JP2004103905A - 有機半導体素子 - Google Patents

有機半導体素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2004103905A
JP2004103905A JP2002265170A JP2002265170A JP2004103905A JP 2004103905 A JP2004103905 A JP 2004103905A JP 2002265170 A JP2002265170 A JP 2002265170A JP 2002265170 A JP2002265170 A JP 2002265170A JP 2004103905 A JP2004103905 A JP 2004103905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic semiconductor
semiconductor layer
electrode
semiconductor device
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002265170A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Nagayama
永山　健一
Kenji Nakamura
中村　健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP2002265170A priority Critical patent/JP2004103905A/ja
Priority to US10/653,428 priority patent/US7230267B2/en
Priority to EP03019993A priority patent/EP1398840A3/en
Priority to CNA031570070A priority patent/CN1495931A/zh
Publication of JP2004103905A publication Critical patent/JP2004103905A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
    • H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/491—Vertical transistors, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

【課題】駆動電圧の上昇を抑え得る有機半導体素子を提供する。
【解決手段】対向する１対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子は、１対の電極の少なくとも一方と有機半導体層との間に接触して挿入されかつ接触する電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を含む。
【選択図】　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キャリア移動性の有機化合物を利用し、かかる有機化合物からなる有機半導体層を備えた有機半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイオードや、信号処理に必要なスイッチや増幅機能を行うトランジスタに用いられる半導体には、高いキャリア移動度や、低い暗電流や、低い駆動電圧や、複雑な素子構造など、の性能が要求されるので、シリコンに代表される無機半導体が、半導体素子の主役となっている。
【０００３】
有機半導体では、その電気−光変換特性を利用した有機エレクトロルミネセンス装置が開発されている。さらに、有機半導体薄膜に電界を加えるとキャリア密度が増加するので、有機半導体薄膜上に１対の電極を設けその間に電流を流すことが可能になる。例えば、有機半導体薄膜上にソース電極及びドレイン電極を配置し、その間のゲート電極で薄膜の厚さ方向に電圧を印加し、有機半導体薄膜に沿った方向の電流をスイッチングできる。よって、有機トランジスタの研究もなされ、電気信号を利用して、接合界面（金属−有機半導体、有機半導体−有機半導体）にて、有機半導体中のキャリア（電子及び正孔）を制御する情報の伝達、処理及び記録表示などの技術に有機半導体が利用されつつある。
【０００４】
図１及び図２は有機半導体薄膜を用いた有機ＭＯＳ−ＴＦＴの構造のボトムコンタクト型及びトップコンタクト型の例を示す。有機ＭＯＳ−ＴＦＴは、基板１０上にゲート電極１４、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１１及びドレイン電極１５、並びに有機半導体層１３を備えている。ゲート電極１４としてはＮｉ、Ｃｒなどが、ゲート絶縁膜１２にはＳｉＯ２、ＳｉＮなど金属の酸化物や窒化物などの無機物やＰＭＭＡなどの樹脂が、有機半導体層１３にはペンタセンなどが、それぞれ用いられている。また、ソース電極１１及びドレイン電極１５にはＰｄ、Ａｕなどの単層膜が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ソース電極から有機半導体層を介してドレイン電極へと電流が流れる際、各々の界面ではソース電極及びドレイン電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの差による障壁が存在し、駆動電圧が高くなってしまっていた。
【０００６】
本発明の解決しようとする課題には、駆動電圧の上昇を抑え得る有機半導体素子を提供することが一例として挙げられる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の有機半導体素子の発明は対向する１対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記１対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明による有機半導体素子として有機トランジスタの実施例を図面を参照しつつ説明する。
図３は実施形態のボトムコンタクト型有機トランジスタを示す。有機トランジスタは、ガラス、プラスチックなどの絶縁性の基板１０上に形成されたゲート電極１４上に形成されたゲート絶縁膜１２と、この上に形成されたペンタセンなどのキャリア移動性の有機化合物からなる有機半導体層１３と、ソース電極１１及びドレイン電極１５と有機半導体層１３との間に接触して挿入されるように形成されたバッファ層ＢＦから構成されている。バッファ層ＢＦは、接触する電極の仕事関数と有機半導体層の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）との間の値のイオン化ポテンシャルを有する。ゲート電極１４は対向するソース電極１１及びドレイン電極１５の間の有機半導体層１３に電界を印加する。
【０００９】
図４は実施形態のトップコンタクト型有機トランジスタを示す。トップコンタクト型素子は、有機半導体層１３が先に成膜され、その上にバッファ層ＢＦ、ソース電極１１及びドレイン電極１５が順に形成されて、その積層順が逆の順となる以外、図３のボトムコンタクト型と同じ構成を有する。
有機半導体層１３は電界印加によって正孔又は電子の輸送能力を有する有機化合物からなる。有機半導体層１３は、それぞれキャリア輸送能力を有する有機化合物の薄膜からなる多層構造とすることもできる。有機半導体として、キャリア移動度が大きいペンタセンの他に、アントラセン、テトラセンなどの縮合環類も用いられる。
【００１０】
ソース電極１１及びドレイン電極１５には、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇ、Ｚｎなどの金属が挙げられる。これらの中では、特に比抵抗が低いＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ又はこれらを含む合金が好適である。
ゲート電極１４は、ゲート絶縁膜１２を介して電界を印加する場合、電極材料として一般に用いられるＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、及びそれらを含む合金などが用いられる。
【００１１】
有機半導体中のキャリア移動のために、バッファ層ＢＦが有するイオン化ポテンシャルの条件すなわち、接触電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルとの間の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）の値は特に重要である。抵抗なくキャリアが移動するにはエネルギー障壁が小さいほうがよいからである。図５に示すように、金属からなるソース電極１１及びドレイン電極１５の仕事関数Ｗｆ及びバッファ層ＢＦの仕事関数ＷｆＢは真空準位（０ｅＶ）から各フェルミ準位へと測定したエネルギーである。有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルＩｐは真空準位から価電子帯ＶＢ上端の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位へと測定したエネルギーである。なお、電子親和力Ｅａは０ｅＶの基準エネルギー準位の真空準位（ＶＡＣＵＵＭ　ＬＥＶＥＬ）から伝導帯ＣＢ下端の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）準位へと測定したエネルギーである。
【００１２】
本実施形態のｐ型有機半導体素子で使用するバッファ層ＢＦの材料としては、Ｗｆ＜ＷｆＢ＜Ｉｐを満たすものが好ましい。かかるバッファ層ＢＦの挿入によって、ソース電極１１からバッファ層ＢＦを介して有機半導体層へと障壁が段階的になり、電流が流れやすくなる。例えば、有機半導体層材料としてペンタセン（イオン化ポテンシャルＩｐ＝５．０６ｅＶ）、ソース電極及びドレイン電極としてＡｕ（仕事関数φ＝４．５８ｅＶ）を用いた場合、バッファ層の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）をこれらの間（４．５８〜５．０６ｅＶ）とすればよい。例えば、４．５ｅＶ以上のインジウムすず酸化物（いわゆるＩＴＯ）、イリジウム亜鉛酸化物（いわゆるＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛など、金属の酸化物や窒化物や酸化物、などがバッファ層ＢＦに用いられる。さらに、バッファ層ＢＦに接触電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間のイオン化ポテンシャル値を有する電荷輸送性例えば正孔輸送性を有する有機化合物を用いることができる。また、ソース電極１１及びドレイン電極１５間の絶縁が確保される場合、白金、パラジウム、クロム、セレン、ニッケルなどの金属若しくはこれらの合金、あるいは、ヨウ化銅など接触電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数値を有する金属若しくは合金もバッファ層ＢＦに用いられる。
【００１３】
バッファ層の膜厚は挿入による効果が発現する範囲であれば、できる限り薄い方が望ましい。一般に、バッファ層挿入の効果は、膜厚が１００Å以下の連続膜とならない不連続な島状構造であっても発現する。図６に示すようにバッファ層ＢＦの膜厚が非常に薄く島状構造となる場合、バッファ層に金属などの導電体を用いることもできる。この場合、バッファ層ＢＦが不連続な島状構造であるため、材料に導電性があっても横方向には電流が流れず、ソース電極及びドレイン電極間はショートしない。
【００１４】
バッファ層の具体的な膜厚は、最も好ましいのは５〜１００Å、好ましくは１００〜１０００Å、少なくとも５０００Å以下にする必要がある。図３のようなボトムコンタクト型の素子では、バッファ層が厚いとチャネル部分に電流が流れにくくなるので、特にバッファ層の膜厚を薄くする方が好ましい。
これらバッファ層、ソース電極及びドレイン電極の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など、任意の方法を用い得る。材料の使用効率、装置の簡便性を考慮するとスパッタ法が好ましい。
【００１５】
有機半導体層のペンタセンは、高い正孔移動度を示すキャリア輸送性材料である。このペンタセン有機半導体層を用いて、図３に示すボトムコンタクト型素子を作成すると、正孔輸送性（ｐ型）素子が実現できる。
有機半導体層におけるキャリアが正孔の場合には正孔が移動できる正孔輸送性材料または両性輸送性材料が有機半導体として必要になり、キャリアが電子の場合には電子が移動できる電子輸送材料または両性輸送性材料が必要になる。正孔輸送材料又は両性輸送材料としては、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）などが、電子輸送材としてはアルミニウムキノリノール錯体（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｏｒｏｘｙｑｕｎｏｌｉｎｅ　ａｌｕｍｉｎｕｍ）などがある。
【００１６】
上記実施例では、本発明をソース電極及びドレイン電極の両電極に適用したが、ソース電極とドレイン電極の何れか一方の電極のみに適用することもできる。さらに、他の実施形態では図７及び図８に示すトップコンタクト型及びボトムコンタクト型の有機トランジスタのように、ソース電極１１及びドレイン電極１５の直下部分にのみバッファ層ＢＦ１及びＢＦ２を形成しても良い。
【００１７】
また、上記実施例ではＴＦＴ単体の作製における実施例を示したが、本発明によるＴＦＴをＬＣＤ、ＥＬなど表示装置の画素の駆動に用いることもできる。具体的には、少なくとも本発明による有機トランジスタを１つ以上、コンデンサなど必要な素子、画素電極などを共通の基板上に作製すれば、本発明による有機ＭＯＳ−ＴＦＴを用いたアクティブ駆動型の表示装置を実現できる。例として、図９は本発明をＴＦＴ−ＬＣＤ表示装置に適用した場合の表示装置の基板構造を示す。表示装置において、バッファ層ＢＦ上に積層されたソース電極１１がＬＣＤの画素電極２０に接続され、有機半導体層１３が保護膜２１で被覆されている。
【００１８】
さらに、図１０に示すように、他の実施形態の有機トランジスタとして縦型構造のＳＩＴ（静電誘導形トランジスタ）に適用できる。積層膜厚方向の電流をスイッチングできるＳＩＴは、各々が積層されたソース電極１１及びドレイン電極１５接触したバッファ層ＢＦ１及びＢＦ２で有機半導体層１３を挟み、有機半導体層１３の厚さ方向の中間に包埋された多孔性のゲート電極１４を有した３端子構造を有する。そのゲート電極１４に電圧を印加したとき、ゲート電極周りの有機半導体に生じる空乏層によってドレイン及びソース間の電流を制御できる。
【００１９】
またさらに、図１１に示すように、有機トランジスタは、互いに積層されたゲート電極１４、ソース電極１１及びドレイン電極１５から構成されていればよく、図３とは逆の順序すなわち、基板１０上に、ソース電極１１及びドレイン電極１５、バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２並びにソース電極１１及びドレイン電極１５を形成し、有機半導体層１３、ゲート絶縁膜１２、並びにゲート電極１４の順で積層して形成してもよい。
【００２０】
同様に、図１２に示すように、有機トランジスタは、有機半導体層１３を挟んで、バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２並びにソース電極１１及びドレイン電極１５を形成し、ゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１４を離間させるように形成してもよい。
本実施形態による有機ＭＯＳ−ＴＦＴ素子は、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層の間に、仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）が、ソース電極及びドレイン電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの間であるバッファ層を挿入した構造としたため、電極からバッファ層を介して有機半導体層へと障壁が段階的になり、電流が流れやすくなって、ソース電極及びドレイン電極間の駆動電圧を低くできるので、消費電力が小さい。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機トランジスタを示す断面図。
【図２】有機トランジスタを示す断面図。
【図３】本発明による実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図４】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図５】本発明による実施形態の有機半導体素子の一部のエネルギー準位を示す図。
【図６】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図７】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図８】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図９】本発明による他の実施形態の有機トランジスタ発明をＴＦＴ−ＬＣＤ表示装置に適用した場合の表示装置の基板構造を示す部分断面図。
【図１０】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図１１】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【図１２】本発明による他の実施形態の有機トランジスタを示す断面図。
【符号の説明】
１０　基板
１１　ソース電極
１２　ゲート絶縁膜
１３　有機半導体層
１４　ゲート電極
１５　ドレイン電極
ＢＦ、ＢＦ１、ＢＦ２　バッファ層

Claims (12)

  1. 対向する１対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記１対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする有機半導体素子。
  2. 前記有機半導体層は、ｐ型半導体であることを特徴とする請求項１記載の有機半導体素子。
  3. 前記バッファ層は、金属、金属酸化物又は有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の有機半導体素子。
  4. 前記バッファ層は５０００Å以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１記載の有機半導体素子。
  5. 前記バッファ層は１０００Å以下の膜厚を有することを特徴とする請求項４記載の有機半導体素子。
  6. 前記バッファ層は島状に離散して形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１記載の有機半導体素子。
  7. 前記１対の電極はソース電極及びドレイン電極であり、前記有機半導体層は前記ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように積層され、さらに、前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記有機半導体層に電界を印加せしめるゲート電極を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１記載の有機半導体素子。
  8. 前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を備えたことを特徴とする請求項７記載の有機半導体素子。
  9. 前記ソース電極及びドレイン電極は共に前記有機半導体層の片側面に配置されたことを特徴とする請求項７記載の有機半導体素子。
  10. 前記ソース電極及びドレイン電極はそれぞれ前記有機半導体層を挟んで両側に配置されたことを特徴とする請求項７記載の有機半導体素子。
  11. 前記１対の電極はソース電極及びドレイン電極であり、前記有機半導体層は前記ソース電極及びドレイン電極の間に挟持されるように膜厚方向に積層され、かつ、前記有機半導体層に包埋されたゲート電極を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１記載の有機半導体素子。
  12. 前記有機半導体層に包埋されたゲート電極は、格子状、櫛状又は簾状の形状を備えたことを特徴とする請求項１１記載の有機半導体素子。
JP2002265170A 2002-09-11 2002-09-11 有機半導体素子 Pending JP2004103905A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002265170A JP2004103905A (ja) 2002-09-11 2002-09-11 有機半導体素子
US10/653,428 US7230267B2 (en) 2002-09-11 2003-09-03 Organic semiconductor device
EP03019993A EP1398840A3 (en) 2002-09-11 2003-09-03 Organic semiconductor device
CNA031570070A CN1495931A (zh) 2002-09-11 2003-09-08 有机半导体器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002265170A JP2004103905A (ja) 2002-09-11 2002-09-11 有機半導体素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004103905A true JP2004103905A (ja) 2004-04-02

Family

ID=31884766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002265170A Pending JP2004103905A (ja) 2002-09-11 2002-09-11 有機半導体素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7230267B2 (ja)
EP (1) EP1398840A3 (ja)
JP (1) JP2004103905A (ja)
CN (1) CN1495931A (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128028A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Ricoh Co Ltd 縦型有機トランジスタ
JP2004146430A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ、有機ｔｆｔ装置およびそれらの製造方法
JP2004335688A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Sony Corp 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2005317923A (ja) * 2004-04-29 2005-11-10 Samsung Sdi Co Ltd 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ
JP2005327793A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2005327797A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2005340497A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 電極体及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ並びにそれらの製造方法
JP2006074038A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Seiko Epson Corp 有機半導体層を含む電界効果トランジスタ
JP2006148131A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びその有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置
WO2006062217A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same
JP2006190998A (ja) * 2004-12-06 2006-07-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置
JP2006196856A (ja) * 2005-01-15 2006-07-27 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置
KR20060090020A (ko) * 2005-02-04 2006-08-10 엘지전자 주식회사 3차원 구조의 활성층을 가지는 유기 박막 트랜지스터 및그 제조방법
JP2006253675A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板ディスプレイ装置
WO2006106743A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 National University Corporation Chiba University 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
JP2007019291A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 有機半導体装置
JP2007157752A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Sharp Corp 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007165834A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置
KR100761085B1 (ko) * 2006-11-10 2007-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기박막트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광소자
JP2007334284A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
WO2008117647A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機電界効果トランジスタ
US7485894B2 (en) * 2005-10-20 2009-02-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and flat panel display including the same
WO2009154163A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
JP2009302328A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nippon Kayaku Co Ltd 有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子
US7842943B2 (en) 2005-08-11 2010-11-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor and flat panel display device using the same
US7863600B2 (en) 2004-08-04 2011-01-04 Sony Corporation Field-effect transistor
WO2011065083A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 シャープ株式会社 有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法
WO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
US8049208B2 (en) 2005-04-22 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device having composite electrode
KR101202980B1 (ko) 2005-04-06 2012-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체물질을 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법
JP2013175760A (ja) * 2006-01-09 2013-09-05 Technion Research And Development Foundation Ltd トランジスタの構造及びその製造方法
JP2018032790A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 大日本印刷株式会社 トランジスタおよびトランジスタの製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4194436B2 (ja) * 2003-07-14 2008-12-10 キヤノン株式会社 電界効果型有機トランジスタ
US7838871B2 (en) 2004-03-24 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic field-effect transistor, flat panel display device including the same, and a method of manufacturing the organic field-effect transistor
EP1580822A1 (de) 2004-03-24 2005-09-28 Samsung SDI Co., Ltd. Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4528961B2 (ja) * 2004-03-24 2010-08-25 独立行政法人産業技術総合研究所 有機薄膜トランジスタ
US7372070B2 (en) * 2004-05-12 2008-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic field effect transistor and method of manufacturing the same
GB0423006D0 (en) * 2004-10-15 2004-11-17 Cambridge Display Tech Ltd Organic transistor
KR100683685B1 (ko) * 2004-10-28 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치 및그의 제조방법
KR20060080446A (ko) * 2005-01-05 2006-07-10 삼성전자주식회사 수직형 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 트랜지스터
KR20060097967A (ko) * 2005-03-08 2006-09-18 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN100466125C (zh) * 2005-04-18 2009-03-04 中国科学院长春应用化学研究所 含有有机异质结的电接触材料及其器件
KR100647690B1 (ko) * 2005-04-22 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
US20060270066A1 (en) 2005-04-25 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic transistor, manufacturing method of semiconductor device and organic transistor
KR20060116534A (ko) * 2005-05-10 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
US20060273303A1 (en) 2005-06-07 2006-12-07 Xerox Corporation. Organic thin film transistors with multilayer electrodes
KR101212152B1 (ko) 2005-12-29 2012-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기박막트랜지스터 및 그 제조방법
CN100555702C (zh) * 2006-04-29 2009-10-28 中国科学院长春应用化学研究所 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
KR101279927B1 (ko) * 2006-10-16 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US20080111131A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-15 Nam-Choul Yang Organic thin film transistor, method of fabricating the same, and display device including the same
US7923718B2 (en) * 2006-11-29 2011-04-12 Xerox Corporation Organic thin film transistor with dual layer electrodes
JP5108369B2 (ja) * 2007-05-07 2012-12-26 富士フイルム株式会社 撮像素子の製造方法及び撮像素子の駆動方法
TWI377713B (en) * 2007-10-19 2012-11-21 Ind Tech Res Inst Stacked structure and method of patterning the same and organic thin film transistor and array including the same
KR101418586B1 (ko) * 2007-12-18 2014-07-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조방법, 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이를 갖는 표시장치
KR20090076046A (ko) * 2008-01-07 2009-07-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치와 그 제조 방법
GB2458483B (en) 2008-03-19 2012-06-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistor
TWI606595B (zh) * 2008-11-07 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101851565B1 (ko) * 2011-08-17 2018-04-25 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US20140062849A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Tagnetics, Inc. Cmos-compatible display system and method
CN104218151A (zh) * 2014-08-20 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN105098076B (zh) 2015-06-16 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
JP6505857B2 (ja) * 2015-09-24 2019-04-24 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6226866A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド 二重注入電界効果トランジスタ
JPS62230054A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ
JPH10125924A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
JPH11204266A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001110568A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子
JP2001189466A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Toshiba Corp スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
JP2001244467A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
JP2002050485A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Canon Inc 液晶性導電素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5107308A (en) * 1986-07-04 1992-04-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field-effect transistor
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US6278127B1 (en) * 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
TW293172B (ja) * 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp
DE69723538T2 (de) * 1996-11-29 2004-06-09 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Organisches elektrolumineszentes Bauteil
CA2334862C (en) * 1998-06-19 2006-06-13 Thomas Jackson An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
KR100702763B1 (ko) * 1999-02-15 2007-04-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US6580127B1 (en) * 1999-09-30 2003-06-17 International Business Machines Corporation High performance thin film transistor and active matrix process for flat panel displays
US6872604B2 (en) * 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
US6696370B2 (en) * 2000-06-16 2004-02-24 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
EP1383179A2 (en) * 2002-07-17 2004-01-21 Pioneer Corporation Organic semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6226866A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド 二重注入電界効果トランジスタ
JPS62230054A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ
JPH10125924A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
JPH11204266A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001110568A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子
JP2001189466A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Toshiba Corp スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
JP2001244467A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
JP2002050485A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Canon Inc 液晶性導電素子

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128028A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Ricoh Co Ltd 縦型有機トランジスタ
JP2004146430A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ、有機ｔｆｔ装置およびそれらの製造方法
JP2004335688A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Sony Corp 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4586334B2 (ja) * 2003-05-07 2010-11-24 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2005317923A (ja) * 2004-04-29 2005-11-10 Samsung Sdi Co Ltd 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ
US7355198B2 (en) 2004-04-29 2008-04-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic thin film transistor including organic acceptor film
JP2005327793A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2005327797A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2005340497A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 電極体及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ並びにそれらの製造方法
US7863600B2 (en) 2004-08-04 2011-01-04 Sony Corporation Field-effect transistor
JP2006074038A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Seiko Epson Corp 有機半導体層を含む電界効果トランジスタ
JP4735129B2 (ja) * 2004-09-03 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
US8318533B2 (en) 2004-11-23 2012-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic thin film transistor
JP2006148131A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びその有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置
KR101227021B1 (ko) * 2004-12-06 2013-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 전계효과 트랜지스터 및 반도체장치
WO2006062217A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same
US8569742B2 (en) 2004-12-06 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same
JP2006190998A (ja) * 2004-12-06 2006-07-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置
JP2006196856A (ja) * 2005-01-15 2006-07-27 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置
US7671359B2 (en) 2005-01-15 2010-03-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, a method for preparing the same and a flat panel display employing the same
KR20060090020A (ko) * 2005-02-04 2006-08-10 엘지전자 주식회사 3차원 구조의 활성층을 가지는 유기 박막 트랜지스터 및그 제조방법
US8193527B2 (en) 2005-03-08 2012-06-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor and flat panel display device including the same
JP2006253675A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板ディスプレイ装置
US7683366B2 (en) 2005-03-08 2010-03-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor providing smoother movement of holes between electrodes and semiconductor layer and flat panel display device including the same
JP4848522B2 (ja) * 2005-03-31 2011-12-28 国立大学法人 千葉大学 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
WO2006106743A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 National University Corporation Chiba University 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
KR101202980B1 (ko) 2005-04-06 2012-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체물질을 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법
US8049208B2 (en) 2005-04-22 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device having composite electrode
JP2007019291A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 有機半導体装置
US7842943B2 (en) 2005-08-11 2010-11-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor and flat panel display device using the same
US7485894B2 (en) * 2005-10-20 2009-02-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and flat panel display including the same
JP2007157752A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Sharp Corp 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007165834A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Samsung Sdi Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置
US8222631B2 (en) 2005-12-09 2012-07-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor and flat display device having the same
JP4550030B2 (ja) * 2005-12-09 2010-09-22 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置
JP2013175760A (ja) * 2006-01-09 2013-09-05 Technion Research And Development Foundation Ltd トランジスタの構造及びその製造方法
JP2007334284A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
KR101198218B1 (ko) 2006-06-19 2012-11-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100761085B1 (ko) * 2006-11-10 2007-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기박막트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광소자
US8013329B2 (en) 2007-03-23 2011-09-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic field effect transistor
WO2008117647A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機電界効果トランジスタ
JP2009302328A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nippon Kayaku Co Ltd 有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子
US8618532B2 (en) 2008-06-18 2013-12-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
WO2009154163A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
WO2011065083A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 シャープ株式会社 有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法
JPWO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2013-04-18 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
WO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
JP5769254B2 (ja) * 2009-11-26 2015-08-26 国立研究開発法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
JP2018032790A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 大日本印刷株式会社 トランジスタおよびトランジスタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040108562A1 (en) 2004-06-10
CN1495931A (zh) 2004-05-12
US7230267B2 (en) 2007-06-12
EP1398840A2 (en) 2004-03-17
EP1398840A3 (en) 2006-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7230267B2 (en) Organic semiconductor device
JP2004055654A (ja) 有機半導体素子
KR102418493B1 (ko) 이차원 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
JP4234952B2 (ja) 縦型有機トランジスタ
TWI335079B (en) Transistor device
Darmawan et al. Optimal Structure for High‐Performance and Low‐Contact‐Resistance Organic Field‐Effect Transistors Using Contact‐Doped Coplanar and Pseudo‐Staggered Device Architectures
US7923721B2 (en) Electromagnetically protected organic thin film transistor
JP2020174174A (ja) 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを有する表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2015111742A (ja) 半導体装置
US7342245B2 (en) Organic semiconductor device
CN109638050B (zh) 显示面板及其制作方法
KR100805700B1 (ko) 유기 전자 소자 및 그 제조방법
TW201123441A (en) Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
JP2004047566A (ja) 電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置
JP2004055652A (ja) 有機半導体素子
NO312867B1 (no) Anordning til elektrisk kontaktering eller isolering av organiske eller uorganiske halvledere, samt fremgangsmåte til densfremstilling
JP2004235624A (ja) ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2007027566A (ja) 縦型トランジスタおよび発光素子
JP4635181B2 (ja) 有機半導体装置
US9634291B2 (en) Organic light-emitting transistor
JP2007019291A (ja) 有機半導体装置
JP4698160B2 (ja) 縦型トランジスタおよび発光素子
JP2008010566A (ja) 半導体デバイス
JP4848522B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
EP2790238B1 (en) Organic field effect transistor and method for production

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050526

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20050526

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20050610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050920

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060215

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060227

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20060421