CN103034002B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题是防止影像信号线的图案化时影像信号线的断线。影像信号线(107)、漏电极(107)及源电极(107)同层同时地形成。影像信号线(107)等由基层(1071)、AlSi层(1072)及覆盖层(1073)这三层形成。以往在AlSi层(1072)中与覆盖层(1073)的边界形成有蚀刻速率较快的合金，导致在影像信号线(107)等的图案化时发生断线。在本发明中，在影像信号线(107)等的形成时，在通过溅镀而形成了AlSi层(1072)后将TFT暴露在大气中，在AlSi层表面形成了Al氧化层后通过溅镀来形成覆盖层(1073)、由此防止在AlSi层上形成蚀刻速率部分地变快的合金，防止影像信号线等的断线。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其涉及提供能够防止影像信号线断线的结构的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置上设置有：像素电极及薄膜晶体管(TFT)等呈矩阵状地形成的TFT基板；以及与TFT基板相对、且在与TFT基板的像素电极相对应的位置形成有滤色器等的对置基板，在TFT基板和对置基板之间夹持有液晶。而且通过按像素控制基于液晶分子的透光率而形成图像。
由于液晶显示装置是平板型且轻量，因此在从TV等大型显示装置到手机或DSC(Digital Still Camera，数字照相机)等各种领域广泛地应用。此外，液晶显示装置存在根据观察画面的角度的不同，图像也不同这一视场角的问题，但关于该视场角，IPS(In PlaneSwitching，平面转换)方式的液晶显示装置具有优异的特性。
在液晶显示装置中，影像信号线在第一方向延伸、在第二方向排列，扫描线在第二方向延伸、在第一方向排列。为了抑制线宽并减小电阻，影像信号线使用Al合金。Al合金在光刻工序中的蚀刻或显影工序中易产生缺陷。
IPS方式的液晶显示装置也有很多，其中有以下方式：在同一层(例如栅极绝缘膜)上形成影像信号线或漏电极和由ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)形成的像素电极，在其之上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜之上形成梳齿状的对置电极。在该情况下，存在影像信号线或漏电极由于ITO的显影液而溶解，产生缺陷或断线的问题。
在“专利文献1”中记载有为了防止上述问题而先形成基于ITO的像素电极，之后再形成TFT的漏电极或影像信号线的结构。此外，在“专利文献2”中记载有为了相同的目的，通过使构成像素电极的ITO成为两层结构而使漏电极或影像信号线不被ITO的显影液侵蚀的结构。
专利文献1：日本特愿2010-217062号
专利文献1：日本特开2011-145530号公报
发明内容
在液晶显示装置中，对应各像素地形成有TFT。图13是表示影像信号线107沿纵向延伸、沿横向排列，扫描线105沿横向延伸、沿纵向排列，在由影像信号线107和扫描线105所包围的区域形成有像素的结构的俯视图。在图13中，省略了像素电极。向各像素的影像信号从影像信号线107经由第一通孔115，通过三个TFT，再经由第二通孔116提供给未图示的像素电极。
在图13中，扫描线105兼作TFT的栅电极105。半导体层103从与影像信号线107连接的第一通孔115弯曲，三次通过扫描线105(栅电极)的下方，由此形成三个顶栅式(top gate)的TFT。
影像信号线107相对于TFT成为漏电极107，与影像信号线107在同层形成的金属层成为源电极107。影像信号线、漏电极及源电极是由同一材料同时形成的，因此标注同一符号107。关于影像信号线107，为了减小其电阻而由Al或Al合金形成。这里使用AlSi，Si的含量为1％左右。Al易在半导体层103扩散，且易产生小丘(hillock)。
为了防止Al在半导体层103扩散，在AlSi层的下层形成基于MoW等的基层1071，在AlSi层1072的上层形成基于MoW等的覆盖层1073。在具有如上结构的影像信号线107中，在光刻中的蚀刻程序中，有可能产生如图13所示的影像信号线的断线。
图14是图13的影像信号线107的断线部分的剖视图。在图14中，在TFT基板100之上形成有第一基底膜101、第二基底膜102、栅极绝缘膜104、及层间绝缘膜106，在层间绝缘膜106之上形成有影像信号线107，但在影像信号线107上发生断线70。在影像信号线107之上形成有无机钝化膜108，在无机钝化膜108之上形成有有机钝化膜109，在有机钝化膜109之上形成有上部绝缘膜111，在上部绝缘膜111之上形成有取向膜113。在图14中，无机钝化膜108以不规则的形状堆积在影像信号线107断线的部分。
如果不能修复如上所述的影像信号线107的断线，则该液晶显示装置为不良品。本发明的课题是防止图13或图14所示的三层结构的影像信号线107中的断线。
本发明是克服上述问题的液晶显示装置，具体的技术方案如下。即，扫描线沿第一方向延伸、沿第二方向排列，影像信号线沿第二方向延伸、沿第一方向排列，在被所述扫描线和所述影像信号线所包围的区域形成有像素的液晶显示装置，其特征在于，所述像素包括TFT，所述TFT包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极、漏电极、以及源电极，所述影像信号线包括基层、AlSi层及覆盖层，在所述AlSi层中，其和所述覆盖层的边界部分的氧含量为所述AlSi层中央部的氧含量的50倍以上。
此外，本发明的制造方法的主要技术方案为：在TFT基板上，扫描线沿第一方向延伸、沿第二方向排列，影像信号线沿第二方向延伸、沿第一方向排列，在被所述扫描线和所述影像信号线所包围的区域形成像素，所述影像信号线为包括基层、AlSi层及覆盖层，在这种结构的液晶显示装置的制造方法中，其特征在于，在通过溅镀而形成了所述基层及所述AlSi层后，将所述TFT基板从真空室中取出并暴露在大气中，之后在真空室中溅镀覆盖层。
根据本发明，在影像信号线、漏电极、源电极等中，能够防止图案化过程中的断线的产生，因此能够提高液晶显示装置的制造成品率。
附图说明
图1是适用本发明的液晶显示装置的剖视图。
图2是表示以往例中的断线产生的机制的剖视示意图。
图3是表示以往例中的形成覆盖层后的放置时间和影像信号线的断线产生的关系的曲线图。
图4是以往例和本发明的影像信号线的制造过程流程。
图5是本发明的影像信号线的制造过程的剖视图。
图6是在以往例和本发明中比较覆盖层形成后的放置时间和影像信号线的断线数量的曲线图。
图7是覆盖层的粘接强度试验的示意图。
图8是覆盖层的粘接强度试验的结果。
图9是本发明和以往例中的抗蚀剂显影宽度的分布。
图10是本发明和以往例中的影像信号线的图案宽度的分布。
图11是以往例中的影像信号线的基于SIMS的元素分析的结果。
图12是本发明中的影像信号线的基于SIMS的元素分析的结果。
图13是适用本发明的像素部和TFT的俯视图，是表示影像信号线的断线的俯视图。
图14是表示影像信号线的断线状态的剖视图。
附图标记说明
10…带、20…由切削工具形成的裂纹、30…母基板、50…像素、70…影像信号线断线、50…像素、100…TFT基板、101…第一基底膜、102…第二基底膜、103…半导体层、104…栅极绝缘膜、105…栅电极、106…层间绝缘膜、107…影像信号线、漏电极、源电极、108…无机钝化膜、109…有机钝化膜、110…对置电极、111…上部绝缘膜、112…像素电极、113…取向膜、115…第一通孔、116…第二通孔、120…抗蚀剂、1071…阻挡层、1072…AlSi层、1073…覆盖层、1074…Al氧化层、1075…合金层
具体实施方式
以下，根据实施例来详细说明本发明的内容。
实施例1
图1是适用本发明的液晶显示装置中的TFT和像素部的剖视图。图1的TFT是栅电极105存在于沟道部之上的顶栅式TFT。在图1中，通过CVD而在玻璃基板100之上形成由SiN形成的第一基底膜101和由SiO2形成的第二基底膜102。第一基底膜101及第二基底膜102的作用是防止来自玻璃基板100的杂质污染半导体层103。
在第二基底膜102之上形成半导体层103。该半导体层103是通过CVD在第二基底膜102之上形成a-Si膜，再通过激光退火将a-Si膜变换为poly-Si膜而形成的。通过光刻法将该poly-Si膜图案化。
在半导体膜103之上形成栅极绝缘膜104。该栅极绝缘膜104是基于TEOS(四乙氧基硅烷)的SiO2膜。该膜也通过CVD形成。在栅极绝缘膜104之上形成栅电极105。栅电极105与扫描线105同层、同时地形成。栅电极105由MoW膜形成。在需要减小扫描线105的电阻时使用Al合金。
栅电极105通过光刻法而形成图案，在该图案形成时，通过离子注入在poly-Si层掺杂磷或硼等杂质来在poly-Si层上形成源极S或漏极D。此外，利用栅电极105的图案形成时的抗蚀剂，在poly-Si层的沟道层和源极S或漏极D之间形成LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)层。
之后，覆盖栅电极105或扫描线105由SiO2形成层间绝缘膜106。层间绝缘膜106用于将扫描线105和影像信号线107等绝缘。在层间绝缘膜106之上形成源电极107和漏电极107。源电极107、漏电极107、及影像信号线107同层同时地形成。影像信号线107等为减小电阻而使用AlSi合金。AlSi中Si的含量为1％左右。AlSi合金会产生形成小丘、Al扩散到其他层的情况，因此借助基于MoW的阻挡层1071及SD覆盖层1073来夹住AlSi合金。这里，阻挡层1071的厚度例如为40nm，AlSi层1072的厚度例如为250nm，覆盖层1073的厚度例如为75nm。
为了连接TFT的漏极和漏电极107，在栅极绝缘膜104上形成有第一通孔115。漏电极107与影像信号线107一体地连接。此外，为了连接TFT的源极S和源电极107，在栅极绝缘膜104上形成有第一通孔115。
为了覆盖源电极107、漏电极107、及影像信号线107等来保护TFT整体，覆盖无机钝化膜108。无机钝化膜108与第一基底膜101相同，通过CVD形成。覆盖无机钝化膜108而形成有机钝化膜109。有机钝化膜109由感光性的丙烯酸树脂等形成。有机钝化膜109具有作为平坦化膜的作用，因此形成得较厚。有机钝化膜109的膜厚为1～4μm，多数情况下为2～3μm。
在有机钝化膜109之上由作为透明电极的ITO(Indium TinOxide)形成对置电极110。对置电极110以整平面形成。在对置电极110之上形成有基于SiN的上部绝缘膜111，在上部绝缘膜111之上形成有梳齿状的像素电极112。为了将影像信号通过TFT提供给像素电极112，在上部绝缘膜111、有机钝化膜109、无机钝化膜108上形成有第二通孔116，源电极107和像素电极112连接。若对像素电极112施加影像信号，则借助在梳齿状的像素电极112和由整平面形成的对置电极110之间产生的电力线而使液晶分子旋转，液晶层的透过率变化从而形成图像。
将这种在有机钝化膜109之上由整平面形成对置电极110，夹着上部绝缘膜111形成梳齿状的像素电极112的结构称为IPS-PRO。此外，将与图1相反地在有机钝化膜109之上由整平面形成像素电极112，夹着上部绝缘膜111形成梳齿状的对置电极110的结构也称为IPS-PRO。
如图13所示，图1中的漏电极107与影像信号线107一体地形成。因此，影像信号线107也由基层1071、AlSi层1072、覆盖层1073形成。由于影像信号线107又细又长，因此产生如图13及图14所示的断线的机会很多。通过溅镀按顺序形成基层1071、AlSi层1072、及覆盖层1073，之后通过光刻法将各层同时形成图案。
调查影像信号线107的断线原因可知，从基于溅镀的覆盖层1073的成膜到基于光刻法的形成图案的时间越长，断线数量越多。认为这是由于在AlSi层1072和覆盖层1073之间形成有合金，该合金被蚀刻液蚀刻的速度较快导致的。
图2是表示该机制的剖视示意图。图2A表示在层间绝缘膜106之上成膜有由基层1071、AlSi层1072及覆盖层1073构成的影像信号线107的状态。图2B表示在AlSi层1072和覆盖层1073之间生成合金层1075的情况。该合金层1075的局部较厚。图2C表示为形成图案而形成抗蚀剂120，并暴露在蚀刻液的状态。在图2C中表示以蚀刻速度较快的合金层1075形成得较厚的部分为目标，即沿白色箭头的方向进行蚀刻的情况。图2D表示结果在合金层1075形成得较厚的部分，由于蚀刻液而在影像信号线107上产生断线70的状态。
图2B等所示的合金层1075在基于溅镀的影像信号线107的成膜后随着时间经过而增大。因此，从溅镀成膜到光刻工序的放置时间越长，断线的几率越大。图3是在形成有图2所示的合金层1075的以往例中，将溅镀覆盖层1073之后到光刻之前的放置时间和影像信号线107的断线产生数(图3中的D断)进行作图而成的。
在图3中，纵轴的影像信号线107的断线(D断)的数量为每块母基板上的影像信号线107的断线产生数。即，在液晶显示装置的制造中，在大张的母基板上形成多个液晶显示面板，再将其通过切割等一个个地分离。图3中的母基板为730mm×920mm，其中形成200个液晶显示面板。即，若例如产生500个影像信号线107的断线不良情况，则形成在母基板上的液晶显示面板几乎都成为不良品。
在图3中，在50小时之前几乎不产生影像信号线107的断线。因此，在以往的方法中，通过将覆盖层1073的溅镀之后到光刻之前的时间控制在48小时以内来防止影像信号线107的断线。这意味着对工艺有很大的制约。
本发明提供一种即使覆盖层1073的溅镀后的放置时间增大，也不会产生这种影像信号线107的断线的结构。在图4中表示能够实现本发明的结构的液晶显示面板的制造工艺。图4对比记载本发明的工艺和以往例的工艺。
首先，从图4中的以往例开始说明。在TFT基板100中，在形成层间绝缘膜106之后、形成阻挡层1071之前进行洗净。此为阻挡MoW溅镀前洗净。之后，溅镀成为阻挡层1071的MoW。之后，对该阻挡层1071进行快速热退火(Rapid Thermal Anneal，RTA)。RTA是借助照明器使阻挡层1071瞬间退火的工序。通过RTA，能够使阻挡层1071对Al的阻隔(block)效应提高。
之后在其他的溅镀室中，通过溅镀来形成AlSi层1072，接着通过溅镀来形成作为覆盖层1073的MoW。之后进行Al光刻，通过湿法刻蚀对覆盖层1073、AlSi层1072及基层1071同时进行蚀刻，之后剥离抗蚀剂120。
在以往例中，连续地形成AlSi层1072和覆盖层1073，因此在这两层之间生成合金层1075。由于该合金层1075的蚀刻速率比其他的金属快，因此成为断线的原因。在本发明中，通过在AlSi层1072和覆盖层1073之间形成Al的氧化物层1074来防止合金层1075的生成。此外，认为大部分的Al的氧化物层1074为AL2O3。因为AlSi层1072中Si的含量为1％左右。
图4右侧的工艺是基于本发明的工艺流程。本发明与以往例的不同之处为，在通过溅镀而形成了AlSi层1072之后，将基板从真空室中取出，将AlSi层1072暴露在大气中，在AlSi层1072的表面形成Al氧化层1074。由此，能够防止在AlSi层1072和覆盖层1073之间形成蚀刻速率较快的合金层1075。此外，由于Al氧化层1074的蚀刻速率较慢，因此由于蚀刻而产生断线的可能性非常小。
在溅镀AlSi层1072之后，暴露在大气中的时间只要极短的时间即可。因为氧化层1074以极短的时间形成。若有目的地决定暴露在大气中的时间，则只要是30秒以上就足够了。此外，因为Al的氧化层1074到一定程度不会进一步发展，因此，除了使AlSi层1072自身由于大气中的水分等而发生劣化的长时间以外，不需要特别的上限。
图5是基于本发明的影像信号线107、漏电极107、源电极107等(以后为影像信号线)的制造流程。在图5中，省略了载有影像信号线107的层间绝缘膜。图5A表示与以往相同地形成了基于MoW的基层1071和AlSi层1072的状态。图5B是表示通过在形成AlSi层1072之后将基板从真空室中取出并暴露在大气中而在AlSi层1072的表面形成了Al氧化层1074的状态的剖视图。图5C表示在Al氧化层1074之上形成了基于MoW的覆盖层1073的状态。
图5D表示在覆盖层1073之上形成了用于形成图案的抗蚀剂120的状态。图5E表示以该状态进行蚀刻，除去了形成有抗蚀剂120的部分以外的覆盖层1073、AlSi层1072及阻挡层1071的状态。图5F表示除去了抗蚀剂120的状态。如图5所示，根据本发明，在AlSi层1072和覆盖层1073之间不会形成蚀刻速率较快的合金，而是形成Al氧化层1074，因此能够防止如以往地在蚀刻影像信号线107时产生断线70。
图6是使将本发明适用于实际产品的情况下的影像信号线107的断线的数量和以往例进行比较的图。如菱形的图标所示，以往例中的影像信号线107的断线的数量在超过50小时后指数函数地增大。另一方面，在用方块的图标表示的本发明中，影像信号线107的断线直至试验的196小时都为零。此外，与图3相同，影像信号线107的断线70的数量为每块尺寸为730mm×920mm的母基板上的数量。这样，对本发明的影像信号线107的断线的效果非常大。
另一方面，需要评价由于在AlSi层1072和覆盖层1073之间形成了Al氧化层1074而引起的AlSi层1072和覆盖层1073的粘接力或蚀刻宽度的偏差。图7是评价AlSi层1072和覆盖层1073的粘接力的示意图。
图7A是以往例。在图7A中，在层间绝缘膜106之上形成有基层1071、AlSi层1072及覆盖层1073。用切削工具在覆盖层1073、AlSi层1072及基层1071上切出裂纹20，在覆盖层1073上粘贴胶带10而进行剥离试验。图7B是本发明的结构。在图7B中，用切削工具在覆盖层1073、Al氧化层1074、AlSi层1072及基层1071上切出裂纹20，在覆盖层1073的表面粘贴胶带10而进行剥离试验。若覆盖层1073从AlSi层1072或Al氧化层1074上剥离，则可以说粘接力不够。
图8A表示在母基板30中进行剥离试验的位置。进行试验的位置为母基板30的中央和四个角。图8B是剥离试验的结果。图8B的左栏中的连续成膜是指连续地形成AlSi层1072和覆盖层1073，因此是以往例。Ref是参考的意思。非连续是指本发明，即在溅镀了AlSi层1072之后，打破真空而在AlSi层1072的表面形成Al氧化层1074，之后再形成覆盖层1073。记载于非连续下方的时间是在溅镀了AlSi层1072之后到溅镀覆盖层1073之前的在大气中的放置时间。此外，零小时是指将AlSi层1072暴露在大气中后立刻再次放回到真空室中的情况。
图8B的行方向的数字与图8A中的位置相对应。如图8A及图8B所示，在所有的位置都没有发生覆盖层1073的剥离。即关于覆盖层1073的剥离，在以往例和本发明中没有显著差别。
图9及图10是评价本发明的结构中影像信号线107的宽度的偏差的例子。在通过溅镀而形成了覆盖层1073后，通过光照工序形成抗蚀剂120。在以往例和本发明中评价抗蚀剂宽度(抗蚀剂的显影尺寸)。在图9中，横轴是影像信号线107的抗蚀剂120的显影尺寸，纵轴是度数分布。Ref是以往例，是通过溅镀而连续地形成了AlSi层1072和覆盖层1073的例子。在图9中，12h放置、24h放置、96h放置是本发明中形成AlSi层1072之后到形成覆盖层1073之间，将基板暴露在大气中的时间。
从图9可知抗蚀剂120的显影尺寸在以往例、本发明的放置时间12h、24h、96h中没有显著差别。在图9中，3σ在Ref中为0.427，稍微偏大，在本发明中12h放置为0.391，24h放置为0.390，96h放置为0.396，本发明中的3σ稍微偏小，但此种程度的差异在生产批次的偏差范围内。
图10表示蚀刻后的影像信号线107的宽度的分布。在图10中，横轴是Al完成尺寸、即影像信号线107的尺寸，纵轴是度数分布。图10中的评价对象与在图9中说明的相同。在图10中，影像信号线107的尺寸在本发明中比以往例大。即，认为是由于在本发明中，在AlSi层1072和覆盖层1073之间形成有Al氧化层1074，且该Al氧化层1074的蚀刻速率较小。
另一方面，在本发明中，可以说AlSi层1072形成后到形成覆盖层1073之前的暴露在大气中的时间在12h、24h、96h时没有显著差别。3σ在以往例(Ref)中为0.43，在12h放置为0.517，24h放置为0.465，96h放置为0.478，此种程度的差异在生产批次的偏差范围内。
这样，影像信号线107的宽度在本发明的结构中比在以往例的结构中大，但可以说偏差没有变化。因此，若考虑蚀刻速率的差异来决定抗蚀剂120的显影尺寸，则能够以与以往相同的偏差来得到规定的影像信号线宽度。
图11是用于特定以往方法中的影像信号线107及其上下层的成分的SIMS(Secondary Mass Spectrometry，次级离子质谱)的数据。SIMS从层的上侧的成分进行测定。在图11中，首先观测作为无机钝化膜108的SiN，然后检测作为覆盖层1073的MoW，之后检测AlSi层1072，之后检测作为阻挡层1071的MoW，之后检测作为层间绝缘膜106的SiO2。在图11中，实线为氧，虚线为Al，单点划线为Si。
图12是用于特定本发明中的影像信号线107及其上下层的成分的SIMS的数据。在图12中，首先观测作为无机钝化膜108的SiN，然后检测作为覆盖层1073的MoW。之后检测AlSi层1072，其与以往例的图11最大的不同之处为，在AlSi层1072中其与覆盖层1073的边界上氧的含量非常大。氧的含量随着接近AlSi层1072的中央附近而减小，变为与以往例等同。之后检测作为阻挡层1071的MoW，检测作为层间绝缘膜106的SiO2的情况与图11所示的以往例相同。
本发明的特征为，图12中的AlSi层1072中，其与覆盖层1073的边界上的氧的含量与AlSi层1072中央的氧的含量的差在50倍以上，优选为100倍以上。另一方面，在表示以往例的图11中，在AlSi层1072中，其与覆盖层1073的边界上的氧的含量和AlSi层1072中央的氧的含量的差为10倍左右。
这样，在本发明中，通过在AlSi层1072中与覆盖层1073的边界形成Al氧化层1074，能够防止在影像信号线等的图案化中由于部分地蚀刻速率变得异常快而引起的断线，能够使液晶显示面板的制造成品率提高。
需要说明的是，在上述说明中是在同一室内连续地形成基层和AlSi层，但也可以在通过溅镀而形成了基层后，将TFT基板从真空室中取出并暴露在大气中，之后在真空室中通过溅镀来形成AlSi层。
以上说明了本发明的使用了顶栅极的TFT的IPS-PRO的结构。本发明对于使用了栅电极存在于比半导体层更靠下侧的位置的所谓底栅式的TFT的IPS-PRO同样适用。此外，本发明也能够适用于如“专利文献1”或“专利文献2”中所记载的在无机钝化膜之上由整平面形成像素电极，在层间绝缘膜之上形成梳齿状的对置电极的结构的被称为IPS-LITE的液晶显示装置。另外，本发明也能够适用于所谓TN(Twisted Nematic)或VA(Vertical Alignment)方式的液晶显示装置。即能够用于在基层、AlSi层、覆盖层这三层上形成影像信号线、漏电极或源电极的液晶显示装置。

Claims (6)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，
扫描线沿第一方向延伸、沿第二方向排列，影像信号线沿第二方向延伸、沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述影像信号线所包围的区域形成有像素，
所述像素包括TFT，所述TFT包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极、漏电极以及源电极，
所述影像信号线包括基层、AlSi层及覆盖层，在所述AlSi层中，所述AlSi层和所述覆盖层的边界部分的氧的含量为所述AlSi层中央部的氧的含量的50倍以上。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
在所述AlSi层中，所述AlSi层和所述覆盖层的边界部分的氧的含量为所述AlSi层中央部的氧的含量的100倍以上。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述TFT为顶栅示的TFT。
4.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置中，
在TFT基板上，扫描线沿第一方向延伸、沿第二方向排列，影像信号线沿第二方向延伸、沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述影像信号线所包围的区域形成有像素，
所述影像信号线包括基层、AlSi层及覆盖层，所述液晶显示装置的制造方法的特征在于，
在通过溅镀而形成了所述基层及所述AlSi层后，将所述TFT基板从真空室中取出并暴露在大气中，之后在真空室中溅镀覆盖层。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
在通过溅镀而形成了所述基层及所述AlSi层后，将所述TFT基板从真空室中取出并暴露在大气中的时间在30秒以上。
6.根据权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
在通过溅镀而形成了所述基层后，将所述TFT基板从真空室中取出并暴露在大气中，之后在真空室中通过溅镀来形成AlSi层。
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