JPS62230054A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS62230054A JPS62230054A JP7323386A JP7323386A JPS62230054A JP S62230054 A JPS62230054 A JP S62230054A JP 7323386 A JP7323386 A JP 7323386A JP 7323386 A JP7323386 A JP 7323386A JP S62230054 A JPS62230054 A JP S62230054A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は液晶パネルの駆動等に用いられる薄膜トラン
ジスタ（以Ｆ Ｔ Ｆ Ｔと略す）に関する。
ジスタ（以Ｆ Ｔ Ｆ Ｔと略す）に関する。
（発明のｍ要）
この発明はＴ Ｆ−１を作成する際に、バターニング工
程をわヂか２［！ＩＬ、、か通ざない構造（゛あって、
しかもＴＰＴの、オフ電流を低減するものである。
程をわヂか２［！ＩＬ、、か通ざない構造（゛あって、
しかもＴＰＴの、オフ電流を低減するものである。
（従来の技術）
従来第２図のようないわゆる逆スタガ型構造のＴＰＴが
知られていた。。しかし、このような構造ではパターニ
ング工程を最低４回は通さねばならず、そのためにＪ、
程が複雑化し歩留りも低下するという欠１スがあった。
知られていた。。しかし、このような構造ではパターニ
ング工程を最低４回は通さねばならず、そのためにＪ、
程が複雑化し歩留りも低下するという欠１スがあった。
かかる欠貞を除去するために第３図のような構造のＴ
Ｆ Ｔが提案されている。このような構造ではバターニ
ング工程は２回℃・流むもののΔ−ム接触層１〕がソー
ス電極１０とドレイン電極１１を電気的につないでいる
ためオフ電流が従来の逆スタガ型構造より数桁多く流れ
るという欠点がある。
Ｆ Ｔが提案されている。このような構造ではバターニ
ング工程は２回℃・流むもののΔ−ム接触層１〕がソー
ス電極１０とドレイン電極１１を電気的につないでいる
ためオフ電流が従来の逆スタガ型構造より数桁多く流れ
るという欠点がある。
（発明が解決しようとりる問題点）
そこで本発明は従来のこのような問題点を解決するため
になされたもので第１の目的はバターニング工程の回数
を減少させることであり第２の［１的はＡ）“電流の小
さいＴＰＴを提供することである。
になされたもので第１の目的はバターニング工程の回数
を減少させることであり第２の［１的はＡ）“電流の小
さいＴＰＴを提供することである。
（問題点を解決するための手段）
前記問題点を解決するために本発明ではバターニング工
程が２回で済むようにゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶
質崖尋体ＡＶ膜、オーム接触層は同じパターンとし、し
かもオーム接触層に不連続な島状薄膜を用いるごとに、
ふってオフ電流の増加を防ぐことにした。
程が２回で済むようにゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶
質崖尋体ＡＶ膜、オーム接触層は同じパターンとし、し
かもオーム接触層に不連続な島状薄膜を用いるごとに、
ふってオフ電流の増加を防ぐことにした。
（作用）
前記のような構造をもつ１’ Ｆ Ｔに於いてはバター
ニング工程は２回で済み、しかｔ＞Ａ−）電流は逆スタ
ガ’Ｓ’！ ＠ 造の１’ Ｆ ’ｒと１川程瓜に押さ
えられる。
ニング工程は２回で済み、しかｔ＞Ａ−）電流は逆スタ
ガ’Ｓ’！ ＠ 造の１’ Ｆ ’ｒと１川程瓜に押さ
えられる。
（実施例）
第１図に、本発明によるＴＰＴの断面構造図を示づ。第
１図に於いで１は絶縁性基板ｒ石英、ガラス、ヒラミッ
ク等から成る。２及び３はそれぞれソース電極及びドレ
イン電極で［Ｔｏ、クロム、アルミニウム等から成る。
１図に於いで１は絶縁性基板ｒ石英、ガラス、ヒラミッ
ク等から成る。２及び３はそれぞれソース電極及びドレ
イン電極で［Ｔｏ、クロム、アルミニウム等から成る。
４は島状に形成されたオーム接触層でＮ型水素化ア［ル
フ？スシリニ１ン、Ｎ型水累化微結晶シリコン等から成
る。５は非晶質」′導体薄膜層で水素化アＬル′）／ス
シリコン、水素化微結晶シリコン、弗素を含む水素化ア
モルフＩスシリコン等から成る。６は絶縁膜層′Ｃ−窒
化シリコン、酸化シリコン、弗素を含む窒化シリコン等
から成る。７はゲート電極であり、クロム、アルミニウ
ム等から成る。
フ？スシリニ１ン、Ｎ型水累化微結晶シリコン等から成
る。５は非晶質」′導体薄膜層で水素化アＬル′）／ス
シリコン、水素化微結晶シリコン、弗素を含む水素化ア
モルフＩスシリコン等から成る。６は絶縁膜層′Ｃ−窒
化シリコン、酸化シリコン、弗素を含む窒化シリコン等
から成る。７はゲート電極であり、クロム、アルミニウ
ム等から成る。
本発明のＴＰＴは、第１図から判るようにソース及びド
レイン電極２．３で１回と、オーム接触層４、非晶質半
導体薄膜層５、絶縁膜Ｐ４６及びゲート電極７で１回の
合計２回のバターニング工程を経るだけで作ることが可
能である。但しゲート電極７はオーバーエッチを行い、
ゲート絶縁膜６より小さく形成する。またオーム接触１
．’Ｊ４は島状構造になっており−ヒから見ると第４図
のようになっている。第１図かられかるように島状構造
のオーム接触層はソース電［１２とドレイン電極１３を
電気的にシコートしていない。島状構造のＡｏ−ム接触
層はＮ型水木化アモルファスシリコン又はＮを水素化微
結晶シリコンを堆積速餞亀分約３０Å以上で形成し、１
つ膜〃約１５０Å以下の時に得られる。オーム接触層４
をこのＪ、うな島状構造にしたＴ１：］と］オーム接触
を酋通の連続した薄膜で形成したＴＰＴ（第３図）とで
（よ、丁ＦＴを形成する際のパターンニング工程には変
わりはないが、オフ電流ｔよ本発明のＴ Ｆ Ｔの方が
１桁以上低い。
レイン電極２．３で１回と、オーム接触層４、非晶質半
導体薄膜層５、絶縁膜Ｐ４６及びゲート電極７で１回の
合計２回のバターニング工程を経るだけで作ることが可
能である。但しゲート電極７はオーバーエッチを行い、
ゲート絶縁膜６より小さく形成する。またオーム接触１
．’Ｊ４は島状構造になっており−ヒから見ると第４図
のようになっている。第１図かられかるように島状構造
のオーム接触層はソース電［１２とドレイン電極１３を
電気的にシコートしていない。島状構造のＡｏ−ム接触
層はＮ型水木化アモルファスシリコン又はＮを水素化微
結晶シリコンを堆積速餞亀分約３０Å以上で形成し、１
つ膜〃約１５０Å以下の時に得られる。オーム接触層４
をこのＪ、うな島状構造にしたＴ１：］と］オーム接触
を酋通の連続した薄膜で形成したＴＰＴ（第３図）とで
（よ、丁ＦＴを形成する際のパターンニング工程には変
わりはないが、オフ電流ｔよ本発明のＴ Ｆ Ｔの方が
１桁以上低い。
（発明の効果）
以上述べたように本発明のＴＰＴは、フォトレジストを
用いたバターニング工程が２同のみなので製造コストが
低く且つ製品としての歩留りが高い［、Ａ）電流は従来
の逆スタガ型構造のＴ Ｆ Ｔ並の低い値に押さえられ
るという効果を右づる。
用いたバターニング工程が２同のみなので製造コストが
低く且つ製品としての歩留りが高い［、Ａ）電流は従来
の逆スタガ型構造のＴ Ｆ Ｔ並の低い値に押さえられ
るという効果を右づる。
第１図は本発明のＴ Ｐ Ｔの断面構造図、第２図は従
来からある逆スタガ型ＴＦＴの断面構造図、第３図はオ
ーム接触層を連続したＨＥで形成した従来のＴＰＴ（７
）断面構造図、第４図は島状構造のオーム接触層の平面
図である。 ４・・・オーム接触層 本￥帆のＴｒＴ ＩＩ″＋Ｍ６構造図 第１図 従来の逆スタＴ型ＴｒＴの照面イ４遣図第３図 島状構造Ｏオーム撞触層の平面図 第４図
来からある逆スタガ型ＴＦＴの断面構造図、第３図はオ
ーム接触層を連続したＨＥで形成した従来のＴＰＴ（７
）断面構造図、第４図は島状構造のオーム接触層の平面
図である。 ４・・・オーム接触層 本￥帆のＴｒＴ ＩＩ″＋Ｍ６構造図 第１図 従来の逆スタＴ型ＴｒＴの照面イ４遣図第３図 島状構造Ｏオーム撞触層の平面図 第４図
Claims (3)
- （１）絶縁性基板と、該絶縁性基板上に間隔をおいて設
けられたソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極
及びドレイン電極上にまたがるようにして設けられたオ
ーム接触層と、該オーム接触層上に設けられた非晶質半
導体薄膜層と、該非晶質半導体薄膜層上に設けられた絶
縁膜層と、該絶縁膜層上に設置けられたゲート電極とか
ら成る薄膜トランジスタにおいて、前記オーム接触層の
膜厚を１５０Å以下としたことを特徴とする薄膜トラン
ジスタ。 - （２）前記オーム接触層は島状に形成されたＮ型水素化
アモルファスシリコンであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。 - （３）前記オーム接触層は島状に形成されたＮ型水素化
微結晶シリコンであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073233A JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073233A JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230054A true JPS62230054A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0691258B2 JPH0691258B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13512261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073233A Expired - Fee Related JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691258B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103905A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
| JP2013115099A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Sony Corp | トランジスタ、表示装置および電子機器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141271A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPS59172774A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073233A patent/JPH0691258B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141271A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPS59172774A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103905A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
| US7230267B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-06-12 | Pioneeer Corporation | Organic semiconductor device |
| JP2013115099A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Sony Corp | トランジスタ、表示装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691258B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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