JP2001177127A

JP2001177127A - 光電変換装置用基板

Info

Publication number: JP2001177127A
Application number: JP36180999A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Seto; 康徳瀬戸; Akira Fujisawa; 章藤沢; Yukio Sueyoshi; 幸雄末吉; Masahiro Hirata; 昌宏平田; Tsutomu Otani; 強大谷
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1999-12-20
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】特に結晶質シリコン系光電変換装置に適した
光電変換装置用基板を提供する。【解決手段】ガラス板の表面に少なくとも１層の下地
膜１ａ，１ｂを形成し、さらに導電膜２を形成する。導
電膜の表面の凹凸を、高さ３が５０〜１５０ｎｍ、凸部
間の間隔が５０〜１０００ｎｍとする。また、導電膜の
膜厚を４００〜１０００ｎｍ、シート抵抗値を１０〜３
０Ω／□とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜型太陽電池など
に使用される光電変換装置用基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】光電変換装置では、ガラス板の表面に、
酸化錫や錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）など
の透明導電膜を形成した透明導電体が基板として用いら
れる。薄膜型光電変換装置では、ガラス板の表面に酸化
錫膜を形成した透明導電体が広く使用されている。薄膜
シリコン系の材料を光電変換材料としたシリコン系薄膜
型光電変換装置は、その製造に係るエネルギーコストが
小さいことなどから注目されている。

【０００３】一般に、シリコン系薄膜型光電変換装置
は、ガラス板の表面に、下地膜、透明導電膜、シリコン
系光電変換層、金属膜を順次形成した構成を有する。透
明導電膜としては、化学蒸着法（ＣＶＤ法）など原料の
熱分解酸化反応を伴う方法で形成された酸化錫膜が多用
されている。下地膜は、主として、ガラス板に含まれる
ナトリウムなどのアルカリ成分が透明導電膜へと拡散
し、透明導電膜の電気抵抗を低下させる（抵抗が高くな
る）ことを防止するために設けられる。下地膜として
は、酸化珪素膜が多用されている。

【０００４】薄膜型光電変換装置に用いる透明導電膜に
は、透過率が高いこと（光電変換層により多くの光を入
れる）、抵抗が低いこと（発生した電流を取り出す際の
ロスを少なくする）が求められる。また、透明導電膜の
表面に適当な凹凸を付与すると、光電変換層での光閉じ
込めに効果があることが知られている。

【０００５】例えば、特開昭６１−２８８４７３号公報
には、高低差が約１０００〜５０００オングストローム
であり、凸部と凸部との間隔が約２０００〜１００００
オングストロームである凹凸形状が記載されている。こ
の凹凸は、エッチング処理により形成される。酸化錫は
難エッチング性であるため、ここでは、導電膜として酸
化インジウムスズが使用されている。

【０００６】また例えば、特表平２−５０３６１５号公
報には、直径が０．１μｍ〜０．３μｍ、高さ／直径の
比が０．７〜１．２である凹凸形状が記載されている。
同公報には、凸部の好ましい高さとして、０．１〜０．
５μｍが例示されている。この範囲の表面形状を有する
導電膜は６０００オングストローム以下である。シート
抵抗としては４〜１０Ω／□が記載されている。

【０００７】また例えば、特開平４−１３３３６０号公
報には、高さが１０００〜３０００オングストロームの
角錐台もしくは角錐の凸部を有し、この角錐台もしくは
角錐の稜線と基板の法線とがなす角度が３０〜５０度で
ある凹凸形状が記載されている。

【０００８】また例えば、特公昭６２−７７１６号公報
には、平均粒径が０．１〜２．５μｍである凹凸形状が
記載されている。

【０００９】また例えば、特公平４−７０７８８号公報
には、凸部の密度が３０〜９０個／平方μｍ、高さが５
０〜２００ｎｍの凹凸形状が記載されている。

【００１０】また例えば、特開昭５９−６１９７３号公
報には、凸部高さが約１００ｎｍの針状凹凸形状が記載
されている。

【００１１】また例えば、特開昭５９−２０１４７０号
公報には、平均粒径が０．１〜０．９μｍの凹凸形状が
記載されている。

【００１２】また例えば、特開昭６１−９６７７５号公
報には高さ１０００〜３０００オングストローム、凸部
ピッチ１０００〜３０００オングストロームの凹凸形状
が記載されている。導電膜の膜厚は４０００オングスト
ローム以下である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】非晶質シリコン系光電
変換層を用いる非晶質シリコン系薄膜型光電変換装置で
は、光照射により非晶質シリコン系光電変換層の欠陥準
位密度が増大するため、光電変換装置の変換効率が低下
する。このため、非晶質シリコン系光電変換層に代え
て、あるいは非晶質シリコン系光電変換層とともに、多
結晶や微結晶の結晶質シリコン系光電変換層を有する結
晶質シリコン系薄膜型光電変換装置が提案されている。

【００１４】結晶質シリコン系光電変換装置において、
導電膜上に形成する結晶質シリコン膜の結晶性には、導
電膜の表面形状が影響を及ぼす。光電変換層である結晶
質シリコン膜の結晶性は、薄膜の特性、特に電気的特性
を左右する。このため、結晶質シリコン膜を直接もしく
は緩和層を介して形成する表面となる導電膜の表面に
は、結晶質シリコン膜の結晶性を良好に保ちながらも光
閉じこめ効果を有する凹凸形状を付与することが望まれ
る。

【００１５】結晶質シリコン系光電変換装置において
も、光電変換層に多くの光を導入するために、導電膜に
おける光吸収を低減することが求められる。その一方、
電極として用いる導電膜のシート抵抗値はある程度低い
ことが要求される。シート抵抗値を下げるために、フッ
素、塩素などのハロゲン元素やアンチモンなど金属元素
（ドーパント）の添加量を増加すると、導電膜の吸収率
が増大する。膜厚を増せば導電膜のシート抵抗値は低下
するが、同じく導電膜の吸収率が増大する。また、膜厚
を厚くするために導電膜を構成する結晶粒子を大きく成
長させると、導電膜の表面凹凸の高さおよび間隔も大き
くなっていく。このように、導電膜の膜厚やシート抵抗
値と表面形状とは密接な関係にある。したがって、結晶
質シリコン系光電変換装置に適した導電膜を得るために
は、導電膜の膜厚やシート抵抗値が適切な範囲となるよ
うに配慮しながら、膜の表面形状を適切に調整する必要
がある。

【００１６】しかしながら、上記従来の光電変換装置用
基板は、結晶質シリコン系光電変換装置への適用を考慮
したものではなかった。そこで、本発明は、特に結晶質
シリコン系光電変換装置に適した光電変換装置用基板を
提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のガラス板と、このガラス板上に形成された
少なくとも１層の下地膜と、この下地膜上に形成された
少なくとも１層の導電膜とを含み、この導電膜の表面に
凹凸が形成され、凹凸の高さが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ
以下であり、凹凸を形成する凸部間の間隔が５０ｎｍ以
上１０００ｎｍ以下であり、上記導電膜の膜厚が４００
ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、上記導電膜のシート
抵抗値が１０Ω／□以上３０Ω／□以下であることを特
徴とする。本発明の光電変換素子用基板は、非晶質シリ
コン系薄膜型光電変換装置にも使用できるが、特に結晶
シリコン系薄膜型光電変換装置の光電変換特性の向上に
適している。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい形態につ
いて説明する。膜の吸収率とシート抵抗値とのバランス
を考慮すると、導電膜の膜厚は上記範囲が好ましい。膜
厚が過大となると、表面形状を上記範囲内とすることが
困難となる。導電膜の膜厚は、７００ｎｍ以上がより好
ましい。

【００１９】導電膜が酸化錫を主成分とする膜である場
合には、成膜条件を調整することによって酸化錫の優先
配向面を（２１１）とすると、導電膜の表面形状を容易
に上記範囲内とすることができる。このときの膜厚とし
ては、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が特に好まし
い。ここで、上記優先配向面は、Ｘ線回折測定により得
られた各面ピークの強度（ｃｐｓ）を比較し、最大のピ
ーク強度を示す面を優先配向面とすることにより定める
ことができる。

【００２０】また、被膜形成原料の熱分解を伴う方法に
より、導電膜として酸化錫を主成分とする膜を形成する
場合には、被膜形成時の基板温度を５００℃以上７００
℃以下とすれば、吸収率が低い導電膜を利用することが
できる。この場合は、膜厚が４００ｎｍ以上７００ｎｍ
以下の範囲においても上記表面形状とシート抵抗値とを
有する導電膜を得ることができる。

【００２１】被膜形成時の基板温度が低すぎると、導電
膜の結晶性が低下して膜中のキャリア移動度が低下して
比抵抗の上昇を招く。この点からも、被膜形成時の基板
温度は上記範囲が好ましい。

【００２２】また、導電膜とガラス基板との間に下地膜
を形成する形態も、反射率を低減させるばかりではな
く、導電膜の表面形状の制御に有効である。下地膜は、
２以上の層を積層して形成してもよい。この場合は、少
なくとも１層が結晶質の層であることが好ましい。より
具体的には、ガラス基板に近い側から、結晶質の第１の
下地層と非晶質の第２の下地層とをこの順に形成する
と、導電膜の膜厚を増しても凹凸高さを適切な範囲に制
御できる。第１の下地層としては、酸化錫を主成分とす
る膜が好ましく、第２の下地層としては、酸化珪素を主
成分とする膜が好ましい。

【００２３】導電膜についても、２以上の層を積層して
構成してもよい。例えば異種の導電層を含む多層膜とし
て、導電膜の表面凹凸形状を調整してもよい。

【００２４】以下、図面を参照しながら、光電変換装置
用基板の好ましい形態についてさらに説明する。図１
は、本発明の光電変換装置用基板の一形態の断面図であ
る。この光電変換装置用基板では、ガラス板５上に、第
１の下地層１ａ、第２の下地層１ｂ、酸化錫を主成分と
する透明導電膜２がこの順に形成されている。

【００２５】酸化錫を主成分とする透明導電膜２の表面
には、高さ３および間隔４を有する凹凸が形成されてい
る。この凹凸が光電変換層での光閉じ込め効果の増大に
寄与する。高さ３は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、よ
り好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。間隔
４（凹凸を形成する凸部間のピッチ）は、５０ｎｍ以上
１０００ｎｍ以下である。透明導電膜２は、表面の７０
％以上の領域が、上記範囲の高さ３および間隔４を有す
る凹凸で覆われていればよいが、実質的に全ての領域が
上記で規定される凹凸により覆われていることが好まし
い。

【００２６】下地層１ａは酸化錫を主成分とする膜であ
ることが好ましい。また、下地層１ｂは、酸化珪素およ
び酸化アルミニウムから選ばれるいずれか一方または両
方を主成分とすることが好ましく、特に酸化珪素膜であ
ることが好ましい。なお、図１では、２層構成の下地膜
を例示したが、下地膜は、１層であっても３層以上であ
っても構わない。

【００２７】酸化錫を主成分とする透明導電膜２は、特
に限定されないが、導電性向上のために、フッ素、アン
チモンなどの微量元素が添加された酸化錫を主成分とす
る薄膜であることが好ましい。添加する元素の量は特に
制限されないが、フッ素であれば０．０５〜１重量％を
適当な範囲として例示できる。

【００２８】上記各膜の好ましい膜厚を以下に例示する第１の下地層１ａ０〜１００ｎｍ第２の下地層１ｂ１０〜１００ｎｍ透明導電膜２４００〜１０００ｎｍ

【００２９】本発明の光電変換装置用基板の製造方法の
好ましい実施形態としては、フロートガラス製造工程に
おいて、ガラスリボンが有する熱を利用することによ
り、上記各膜をガラスリボンのトップ面に順次堆積する
方法を挙げることができる。ガラスリボンが有する熱を
利用する膜形成法としては、原料液を霧化してガラスリ
ボン表面に供給するスプレー法や原料を気化させてガラ
スリボン表面に供給するＣＶＤ法を利用できる。

【００３０】フロート法におけるガラスリボン表面に、
ＣＶＤ法により薄膜を形成するための装置の一形態を図
２に示す。図２に示したように、この装置では溶融窯１
１から錫フロート槽１２内に流れ出し、錫浴１５で帯状
に成形されて移動するガラスリボン１０の直上に所定個
数のコータ１６（図示した形態では３つのコータ１６
ａ、１６ｂ、１６ｃ）が配置されている。これらのコー
タから、あらかじめ調整、気化された原料が供給され、
ガラスリボン１０表面（トップ面；錫非接触面）に連続
的に被膜が形成される。また、それぞれのコータで異な
る原料を供給することにより、第１の下地層、第２の下
地層、透明導電膜を連続的に積層することができる。ガ
ラスリボン１０の温度は、コータ１６の直前で所定温度
となるように、錫フロート槽１２内に配置されたヒータ
ーおよびクーラー（図示省略）により制御される。

【００３１】ここで、ガラスリボンの所定温度として
は、６００℃以上７５０℃以下が好ましく、特に６３０
℃以上７５０℃以下が好ましい。ガラスリボン１０の温
度は放射温度計で計測できる。このようにして被膜が形
成されたガラスリボン１０はロール１７によって引き上
げられ、徐冷炉１３で冷却される。

【００３２】ＣＶＤ法により酸化錫を主成分とする薄膜
を形成する場合、錫原料としては、モノブチル錫トリク
ロライド、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチ
ル錫ジクロライド、ジオクチル錫ジクロライド、テトラ
メチル錫などが挙げられる。第１の下地層を成膜する際
には、錫化合物中に塩素を含むモノブチル錫トリクロラ
イド、ジメチル錫ジクロライドなどの有機錫塩化物が好
適に用いられる。また、酸化原料としては、酸素、水蒸
気、乾燥空気などが挙げられる。また、導電膜にフッ素
を添加する場合のフッ素原料としては、フッ化水素、ト
リフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、クロロジ
フルオロメタンなどが挙げられる。また添加剤としては
メタノールやエタノール、プロパノール、イソプロパノ
ール、ブタノール、ｔ−ブタノールなどのアルコール
類、蟻酸や酢酸などのカルボン酸類、ホルムアルデヒド
やアセトアルデヒドなどのアルデヒド類、酢酸エチルや
酢酸メチルなどのエステル類、アセトンやメチルエチル
ケトンなどのケトン類、ジメチルエーテルやジエチルエ
ーテルなどのエーテル類などが挙げられる。

【００３３】ＣＶＤ法により酸化珪素を主成分とする薄
膜を形成する場合、珪素原料としては、モノシラン、ジ
シラン、トリシラン、モノクロロシラン、1,2-ジメチル
シラン、1,1,2-トリメチルジシラン、1,1,2,2-テトラメ
チルジシラン、テトラメチルオルソシリケート、テトラ
エチルオルソシリケートなどが挙げられる。酸化原料と
しては、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化
炭素、二酸化窒素、オゾンなどが挙げられる。また、モ
ノシランなど反応性の極めて高い原料を使用する場合に
は、エチレン、アセチレン、トルエンなどの不飽和炭化
水素ガスを添加して反応性を制御してもよい。

【００３４】酸化珪素と同様、第２の下地層として好適
な酸化アルミニウムを主成分とする膜をＣＶＤ法により
成膜する場合のアルミニウム原料としては、トリメチル
アルミニウム、アルミニウムトリイソポプロポキサイ
ド、塩化ジエチルアルミニウム、アルミニウムアセチル
アセトネート、塩化アルミニウムなどが挙げられる。ま
た、この場合の酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥
空気などが挙げられる。

【００３５】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例により制限されるもの
ではない。（実施例１）予め一辺が１０ｃｍの正方形となるように
切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラスを洗浄しさら
に乾燥させた。大気開放型の搬送炉内において、ＣＶＤ
法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を
成膜し、引き続いて厚さ９２０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を
成膜した。成膜は、ガラス板を、メッシュベルトを用い
て約５２０℃に加熱された炉内を搬送しながら行った。
炉内に設置したコータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノ
シラン、エチレン、酸素および窒素からなる混合ガスを
供給し、ＳｎＯ₂成膜の際は四塩化錫（蒸気）、水蒸
気、窒素、およびトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ；蒸気）、
メタノール（蒸気）からなる混合ガスを供給した。ま
た、ＳｎＯ₂成膜の際のガス組成（モル比）としては、
Ｈ₂Ｏ／ＳｎＣｌ₄＝５０、ＴＦＡ／ＳｎＣｌ₄＝０．５
７、ＣＨ₃ＯＨ／Ｈ₂Ｏ＝７．０５とした。この際、得ら
れた供試体のシート抵抗は１８．０Ω／□、４００〜１
２００ｎｍの波長領域における膜の吸収率の平均値は
２．８％であった。またＸ線回折測定の結果、この供試
体の膜面の第一ピークは（２１１）面であった。

【００３６】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００３７】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．０９μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．１μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さが
０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔（凸部の間隔；以
下同様）が０．０５〜１．０μｍの範囲内であった。ま
た、珪素膜は柱状の結晶成長を示していることが確認で
きた。また、この珪素膜では（２２０）面への配向が顕
著に見られた。

【００３８】（実施例２）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ３０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ８２０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５５０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際は四塩化錫（蒸気）、水蒸気、窒素、および
トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ；蒸気）、メタノール（蒸
気）からなる混合ガスを供給した。また、ＳｎＯ₂成膜
の際のガス組成（モル比）としては、Ｈ₂Ｏ／ＳｎＣｌ₄
＝９、ＴＦＡ／ＳｎＣｌ₄＝０．５７、ＣＨ₃ＯＨ／Ｈ₂
Ｏ＝０．９４とした。この際、得られた供試体のシート
抵抗は１４．３Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領
域における膜の吸収率の平均値は３．８％であった。ま
たＸ線回折測定の結果、この供試体の第一ピークは（２
１１）面であった。

【００３９】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００４０】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１０μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．２５μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００４１】（実施例３）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ６００ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５９０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際はジメチル錫ジクロライド（蒸気）、窒素、
およびトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供
給した。この際、得られた供試体のシート抵抗は１２．
２Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領域における膜
の吸収率の平均値は４．５％であった。

【００４２】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００４３】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１１μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．１５μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００４４】（実施例４）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ１０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ６５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５５０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際はモノブチル錫テトラクロライド（蒸気）、
窒素、およびトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガ
スを供給した。この際、得られた供試体のシート抵抗は
２８．０Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領域にお
ける膜の吸収率の平均値は２．４％であった。

【００４５】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００４６】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．０６μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．０７μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００４７】（実施例５）図２に示した装置と同様の装
置を用い、ＣＶＤ法により、ガラスリボン表面に薄膜を
積層した。成膜の際には、錫フロート槽空間に９８体積
％の窒素と２体積％の水素からなる混合ガスを供給し、
槽外よりもやや高圧となるように維持した。錫フロート
槽内に、溶融窯で溶融されたソーダライムガラス生地を
流し込み、成形して厚み４ｍｍのガラスリボンとし、毎
分約７ｍの速度で引き上げた。トップ面に所定の薄膜を
積層したガラスリボンは徐冷炉で徐冷された後、洗浄、
乾燥、切断した。

【００４８】ガラスリボンの表面には、最上流側に位置
する第１のコータ（図２中図番１６ａ）直前のガラスリ
ボン表面温度を７５０℃とし、第１のコータから、ジメ
チル錫ジクロライド、酸素、ヘリウム、窒素からなる混
合ガスを供給した。また、第２のコータ（図２中図番１
６ｂ）から、モノシラン、エチレン、酸素および窒素か
らなる混合ガスを供給した。さらに、第３のコータ（図
２中図番１６ｃ）から、ジメチル錫ジクロライド、酸
素、水蒸気、窒素、フッ化水素からなる混合ガスを供給
した。このようにして、ガラスリボンのトップ面に膜厚
が約３０ｎｍの酸化錫膜、膜厚が約３０ｎｍの酸化珪素
膜、膜厚が約４５０ｎｍのフッ素含有酸化錫膜がこの順
に積層された供試体を得た。この際、得られた供試体の
シート抵抗は２１．０Ω／□、４００〜１２００ｎｍの
波長領域における膜の吸収率の平均値は３．２％であっ
た。

【００４９】このようにして得た供試体を１００×１０
０ｍｍの大きさに切断し、洗浄、乾燥し基体とした。基
体を約３５０℃に加熱し、この基体の導電膜上にモノシ
ランおよび水素を供給し、プラズマＣＶＤ法により厚さ
２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を冷却後、炉内か
ら取り出し、透過型電子顕微鏡による観察およびＸ線回
折測定をおこなった。

【００５０】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１３μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．５０μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００５１】（実施例６）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ６５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５５０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際はモノブチル錫トリクロライド（蒸気）、窒
素、およびトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガス
を供給した。

【００５２】このようにして得た供試体のＳｎＯ₂膜上
に、市販のスプレーガンを用いて圧縮空気によりミスト
を供給するスプレー法により約５０ｎｍの酸化亜鉛保護
膜を形成した。スプレー原料には塩化亜鉛水溶液と塩化
アルミニウム水溶液、ＮＨ４Ｆを混合したものを用い
た。なおこの際の成膜温度は５５０℃であった。この
際、得られた供試体のシート抵抗は１５．５Ω／□、４
００〜１２００ｎｍの波長領域における膜の吸収率の平
均値は３．９％であった。

【００５３】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００５４】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．０８μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．１２μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００５５】（実施例７）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ８５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５３０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際はジメチル錫ジクロライド（蒸気）、窒素、
およびトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供
給した。この際、得られた供試体のシート抵抗は２４．
３Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領域における膜
の吸収率の平均値は２．８％であった。

【００５６】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００５７】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１４μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．８５μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００５８】（実施例８）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｎＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ８５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５３０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際はジメチル錫ジクロライド（蒸気）、窒素、
およびトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供
給した。この際、得られた供試体のシート抵抗は２４．
３Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領域における膜
の吸収率の平均値は２．８％であった。

【００５９】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００６０】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１４μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．８５μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００６１】次に上記ガラス板を用いて、透明導電膜が
形成されているガラス主表面と反対側の主表面上に反射
抑制膜を以下のように形成した。

【００６２】まず、透明導電膜を形成したガラス板の表
面をマスクした後、このガラス板を０．０５モルのホウ
酸および０．００８モルの弗化カリウムを添加した濃度
１．２５モル／リットルの珪弗化水素酸のシリカ過飽和
水溶液に２時間浸漬した。さらにガラス板を取り出し、
マスクを除去し、洗浄、乾燥することにより、透明導電
膜が形成されていないもう一方のガラス主表面上に酸化
珪素膜を形成した。この膜は、実質的な屈折率が１．２
８の空隙を有する膜で、厚さが１００ｎｍであった。

【００６３】（実施例９）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＴｉＯ₂膜、厚さ２０ｎｍのＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続
いて厚さ５９０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜
は、ガラス板を、メッシュベルトを用いて約５５０℃に
加熱された炉内を搬送しながら行った。炉内に設置した
コータから、ＴｉＯ₂成膜の際はチタンテトライソプロ
ポキシド、ＳｉＯ₂成膜の際は、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給し、ＳｎＯ
₂成膜の際は四塩化錫（蒸気）、水蒸気、窒素、および
トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ；蒸気）、メタノール（蒸
気）からなる混合ガスを供給した。また、ＳｎＯ₂成膜
の際のガス組成（モル比）としては、Ｈ₂Ｏ／ＳｎＣｌ₄
＝９、ＴＦＡ／ＳｎＣｌ₄＝０．５７、ＣＨ₃ＯＨ／Ｈ₂
Ｏ＝０．９４とした。この際、得られた供試体のシート
抵抗は１７．４Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領
域における膜の吸収率の平均値は３．１％であった。

【００６４】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００６５】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１０μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．４１μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００６６】（実施例１０）図２に示した装置と同様の
装置を用い、ＣＶＤ法により、ガラスリボン表面に薄膜
を積層した。成膜の際には、錫フロート槽空間に９８体
積％の窒素と２体積％の水素からなる混合ガスを供給
し、槽外よりもやや高圧となるように維持した。錫フロ
ート槽内に、溶融窯で溶融されたソーダライムガラス生
地を流し込み、成形して厚み４ｍｍのガラスリボンと
し、毎分約７ｍの速度で引き上げた。トップ面に所定の
薄膜を積層したガラスリボンは徐冷炉で徐冷された後、
洗浄、乾燥、切断した。

【００６７】このガラスリボンの表面に、第１のコータ
（図２中図番１６ｂ）から、モノシラン、エチレン、酸
素および窒素からなる混合ガスを供給した。この際エチ
レンを多量に導入することによりＳｉＯＣ膜を形成し
た。さらに、第３のコータ（図２中図番１６ｃ）から、
ジメチル錫ジクロライド、酸素、水蒸気、窒素、フッ化
水素からなる混合ガスを供給した。このようにして、ガ
ラスリボンのトップ面に膜厚が約２５ｎｍのＳｉＯＣ
膜、膜厚が約５００ｎｍのフッ素含有酸化錫膜がこの順
に積層された供試体を得た。この際、得られた供試体の
シート抵抗は２４．２Ω／□、４００〜１２００ｎｍの
波長領域における膜の吸収率の平均値は２．９％であっ
た。

【００６８】このようにして得た供試体を１００×１０
０ｍｍの大きさに切断し、洗浄、乾燥し基体とした。基
体を約３５０℃に加熱し、この基体の導電膜上にモノシ
ランおよび水素を供給し、プラズマＣＶＤ法により厚さ
２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を冷却後、炉内か
ら取り出し、透過型電子顕微鏡による観察およびＸ線回
折測定をおこなった。

【００６９】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．０８μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．３６μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。また、この珪素
膜では（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００７０】（実施例１１）図２に示した装置と同様の
装置を用い、ＣＶＤ法により、ガラスリボン表面に薄膜
を積層した。成膜の際には、錫フロート槽空間に９８体
積％の窒素と２体積％の水素からなる混合ガスを供給
し、槽外よりもやや高圧となるように維持した。錫フロ
ート槽内に、溶融窯で溶融されたソーダライムガラス生
地を流し込み、成形して厚み４ｍｍのガラスリボンと
し、毎分約７ｍの速度で引き上げた。トップ面に所定の
薄膜を積層したガラスリボンは徐冷炉で徐冷された後、
洗浄、乾燥、切断した。

【００７１】ガラスリボンの表面には、最上流側に位置
する第１のコータ（図２中図番１６ａ）直前のガラスリ
ボン表面温度を７５０℃とし、第１のコータから、ジメ
チル錫ジクロライド、酸素、ヘリウム、窒素からなる混
合ガスを供給してＳｎＯ₂膜を形成した。また、第２の
コータ（図２中図番１６ｂ）から、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給した。この
際エチレンを多量に導入することにより、ＳｉＯＣ膜を
形成した。さらに、第３のコータ（図２中図番１６ｃ）
から、ジメチル錫ジクロライド、酸素、水蒸気、窒素、
フッ化水素からなる混合ガスを供給した。このようにし
て、ガラスリボンのトップ面に膜厚が約３５ｎｍのＳｎ
Ｏ₂膜、膜厚が約１５ｎｍのＳｉＯＣ膜、膜厚が約５７
０ｎｍのフッ素含有酸化錫膜がこの順に積層された供試
体を得た。この際、得られた供試体のシート抵抗は２
０．１Ω／□、４００〜１２００ｎｍの波長領域におけ
る膜の吸収率の平均値は２．７％であった。

【００７２】このようにして得た供試体を１００×１０
０ｍｍの大きさに切断し、洗浄、乾燥し基体とした。基
体を約３５０℃に加熱し、この基体の導電膜上にモノシ
ランおよび水素を供給し、プラズマＣＶＤ法により厚さ
２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を冷却後、炉内か
ら取り出し、透過型電子顕微鏡による観察およびＸ線回
折測定をおこなった。

【００７３】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１２μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．６５μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲内であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。またこの珪素膜
は（２２０）面への配向が顕著に見られた。

【００７４】（比較例１）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続いて厚さ９００ｎｍのＳｎ
Ｏ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板を、メッシュ
ベルトを用いて約６３０℃に加熱された炉内を搬送しな
がら行った。炉内に設置したコータから、ＳｉＯ₂成膜
の際は、モノシラン、エチレン、酸素および窒素からな
る混合ガスを供給し、ＳｎＯ₂成膜の際はジメチル錫ジ
クロライド（蒸気）、窒素、およびトリフルオロ酢酸
（蒸気）からなる混合ガスを供給した。この際、得られ
た供試体のシート抵抗は１８．６Ω／□、４００〜１２
００ｎｍの波長領域における膜の吸収率の平均値は２．
８％であった。

【００７５】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００７６】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．３３μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．３７μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲外であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。しかし、この珪
素膜では（２２０）面配向が顕著に見られなかった。

【００７７】（比較例２）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続いて厚さ７００ｎｍのＳｎ
Ｏ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板を、メッシュ
ベルトを用いて約６３０℃に加熱された炉内を搬送しな
がら行った。炉内に設置したコータから、ＳｉＯ₂成膜
の際は、モノシラン、エチレン、酸素および窒素からな
る混合ガスを供給し、ＳｎＯ₂成膜の際は四塩化錫（蒸
気）、水蒸気、窒素、およびトリフルオロ酢酸（ＴＦ
Ａ；蒸気）からなる混合ガスを供給した。また、ＳｎＯ
₂成膜の際のガス組成（モル比）としては、Ｈ₂Ｏ／Ｓｎ
Ｃｌ₄＝７３、ＴＦＡ／ＳｎＣｌ₄＝０．１３とした。こ
の際、得られた供試体のシート抵抗は１８．６Ω／□、
４００〜１２００ｎｍの波長領域における膜の吸収率の
平均値は３．１％であった。

【００７８】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００７９】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．２８μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．１９μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲外であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。しかし、この珪
素膜では（２２０）面配向が顕著に見られなかった。

【００８０】（比較例３）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄しさらに乾燥させた。大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、このガラス板に厚さ２０ｎｍの
ＳｉＯ₂膜を成膜し、引き続いて厚さ６００ｎｍのＳｎ
Ｏ₂：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板を、メッシュ
ベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送しな
がら行った。炉内に設置したコータから、ＳｉＯ₂成膜
の際は、モノシラン、エチレン、酸素および窒素からな
る混合ガスを供給し、ＳｎＯ₂成膜の際は四塩化錫（蒸
気）、水蒸気、窒素、およびトリフルオロ酢酸（ＴＦ
Ａ；蒸気）からなる混合ガスを供給した。また、ＳｎＯ
₂成膜の際のガス組成（モル比）としては、Ｈ₂Ｏ／Ｓｎ
Ｃｌ₄＝５０、ＴＦＡ／ＳｎＣｌ₄＝２．３４とした。こ
の際、得られた供試体のシート抵抗は７．１Ω／□、４
００〜１２００ｎｍの波長領域における膜の吸収率の平
均値は５．５％であった。

【００８１】このようなシート抵抗値の低抵抗化に伴う
膜吸収の増大は、光電変換装置用基板としてトータルの
性能を考えた場合、光電変換層に到達する光量が低下す
るため、好ましくない。

【００８２】このようにして得た供試体を洗浄、乾燥し
基体とした。基体を約３５０℃に加熱し、この基体の導
電膜上にモノシランおよび水素を供給し、プラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ２．０μｍの珪素膜を形成した。基体を
冷却後、炉内から取り出し、透過型電子顕微鏡による観
察およびＸ線回折測定をおこなった。

【００８３】導電膜（フッ素含有酸化錫膜）の表面に
は、高さが平均０．１４μｍであり、ピッチ間隔が平均
０．１８μｍの凹凸が形成されていた。この凹凸は高さ
が０．０５〜０．１５μｍ、ピッチ間隔が０．０５〜
１．０μｍの範囲外であった。また、珪素膜は柱状の結
晶成長を示していることが確認できた。しかし、この珪
素膜では（２２０）面配向が顕著に見られなかった。

【００８４】以上の実施例、比較例の結果を表１にまと
めて示す。

【００８５】（表１） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 凹凸高さ（平均）凹凸間隔（平均）高さ／間隔（μｍ）（μｍ） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１０．０９０．１００．９０実施例２０．１００．２５０．４０実施例３０．１１０．１５０．７３実施例４０．０６０．０７０．８６実施例５０．１３０．５００．２６実施例６０．０８０．１２０．６７実施例７０．１４０．８５０．１６実施例８０．１４０．８５０．１６実施例９０．１００．４１０．２４実施例10 ０．０８０．３６０．２２実施例11 ０．１２０．６５０．１８比較例１０．３３０．３７０．８９比較例２０．２８０．１９１．４７比較例３０．１４０．１８０．７８ ――――――――――――――――――――――――――――――――――

【００８６】 ―――――――――――――――――――――――――――――――――― シート抵抗値吸収率膜厚シリコン結晶性（Ω／□）（％）（ｎｍ）（(220)面配向性） ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１１８．０２．８９２０ ○ 実施例２１２．２４．５６００ ○ 実施例３１４．３３．８８２０ ○ 実施例４２８．０２．４６５０ ○ 実施例５２１．０３．２４５０ ○ 実施例６１５．５３．９６５０ ○ 実施例７２４．３２．８８５０ ○ 実施例８２４．３２．８８５０ ○ 実施例９１７．４３．１５９０ ○ 実施例10 ２４．２２．９５００ ○ 実施例11 ２０．１２．７５７０ ○ 比較例１１８．６２．８９００ × 比較例２１８．６３．１７００ × 比較例３７．１５．５６００ × ――――――――――――――――――――――――――――――――――

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特に結晶質シリコン系光電変換装置に適した光電変換装
置用基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換装置用基板の一形態の断面
図である。

【図２】本発明の光電変換装置用基板を製造するため
に用いる装置の構成を示す図である。

【符号の説明】

１ａ第１の下地層１ｂ第２の下地層２透明導電膜３凹凸の高さ４凸部の間隔５ガラス板１０ガラスリボン１１溶融窯１２錫フロート槽１３徐冷炉１５錫浴１６コータ１７ロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者末吉幸雄大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内 (72)発明者平田昌宏大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内 (72)発明者大谷強大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内Ｆターム(参考） 5F051 FA02 FA17 FA18 FA19 FA24 GA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス板と、前記ガラス板上に形成され
た少なくとも１層の下地膜と、前記下地膜上に形成され
た少なくとも１層の導電膜とを含み、前記導電膜の表面
に凹凸が形成された光電変換装置用基板であって、前記
凹凸の高さが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、前記
凹凸を形成する凸部間の間隔が５０ｎｍ以上１０００ｎ
ｍ以下であり、前記導電膜の膜厚が４００ｎｍ以上１０
００ｎｍ以下であり、前記導電膜のシート抵抗値が１０
Ω／□以上３０Ω／□以下であることを特徴とする光電
変換装置用基板。