下，藉由實施例對本發明之內容進行詳細說明。
[實施例1]
圖1係應用本發明之液晶顯示裝置中之TFT與像素部之剖面圖。圖1之TFT係閘極電極105存在於通道部上之上閘極之TFT。於圖1中，玻璃基板100上藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)而形成包含SiN之第1底膜101及包含SiO2之第2底膜102。第1底膜101及第2底膜102之作用在於防止來自玻璃基板100之雜質污染半導體層103。
於第2底膜102上形成有半導體層103。該半導體層103係於第2底膜102上藉由CVD而形成a-Si膜，且藉由對其進行雷射退火而轉換成poly-Si膜。藉由光微影而將該poly-Si膜圖案化。
於半導體膜103上形成閘極絕緣膜104。該閘極絕緣膜104係TEOS(tetraethoxysilane，四乙氧基矽烷)之SiO2膜。該膜亦藉由CVD而形成。於該膜上形成閘極電極105。閘極電極105係與掃描線105同層且同時地形成。閘極電極105係由MoW膜而形成。於必需減小掃描線105之阻抗時使用Al合金。
閘極電極105係藉由光微影而圖案化，但進行該圖案化時，藉由離子植入法(ion implantation)而將磷或者硼等雜質摻雜於poly-Si層中，於poly-Si層形成源極S或者汲極 D。又，利用閘極電極105圖案化時之光阻劑，於poly-Si層之通道層與源極S或者汲極D之間，形成LDD(Lightly Doped Drain，微摻雜汲極)層。
其後，覆蓋閘極電極105或掃描線105，且藉由SiO2而形成層間絕緣膜106。層間絕緣膜106之目的在於使掃描線105與影像信號線107等絕緣。於層間絕緣膜106上形成源極電極107與汲極電極107。源極電極107、汲極電極107、影像信號線107係同層且同時地形成。影像信號線107等係使用AlSi合金，以減小阻抗。AlSi中之Si量為1%左右。AlSi合金因產生突起，或Al擴散至其他層，故由MoW之障壁層1071及SD覆蓋層1073包夾。此處，障壁層1071之厚度例如為40 nm，AlSi層1072之厚度例如為250 nm，覆蓋層1073之厚度例如為75 nm。
為連接TFT之汲極與汲極電極107，而於閘極絕緣膜104形成第1通孔115。汲極電極107係與影像信號線107一體相連。又，為連接TFT之源極S與源極電極107而於閘極絕緣膜104形成第1通孔115。
為覆蓋源極電極107、汲極電極107、影像信號線107等，保護TFT整體，而被覆無機鈍化膜108。無機鈍化膜108係與第1底膜101同樣地藉由CVD而形成。覆蓋無機鈍化膜108，形成有機鈍化膜109。有機鈍化膜109係由感光性丙烯酸系樹脂等形成。有機鈍化膜109具有作為平坦化膜之作用，故較厚地形成。有機鈍化膜109之膜厚為1~4 μm，但多數情形時為2~3 μm。
於有機鈍化膜109上，藉由作為透明電極之ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)而形成對向電極110。對向電極110係以平面固態形成。於對向電極110上形成有SiN之上部絕緣膜111，且於該上部絕緣膜111上形成有梳齒狀之像素電極112。為了通過TFT對像素電極112賦予影像信號而於上部絕緣膜111、有機鈍化膜109、無機鈍化膜108形成第2通孔116，將源極電極107與像素電極112連接。若對像素電極112施加影像信號，則藉由梳齒狀之像素電極112與以平面固態形成之對向電極110之間產生之電力線，而使液晶分子旋轉，液晶層之透射率發生變化，形成圖像。
如此般，將於有機鈍化膜109上以平面固態形成對向電極110且夾著上部絕緣膜111形成梳齒狀之像素電極112的構成稱為IPS-PRO。又，將與圖1相反地於有機鈍化膜109上以平面固態形成像素電極112且夾著上部絕緣膜111形成梳齒狀之對向電極110之構成亦稱為IPS-PRO。
圖1中之汲極電極107係如圖13所示，與影像信號線107一體地形成。因而，影像信號線107亦由基礎層1071、AlSi層1072、覆蓋層1073而形成。由於影像信號線107較為細長，故而產生圖13及圖14所示之斷線之機會較多。基礎層1071、AlSi層1072、覆蓋層1073係依序藉由濺鍍而形成，且其後藉由光微影而各層一併同時地進行圖案化。
若分析影像信號線107之斷線之原因，則可知自濺鍍之覆蓋層1073之成膜起至光微影之圖案化為止之時間越長斷線數量越增加。可認為其原因在於在AlSi層1072與覆蓋層 1073之間形成合金，且該合金由蝕刻液進行蝕刻之速度較快。
圖2係表示該機制之剖面示意圖。圖2A係表示在層間絕緣膜106上將包含基礎層1071、AlSi層1072、覆蓋層1073之影像信號線107進行成膜之狀態。圖2B係表示於AlSi層1072與覆蓋層1073之間生成合金層1075。該合金層1075係局部變厚。圖2C係表示為進行圖案化而形成抗蝕劑120且將其曝露於蝕刻液中之狀態。於圖2C中，表示朝著較厚地形成有蝕刻速度較快之合金層1075之部分、即於白箭頭之方向上不斷進行蝕刻之情況。圖2D係表示最終於較厚地形成有合金層1075之部分中，藉由蝕刻液而於影像信號線107中產生斷線70之狀態。
圖2B等所示之合金層1075係於藉由濺鍍而將影像信號線107成膜後，隨著時間而增大。因而，自濺鍍之成膜起至光微影步驟為止之放置時間越長，斷線之比例變得越大。圖3係繪製於形成有圖2所示之合金層1075之先前例中，對覆蓋層1073進行濺鍍後直至光微影為止之放置時間與影像信號線107之斷線產生數(圖3中之D斷)所得者。
於圖3中，縱軸之影像信號線107之斷線(D斷)之數量係每一片母基板中之影像信號線107之斷線之產生數。即，製造液晶顯示裝置時，於大塊之母基板形成多個液晶顯示面板，且藉由切割等而將該液晶顯示面板單個地分離。圖3中之母基板為730 mm×920 mm，且於其中形成有200個液晶顯示面板。即，例如，若影像信號線107之斷線不良產 生多達500個，則形成於母基板之液晶顯示面板幾乎均為不良。
於圖3中，影像信號線107之斷線係於50個小時為止幾乎未發生。因而，於先前規格中，將覆蓋層1073之濺鍍後直至光微影為止之時間設為48個小時以內，藉此，防止影像信號線107之斷線。此情形意味著對製程之制約較大。
本發明係賦予即便覆蓋層1073濺鍍後之放置時間增大亦不產如此之影像信號線107之斷線之構成者。於圖4中表示可構成本發明之液晶顯示面板之製造製程。圖4係對比本發明之製程與先前例之製程所記載者。
首先，自圖4中之先前例進行說明。於TFT基板100中，在形成層間絕緣膜106後，且形成障壁層1071之前進行清洗。其係障壁MoW濺鍍前清洗。其後，對作為障壁層1071之MoW進行濺鍍。其後，對該障壁層1071進行Rapid Thermal Anneal(RTA，快速高熱退火)。RTA係藉由燈而瞬間地將障壁層1071退火之步驟。可藉由RTA而提昇障壁層1071對Al之阻擋效應。
其後，於其他濺鍍腔室中，藉由濺鍍而形成AlSi層1072，繼而，藉由濺鍍而形成作為覆蓋層1073之MoW。其後，進行Al光微影，且藉由濕式蝕刻而將覆蓋層1073、AlSi層1072、基礎層1071同時地蝕刻，其後，剝離抗蝕劑120。
於先前例中，由於連續地形成AlSi層1072與覆蓋層1073，故而於該兩層之間生成合金層1075。由於該合金層 1075之蝕刻速率快於其他金屬，故而成為斷線之原因。本發明係藉由於AlSi層1072與覆蓋層1073與之間形成Al之氧化物層1074而防止合金層1075之生成。再者，可認為Al之氧化物層1074之大部分為AL2O3。其原因在於AlSi層1072中之Si量為1%左右。
圖4之右側之製程係本發明之製程流程圖。本發明與先前例不同之處在於：藉由濺鍍而形成AlSi層1072之後，自真空腔室中取出基板，將AlSi層1072曝露於大氣中，使AlSi層1072之表面上形成Al氧化層1074。藉此，可防止於AlSi層1072與覆蓋層1073之間形成蝕刻速率較快之合金層1075。又，由於Al氧化層1074之蝕刻速率較慢，故而因蝕刻而產生斷線之概率極小。
AlSi層1072於濺鍍後曝露於大氣中之時間亦可為極短之時間。其原因在於，氧化物層1074於極短時間形成。若意圖決定曝露於大氣中之時間，則只要設為30秒以上便足夠。又，由於Al之氧化層1074達到一定以上即無法進行，故而除去AlSi層1072本身因大氣中之水分等而劣化之長時間以外，無需特別進行上限。
圖6係本發明之影像信號線107、汲極電極107、源極電極107等(以後影像信號線)之製造流程圖。於圖5中，省略載有影像信號線107之層間絕緣膜。圖5A係表示如先前所述形成有MoW之基礎層1071、AlSi層1072之狀態。圖5B係表示形成AlSi層1072之後，藉由將基板自真空腔室中取出曝露於大氣中而於AlSi層1072之表面形成Al氧化層1074之 狀態的剖面圖。圖5C係表示於Al氧化層1074上形成MoW之覆蓋層1073之狀態。
圖5D係表示為進行圖案化而於覆蓋層1073上形成抗蝕劑120之狀態。圖5E係表示於該狀態下進行蝕刻，將形成有抗蝕劑120之部分以外之覆蓋層1073、AlSi層1072、障壁層1071去除之狀態。圖5F係表示去除抗蝕劑120之狀態。如圖5所示，根據本發明，於AlSi層1072與覆蓋層1073之間未形成蝕刻速率較快之合金，取而代之形成Al氧化層1074，因此可防止如先前般蝕刻影像信號線107時產生之斷線70。
圖6係將本發明應用於實際製品時之影像信號線107之斷線之數量與先前例進行比較者。先前例係如菱形之曲線所示，影像信號線107之斷線之數量係若超過50個小時，則指數函數性增大。另一方面，於方形之曲線所示之本發明中，影像信號線107之斷線於實施試驗之196個小時之前為零。再者，影像信號線107之斷線70之數量係與圖3相同地為尺寸730 mm×920 mm之每一母基板之數量。如此般，對本發明之影像信號線107之斷線之效果極大。
另一方面，必需評價於AlSi層1072與覆蓋層1073之間形成Al氧化層1074後之AlSi層1072與覆蓋層1073之黏著力、或者蝕刻寬度之不均一。圖7係評價AlSi層1072與覆蓋層1073之黏著力所得之示意圖。
圖7A係先前例。於圖7A中，於層間絕緣膜106上形成有基礎層1071、AlSi層1072、覆蓋層1073。由切割器對覆蓋 層1073、AlSi層1072、基礎層1071劃出劃痕20，且於覆蓋層1073上貼附膠帶10，進行剝離試驗。圖7B係本發明之構成。於圖7B中，由切割器對覆蓋層1073、Al氧化層1074、AlSi層1072、基礎層1071劃出劃痕20，且於覆蓋層1073之表面上貼附膠帶10，進行剝離試驗。若覆蓋層1073自AlSi層1073或Al氧化層1074上剝離，則可謂黏著力不充分。
圖8A係表示於母基板30中進行剝離試驗之部位。部位係母基板30之中央與4角落。圖8B係剝離試驗之結果。圖8B之左欄中之連續成膜係連續形成有AlSi層1072與覆蓋層1073，故為先前例。Ref意指參考例。非連續係指本發明者，且濺鍍AlSi層1072之後，解除真空，於AlSi層1072之表面形成Al氧化層1074，其後形成覆蓋層1073者。非連續之下方記載之時間為濺鍍AlSi層1072之後且直至濺鍍覆蓋層1073為止之大氣中之放置時間。再者，零小時係將AlSi層1072再次曝露於大氣後立刻送返至真空腔室之情形。
圖8B之列方向之數字係對應於圖8A之部位。如圖8A及圖8B所示，於所有部位中，均未產生覆蓋層1073之剝離。即，關於覆蓋層1073之剝離，先前例與本發明中並無顯著差異。
圖9及圖10係於本發明之構成中評價影像信號線107之寬度之不均一之例。藉由濺鍍而形成覆蓋層1073之後，藉由光微影步驟而形成抗蝕劑120。於先前例與本發明中評價抗蝕劑寬度(抗蝕劑之顯影尺寸)。於圖9中，橫軸係影像信號線107之抗蝕劑120之顯影尺寸，縱軸係度數分佈。Ref 係先前例，且與AlSi層1072連續地藉由濺鍍而形成覆蓋層1073之例。於圖9中，12 h放置、24 h放置、96 h放置係於本發明中，形成AlSi層1072之後直至形成覆蓋層1073為止之期間基板曝露於大氣中之時間。
根據圖9，可謂抗蝕劑120之顯影尺寸係先前例、本發明中之放置時間12 h、24 h、96 h均無顯著差異。於圖9中，3σ於Ref中為0.427，略大，於本發明中，12 h放置時為0.391，24 h放置時為0.390，96 h放置時為0.396，本發明者略小，但可謂其程度之差為生產批次之不均一之範圍內。
圖10係表示蝕刻後之影像信號線107之寬度分佈者。於圖10中，橫軸係Al完成尺寸、即影像信號線107之尺寸，縱軸係度數分佈。圖10中之評價對象係與圖9中說明者相同。於圖10中，影像信號線107之尺寸係與先前例相比，本發明者變大。即，可認為其原因在於在本發明中，於AlSi層1072與覆蓋層1073之間形成有Al氧化層1074，且該Al氧化層1074之蝕刻速度較小。
另一方面，於本發明中，形成AlSi層1072之後直至形成覆蓋層1073為止曝露於大氣中之時間為12 h、24 h、96 h，故可謂無顯著差異。3σ於先前例(Ref)中為0.43，於12 h放置時為0.517，於24 h放置時為0.465，於96 h放置時為0.478，但其程度之差為生產批次之不均一之範圍內。
如此般，影像信號線107之寬度於本發明之構成中大於先前例之構成，但不均一可謂並無變化。因而，若考慮蝕 刻速率之差，決定抗蝕劑120之顯影尺寸，則可藉由與先前相同之不均一獲得特定之影像信號線寬。
圖11係用以確定先前規格中之影像信號線107及其上下層之成分的SIMS(Secondary Mass Spectrometry，次級離子質譜分析)之數據。SIMS係根據層之上側之成分所測定。於圖11中，首先，觀察作為無機鈍化膜108之SiN，其後，檢測作為覆蓋層1073之MoW，其後，檢測AlSi層1072，其後，檢測作為障壁層1071之MoW，其後，檢測作為層間絕緣膜106之SiO2。於圖11中，實線為氧，虛線為Al，一點鏈線為Si。
圖12係用以確定本發明中之影像信號線107及其上下層之成分之SIMS之數據。於圖11中，首先，觀測作為無機鈍化膜108之SiN，其後，檢測作為覆蓋層1073之MoW。其後，檢測AlSi層1072，而與作為先前例之圖11較大不同之處在於在AlSi層1072中之與覆蓋層1073之交界氧量極大。氧量越靠近AlSi層1072之中央附近則越小，故與先前例相同。其後，檢測作為障壁層1071之MoW且檢測作為層間絕緣膜106之SiO2係與圖11所示之先前例相同。
本發明之特徵在於，圖12中之AlSi層1072中之與覆蓋層1073之交界處之氧量與AlSi層1072之中央處之氧量之差為50倍以上，更佳為100倍以上。另一方面，於表示先前例之圖11中，AlSi層1072中之與覆蓋層1073之交界處之氧量與AlSi層1072之中央處之氧量之差為10倍左右。
如此般，於本發明中，可藉由於AlSi層1072中之與覆蓋 層1073之交界處，形成Al氧化層1074，而防止於影像信號線等之圖案化時蝕刻速率局部地異常變快導致之斷線，從而可提昇液晶顯示面板之製造良率。
以上內容中，就使用上閘極之TFT之IPS-PRO之構成說明了本發明。本發明亦可同樣地應用於使用閘極電極相較半導體層存在於下側之所謂下閘極之TFT的IPS-PRO。又，本發明亦可應用於如「專利文獻1」或者「專利文獻2」中記載之於無機鈍化膜上以平面固態形成像素電極，且於層間絕緣膜上形成有梳齒狀之對向電極的構成之所謂IPS-LITE的液晶顯示裝置。進而，本發明亦可應用於所謂TN(Twisted Nematic，扭轉向列)或者VA(Vertical Alignment，垂直對準)方式之液晶顯示裝置。即，可用於由基礎層、AlSi層、覆蓋層之3層形成影像信號線、汲極電極、或者源極電極之液晶顯示裝置。
10‧‧‧膠帶
20‧‧‧切割器所致之劃痕
30‧‧‧母基板
50‧‧‧像素
50‧‧‧像素
70‧‧‧影像信號線斷線
100‧‧‧TFT基板
101‧‧‧第1底膜
102‧‧‧第2底膜
103‧‧‧半導體層
104‧‧‧閘極絕緣膜
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧層間絕緣膜
107‧‧‧影像信號線、汲極電極、源極電極
108‧‧‧無機鈍化膜
109‧‧‧有機鈍化膜
110‧‧‧對向電極
111‧‧‧上部絕緣膜
112‧‧‧像素電極
113‧‧‧配向膜
115‧‧‧第1通孔
115‧‧‧第2通孔
120‧‧‧抗蝕劑
1071‧‧‧障壁層
1072‧‧‧AlSi層
1073‧‧‧覆蓋層
1074‧‧‧Al氧化層
1075‧‧‧合金層
圖1係應用本發明之液晶顯示裝置之剖面圖。
圖2(A)~圖2(D)係表示先前例中之斷線產生之機制之剖面示意圖。
圖3係表示先前例中形成覆蓋層後之放置時間與影像信號線之斷線產生之關係的圖表。
圖4係先前例與本發明之影像信號線之製造製程流程圖。
圖5(A)~圖5(F)係本發明之影像信號線之製造製程之剖面圖。
圖6係於先前例與本發明中比較覆蓋層形成後之放置時間與影像信號線之斷線數量所得的圖表。
圖7(A)、圖7(B)係覆蓋層之黏著強度試驗之示意圖。
圖8係覆蓋層之黏著強度試驗之結果。
圖9係本發明與先前例中之抗蝕劑顯影寬度之分佈。
圖10係本發明與先前例中之影像信號線之圖案寬度之分佈。
圖11係先前例中之影像信號線之SIMS之元素分析的結果。
圖12係本發明中之影像信號線之SIMS之元素分析的結果。
圖13係應用本發明之像素部與TFT之平面圖，且係表示影像信號線之斷線之平面圖。
圖14係表示影像信號線之斷線狀態之剖面圖。
10‧‧‧膠帶
100‧‧‧TFT基板
101‧‧‧第1底膜
102‧‧‧第2底膜
103‧‧‧半導體層
104‧‧‧閘極絕緣膜
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧層間絕緣膜
107‧‧‧影像信號線、汲極電極、源極電極
108‧‧‧無機鈍化膜
109‧‧‧有機鈍化膜
111‧‧‧上部絕緣膜
112‧‧‧像素電極
113‧‧‧配向膜
1071‧‧‧障壁層
1072‧‧‧AlSi層
1073‧‧‧覆蓋層
D‧‧‧汲極
LDD‧‧‧輕微摻雜之汲極層
S‧‧‧源極

Claims (6)

  1. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係掃描線延伸於第1方向且排列於第2方向，影像信號線延伸於第2方向且排列於第1方向，且於由上述掃描線與上述影像信號線包圍之區域形成有像素者，上述像素係包含TFT，上述TFT係包含半導體層、閘極絕緣膜、閘極電極、汲極電極、及源極電極，上述影像信號線係包含基礎層、AlSi層及覆蓋層，且於上述AlSi層中，與上述覆蓋層之交界部分中之氧量為上述AlSi層之中央部中之氧量之50倍以上。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中於上述AlSi層中，與上述覆蓋層之交界部分中之氧量為上述AlSi層之中央部中之氧量的100倍以上。
  3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述TFT係上閘極之TFT。
  4. 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於：該液晶顯示裝置係於TFT基板上，掃描線延伸於第1方向且排列於第2方向，影像信號線延伸於第2方向且排列於第1方向，且於由上述掃描線與上述影像信號線包圍之區域形成有像素，上述影像信號線包含基礎層、AlSi層及覆蓋層者，且該方法係藉由濺鍍而形成上述基礎層及上述AlSi層之後，將上述TFT基板自真空腔室中取出曝露於大氣中，其後，於真空腔室中濺鍍覆蓋層。
  5. 如請求項4之液晶顯示裝置，其中藉由濺鍍而形成上述基礎層及上述AlSi層之後，將上述TFT基板自真空腔室中取出曝露於大氣中之時間為30秒以上。
  6. 如請求項4之液晶顯示裝置，其中藉由濺鍍而形成上述基礎層之後，將上述TFT基板自真空腔室中取出曝露於大氣中之後，於真空腔室中藉由濺鍍而形成AlSi層。
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