JP2007334284A - 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板に係り、より詳しくは、有機半導体物質を半導体層とする液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に金属物質で構成されて、相互に離隔して形成された第1ソース電極及び第1ドレイン電極と;透明導電性物質で構成されて、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極の上部面を覆う第2ソース電極及び第2ドレイン電極と;前記第2ドレイン電極と接触する画素電極と;前記基板上に形成された有機半導体層と;前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と;前記基板上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
【選択図】図4F
Description
図1に示したように、液晶表示装置は、相互に向かい合う第1基板12及び第2基板22と、両基板12、22間に介される液晶層30を含む。
この時、図面には示してないが、ゲート配線135上に別途の保護層をさらに形成することもできる。
この時、図面には示してないが、ゲート配線235上に別途の保護層をさらに形成することもできる。
205a:第1ソース電極
205b:第2ソース電極
208a:第1ドレイン電極
208b:第2ドレイン電極
213:画素電極
217:有機半導体層
220:ゲート絶縁膜
225:ゲート電極
230:保護層
233:ゲートコンタクトホール
235:ゲート配線
op:開口部
P:画素領域
TrA:スイッチング領域
Claims (30)
- 基板上に金属物質で構成されて、相互に離隔して形成された第1ソース電極及び第1ドレイン電極と;
透明導電性物質で構成されて、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極の上部面を覆う第2ソース電極及び第2ドレイン電極と;
前記第2ドレイン電極と接触する画素電極と;
前記基板上に形成された有機半導体層と;
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と;
前記基板上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第1ソース電極から延長して形成されて、前記第1ソース電極と同一物質で構成される第1データ配線と、前記第2ソース電極から延長して形成されて、前記第2ソース電極と同一物質で構成される第2データ配線とで構成されるデータ配線をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第2データ配線は、前記第1データ配線の上部面を覆う形状であることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第2データ配線は、前記第1データ配線の側面を覆うことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート電極の上部に形成されて、前記ゲート配線を露出させるゲートコンタクトホールを有する第1保護層と;
前記第1保護層の上部に形成されて、前記ゲートコンタクトホールを通じて前記ゲート電極と接触するゲート配線をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第1保護層は、前記画素電極を露出させる開口部をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線の上部に形成される第2保護層をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記透明導電性物質は、インジウムースズーオキサイド(ITO)またはインジウムージンクーオキサイド(IZO)であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記第2ドレイン電極と同一層に同一物質で構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記金属物質は、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金(AlNd)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、銅合金のうちから選択された一つで構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記有機半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極は、同一な形態であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記有機半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極の一端は、相互に一致することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記基板と前記有機半導体層間に形成されるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極は、各々前記第1ソース電極と前記第1ドレイン電極の側面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記有機半導体層は、前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極の上部に形成されて、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極は、前記有機半導体層の上部に連続して積層されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート電極は、モリブデン(Mo)またはクロム(Cr)で構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上に金属物質を利用して相互に離隔する第1ソース電極及び第1ドレイン電極を形成する段階と;
前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極の上部に、各々前記第1ソース電極と前記第1ドレイン電極の上部面を覆う形態の透明導電性物質で構成される第2ソース電極及び第2ドレイン電極を形成する段階と;
前記第2ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階と;
前記基板上に有機半導体層を形成する段階と;
前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記基板上にゲート電極を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第1ソース電極から延長して形成されて、前記第1ソース電極と同時に形成される第1データ配線を形成する段階と;
前記第2ソース電極から延長して形成されて、前記第2ソース電極と同時に形成される第2データ配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2データ配線は、前記第1データ配線の上部面を覆う形態で形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2データ配線は、前記第1データ配線の側面を覆うことを特徴とする請求項19に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート電極の上部に、前記ゲート電極を露出させるゲートコンタクトホールを有する第1保護層を形成する段階と;
前記第1保護層の上部に、前記ゲートコンタクトホールを通じて前記ゲート電極と接触するゲート配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第1保護層を形成する段階は、前記第1保護層に前記画素電極を露出させる開口部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート配線の上部に第2保護層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記第2ドレイン電極と同時に形成されることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体層の形成段階、前記ゲート絶縁膜の形成段階及び前記ゲート電極の形成段階は、一つのマスクを利用して行われることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極の一端は、相互に一致することを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記基板と前記有機半導体層間にバッファ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体層の形成段階以前に、前記ソース電極及びドレイン電極を含む基板を酸素O2プラズマ処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極の形成段階は、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極の形成段階で利用されたマスクと同一なものを利用して行われることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極は、各々前記第1ソース電極と前記第1ドレイン電極の側面を覆うことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
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