JP4698160B2 - 縦型トランジスタおよび発光素子 - Google Patents
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Description
Thin Solid Films 331(1998)51-54 工藤ら、T.IEE Japan,Vol.118-A,No.10,(1998) P1166-1171 池上ら、電子情報通信学会、OME2000-20、P47-51
(d)ポリ−p−フェニレンビニレン(PPV )、ビフェニル基を有するポリマー(Biphenyl-Monomers )、ジアルコキシ基を有するポリマー(Dialkoxy-Monomers)、アルコキシ−フェニル−PPV 、フェニル−PPV 、フェニル−ジアルコキシ−PPVコポリマー、 ポリ(2−メトキシ−5−(2′−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH-PPV )、PEDOT:ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS )、ポリアニリン(PANI)、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、あるいは、(e)トリフェニルアミン誘導体(TPD )、トリアリールアミン化合物、(2,2′,7,7′−ジフェニルアミノ−スピロ−9,9′ビフルオレン(Spiro-TAD )、N,N−7−ジ−1−ナフチル−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル(Spiro-NPB )、4,4′,4″−トリス[3−メチルフェニル−(フェニル)−アミノ]−トリフェニル−アミン(mMTDATA )、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の低分子化合物から選択される少なくとも1種の低分子化合物、あるいは、(f)ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS)、ポリアニリン(PANI)、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、を含む材料よりなると、発光素子の発光効率が良好となり、好適である。
(b)銅フタロシアニン系化合物(CuPc)、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の顔料、あるいは、(c)ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、ジフェニルメタン化合物、スチルベン化合物、アリールビニル化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルアミン誘導体(TPD )、トリアリールアミン化合物、(2,2′,7,7′−ジフェニルアミノ−スピロ−9,9′ビフルオレン(Spiro-TAD )、N,N−7−ジ−1−ナフチル−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル(Spiro-NPB )、4,4′,4″−トリス[3−メチルフェニル−(フェニル)−アミノ]−トリフェニル−アミン(mMTDATA )、2,2′,7,7′−テトラキス(2,2−ジフェニルビニル)スピロ−9,9′−ビフルオレン(Spiro-DPVBi )、4,4′,ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)、アルミニウム−トリソキシキノリン(Alq)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノレート)アルミニウム錯化合物(Almq3 )、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の低分子化合物、あるいは、(d)ポリ−p−フェニレンビニレン(PPV )、ビフェニル基を有するポリマー(Biphenyl-Monomers )、ジアルコキシ基を有するポリマー(Dialkoxy-Monomers)、アルコキシ−フェニル−PPV 、フェニル−PPV 、フェニル−ジアルコキシ−PPVコポリマー、 ポリ(2−メトキシ−5−(2′−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH-PPV )、PEDOT:ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS )、ポリアニリン(PANI)、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、あるいは、(e)トリフェニルアミン誘導体(TPD )、トリアリールアミン化合物、(2,2′,7,7′−ジフェニルアミノ−スピロ−9,9′ビフルオレン(Spiro-TAD )、N,N−7−ジ−1−ナフチル−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル(Spiro-NPB )、4,4′,4″−トリス[3−メチルフェニル−(フェニル)−アミノ]−トリフェニル−アミン(mMTDATA )、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の低分子化合物から選択される少なくとも1種の低分子化合物、あるいは、(f)ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS)、ポリアニリン(PANI)、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、を含む材料よりなると、有機発光領域層の発光効率が良好となり、好適である。
11 基板
101,15 ソース電極
102,16 ドレイン電極
103,14 ゲート電極
104 半導体層
12 ドレイン領域
13 ソース領域
17 発光層
18 電荷輸送層
19 電荷注入層
20 有機発光領域層
Claims (15)
- キャリアを放出するソース領域と、
当該ソース領域から当該キャリアを受け取るドレイン領域と、
当該ソース領域とドレイン領域の間に形成されたゲート電極と、を有する縦型トランジスタであって、
前記ソース領域およびドレイン領域は、酸化亜鉛層により形成されており、
前記酸化亜鉛層は、<002>方向と<004>方向に優先配向しており、前記酸化亜鉛層の膜厚の方向の抵抗値が、<002>方向と<103>方向に優先配向した場合の膜厚の方向の抵抗値よりも高いことを特徴とする縦型トランジスタ。 - 前記ソース領域および前記ドレイン領域が、可視光域の光を透過することを特徴とする請求項1記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース領域および前記ドレイン領域のエネルギーバンドギャップが3.3eV〜3.6eVであることを特徴とする請求項1または2記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース領域には、当該ソース領域のキャリア濃度を調整するための不純物が添加されていることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 前記ドレイン領域には、当該ドレイン領域のキャリア濃度を調整するための不純物が添加されていることを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 前記不純物は、Al,Ga,InおよびBよりなる群より選ばれる材料を含むことを特徴とする請求項4または5記載の縦型トランジスタ。
- 前記ゲート電極は櫛状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されるドレイン電極を設けたことを特徴とする請求項1乃至7のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極は対向するように形成されていることを特徴とする請求項8記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース電極は基板上に形成され、
前記ソース電極上に前記ソース領域が形成され、
前記ソース領域上に前記ゲート電極が形成され、
前記ゲート電極上に前記ドレイン領域が形成され、
前記ドレイン領域上に前記ドレイン電極が形成されていることを特徴とする請求項8または9記載の縦型トランジスタ。 - 前記ソース電極が、前記酸化亜鉛層を形成する酸化亜鉛よりなり、当該ソース電極の抵抗値が前記ソース領域の抵抗値より低くなるように、当該ソース電極に添加される不純物により、調整されていることを特徴とする請求項8乃至10のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 前記ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極が、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)、錫(Sn)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、導電性金属酸化物、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチアジル、及び、導電性ポリマーよりなる群から選択される少なくとも1種の材料を含むことを特徴とする請求項8乃至10のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタ。
- 請求項8乃至12のうち、いずれか1項記載の縦型トランジスタにおいて、前記ドレイン領域と前記ドレイン電極の間に、電圧が印加されることで発光する有機発光領域層を設け、当該ドレイン領域は当該ドレイン電極と当該有機発光領域層を介して電気的に接続される構造としたことを特徴とする発光素子。
- 前記有機発光領域層は、発光層、電荷輸送層および電荷注入層を有することを特徴とする請求項13記載の発光素子。
- 前記発光層、電荷輸送層および電荷注入層は、
(a)ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種のアセン分子材料、あるいは、
(b)銅フタロシアニン系化合物(CuPc)、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の顔料、あるいは、
(c)ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、ジフェニルメタン化合物、スチルベン化合物、アリールビニル化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルアミン誘導体(TPD )、トリアリールアミン化合物、(2,2′,7,7′−ジフェニルアミノ−スピロ−9,9′ビフルオレン(Spiro-TAD )、N,N−7−ジ−1−ナフチル−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル(Spiro-NPB )、4,4′,4″−トリス[3−メチルフェニル−(フェニル)−アミノ]−トリフェニル−アミン(mMTDATA )、2,2′,7,7′−テトラキス(2,2−ジフェニルビニル)スピロ−9,9′−ビフルオレン(Spiro-DPVBi )、4,4′,ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)、アルミニウム−トリソキシキノリン(Alq)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノレート)アルミニウム錯化合物(Almq3 )、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の低分子化合物、あるいは、
(d)ポリ−p−フェニレンビニレン(PPV )、ビフェニル基を有するポリマー(Biphenyl-Monomers )、ジアルコキシ基を有するポリマー(Dialkoxy-Monomers)、アルコキシ−フェニル−PPV 、フェニル−PPV 、フェニル−ジアルコキシ−PPVコポリマー、 ポリ(2−メトキシ−5−(2′−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH-PPV )、PEDOT:ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS )、ポリアニリン(PANI)、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、あるいは、
(e)トリフェニルアミン誘導体(TPD )、トリアリールアミン化合物、(2,2′,7,7′−ジフェニルアミノ−スピロ−9,9′ビフルオレン(Spiro-TAD )、N,N−7−ジ−1−ナフチル−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル(Spiro-NPB )、4,4′,4″−トリス[3−メチルフェニル−(フェニル)−アミノ]−トリフェニル−アミン(mMTDATA )、及び、それらの誘導体から選択される少なくとも1種の低分子化合物から選択される少なくとも1種の低分子化合物、あるいは、
(f)ポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリスチレンスルフォン酸(PSS)、ポリアニリン(PANI)、及び、それらの変性体から選択される少なくとも1種の高分子化合物、を含む材料よりなることを特徴とする請求項14記載の発光素子。
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