KR100805700B1 - 유기 전자 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 전자 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100805700B1 KR100805700B1 KR1020060138900A KR20060138900A KR100805700B1 KR 100805700 B1 KR100805700 B1 KR 100805700B1 KR 1020060138900 A KR1020060138900 A KR 1020060138900A KR 20060138900 A KR20060138900 A KR 20060138900A KR 100805700 B1 KR100805700 B1 KR 100805700B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- forming
- inorganic material
- organic
- organic material
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical group [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 naphthalene-1-yl Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VKTSKPOSHAOWFN-UHFFFAOYSA-N C1(=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(O)=N)C(O)=N.C1(=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O Chemical compound C1(=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(O)=N)C(O)=N.C1(=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O VKTSKPOSHAOWFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)NC(=O)C2=CC2=C1C(=O)NC2=O UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 구비된 제1층;상기 제1층과 콘택되고 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 구비된 제2층; 및상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 개재된 계면층;을 포함하고,상기 계면층은 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질이 혼합된 유기 전자 소자.
- 제1항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 유기 물질은 상기 제1층을 형성하는 유기 물질이고, 상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 상기 제2층을 형성하는 무기 물질인 유기 전자 소자.
- 제1항에 있어서,상기 계면층은 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 그 두께에 대한 농도구배를 갖도록 구비된 유기 전자 소자.
- 제3항에 있어서,상기 농도구배는, 상기 유기 물질은 상기 제1층에 근접할수록 그 함량이 증 가하고, 상기 무기 물질은 상기 제2층에 근접할수록 그 함량이 증가하는 유기 전자 소자.
- 제1항에 있어서,상기 계면층은 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 층을 갖도록 구비된 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 금속 또는 그 화합물인 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 또는 이들의 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 ITO(Indium tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, 및 In2O3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층과 전기적으로 절연된 게이트 전극을 더 포함하고,상기 제1층은 반도체성 유기 물질이며,상기 제2층은 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극인 유기 전자 소자.
- 제9항에 있어서,상기 반도체성 유기 물질은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌(phthalocyanine) 및 이들의 유도체, 나프탈렌테트라카르복실릭디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 나프탈렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 티오펜을 포함하는 공액계 고분자 및 그 유도체, 및 플루오렌을 포함하는 고분자 및 그 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층은 발광층을 포함하는 유기 전자 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층은 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 및 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자.
- 베이스 상에 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 제1층을 성막하는 단계; 및상기 제1층 상에 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 제2층을 성막하는 단계;를 포함하고,상기 제1층을 성막하는 단계와 상기 제2층을 성막하는 단계의 사이에는 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질이 혼합된 계면층을 성막하는 단계가 더 포함된 유기 전자 소자의 제조방법.
- 베이스 상에 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 제2층을 성막하는 단계; 및상기 제2층 상에 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 제1층을 성막하는 단계;를 포함하고,상기 제2층을 성막하는 단계와 상기 제1층을 성막하는 단계의 사이에는 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질이 혼합된 계면층을 성막하는 단계가 더 포함된 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 동시에 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 순차적으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 그 두께에 대한 농도구배를 갖도록 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 농도구배는, 상기 유기 물질은 상기 제1층에 근접할수록 그 함량이 증 가하고, 상기 무기 물질은 상기 제2층에 근접할수록 그 함량이 증가하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 증착하여 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 스핀 코팅으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 졸-겔 법으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060138900A KR100805700B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 유기 전자 소자 및 그 제조방법 |
US11/961,935 US8269211B2 (en) | 2006-12-29 | 2007-12-20 | Organic electronic device with an organic semiconductor layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060138900A KR100805700B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 유기 전자 소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100805700B1 true KR100805700B1 (ko) | 2008-02-21 |
Family
ID=39382765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060138900A KR100805700B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 유기 전자 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8269211B2 (ko) |
KR (1) | KR100805700B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102381391B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US20110024726A1 (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | Lee Sehee | Organic light emitting display device |
WO2011065465A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造 |
KR20120032904A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN104218151A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
US9508955B2 (en) * | 2015-04-23 | 2016-11-29 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
KR102366022B1 (ko) * | 2015-04-23 | 2022-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
CN105304653B (zh) | 2015-11-27 | 2018-07-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素结构、阵列基板、液晶显示面板及像素结构制造方法 |
CN115340681B (zh) * | 2022-09-05 | 2023-11-03 | 浙江工业大学 | 一种苝酰亚胺衍生物杂化薄膜及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050104811A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 억셉터막을 구비한 유기 박막 트랜지스터 |
KR20050104513A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20050112581A (ko) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JP2006049577A (ja) | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20050015902A (ko) * | 2003-08-14 | 2005-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
US7719496B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-05-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor |
US8106386B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-01-31 | Alcatel Lucent | Organic semiconductor compositions including plasticizers |
-
2006
- 2006-12-29 KR KR1020060138900A patent/KR100805700B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-12-20 US US11/961,935 patent/US8269211B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050104811A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 억셉터막을 구비한 유기 박막 트랜지스터 |
KR20050104513A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20050112581A (ko) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JP2006049577A (ja) | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8269211B2 (en) | 2012-09-18 |
US20080157068A1 (en) | 2008-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100805700B1 (ko) | 유기 전자 소자 및 그 제조방법 | |
KR100647660B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 평판표시장치 | |
Seo et al. | Solution‐processed organic light‐emitting transistors incorporating conjugated polyelectrolytes | |
KR100708720B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판 표시 장치 | |
KR100637204B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치 | |
JP4498961B2 (ja) | 有機電界効果トランジスタ及びそれを具備する平板ディスプレイ装置 | |
CN101884108B (zh) | 有机半导体装置 | |
KR100708721B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 | |
JP2005340817A (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板表示装置 | |
KR100592278B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
US20070090351A1 (en) | Organic thin film transistor and flat panel display device having the same | |
US20060255336A1 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same | |
JP2007027566A (ja) | 縦型トランジスタおよび発光素子 | |
KR100670407B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 | |
TW200926475A (en) | Organic semiconductor light emitting device | |
US20100084638A1 (en) | Thin Film Transistor | |
KR100633810B1 (ko) | 유기 전계-효과 트랜지스터, 이를 구비하는 평판디스플레이 장치 및 유기 전계-효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
WO2009082129A2 (en) | Organic thin film transistor and method for preparing thereof | |
KR100647603B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
Soldano et al. | P‐164: Organic Light Emitting Transistors (OLETs) using ALD‐grown Al2O3 dielectric | |
KR100669702B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
KR100741102B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 유기 박막 트랜지스터및 이를 구비한 평판 표시 장치 | |
KR100730187B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR100592270B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
이규정 | Enhancement of injection and transport in organic field-effect transistors and light-emitting transistors with multilayers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130205 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140129 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150130 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180201 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200203 Year of fee payment: 13 |