JPH0691258B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPH0691258B2 JPH0691258B2 JP61073233A JP7323386A JPH0691258B2 JP H0691258 B2 JPH0691258 B2 JP H0691258B2 JP 61073233 A JP61073233 A JP 61073233A JP 7323386 A JP7323386 A JP 7323386A JP H0691258 B2 JPH0691258 B2 JP H0691258B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 この発明は液晶パネルの駆動等に用いられる薄膜トラン
ジスタ（以下TFTと略す）に関する。
ジスタ（以下TFTと略す）に関する。
《発明の概要》 この発明はTFTを作成する際に、パターニング工程をわ
ずか２回しか通さない構造であって、しかもTFTの、オ
フ電流を低減するものである。
ずか２回しか通さない構造であって、しかもTFTの、オ
フ電流を低減するものである。
《従来の技術》 従来第２図のようないわゆる逆スタガ型構造のTFTが知
られていた。。しかし、このような構造ではパターニン
グ工程を最低４回は通さねばならず、そのために工程が
複雑化し歩留りも低下するという欠点があった。かかる
欠点を除去するために第３図のような構造のTFTが提案
されている。このような構造ではパターニング工程は２
回で済むもののオーム接触層９がソース電極10とドレイ
ン電極11を電気的につないでいるためオフ電流が従来の
逆スタガ型構造より数桁多く流れるという欠点がある。
られていた。。しかし、このような構造ではパターニン
グ工程を最低４回は通さねばならず、そのために工程が
複雑化し歩留りも低下するという欠点があった。かかる
欠点を除去するために第３図のような構造のTFTが提案
されている。このような構造ではパターニング工程は２
回で済むもののオーム接触層９がソース電極10とドレイ
ン電極11を電気的につないでいるためオフ電流が従来の
逆スタガ型構造より数桁多く流れるという欠点がある。
《発明が解決しようとする問題点》 そこで本発明は従来のこのような問題点を解決するため
になされたもので第１の目的はパターニング工程の回数
を減少させることであり第２の目的はオフ電流の小さい
TFTを提供することである。
になされたもので第１の目的はパターニング工程の回数
を減少させることであり第２の目的はオフ電流の小さい
TFTを提供することである。
《問題点を解決するための手段》 前記問題点を解決するために本発明ではパターニング工
程が２回で済むようにゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶
質半導体薄膜、オーム接触層は同じパターンとし、しか
もオーム接触層に不連続な島状薄膜を用いることによっ
てオフ電流の増加を防ぐことにした。
程が２回で済むようにゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶
質半導体薄膜、オーム接触層は同じパターンとし、しか
もオーム接触層に不連続な島状薄膜を用いることによっ
てオフ電流の増加を防ぐことにした。
《作用》 前記のような構造をもつTFTに於いてはパターニング工
程は２回で済み、しかもオフ電流は逆スタガ型構造のTF
Tと同程度に押さえられる。
程は２回で済み、しかもオフ電流は逆スタガ型構造のTF
Tと同程度に押さえられる。
《実施例》 第１図に、本発明によるTFTの断面構造図を示す。第１
図に於いて１は絶縁性基板で石英、ガラス、セラミック
等から成る。２及び３はそれぞれソース電極及びドレイ
ン電極でITO,クロム、アルミニウム等から成る。４はプ
ラズマCVD法で、温度300度、圧力100mTorr、成膜速度30
Å、SiH4ガス濃度３パーセントの成膜条件で島状に形成
されたＮ型水素化微結晶化アモルファスシリコン、又
は、プラズマCVD法で、温度300度、圧力50mTorr、成膜
速度30Å、SiH4ガス濃度３パーセントの成膜条件で島状
に形成されたＮ型水素化アモルファスシリコン等から成
る。５はプラズマCVD法で形成された非晶質半導体薄膜
層で水素化アモルファスシリコン、水素化微結晶シリコ
ン、弗素を含む水素化アモルファスシリコン等から成
る。６は絶縁膜層で窒化シリコン、酸化シリコン、弗素
を含む窒化シリコン等から成る。７はゲート電極であ
り、クロム、アルミニウム等から成る。
図に於いて１は絶縁性基板で石英、ガラス、セラミック
等から成る。２及び３はそれぞれソース電極及びドレイ
ン電極でITO,クロム、アルミニウム等から成る。４はプ
ラズマCVD法で、温度300度、圧力100mTorr、成膜速度30
Å、SiH4ガス濃度３パーセントの成膜条件で島状に形成
されたＮ型水素化微結晶化アモルファスシリコン、又
は、プラズマCVD法で、温度300度、圧力50mTorr、成膜
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に形成されたＮ型水素化アモルファスシリコン等から成
る。５はプラズマCVD法で形成された非晶質半導体薄膜
層で水素化アモルファスシリコン、水素化微結晶シリコ
ン、弗素を含む水素化アモルファスシリコン等から成
る。６は絶縁膜層で窒化シリコン、酸化シリコン、弗素
を含む窒化シリコン等から成る。７はゲート電極であ
り、クロム、アルミニウム等から成る。
本発明のTFTは、第１図から判るようにソース及びドレ
イン電極２、３で１回と、オーム接触層４、非晶質半導
体薄膜層５、絶縁膜層６及びゲート電極７で１回の合計
２回のパターニング工程を経るだけで作ることが可能で
ある。但しゲート電極７はオーバーエッチを行い、ゲー
ト絶縁膜６より小さく形成する。またオーム接触層４は
島状構造になっており上から見ると第４図のようになっ
ている。第４図からわかるように島状構造のオーム接触
層はソース電極12とドレイン電極13を電気的にショート
していない。島状構造のオーム接触層はＮ型水素化アモ
ルファスシリコン又はＮ型水素化微結晶シリコンを堆積
速度毎分約30Å以上で形成し、且つ膜厚約150Å以下の
時に得られる。オーム接触層４をこのような島状構造に
したTFTとオーム接触層を普通の連続した薄膜で形成し
たTFT（第３図）とでは、TFTを形成する際のパターンニ
ング工程には変わりはないが、オフ電流は本発明のTFT
の方が１桁以上低い。
イン電極２、３で１回と、オーム接触層４、非晶質半導
体薄膜層５、絶縁膜層６及びゲート電極７で１回の合計
２回のパターニング工程を経るだけで作ることが可能で
ある。但しゲート電極７はオーバーエッチを行い、ゲー
ト絶縁膜６より小さく形成する。またオーム接触層４は
島状構造になっており上から見ると第４図のようになっ
ている。第４図からわかるように島状構造のオーム接触
層はソース電極12とドレイン電極13を電気的にショート
していない。島状構造のオーム接触層はＮ型水素化アモ
ルファスシリコン又はＮ型水素化微結晶シリコンを堆積
速度毎分約30Å以上で形成し、且つ膜厚約150Å以下の
時に得られる。オーム接触層４をこのような島状構造に
したTFTとオーム接触層を普通の連続した薄膜で形成し
たTFT（第３図）とでは、TFTを形成する際のパターンニ
ング工程には変わりはないが、オフ電流は本発明のTFT
の方が１桁以上低い。
《発明の効果》 以上述べたように本発明のTFTは、フォトレジストを用
いたパターニング工程が２回のみなので製造コストが低
く且つ製品としての歩留りが高い上、オフ電流は従来の
逆スタガ型構造のTFT並の低い値に押さえられるという
効果を有する。
いたパターニング工程が２回のみなので製造コストが低
く且つ製品としての歩留りが高い上、オフ電流は従来の
逆スタガ型構造のTFT並の低い値に押さえられるという
効果を有する。
第１図は本発明のTFTの断面構造図、第２図は従来から
ある逆スタガ型TFTの断面構造図、第３図はオーム接触
層を連続した薄膜で形成した従来のTFTの断面構造図、
第４図は島状構造のオーム接触層の平面図である。 ４……オーム接触層
ある逆スタガ型TFTの断面構造図、第３図はオーム接触
層を連続した薄膜で形成した従来のTFTの断面構造図、
第４図は島状構造のオーム接触層の平面図である。 ４……オーム接触層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に間隔を
おいて設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記
ソース電極上よりドレイン電極上にまたがるようにして
設けられたオーム接触層と、前記オーム接触層上に設け
られた非晶質半導体薄膜層と、前記非晶質半導体薄膜層
上に設けられた絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に設けられ
たゲート電極とから成る薄膜トランジスタにおいて、 前記オーム接触層は、複数個の島状に分布形成されたＮ
型水素化アモルファスシリコン、または、Ｎ型水素化微
結晶シリコンからなることを特徴とする薄膜トランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073233A JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073233A JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230054A JPS62230054A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0691258B2 true JPH0691258B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13512261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073233A Expired - Fee Related JPH0691258B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691258B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103905A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
| JP5948814B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-07-06 | ソニー株式会社 | トランジスタ、表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141271A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPS59172774A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073233A patent/JPH0691258B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62230054A (ja) | 1987-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |