CN105633100B - 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 - Google Patents

薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105633100B
CN105633100B CN201610153933.3A CN201610153933A CN105633100B CN 105633100 B CN105633100 B CN 105633100B CN 201610153933 A CN201610153933 A CN 201610153933A CN 105633100 B CN105633100 B CN 105633100B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
block
metal layer
source electrode
electrode
Prior art date
Application number
CN201610153933.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105633100A (zh
Inventor
徐洪远
Original Assignee
深圳市华星光电技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深圳市华星光电技术有限公司 filed Critical 深圳市华星光电技术有限公司
Priority to CN201610153933.3A priority Critical patent/CN105633100B/zh
Publication of CN105633100A publication Critical patent/CN105633100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105633100B publication Critical patent/CN105633100B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/05Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier multistep processes for their manufacture
    • H01L51/0504Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier multistep processes for their manufacture the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
    • H01L51/0508Field-effect devices, e.g. TFTs
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/283Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part comprising components of the field-effect type
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/326Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements
    • H01L27/3262Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements of TFT
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/0014Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof for changing the shape of the device layer, e.g. patterning
    • H01L51/0017Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof for changing the shape of the device layer, e.g. patterning etching of an existing layer
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/05Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier multistep processes for their manufacture
    • H01L51/0504Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier multistep processes for their manufacture the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
    • H01L51/0508Field-effect devices, e.g. TFTs
    • H01L51/0512Field-effect devices, e.g. TFTs insulated gate field effect transistors
    • H01L51/0541Lateral single gate single channel transistors with non inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed before the gate electode
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2251/00Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
    • H01L2251/30Materials
    • H01L2251/301Inorganic materials
    • H01L2251/303Oxides, e.g. metal oxides
    • H01L2251/305Transparent conductive oxides [TCO]
    • H01L2251/308Transparent conductive oxides [TCO] composed of indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2251/00Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
    • H01L2251/50Organic light emitting devices
    • H01L2251/53Structure
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2251/00Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
    • H01L2251/50Organic light emitting devices
    • H01L2251/55Organic light emitting devices characterised by parameters

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括基板、数据线、薄膜晶体管、绝缘层、扫描线、保护层、电极层。所述数据线、所述薄膜晶体管的源极的第一区块、所述薄膜晶体管的漏极的第三区块、所述电极层是由设置于所述基板上的第一金属层形成的;所述源极的第二区块、所述漏极的第四区块是由设置于所述第一金属层上的第二金属层形成的。所述第一区块和所述第二区块叠加组合为一体,所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体。本发明能降低其中的有机薄膜晶体管的成本,同时能降低所述有机薄膜晶体管中的源极和漏极的阻值。

Description

薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 【技术领域】

[0001]本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。 【背景技术】

[0002]传统的有机薄|旲晶体管(OTFT,Organic Thin Film Transistor) —'般米用有机物 来作为半导体材料。此外,传统的有机薄膜晶体管的源漏极的电极材料一般选择功函数较 高的金(Au),或银(Ag),或氧化铟锡(ITO,Indium Tin Oxide),以匹配所述有机薄膜晶体管 中的有机半导体材料的HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital,最高被占用分子轨 道)能级,减小空穴传输势垒,降低接触电阻。

[0003]在实践中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

[0004]金和银都是贵重金属,材料成本非常髙,而且银在没有保护层覆盖的情况下容易 被离子氧化而降低传导能力。

[0005]氧化铟锡的成本较低,功函数高,但其自身阻值过大,只能作为源漏极材料,不能 作为导线传输。

[0006]综上,上述传统的有机薄膜晶体管的制作成本较高昂,因此使用上述传统的有机 薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板的制作成本也较高昂。

[0007]故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。 【发明内容】

[0008] 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法,其能降低其中的 有机薄膜晶体管的成本,同时能降低所述有机薄膜晶体管中的源极和漏极的阻值。

[0009] 为解决上述问题,本发明的技术方案如下:

[0010] 一种薄膜晶体管阵列面板,所述薄膜晶体管阵列面板包括:基板;数据线,所述数 据线是由第一金属层形成的,其中,所述第一金属层设置于所述基板上;薄膜晶体管,所述 薄膜晶体管包括:源极,所述源极包括第一区块和第二区块,所述第一区块和所述第二区块 叠加组合为一体,所述第一区块为所述第一金属层位于第一区域的部分,所述第二区块为 第二金属层位于所述第一区域的部分,其中,所述第一区域为所述源极的位置所对应的区 域,所述第二金属层设置于所述第一金属层上,所述源极与所述数据线连接;漏极,所述漏 极包括第三区块和第四区块,所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体,所述第三区 块为所述第一金属层位于第二区域的部分,所述第四区块为所述第二金属层位于所述第二 区域的部分,其中,所述第二区域为所述漏极的位置所对应的区域;半导体层,所述半导体 层覆盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处;栅极•,绝缘层, 所述绝缘层覆盖所述数据线以及所述半导体层;扫描线,所述扫描线设置于所述绝缘层上, 所述扫描线与所述栅极连接;保护层,所述保护层设置于所述扫描线以及所述绝缘层上;电 极层,所述电极层是由所述第一金属层形成的,所述电极层与所述漏极连接;其中,所述栅 极设置在所述绝缘层上;所述源极和所述漏极均由所述第一金属层和所述第二金属层构 成;所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通 过对所述第一金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程来形成的;所述源极的所述第二区 块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处 理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程来形成的;所述半导体层是通过在所述源极的至少 一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料,然后对所述半导体 材料实施第二光罩制程来形成的。

[0011]在上述薄膜晶体管阵列面板中,所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极 的所述第三区块和所述电极层均是通过对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第 一光罩制程,以使所述光阻层图形化,然后分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对 所述第二金属层和所述第一金属层进行蚀刻来形成的;所述源极的所述第二区块和所述漏 极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理,然后利 用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻,并去除所述第二金属层上的所述光阻 层来形成的。

[0012] 在上述薄膜晶体管阵列面板中,所述栅极和所述扫描线均是通过在所述绝缘层上 设置第三金属层,然后对所述第三金属层实施第三光罩制程来形成的。

[0013] 一种上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法,所述方法包括以下步骤:A、在所述基 板上设置所述第一金属层和所述第二金属层;B、在所述第一金属层中形成所述数据线、所 述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层,以及在所述第二金属层 中形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块,其中,所述第二区块与所述 第一区块叠加组合为一体,所述第四区块与所述第三区块叠加组合为一体,所述源极与所 述数据线连接,所述漏极与所述电极层连接;C、在所述源极上和所述漏极上以及所述源极 和所述漏极之间的间隙处设置所述半导体层;D、在所述数据线、所述半导体层上设置所述 绝缘层;E、在所述绝缘层上设置所述栅极、所述扫描线以及所述保护层,其中,所述扫描线 与所述栅极连接。

[0014]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤B包括:bl、对所述第一金属 层和所述第二金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程,以使所述第一金属层形成所述数 据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层;b2、对经过所述 第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程,以使所述第 二金属层形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块。

[0015] 在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,在所述步骤bl前,所述步骤B还包括: b3、对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第一光罩制程,以使所述光阻层图形化; 所述步骤bl为:分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一 金属层进行蚀刻,以使所述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏 极的所述第三区块和所述电极层;在所述步骤bl之后,以及在所述步骤b2之前,所述步骤B 还包括:b4、对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理;所述步骤b2为:利用所 述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻,以使所述第二金属层形成所述源极的所述 第二区块和所述漏极的所述第四区块;在所述步骤b2之后,所述步骤B还包括:b5、去除所述 第二金属层上的所述光阻层。

[0016] 在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤C包括:cl、在所述源极的至 少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料;c2、对所述牛寸体 材料实施第二光罩制程,以形成所述半导体层。

[0017]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤E包括:el、在所述绝缘层上 设置第三金属层;e2、对所述第三金属层实施第三光罩制程,以形成所述栅极和所述扫描 线;e3、在所述绝缘层、所述扫描线、所述栅极上设置所述保护层。

[0018]相对现有技术,本发明能降低其中的有机薄膜晶体管的成本,同时能降低所述有 机薄膜晶体管中的源极和漏极的阻值。

[0019]为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作 详细说明如下。 【附图说明】

[0020] 图1至图6为本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中形成数据线、源极、漏极 和电极层的步骤的示意图;

[0021] 图7为本发明的薄膜晶体管阵列面板在形成数据线、源极、漏极和电极层后的俯视 图;

[0022]图8至图13为本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中在形成数据线、源极、漏 极和电极层后继续形成其它器件的步骤的示意图;

[0023]图14为本发明的薄膜晶体管阵列面板在形成有机发光材料层和阳极层后的俯视 图;

[0024]图15为本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法的流程图;

[0025]图16为图15中形成数据线、源极、漏极和电极层的步骤的流程图;

[0026]图17为图15中形成半导体层的步骤的流程图;

[0027]图18为图15中形成扫描线、栅极和保护层的步骤的流程图。 【具体实施方式】

[0028]本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外,本说明书和所附权 利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”,除非另外指定或从上下文 可以清楚确定单数形式。

[0029] 本发明的薄膜晶体管阵列面板可以应用于显示面板中,所述显示面板可以是1?丁_ LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示面板)、0LED (Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管显示面板)等。

[0030]本发明的薄膜晶体管阵列面板可以是用于所述薄膜晶体管液晶显示面板中的阵 列面板,在这种情况下,所述薄膜晶体管阵列面板中的电极层可以是条状电极,所述薄膜晶 体管阵列面板用于与液晶层、彩色滤光片阵列面板组成所述薄膜晶体管液晶显示面板。 [0031]本发明的薄膜晶体管阵列面板也可以是用于所述有机发光二极管显示面板中的 阵列面板,在这种情况下,所述薄膜晶体管阵列面板中的电极层可以是阴极层,所述薄膜晶 体管阵列面板用于与有机发光材料层、阳极层组成所述有机发光二极管显示面板。

[0032]本发明的薄膜晶体管阵列面板包括基板101、数据线701、薄膜晶体管、绝缘层901、 扫描线1401、保护层1101、电极层704。

[0033]所述数据线701是由第一金属层102形成的,其中,所述第一金属层102设置于所述 基板101上,所述第一金属层102以沉积的方式形成于所述基板101上。所述第一金属层102 所对应的第一金属可例如为铝(A1)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。

[0034] 所述薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层801、栅极1001。所述源极包括第一区块 和第二区块702,所述第一区块和所述第二区块702叠加组合为一体,所述第一区块为所述 第一金属层102位于第一区域的部分,所述第二区块702为第二金属层103位于所述第一区 域的部分,其中,所述第一区域为所述源极的位置所对应的区域,所述第二金属层103设置 于所述第一金属层102上,所述第二金属层103以沉积的方式设置于所述第一金属层102上。 所述源极与所述数据线701连接。所述第二金属层103所对应的第二金属可例如为氧化铟锡 (IT0,Indium Tin Oxide)。所述漏极包括第三区块和第四区块703,所述第三区块和所述第 四区块703叠加组合为一体,所述第三区块为所述第一金属层102位于第二区域的部分,所 述第四区块703为所述第二金属层103位于所述第二区域的部分,其中,所述第二区域为所 述漏极的位置所对应的区域。所述栅极1001设置在所述绝缘层901上。所述半导体层801覆 盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处。

[0035] 所述绝缘层901覆盖所述数据线701以及所述半导体层801。所述扫描线1401设置 于所述绝缘层901上,所述扫描线1401与所述栅极1001连接。所述保护层1101设置于所述扫 描线1401以及所述绝缘层901上。所述电极层704是由所述第一金属层102形成的,所述电极 层704与所述漏极连接。

[0036] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板中,所述源极和所述漏极均是由所述第一金属层 102和所述第二金属层103构成的双层结构。

[0037]本发明的薄膜晶体管阵列面板可例如为柔性的薄膜晶体管阵列面板,在这种情况 下,所述基板101可例如为塑料基板,所述半导体层801可例如为有机半导体层,所述绝缘层 901可例如为有机绝缘层。

[0038]在本发明的薄膜晶体管阵列面板中,所述数据线701、所述源极的所述第一区块、 所述漏极的所述第三区块和所述电极层704均是通过对所述第一金属层102实施第一光罩 制程和第一蚀刻制程来形成的。

[0039] 所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703均是通过对经过所 述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层103实施第二蚀刻制程来形成 的。

[0040] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板中,所述数据线701、所述源极的所述第一区块、 所述漏极的所述第三区块和所述电极层704均是通过对覆盖于所述第二金属层103上的光 阻层201实施所述第一光罩制程,以使所述光阻层201图形化,然后分别利用第二金属蚀刻 液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层103和所述第一金属层102进行蚀刻来形成的。其 中,所述光阻层201是通过在所述第一金属层102上设置光阻材料来形成的。所述第一光罩 制程所对应的掩模为半色调掩模(Half Tone Mask)。

[0041] 所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703均是通过对经过所 述第一光罩制程的所述光阻层201进行灰化处理,然后利用所述第二金属蚀刻液对所述第 二金属层103进行蚀刻,并去除所述第二金属层1〇3上的所述光阻层201来形成的。

[0042]在本发明的薄膜晶体管阵列面板中,所述半导体层801是通过在所述源极的至少 一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置(涂布)半导体材料,然后对所述 半导体材料实施第二光罩制程来形成的。具体地,所述半导体材料是利用旋涂(S p i n -coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jet Printing)中的任意一种方式设置于所述源极 的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处的。

[0043] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板中,所述栅极1001和所述扫描线1401均是通过在 所述绝缘层901上设置第三金属层,然后对所述第三金属层实施第三光罩制程来形成的。所 述第三金属层所对应的第三金属可例如为铝(A1)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。

[0044] 所述保护层 1101 是利用旋涂(Spin-coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jet Printing)中的任意一种方式在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上形成的。

[0045] 所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分是通过对所述保护层1101和/或 所述绝缘层901实施第四光罩制程,并去除所述保护层1101和/或所述绝缘层901与所述薄 膜晶体管阵列面板的像素电极对应的部分,以使所述第一金属层102与所述像素电极对应 的部分裸露来形成的。所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分用于承载有机发光 材料层1201和第四金属层(阳极层)1301。

[0046] 本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法包括以下步骤:

[0047] A、在所述基板101上设置所述第一金属层102和所述第二金属层103。具体地,在所 述基板101上连续沉积两层金属(分别为所述第一金属层102和所述第二金属层103)。其中, 所述第一金属层102所对应的第一金属可例如为铝(A1)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。所 述第二金属层103所对应的第二金属可例如为氧化铟锡(IT0, Indium Tin Oxide)。

[0048] B、在所述第一金属层102中形成所述数据线701、所述源极的所述第一区块、所述 漏极的所述第三区块和所述电极层704,以及在所述第二金属层103中形成所述源极的所述 第二区块702和所述漏极的所述第四区块703,其中,所述第二区块702与所述第一区块叠加 组合为一体,所述第四区块703与所述第三区块叠加组合为一体,所述源极与所述数据线 701连接,所述漏极与所述电极层704连接。

[0049] C、在所述源极上和所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处设置所述 半导体层801。所述半导体层801可例如为有机半导体层。

[0050] D、在所述数据线701、所述半导体层801上设置所述绝缘层901。所述绝缘层901可 例如为有机绝缘层。

[0051] E、在所述绝缘层901上设置所述栅极1001、所述扫描线1401以及所述保护层1101, 其中,所述扫描线1401与所述栅极1001连接。

[0052] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,在所述步骤A之后,以及在所述步 骤B之前,所述方法还包括

[0053] F、在所述第一金属层102上覆盖光阻材料,以形成光阻层201。

[0054] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤B包括:

[0055] bl、对所述第一金属层102和所述第二金属层103实施第一光罩制程和第一蚀刻制 程,以使所述第一金属层102形成所述数据线701、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所 述第三区块和所述电极层704。

[0056] b2、对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层103实 施第二蚀刻制程,以使所述第二金属层103形成所述源极的所述第二区块702和所述漏极的 所述第四区块703。

[0057] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,在所述步骤bl前,所述步骤B还包 括:

[0058] b3、对覆盖于所述第二金属层103上的光阻层201实施所述第一光罩制程,以使所 述光阻层201图形化。具体地,使用半色调掩模对设置于所述第二金属层103上的光阻层201 进行图形化。

[0059] 所述步骤bl为:

[0060] 分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层103和所述第一金 属层102进行蚀刻,以使所述第一金属层102形成所述数据线701、所述源极的所述第一区 块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层704。

[0061] 在所述步骤bl之后,以及在所述步骤b2之前,所述步骤B还包括:

[0062] b4、对经过所述第一光罩制程的所述光阻层201进行灰化处理。

[0063] 所述步骤b2为:

[0064]利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层103进行蚀刻,以使所述第二金属层 103形成所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703。

[0065] 在所述步骤b2之后,所述步骤B还包括:

[0066] b5、去除所述第二金属层103上的所述光阻层2〇1。

[0067]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤C包括:

[0068] cl、在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置 (涂布)半导体材料。具体地,利用旋涂(Spin-coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jet Printing)中的任意一种方式将所述半导体材料设置于所述源极的至少一部分上、所述漏 极的至少一部分上以及所述间隙处。

[0069] C2、对所述半导体材料实施第二光罩制程,以形成所述半导体层801。

[0070]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,所述步骤E包括:

[0071] el、在所述绝缘层901上设置第三金属层。所述第三金属层所对应的第三金属可例 如为铝(A1)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。

[0072] e2、对所述第三金属层实施第三光罩制程,以形成所述栅极1〇〇1和所述扫描线 1401。

[0073] e3、在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上设置所述保护层11〇1。具 体地,利用旋涂(Spin-coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jet Printing)中的任意一种 方式在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上设置所述保护层11〇1。

[0074] 在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中,在所述步骤E之后,所述方法还包 括以下步骤:

[0075] 对所述保护层1101和/或所述绝缘层901实施第四光罩制程,并去除所述保护层 1101和/或所述绝缘层901与所述薄膜晶体管阵列面板的像素电极对应的部分,以使所述第 一金属层102与所述像素电极对应的部分裸露。

[0076] 在所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分蒸镀有机发光材料层1201,并 在所述有机发光材料层1201上形成第四金属层(阳极层)1301。

[0077] 通过上述技术方案,由于所述源极和所述漏极采用双层金属的结构,因此有利于 降低所述源极和所述漏极的阻值,g卩,解决仅使用ITO来作为所述源极和所述漏极的材料而 导致所述源极和所述漏极的阻值过高的问题。

[0078]尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明,但是本领域技术人员 基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修 改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能,用 于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价 的)的任意组件(除非另外指示),即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现 方式中的功能的公开结构不等同。此外,尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方 式中的仅一个被公开,但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的 其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且,就术语“包括”、“具有”、“含有,,或其变形 被用在具体实施方式或权利要求中而言,这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包 括。 _9]、综上臓,虽然本发明已以讎实施例揭露如上,但上述优选实施例并非腦限 制本发明,本领域的普職术人员,在不脱_本发明的精神和范围内,均可作 饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1. 一种薄膜晶体管阵列面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列面板包括: 基板; 数据线,所述数据线是由第一金属层形成的,其中,所述第一金属层设置于所述基板 上; 薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括: 源极,所述源极包括第一区块和第二区块,所述第一区块和所述第二区块叠加组合为 一体,所述第一区块为所述第一金属层位于第一区域的部分,所述第二区块为第二金属层 位于所述第一区域的部分,其中,所述第一区域为所述源极的位置所对应的区域,所述第二 金属层设置于所述第一金属层上,所述源极与所述数据线连接; 漏极,所述漏极包括第三区块和第四区块,所述第三区块和所述第四区块叠加组合为 一体,所述第三区块为所述第一金属层位于第二区域的部分,所述第四区块为所述第二金 属层位于所述第二区域的部分,其中,所述第二区域为所述漏极的位置所对应的区域; 半导体层,所述半导体层覆盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之 间的间隙处; 栅极; 绝缘层,所述绝缘层覆盖所述数据线以及所述半导体层; 扫描线,所述扫描线设置于所述绝缘层上,所述扫描线与所述栅极连接; 保护层,所述保护层设置于所述扫描线以及所述绝缘层上; 电极层,所述电极层是由所述第一金属层形成的,所述电极层与所述漏极连接; 其中,所述栅极设置在所述绝缘层上; 所述源极和所述漏极均由所述第一金属层和所述第二金属层构成; 所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是 通过对所述第一金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程来形成的; 所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩 制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程来形成的; 所述半导体层是通过在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述 间隙处设置半导体材料,然后对所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板,其特征在于,所述数据线、所述源极的 所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对覆盖于所述第二金属层 上的光阻层实施所述第一光罩制程,以使所述光阻层图形化,然后分别利用第二金属蚀刻 液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一金属层进行蚀刻来形成的; 所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩 制程的所述光阻层进行灰化处理,然后利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀 亥!J,并去除所述第二金属层上的所述光阻层来形成的。
3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板,其特征在于,所述栅极和所述扫描线均 是通过在所述绝缘层上设置第三金属层,然后对所述第三金属层实施第三光罩制程来形成 的。
4. 一种如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法,其特征在于,所述方法包 括以下步骤: A、 在所述基板上设置所述第一金属层和所述第二金属层; B、 在所述第一金属层中形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述 第三区块和所述电极层,以及在所述第二金属层中形成所述源极的所述第二区块和所述漏 极的所述第四区块,其中,所述第二区块与所述第一区块叠加组合为一体,所述第四区块与 所述第三区块叠加组合为一体,所述源极与所述数据线连接,所述漏极与所述电极层连接; C、 在所述源极上和所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处设置所述半导 体层; D、 在所述数据线、所述半导体层上设置所述绝缘层; E、 在所述绝缘层上设置所述栅极、所述扫描线以及所述保护层,其中,所述扫描线与所 述栅极连接。
5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法,其特征在于,所述步骤B包 括: bl、对所述第一金属层和所述第二金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程,以使所 述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所 述电极层; b2、对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀 刻制程,以使所述第二金属层形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块。
6. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法,其特征在于,在所述步骤bl 前,所述步骤B还包括: b3、对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第一光罩制程,以使所述光阻层图 形化; 所述步骤bl为: 分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一金属层进 行蚀刻,以使所述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述 第三区块和所述电极层; 在所述步骤bl之后,以及在所述步骤b2之前,所述步骤B还包括: b4、对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理; 所述步骤b2为: 利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻,以使所述第二金属层形成所述 源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块; 在所述步骤b2之后,所述步骤B还包括: b5、去除所述第二金属层上的所述光阻层。
7. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法,其特征在于,所述步骤C包 括: cl、在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导 体材料; c2、对所述半导体材料实施第二光罩制程,以形成所述半导体层。
8. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法,其特征在于,所述步骤E包 括: e 1、在所述绝缘层上设置第三金属层; e2、对所述第三金属层实施第三光罩制程,以形成所述栅极和所述扫描线; e3、在所述绝缘层、所述扫描线、所述栅极上设置所述保护层。
CN201610153933.3A 2016-03-17 2016-03-17 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 CN105633100B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610153933.3A CN105633100B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610153933.3A CN105633100B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
PCT/CN2016/078765 WO2017156810A1 (zh) 2016-03-17 2016-04-08 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
US15/113,581 US10121980B2 (en) 2016-03-17 2016-04-08 Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105633100A CN105633100A (zh) 2016-06-01
CN105633100B true CN105633100B (zh) 2018-11-02

Family

ID=56047852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610153933.3A CN105633100B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10121980B2 (zh)
CN (1) CN105633100B (zh)
WO (1) WO2017156810A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013240A (zh) * 2007-01-31 2007-08-08 友达光电股份有限公司 阵列基板的制作方法
CN101093325A (zh) * 2006-06-19 2007-12-26 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN105280647A (zh) * 2015-09-11 2016-01-27 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
CN105355634A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7371625B2 (en) * 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
KR101043675B1 (ko) * 2004-06-05 2011-06-22 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100766318B1 (ko) * 2005-11-29 2007-10-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터와 이를 구비한액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
CN100386674C (zh) * 2006-03-02 2008-05-07 友达光电股份有限公司 液晶显示装置用下基板的制造方法
KR20070112954A (ko) * 2006-05-24 2007-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Tft 어레이 기판 및 그 제조방법
CN101477989B (zh) * 2008-01-04 2010-11-10 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
WO2010068619A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-17 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Organic semiconductors capable of ambipolar transport
JP5646162B2 (ja) * 2009-01-23 2014-12-24 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置
US8912080B2 (en) * 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
KR102008902B1 (ko) * 2012-03-05 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법
CN203423181U (zh) * 2013-08-23 2014-02-05 华映视讯(吴江)有限公司 氧化物半导体薄膜晶体管基板
CN105355589B (zh) * 2015-10-13 2018-07-17 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093325A (zh) * 2006-06-19 2007-12-26 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN101013240A (zh) * 2007-01-31 2007-08-08 友达光电股份有限公司 阵列基板的制作方法
CN105280647A (zh) * 2015-09-11 2016-01-27 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
CN105355634A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017156810A1 (zh) 2017-09-21
US10121980B2 (en) 2018-11-06
US20170373261A1 (en) 2017-12-28
CN105633100A (zh) 2016-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9236405B2 (en) Array substrate, manufacturing method and the display device thereof
CN103219391B (zh) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
US8716062B1 (en) Array substrate and method of fabricating the same
CN103745978B (zh) 显示装置、阵列基板及其制作方法
CN101552242B (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN102623460B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102769040B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
US9818775B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof
CN101814455B (zh) 制造阵列基板的方法
CN102842582B (zh) 平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法
US10013124B2 (en) Array substrate, touch screen, touch display device, and fabrication method thereof
CN103988288B (zh) 半导体装置
US9748280B2 (en) Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device
CN107039491A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR20130094161A (ko) 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP5951773B2 (ja) 有機薄膜トランジスタのアレイ基板及び、その製造方法、並びに表示装置
CN101908537B (zh) 用于显示设备的阵列基板及其制造方法
US8912538B2 (en) Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same
US9768306B2 (en) Array substrate and display device
CN104102059B (zh) Tft阵列基板及其制造方法
KR101019048B1 (ko) 어레이 기판 및 이의 제조방법
TWI535034B (zh) 畫素結構及其製作方法
CN104752343B (zh) 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
CN104347677B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
KR20140018950A (ko) 박막 트랜지스터, 표시패널 및 박막 트랜지스터의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C06 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant