JP4848522B2 - 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
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Description
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。図1は本実施形態に係る半導体素子の斜視概略図であり、図2は図1のA−Aに沿って切断した場合の断面図である。
本実施形態では、ほぼ実施形態1と同様であるが、バリア層の位置のみが異なる。即ち、本実施形態に係る半導体素子は、基板1と、ソース電極2と、第一の有機半導体層4と、ゲート電極5と、第二の有機半導体層6と、バリア層3と、ドレイン電極7と、を順次積層してなることを特徴とする。この構成によっても実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本実施形態では、ほぼ実施形態1と同様であるが、ソース電極とドレイン電極とを入れ替えた点が異なる。即ち、本実施形態に係る半導体素子は、基板1と、ドレイン電極7と、バリア層3と、第一の有機半導体層4と、ゲート電極5と、第二の有機半導体層6と、ソース電極2と、を順次積層してなることを特徴とする。この構成によっても実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本実施形態では、ほぼ実施形態1と同様であるが、ソース電極とドレイン電極とを入れ替えた点及びバリア層の位置が実施形態1と異なる。即ち、本実施形態に係る半導体素子は、基板1と、ドレイン電極7と、第一の有機半導体層4と、ゲート電極5と、第二の有機半導体層6と、バリア層3と、ソース電極2と、を順次積層してなることを特徴とする。この構成によっても実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本実施例では、高ドープp型Si基板そのものをソース電極として兼用し、以下の工程により作製した。
(1)高ドープp型Si基板に熱酸化を加え、極薄の(0.1nm〜1nmの範囲内)のSiO2層をバリア層として形成した。
(2)このSiO2層の上にp型有機半導体であるPentaceneを210℃、2×10−4Paにおいて真空蒸着し、100nm厚の第一の有機半導体層を形成した。
(3)第一の有機半導体層の上面にストライプ状に形成したNiメタルマスクを用いて、アルミニウム(Al)を2×10−4Pa、抵抗加熱下において真空蒸着し、厚さ20nmのゲート電極を形成した。なおNiマスクの開口部の幅は20μm、開口部間のマスクの幅も20μmであった。
(4)ゲート電極及び第一の有機半導体層の上面に第一の有機半導体層と同様p型半導体であるPentaceneを210℃、2×10−4Paにおいて真空蒸着し、100nm厚の第二の有機半導体層を形成した。
(5)第二の有機半導体層の上に金(Au)を2×10−4Pa、抵抗加熱下において真空蒸着し、30nm厚のドレイン電極を形成した。
上記実施例1において、バリア層を形成する工程を抜いた以外は実施例1と同様の工程により作製した有機TFTについて、実施例1と同様にソース電極/ドレイン電極の間のI−V特性を測定した。この結果を図8に示す。
本実施例に係る有機TFTを、以下の工程により作製した。
(1)基板として0.7mm厚のガラス基板(コーニング社製、無アルカリガラス1737F)を用い、その上面にITOをスパッタリングにより成膜し、110nm厚のソース電極を形成した。
(2)ITOの上にアルミニウム(Al)を2×10−4Pa、抵抗加熱下で真空蒸着により0.1nm厚形成し、大気暴露により自然酸化させてAl2O3層をバリア層として形成した。
(3)このAl2O3層の上に、p型有機半導体層であるPentaceneを、210℃、2×10−4Paの条件下で形成し、100nm厚の第一の有機半導体層として形成した。
(4)第一の有機半導体層の上に、スリット上に形成したNiメタルマスクを用いて、アルミニウムを2×10−4Pa、抵抗加熱下において真空蒸着させることにより、20nmのゲート電極を形成した。
(5)ゲート電極及び第一の有機半導体層の上に、上記第一の有機半導体層と同様、Pentaceneを同一の条件で形成し、100nmの第二の有機半導体層を形成した。
(6)第二の有機半導体層の上に、金(Au)を2×10−4Pa、抵抗加熱下において真空蒸着し、30nm厚さのゲート電極を形成した。
上記実施例2において、バリア層を形成する工程を抜いた以外は実施例2と同様の工程により作製した有機TFTについて、実施例2と同様にソース電極/ドレイン電極の間のI−V特性を測定した。この結果を図12に示す。
Claims (23)
- 第一の電極、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。)、第一の有機半導体層、ゲート電極として機能する第二の電極、第二の有機半導体層、第三の電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタ。
- 前記バリア層は、金属酸化物により形成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記バリア層は、1nm以下であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記バリア層は、0.1nm以上1nm以下であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第一の電極は、前記第一の有機半導体材料のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbit)準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料により構成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第一の有機半導体層は、前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO(Highest Occupied Molecular Orbit)準位を満足する有機半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第一の電極はソース電極、前記第二の電極はゲート電極、前記第三の電極はドレイン電極として機能することを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記バリア層は、前記第一の有機半導体層のHOMO準位及び前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO準位もしくは仕事関数を有することを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。
- 基板、第一の電極、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。)、第一の有機半導体層、ゲート電極として機能する第二の電極、第二の有機半導体層、第三の電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタが複数形成されてなることを特徴とする半導体素子。
- 基板、第一の電極、第一の有機半導体層、ゲート電極として機能する第二の電極、第二の有機半導体層、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。)、第三の電極、を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタが複数形成されてなることを特徴とする半導体素子。
- 前記バリア層は、金属酸化物により形成されていることを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、金属酸化物により形成されていることを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、1nm以下であることを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、1nm以下であることを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、0.1nm以上1nm以下であることを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、0.1nm以上1nm以下であることを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記第一の電極はソース電極、前記第二の電極はゲート電極、前記第三の電極はドレイン電極として機能することを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記第一の電極はソース電極、前記第二の電極はゲート電極、前記第三の電極はドレイン電極として機能することを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記第一の電極は、前記第一の有機半導体材料のHOMO準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料により構成されていることを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記第一の有機半導体層は、前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO準位を満足する有機半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
- 前記第三の電極は、前記第二の有機半導体材料のHOMO準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料により構成されていることを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記第二の有機半導体層は、前記第三電極の仕事関数よりも大きなHOMO(Highest Occupied Molecular Orbit)準位を満足する有機半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項10記載の半導体素子。
- 前記バリア層は、前記第一の有機半導体層のHOMO準位及び前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO準位もしくは仕事関数を有することを特徴とする請求項9記載の半導体素子。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01209767A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Canon Inc | 電気・電子デバイス素子 |
JP2001189466A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4283515B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-06-24 | 株式会社リコー | 縦型有機トランジスタ |
JP2004327553A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機電界効果トランジスタ |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01209767A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Canon Inc | 電気・電子デバイス素子 |
JP2001189466A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ |
JP2003086804A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Epson Corp | 有機半導体装置 |
JP2004103905A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
JP2004335557A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ricoh Co Ltd | 縦型有機トランジスタ |
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