JP2001119046A

JP2001119046A - 光起電力デバイス用基板

Info

Publication number: JP2001119046A
Application number: JP29760899A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Seto; 康徳瀬戸; Akira Fujisawa; 章藤沢; Tsutomu Otani; 強大谷; Masahiro Hirata; 昌宏平田
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1999-10-20
Filing date: 1999-10-20
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】酸化亜鉛を主成分とする保護膜と透明導電膜
との密着性が十分でないと、太陽電池の特性低下の原因
となる。【解決手段】ガラス板５上に形成した酸化錫を主成分
とする透明導電膜３上に、耐プラズマ性に優れた酸化亜
鉛膜４を形成する。酸化亜鉛膜４は、被膜形成原料の熱
分解を伴う方法により成膜する。この酸化亜鉛膜４は
（１０１）面配向性を示し、例えば、スパッタリング法
で成膜された（００２）面配向を示す酸化亜鉛膜より
も、透明導電膜との密着性に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池などの光起
電力デバイスに用いる基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽
電池用の基板には、高い光透過性と導電性、および光閉
じこめ効果を有する表面凹凸構造が必要とされており、
透明導電膜として酸化錫膜が形成されたガラス板が多く
用いられている。しかし、透明導電膜上にｐ層アモルフ
ァスシリコン膜を形成する工程で、酸化錫膜が還元性プ
ラズマに曝されて還元（黒化）され、アモルファスシリ
コン膜へと光を取り入れる基板の光線透過率が低下し、
太陽電池の特性が低下することが問題となる。

【０００３】そこで、透明導電膜の表面に酸化亜鉛のよ
うな還元劣化しがたい保護膜を形成する方法（特開昭６
３−８０４１３号公報）、酸化錫に特定の結晶配向性を
与えて還元劣化を低減する方法（特開平２−２３１７７
３号公報）などが提案されている。また、近年、太陽電
池にさらに高い変換効率が要求されていることから、還
元劣化の低減とともに、透明導電膜への保護膜形成によ
る透明性や導電性の低下を解決する方法も提案されてい
る。

【０００４】例えば、特開昭６３−８９６５７号公報に
は、酸化インジウムまたは酸化錫を主成分とする透明導
電膜の表面に、電導性酸化亜鉛膜を形成することが開示
されている。同公報には、アルミニウム、インジウム、
錫の少なくとも一つを添加して導電性を向上させた酸化
亜鉛膜が記載されている。また、酸化亜鉛膜の好ましい
膜厚として、１０ｎｍ〜２００ｎｍが記載されている。
この酸化亜鉛膜は、スパッタリング法により成膜され
る。

【０００５】特開平６−３３８２２３号公報には、酸化
インジウムまたは酸化錫を主成分とする透明導電膜の表
面に、ガリウムを含有し、酸化亜鉛を主成分とする保護
膜を形成することが開示されている。ガリウムの添加に
より、酸化亜鉛膜の導電性などが改善される。ここで
も、保護膜は、スパッタリング法により成膜される。

【０００６】特開平７−１３１０４４号公報には、透明
導電膜に結晶性の透明導電性薄膜を積層することが開示
されている。結晶性の透明導電性薄膜としては、酸化亜
鉛膜が記載されている。この酸化亜鉛膜は、保護膜とし
て２〜２００ｎｍの膜厚を有する。この酸化亜鉛膜は、
酸化亜鉛結晶の（００２）面が膜面にほぼ平行となる配
向性、すなわち、（００２）面配向を示している。この
酸化亜鉛膜は、より高い耐プラズマ性を有する。ここで
も、酸化亜鉛膜は、スパッタリング法により成膜され
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記各種の提案によ
り、透明導電膜の還元によるａ−Ｓｉ太陽電池の特性劣
化は改善されつつある。しかしながら、依然として以下
の問題が残されている。すなわち、上記従来の酸化亜鉛
膜は、透明導電膜との密着性が十分ではなく、太陽電池
の製造工程において微小な膜剥離が生じ、太陽電池の性
能低下を引き起こす。

【０００８】特開平５−８２８１４号公報には、太陽電
池の性能低下の原因となる膜剥離を防ぐために、炭素原
子を含む酸化亜鉛膜を用いることが開示されている。同
公報では、酸化亜鉛膜の一般的な成膜方法として、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンクラスタビーム法、
化学蒸着法、金属塩溶液のスプレー後の加熱、が挙げら
れている。また、炭素原子を含有する酸化亜鉛膜の具体
的な形成方法としては、ターゲットに炭素原子を含む酸
化亜鉛を用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法が記
載されている。

【０００９】本発明は、透明導電膜との密着性が改善さ
れた保護膜を有する光起電力デバイス用基板を提供する
ことを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、透明導電膜
上に（１０１）面配向を示す酸化亜鉛を主成分とする膜
を形成することにより、酸化亜鉛を主成分とする膜と透
明導電膜との密着性を改善できることを見いだした。す
なわち、本発明の第１の光起電力デバイス用基板は、ガ
ラス板と、このガラス板上に形成された透明導電膜と、
この透明導電膜上に形成された酸化亜鉛を主成分とする
膜とを含み、この酸化亜鉛を主成分とする膜が、Ｘ線回
折分析により、酸化亜鉛結晶について（１０１）面配向
を示すことを特徴とする。

【００１１】（１０１）面配向とすると（００２）面配
向の場合よりも密着性が高くなる理由は必ずしも明らか
ではないが、膜界面での格子整合性が改善されることが
一因と考えられる。酸化亜鉛を主成分とする膜の配向性
は、Ｘ線回折分析により確認できる。例えば（１０１）
面配向している膜をＸ線回折分析すると、酸化亜鉛結晶
の（１０１）面に対応するピークの強度が他の結晶面に
対応するいずれのピークよりも強くなる。

【００１２】また、本発明者は、被膜形成原料の熱分解
を伴う化学気相法（ＣＶＤ法）やスプレー法により成膜
された酸化亜鉛膜が透明導電膜との密着性に優れている
ことを見いだした。すなわち、本発明の第２の光起電力
デバイス用基板は、ガラス板と、このガラス板上に形成
された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成された酸
化亜鉛膜とを含み、この酸化亜鉛膜が、被膜形成原料の
熱分解を伴う方法により成膜されたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい形態につ
いて図面を参照しながら説明する。図１に示すように、
透明導電膜３の表面には、酸化亜鉛膜４が保護膜として
形成される。酸化亜鉛膜４は、酸化亜鉛を主成分として
含めばよく、フッ素およびアルミニウムから選ばれる少
なくとも一方が添加されていることが好ましい。特に制
限されないが、フッ素の添加量は０．１〜１０重量％
が、アルミニウムの添加量は０．１〜１０重量％が好適
である。また、酸化亜鉛膜には、ガリウム、インジウ
ム、ビスマス、シリコン、銅、ホウ素、バナジウム、マ
ンガン、ジルコニウム、鉄、タングステン、チタン、ア
ンチモンなどのその他の微量成分が添加されていてもよ
い。酸化亜鉛膜４の好ましい膜厚は、５ｎｍ以上１００
ｎｍ以下である。

【００１４】透明導電膜３は、酸化錫を主成分とする膜
が好ましい。透明導電膜３には、導電性の向上を目的と
して、フッ素および／またはアンチモンを添加すること
が好ましい。また、フッ素やアンチモン以外にも、シリ
コン、アルミニウム、亜鉛、銅、インジウム、ビスマ
ス、ガリウム、ホウ素、バナジウム、マンガン、ジルコ
ニウム、ニオブ、鉄、タングステン、チタンなどを添加
しても構わない。透明導電膜の好ましい膜厚は５００ｎ
ｍ以上１２００ｎｍ以下である。

【００１５】透明導電膜３とガラス板５との間には、下
地膜を形成することが好ましい。下地膜により、ガラス
板からのアルカリ成分の拡散を抑制できる。下地膜とし
ては、酸化シリコンを主成分とする膜または酸化アルミ
ニウムを主成分とする膜が好ましい。下地膜は、単層と
してもよいが複数層とすることが好ましい。下地膜を複
数層とする場合には、例えば、ガラス板側から順に、酸
化錫を主成分とする第１の下地層と、上記に例示した金
属の酸化物を主成分とする第２の下地層を形成した構成
が好ましい。ガラス板５上に形成された、第１の下地層
１（例えば酸化錫膜）の好ましい膜厚は５ｎｍ以上５０
ｎｍ以下であり、第２の下地層２（例えば酸化シリコン
膜）の好ましい膜厚も５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

【００１６】上記各膜の成膜には、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法などのいわゆる物
理蒸着法を用いてもよいが、ＣＶＤ法やスプレー法など
のいわゆる化学蒸着法を用いることが好ましい。物理蒸
着法では、膜厚の均一性には優れているが、被膜耐久性
などを考慮すると、原料の熱分解酸化反応を伴う化学蒸
着法が優れている。このため、特に酸化亜鉛膜および透
明導電膜は、化学蒸着法により成膜することが好まし
い。

【００１７】スプレー法としては、金属化合物を含む溶
液を高温のガラス板上に噴霧する溶液スプレー法、上記
溶液に代えて金属化合物の微粒子を液体に分散させた分
散液を用いる分散液スプレー法、上記溶液に代えて金属
化合物の粉末を用いる粉末スプレー法などが挙げられ
る。これに対し、ＣＶＤ法では、被膜形成用の蒸気が用
いられる。スプレー法には、比較的簡便な装置で実施で
きるという利点がある。一方、ＣＶＤ法には、膜厚を均
一化しやすいという利点がある。

【００１８】ＣＶＤ法による成膜は、所定の大きさに切
断し、加熱したガラス板にガス状の原料が吹きつけるこ
とにより行うことができる。例えば、ガラス板をメッシ
ュベルトに載せて加熱炉を通過させる間に原料を供給
し、所定温度にまで加熱したガラス板の表面で原料を反
応させればよい。

【００１９】しかし、ＣＶＤ法やスプレー法による成膜
は、フロート法によるガラス製造工程における高温のガ
ラスリボン上に原料ガスを供給して、ガラス成形時の熱
エネルギーを利用することが好ましい。この好ましい製
法は、大きな面積を有するガラス板の製造には有利であ
り、屋根材用などとして大面積のガラス板への成膜も求
められる光起電力デバイス用基板の成膜には特に適して
いる。特に、ＣＶＤ法を錫フロート槽空間で行えば、軟
化点以上の温度を有するガラス表面にも成膜が行えるの
で、膜の性能および成膜反応速度、成膜反応効率の向上
が可能となる。また、ピンホール（膜抜け）などの欠点
も抑制される。

【００２０】酸化亜鉛膜や透明導電膜を成膜する場合
の、ガラス板など基板の温度は５２０℃以上が好まし
い。このような高温での成膜は、ガラスリボン上におけ
る成膜を実施することにより容易に実現できる。酸化亜
鉛膜の成膜温度を５２０℃以上、特に５７０℃以上とす
ると、酸化亜鉛膜の（１０１）面配向が促進される。

【００２１】フロート法におけるガラスリボン上にＣＶ
Ｄ法により成膜するための装置の一形態を図２に示す。
図２に示したように、この装置では、溶融炉（フロート
窯）１１から錫フロート槽（フロートバス）１２内に流
れ出し、錫浴１５上を帯状に移動するガラスリボン１０
の表面から所定距離を隔て、所定個数のコータ１６（図
示した形態では３つのコータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ）
が錫フロート槽内に配置されている。これらのコータか
らは、ガス状の原料が供給され、ガラスリボン１０上に
連続的に被膜が形成されていく。また、複数のコータを
利用すれば、ガラスリボン１０上に、下地膜から酸化亜
鉛膜までの各膜をＣＶＤ法により連続して成膜できる。
ガラスリボンの温度は、コータ１６の直前で所定温度と
なるように、錫フロート槽内に配置されたヒータおよび
クーラ（図示省略）により調整される。各膜が形成され
たガラスリボン１０は、ローラ１７により引き上げられ
て、徐冷炉１３へと送り込まれる。なお、徐冷炉１３で
徐冷されたガラス板は、図示を省略するフロート法汎用
の切断装置により、所定の大きさのガラス板へと切断さ
れる。

【００２２】ガラスリボン上への成膜は、ＣＶＤ法とス
プレー法とを併用して行ってもよい。例えば、ＣＶＤ法
とスプレー法とをこの順に実施することにより（例え
ば、錫フロート槽空間内においてＣＶＤ法による成膜を
実施し、錫フロート槽空間よりガラスリボン進行方向下
流側においてスプレー法による成膜を実施することによ
り）、所定の積層構造を実現してもよい。例えば、図１
に示した積層構造を有する光起電力デバイス用基板を製
造する場合には、下地膜および透明導電膜を錫フロート
槽空間内におけるＣＶＤ法により成膜し、酸化亜鉛膜を
錫フロート槽空間を通過した下流側におけるスプレーガ
ン１８を用いたスプレー法により成膜することが特に好
ましい。この方法によれば、優れた特性を有する膜を効
率よく形成できる。

【００２３】なお、スプレー法で酸化亜鉛膜を成膜する
ときの亜鉛原料としては、塩化亜鉛、亜鉛アセチルアセ
トナート、オクチル酸亜鉛、ヘキサン酸亜鉛、ナフテン
酸亜鉛、硝酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、シュウ酸亜鉛、
サリチル酸亜鉛などが挙げられる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例により制限されるもの
ではない。

【００２５】（実施例１）図２に示した装置と同様の装
置を用い、錫フロート槽内において、槽内最上流側に位
置する第１のコータから、モノブチル錫トリクロライド
（蒸気）、酸素、およびヘリウムからなる混合ガスを供
給して膜厚が３５ｎｍの酸化錫膜（ＳｎＯ ₂膜）を成膜
し、次いで第２のコータから、モノシラン、エチレン、
酸素および窒素からなる混合ガスを供給して、ＳｎＯ₂
膜上に、膜厚が２５ｎｍの酸化シリコン膜（ＳｉＯ
₂膜）を成膜した。引き続いて、第３のコータから、モ
ノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素、ヘリ
ウムおよびフッ化水素（蒸気）からなる混合ガスを供給
して、ＳｉＯ₂膜上に、膜厚が６９０ｎｍのフッ素を含
有する酸化錫膜（ＳｎＯ₂：Ｆ膜）を成膜した。なお、
膜を形成する直前の部分におけるガラスリボン温度は約
６５０℃であった。

【００２６】ガラスリボンは、錫フロート槽から徐冷炉
へと搬送され、徐冷炉内に設置されたスプレーガンか
ら、圧縮空気によりミストを供給するスプレー法によ
り、ＳｎＯ₂：Ｆ膜上に、膜厚が１０ｎｍの酸化亜鉛膜
（ＺｎＯ膜）を成膜した。ここでは、被膜形成原料とし
て、５ｍｏｌ／Ｌの塩化亜鉛水溶液を用いた。なお、ス
プレー成膜を行う直前の部分におけるガラスリボン温度
は５７５℃であった。その後、ガラスリボンを、さらに
搬送下流側に配置した切断機により所定寸法に切断し
た。

【００２７】（実施例２）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄し、さらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内に
おいて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍ
のＳｉＯ₂膜を成膜し、次いで厚さ９００ｎｍのＳｎ
Ｏ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板を、メッシュ
ベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送しな
がら行った。炉内に設置したコータから、ＳｉＯ₂膜成
膜の際は、モノシラン、エチレン、酸素および窒素から
なる混合ガスを供給し、ＳｎＯ₂：Ｆ膜成膜の際は、モ
ノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素および
トリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供給し
た。

【００２８】引き続き、ガラス基板上を吊具によって固
定し、５８０℃に設定した電気炉内に５分間保持した
後、取り出して亜鉛のアセチルアセトナート塩とトルエ
ンとを混合した原料液を市販のスプレーガンを用いて基
板に吹きつけて、ＳｎＯ₂：Ｆ膜上に、厚さ３０ｎｍの
ＺｎＯ膜を成膜した。

【００２９】（実施例３）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が７５０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００３０】このガラスリボンを所定寸法に切断して得
たガラス板上を５８０℃に加熱した後、亜鉛のアセチル
アセトナート塩およびフッ酸の蒸気を含む窒素ガスを吹
きつけて、ＳｎＯ₂：Ｆ膜上に、膜厚が６０ｎｍのフッ
素を含有するＺｎＯ膜を成膜した。

【００３１】（実施例４）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が８００
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００３２】さらに、実施例１と同様にして、徐冷炉内
におけるスプレー法により、膜厚が８０ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。ただし、被膜形成原料としては、塩化亜鉛
水溶液に塩化アルミニウム水溶液を混合した液を用い、
ＺｎＯ膜にアルミニウムを添加した。なお、スプレー成
膜を行う直前の部分におけるガラスリボン温度は５８５
℃であった。

【００３３】（実施例５）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が８５０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００３４】さらに、実施例１と同様にして、徐冷炉内
におけるスプレー法により、膜厚が７５ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。ただし、被膜形成原料としては、塩化亜鉛
水溶液にフッ化アンモニウムを混合した液を用い、Ｚｎ
Ｏ膜にフッ素を添加した。なお、スプレー成膜を行う直
前の部分におけるガラスリボン温度は５７０℃であっ
た。

【００３５】（実施例６）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が７００
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００３６】さらに、実施例１と同様にして、徐冷炉内
におけるスプレー法により、膜厚が７０ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。ただし、被膜形成原料としては、塩化亜鉛
水溶液に塩化アルミニウム水溶液およびフッ化アンモニ
ウムを混合した液を用い、ＺｎＯ膜にアルミニウムおよ
びフッ素を添加した。なお、スプレー成膜を行う直前の
部分におけるガラスリボン温度は５７０℃であった。

【００３７】（実施例７）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が８５０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００３８】さらに、実施例１と同様にして、徐冷炉内
におけるスプレー法により、膜厚が５０ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。ただし、被膜形成原料としては、塩化亜鉛
水溶液に塩化アルミニウム水溶液およびフッ化アンモニ
ウムを混合した液を用い、ＺｎＯ膜にアルミニウムおよ
びフッ素を添加した。なお、スプレー成膜を行う直前の
部分におけるガラスリボン温度は６００℃であった。

【００３９】（比較例１）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が６９０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。ＺｎＯ膜の成膜
は省略した。

【００４０】（比較例２）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が３５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が５９０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００４１】この基板上に、ＤＣスパッタリング法によ
り、酸化亜鉛ターゲットを用いて圧力約１．３Ｐａのア
ルゴン雰囲気下において、膜厚が８ｎｍのＺｎＯ膜を成
膜した。

【００４２】（比較例３）実施例１と同様にして、ガラ
スリボン上におけるＣＶＤ法により、膜厚が２５ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、膜厚が４０ｎｍのＳｉＯ₂膜、膜厚が８２０
ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を順次成膜した。

【００４３】この基板上に、ＤＣスパッタリング法によ
り、酸化亜鉛ターゲットを用いて圧力約１．３Ｐａのア
ルゴン雰囲気下において、膜厚が４０ｎｍのＺｎＯ膜を
成膜した。

【００４４】実施例１〜７、比較例１〜３から得た各サ
ンプルについて、基板への膜の付着性を測定した。付着
力はＪＩＳＲ３２５５１９９７「ガラスを基板とし
た薄膜の付着性試験方法」に基づく測定値である。測定
装置としては、レスカ製スクラッチ試験機（ＣＳＲ−０
２）にダイアモンド製直径５μｍの測定端子を取り付け
たものを使用した。光学顕微鏡写真より、膜表面に何ら
かの変化が生じたときの測定端子への荷重が付着力であ
る。また、分光光度計により分光透過率を測定し、４０
０〜８００ｎｍにおける透過率の平均値を算出した。

【００４５】さらに、Ｘ線回折分析により、各試料の酸
化亜鉛膜の配向性を測定した。Ｘ線回折チャートにおい
て、最も強度が大きいピークに対応する酸化亜鉛結晶の
結晶面を配向面とした。以上の測定結果を表１に示す。

【００４６】（表１） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 酸化亜鉛透過率比抵抗付着力配向面膜厚(nm) （％） (×10^-4Ωcm)（ｍＮ） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１１０８６．２３．２３８．２（１０１）実施例２３０８５．３３．１３９．１（１０１）実施例３６０８５．１３．２３９．１（１０１）実施例４８０８４．７３．０３８．５（１０１）実施例５７５８４．７３．１３９．３（１０１）実施例６７０８４．５２．９３９．２（１０１）実施例７５０８５．５２．８３８．９（１０１）比較例１０８５．５３．２（４０．１） − 比較例２８８６．５３．１２９．６（００２）比較例３４０８５．３３．０３１．３（００２） ――――――――――――――――――――――――――――――――――

【００４７】表１のように、本発明の熱分解法で成膜し
た実施例１〜７では、Ｘ線回折による分析の結果、酸化
亜鉛膜が（１０１）面に配向しており、上記ＪＩＳで規
定される付着力が３７ｍＮ以上であった。一方、スパッ
タリング法により成膜した比較例２、３では、ＺｎＯ膜
が（００２）面に配向しており、付着力も３０ｍＮ未満
であった。スパッタリング法により成膜したＺｎＯ膜が
（００２）面配向を示すという結果は、特開平７−１３
１０４４号公報における記載内容と一致する。なお、比
較例１では、ＺｎＯ膜を形成していないため、表中の付
着力は透明導電膜（ＳｎＯ₂：Ｆ膜）の付着力に相当す
る。

【００４８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、透明導電膜との密着性が改善された酸化亜鉛を主
成分とする膜を有する光起電力デバイス用基板を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光起電力デバイス用基板の一実施形
態の断面図である。

【図２】本発明の光起電力デバイス用基板を製造する
ための装置の一例の構成を示す図である。

【符号の説明】

１第１の下地層２第２の下地層３透明導電膜４酸化亜鉛膜５ガラス板１０ガラスリボン１１溶融炉（フロート窯）１２錫フロート槽（フロートバス）１３徐冷炉１６コータ１８スプレーガン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大谷強大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内 (72)発明者平田昌宏大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内Ｆターム(参考） 5F051 FA02 FA30 GA03 GA06 GA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス板と、前記ガラス板上に形成され
た透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された酸化亜
鉛を主成分とする膜とを含み、前記酸化亜鉛を主成分と
する膜が、Ｘ線回折分析により、酸化亜鉛結晶について
（１０１）面配向を示すことを特徴とする光起電力デバ
イス用基板。
【請求項２】ガラス板と、前記ガラス板上に形成され
た透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された酸化亜
鉛を主成分とする膜とを含み、前記酸化亜鉛を主成分と
する膜が、被膜形成原料の熱分解を伴う方法により形成
されたことを特徴とする光起電力デバイス用基板。
【請求項３】被膜形成原料の熱分解温度が５２０℃以
上である請求項２に記載の光起電力デバイス用基板。
【請求項４】透明導電膜が、酸化錫を主成分とする膜
である請求項１〜３のいずれかに記載の光起電力デバイ
ス用基板。
【請求項５】酸化亜鉛を主成分とする膜が、フッ素お
よびアルミニウムから選ばれる少なくとも一方を含有す
る請求項１〜４のいずれかに記載の光起電力デバイス用
基板。