TWI574081B - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年1月21日所申請之韓國專利申請號10-2011-0006455之優先權效益，其全部內容納入此處參考。
本發明之例示性實施例相關於一種液晶顯示裝置及其製造方法。
液晶顯示裝置使用液晶的光學各異向性特徵來顯示影像。在如此液晶顯示裝置中，光發射至具有極化特性(polarization properties)之液晶上。當電場供應至液晶時，可藉由利用電場控制液晶方向而控制所發射光量。因此，影像可利用此原理而顯示。
液晶顯示裝置包含一薄膜電晶體基板，其上提供有薄膜電晶體與像素電極；一彩色濾光基板，其上提供有彩色濾光片與共用電極；以及一液晶層，其設置在薄膜電晶體基板和彩色濾光基板之間。
本揭露提供一種具有避免上基板與下基板分離，以在黑矩陣之應用上減少缺陷之液晶顯示裝置、以及其製造方法。
本發明之額外特徵將闡述於下，且部分藉由敘述而容易瞭解，或可藉由本發明之實施而得知。
本發明概念之實施例提供一種液晶顯示裝置，其包含：一第一基板與一第二基板，其彼此面對，第一基板與第二基板包含顯示一影像之一顯示區域、以及環繞顯示區域之一非顯示區域；一第一黑矩陣，其設置在非顯示區域中且在第一基板上；一平坦層，其設置在第二基板上且面對第一黑矩陣；一第一校準層，其設置在顯示區域中並在第一基板上，且延伸至第一黑矩陣之一部分；一第二校準層，其設置在顯示區域中並在第二基板上，且延伸至非顯示區域；以及一密封圖樣，其設置在非顯示區域中，以連接第一基板與第二基板，密封圖樣係與第一校準層及第二校準層之至少其一分隔。
在本發明概念之另一實施例中，一種製造液晶顯示裝置之方法包含：在一第二基板上與在一顯示區域中形成一薄膜電晶體，在薄膜電晶體上形成一平坦層，且在平坦層上形成一像素電極，像素電極連接於薄膜電晶體之一汲極電極；在非顯示區域中且在平坦層上形成一第二光阻圖樣；在第二光阻圖樣、像素電極及平坦層上形成一第二校準層；利用一剝離製程(lift-off process)移除第二光阻圖樣與設置在第二光阻圖樣之側壁的上表面之第二校準層之一部分；以及形成一密封圖樣，其密封圖樣與殘留於平坦層上之部分第二校準層分隔。
其需了解的是，前述一般說明與下述實施方式皆為例示性且闡述性，並旨在提供所主張之本發明進一步的解釋。
100‧‧‧液晶顯示裝置
110‧‧‧彩色濾光基板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧黑矩陣
112a‧‧‧第一黑矩陣
112b‧‧‧第二黑矩陣
114‧‧‧彩色濾光層
116‧‧‧外套層
118‧‧‧共同電極
119‧‧‧第一光阻圖樣
120‧‧‧第一校準層
130‧‧‧薄膜電晶體基板
131‧‧‧第二基板
132‧‧‧閘極電極
134‧‧‧閘極絕緣層
136‧‧‧半導體層
138‧‧‧歐姆接觸層
140‧‧‧源極電極
142‧‧‧汲極電極
144‧‧‧保護層
146‧‧‧平坦層
148‧‧‧接觸孔
150‧‧‧像素電極
151‧‧‧第二光阻圖樣
152‧‧‧第二校準層
160‧‧‧密封圖樣
170‧‧‧液晶層
172‧‧‧液晶
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
W1、W2、W3‧‧‧寬度
TFT‧‧‧薄膜電晶體
d‧‧‧距離
R‧‧‧紅色濾光層
G‧‧‧綠色濾光層
B‧‧‧藍色濾光層
此處所包含以提供本發明進一步理解且合併入並構成說明書一部分之附圖係說明本發明之實施例，並連同其說明而用來解釋本發明之原理。
第1圖 係根據發明概念之實施例之液晶顯示裝置之截面圖。
第2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I、2J、2K、2L、2M及2N圖 係為根據本發明概念之實施例之製造液晶顯示裝置之方法之截面圖。
現將參閱顯示本發明例示性實施例之附圖於下文中更完整地描述本發明。然而，本發明可以不同形式實施且不應解釋為限制於本揭露所載實施例。而對於所屬領域之技術人士而言，提供此些實施例以使本揭露透徹且完整，且將充分地傳達本發明之範疇。在圖式中，層與區域的尺寸及相對尺寸可為了清晰而誇大。在圖式中相似的參考符號表示相似的元件。
其應了解的是，當一元件或層被稱為在另一元件或層“上”或與其“連接”時，其可能直接在另一元件或層上或與其直接連接，或存在中介元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接在另一元件或層上”或“與其直接連接”時，其之間並無存在中介元件或層。此外，圖式中層及區域之尺寸可能為了清楚說明而被誇大。再者，雖然用語第一、第二、以及第三係使用來表示本發明不同實施例中不同區域與層，但該些區域與層並不因該些用語而受限制。這些用語僅作為區別一區域 或層與另一區域或層。在此所敘述與例示性實施例包含其互補實施例。全文中，相似元件符號表示相似元件。
第1圖係根據本發明概念之實施例之液晶顯示裝置100之截面圖。參閱第1圖，液晶顯示裝置100包含一彩色濾光基板110、對向之一薄膜電晶體基板130、以及設置在彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130間之一液晶層170。液晶顯示裝置100被區分為形成影像之一顯示區域DA、以及環繞顯示區域DA之非顯示區域NDA。
彩色濾光基板110包含一第一基板111。第一基板111可由透明材料所形成。舉例來說，第一基板111可由玻璃或塑膠所形成。
黑矩陣(black matrix,BM)112設置在第一基板111上。黑矩陣112包含利用一圖樣化製程彼此分離之一第一黑矩陣112a與一第二黑矩陣112b。第一黑矩陣112a設置在非顯示區域NDA中。第二黑矩陣112b設置在顯示區域DA中。
第一黑矩陣112a可具有一封閉式環狀且可環繞於顯示區域以防止光線從中露出。第一黑矩陣112a之寬度W1可根據一密封圖樣160之寬度來設定。當自顯示區域DA之一邊緣朝向非顯示區域NDA之外部邊緣測量時，第一黑矩陣112a之寬度W1可為約0.3mm至約1.2mm。第一黑矩陣112a可為薄或超薄之黑矩陣。
第二黑矩陣112b可覆蓋(面對)薄膜電晶體基板130之一薄膜電晶體TFT、一閘極線路(未顯示)、以及一資料線路(未顯示)以防止光線露出。此外，第二黑矩陣112b可具有複數個孔洞。彩色濾光層114可設置在孔洞中，以防止在彩色濾光層114間色彩混合。換句話說，第二黑矩陣112b可與彩色濾光層114相鄰而設置。
每一黑矩陣112可由金屬形成。舉例來說，黑矩陣112可 由鉻、氧化鉻(CrOx)或其一雙層所形成。
彩色濾光層114因僅透射具有一特定波長之光線故具有紅色濾光層R、綠色濾光層G、以及藍色濾光層B。彩色濾光層114可設置在黑矩陣112之間/之中。彩色濾光層114可包含丙烯醯基樹脂(acryl resin)與色料。彩色濾光層114可根據包含於其中之色料類型而分為紅色濾光層、綠色濾光層、以及藍色濾光層。
一外套層(overcoat layer)116可額外地設置在第二黑矩陣112b與彩色濾光層114上。外套層116可保護彩色濾光層114且可使彩色濾光層114平坦化。此外，外套層116可改善與一共同電極118之附著力。舉例來說，外套層116可由丙烯醯基樹脂(acryl-based resin)所形成。
共用電極118可設置在外套層116上。共用電極118可由透明導電材料所形成。舉例來說，共用電極118可由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)所形成。一第一校準層120可設置在共用電極118上，以預先傾斜液晶172。第一校準層120可延伸至非顯示區域NDA邊緣之第一黑矩陣112a。第一校準層120可延伸至非顯示區域NDA中且延伸約1μm至約99μm之第二寬度(距離)W2至第一黑矩陣112a上。
第一校準層120可由樹脂所形成。舉例來說，第一校準層120可由帶有與液晶172具親合性之聚亞醯胺(polyimide)所形成。
一間隔件(圖未示)可額外地設置在彩色濾光基板110上，以維持彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130之間的一定胞元間隙(cell gap)。間隔件可由有機聚合物材料之樹脂所形成。
薄膜電晶體基板130包含一第二基板131。第二基板131可由透明材料所形成。舉例來說，第二基板131可由玻璃或塑膠所形成。
包含閘極電極132、半導體層136、歐姆接觸層138、源極電極140、以及汲極電極142之一薄膜電晶體TFT可設置在第二基板131上並在顯示區域DA中。薄膜電晶體TFT係為一切換裝置以可選擇性地將一訊號傳送至液晶172。
閘極電極132可由例如金屬之導電材料所形成。舉例來說，閘極電極132可由鋁(Al)、銣化鋁(AlNd)、鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉬(Mo)之至少其一所組成。
一閘極絕緣層134可設置於閘極電極132與半導體層136之間。閘極絕緣層134延伸至非顯示區域NDA中。閘極絕緣層134可由二氧化矽(SiO2)所組成。
半導體層136可設置於面對閘極電極132之閘極絕緣層134上。半導體層136可由本質非晶矽(intrinsic amorphous silicon,a-Si：H)所組成。歐姆接觸層138可設置在半導體層136上。歐姆接觸層138可由摻雜著雜質之非晶矽(n+ a-Si：H)所形成。半導體層136之一部分可透過歐姆接觸層138暴露。
源極電極140與汲極電極142可在歐姆接觸層138上相互分隔。源極電極140與汲極電極142可由鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、鉻、鎳、鋁及銣化鋁(AlNd)之至少其一所組成。電性連接源極電極140至汲極電極142之一通道係形成在源極電極140與汲極電極142間之半導體層136的一部份。因此當一高階電壓(high level voltage)施加於閘極電極132，且一數據電壓(data voltage)施加於源極電極140時，施加於源極電極140之數據電壓藉由施加於閘極電極132之高階電壓並經由半導體層136供應至汲極電極142。
雖然未顯示，但連接閘極電極132之閘極線路設置在一第 一方向上，且連接源極電極140之資料線路設置在交叉第一方向之一第二方向上。閘極線路交叉資料線路之區域視作一像素區域。
保護層144與平坦層146依序推疊在薄膜電晶體上。保護層144保護薄膜電晶體且避免平坦層146未被填滿。保護層144可在閘極絕緣層134上延伸至非顯示區域NDA中。保護層144可由二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)或其雙層所形成。
平坦層146可由有機材料所形成，以減低閘極線路(未顯示)與像素電極150間之寄生電容(parasitic capacitance)。舉例來說，平坦層146可由低介電係數之材料所形成，例如丙烯酸樹脂(acryl resin)或苯環丁烯(benzocyclobutene,BCB)。平坦層146可在保護層144上延伸至非顯示區域NDA中。
暴露一部份汲極電極142之接觸孔148可於顯示區域DA之平坦層146與保護層144中形成。像素電極150透過接觸孔148連接汲極電極142。像素電極150可設置於顯示區域DA中之平坦層146上。 像素電極150可面對彩色濾光層114。像素電極150可由透明導電材料所形成。舉例來說，像素電極150可由氧化銦錫所組成。
預先傾斜液晶172之第二校準層152可設置在像素電極150與平坦層146上。第二校準層152可在平坦層146上延伸至非顯示區域NDA中。第二校準層152可延伸第二寬度(距離)W2至非顯示區域NDA中。
第二校準層152可由樹脂形成。舉例來說，第二校準層152可由帶有與液晶172具親和性之聚亞醯胺所形成。
彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130藉由設置在非顯示區域NDA中之密封圖樣160黏合。密封圖樣160係與第二校準層152 分隔，且設置在平坦層146上。密封圖樣160可附著在平坦層146與第一黑矩陣112a之相對部分。
舉例來說，密封圖樣160可具有約0.2mm至0.7mm之第三寬度W3。舉例來說，密封圖樣160可以約0.1mm至0.5mm之距離d與第一校準層120及第二校準層152之至少其一分隔。密封圖樣160可由密封劑所形成。舉例來說，密封劑可為光硬化樹脂或熱固化樹脂。
液晶層170設置在彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130之間。液晶層170可包含具有光學異向性特徵之液晶172。
在液晶顯示裝置100中，一電壓透過汲極電極142施加於像素電極150。接著，該電壓施加於共同電極118，以操作液晶分子，藉此顯示一影像。
一般來說，當密封圖樣重疊/接觸第一校準層及/或第二校準層時，由於第一校準層及/或第二校準層之加工誤差，使得可能削減彩色濾光基板與薄膜電晶體基板間之連接。結果顯示，彩色濾光基板與薄膜電晶體基板可能彼此分隔，進而導致產品缺陷。
然而，在液晶顯示裝置100中，設置在非顯示區域NDA中之部份第一校準層120及/或第二較準層152之尺寸減小，以分隔密封圖樣160與第一校準層120及/或第二較準層152。因此，分別為彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130之上基板與下基板附著良好，藉此改善產品品質。
第2A圖至第2N圖係根據本發明概念之例示性實施例之製造液晶顯示裝置100之方法之截面圖。參閱第2A圖，準備第一基板111。第一黑矩陣112a設置在第一基板111上且在非顯示區域NDA中。
第二黑矩陣112b形成在第一基板111上並在顯示區域DA中。第二黑矩陣112b與第一黑矩陣112a分隔。
金屬層可形成在第一基板111上，接著，可利用一遮罩圖樣化金屬層，以形成黑矩陣112。圖樣化製程可為典型光刻製程。因此，將省略其敘述。
參閱第2B圖，彩色濾光層114形成在第一基板111上且在黑矩陣112之間。更具體而言，一薄膜可利用旋轉塗佈而塗佈於第一基板111上。接著，該薄膜可利用一遮罩圖樣化，或可直接地利用雷射引發熱成像(laser induced thermal imaging,LITI)而圖樣化，以形成彩色濾光層114。彩色濾光層114可延伸至黑矩陣112之邊緣。
參閱第2C圖，外套層116形成在彩色濾光層114與暴露之第二黑矩陣112b上。共用電極118接著形成在外套層116上。舉例來說，外套層116可藉由提供丙烯醯基樹脂而形成。根據一些態樣，可省略外套層116。
具體而言，樹脂層可利用旋轉塗佈而形成，接著，在樹脂層上可執行濺鍍製程，以形成透明導電層。接著，透明導電層與樹脂層可利用一遮罩依序被圖樣化，以形成外套層116與共用電極118。
參閱第2D圖，第一光阻圖樣119形成在非顯示區域NDA中暴露之第一黑矩陣112a與暴露之第一基板111上。具體而言，光阻材料可塗佈在共用電極118上、暴露之第一黑矩陣112a、以及暴露之第一基板111上，以形成第一光阻層(圖未示)。接著，可利用一遮罩圖樣化第一光阻層，以形成第一光阻圖樣119。第一光阻圖樣119之厚度為隨後形成第一校準層120(第2E圖)之厚度的至少四倍。
參閱第2E圖，第一校準層120形成在第一光阻圖樣119 與共用電極118上。第一校準層120可藉由利用滾輪塗佈、旋轉塗佈或浸漬之方式塗佈聚亞醯胺而形成。舉例來說，第一校準層120可具有約500Å之厚度。第一校準層120在第一光阻圖樣119之側壁上的厚度較薄於其在第一光阻圖樣119與共用電極118之上表面的厚度。
參閱第2F圖，透過剝離製程移除第一光阻圖樣119。可利用對於第一光阻圖樣119比第一校準層120具有較高選擇性之蝕刻劑執行剝離製程。舉例來說，可利用具有約150℃至約180℃之溫度的硫酸溶液(H2SO4)。
在蝕刻製程中，設置在第一光阻圖樣119之側壁之第一校準層120的相對薄部分可被蝕刻掉，以使第一光阻圖樣119之側壁的上部分暴露。接著，可快速地蝕刻暴露的第一光阻圖樣119。因此，在第2E圖中形成在第一光阻圖樣119上之第一校準層120可被分離。如此，第一校準層120僅殘留在共用電極118上。剝離製程使第一校準層120之第二寬度W2之一部分殘留在非顯示區域NDA中。
間隔件(圖未示)可形成在第一基板111上，以維持第一基板111與下基板之間一定胞元間隙。有機聚合物材料可被沉積並圖樣化以形成該間隔件。此外，該間隔件可被省略。因此，彩色濾光基板110可形成為上基板。
參閱第2G圖，準備第二基板131。包含閘極電極132、半導體層136、歐姆接觸層138、源極電極140、與汲極電極142之薄膜電晶體TFT形成在顯示區域DA中且在第二基板131上。導電金屬可利用濺鍍或蒸鍍沉積在第二基板131上，以形成一導電金屬層。接著，利用一遮罩圖樣化導電金屬層而形成閘極電極132。雖然圖中未示，但閘極線路或資料線路可於閘極電極132形成時而被形成。
閘極絕緣層134形成在閘極電極132與已暴露之第二基板131上。二氧化矽可透過化學汽相沈積(CVD)沉積在閘極電極132上，以形成閘極絕緣層134。
其中摻雜有n型雜質或p型雜質之一本質非晶矽層與一非晶矽層可透過化學汽相沈積依序形成在閘極絕緣層134上。接著，可利用一遮罩圖樣化本質非晶矽層與非晶矽層，以形成半導體層136與歐姆接觸層138。根據一些態樣，可省略歐姆接觸層138。
導電金屬可利用濺鍍或蒸鍍而沉積在歐姆接觸層138與閘極絕緣層134上，以形成一導電金屬層。接著，可利用一遮罩圖樣化導電金屬層，以在歐姆接觸層138上形成源極電極140與汲極電極142。 在此，半導體層136暴露在源極電極140與汲極電極142間的區域可視為一通道。
保護層144和平坦層146可依序形成在薄膜電晶體TFT與閘極絕緣層134上。更具體地說，二氧化矽、氮化矽(SiNx)或其雙層可利用化學汽相沈積形成在薄膜電晶體TFT與閘極絕緣層134上。可透過旋轉塗佈而塗佈例如壓克力樹脂(acryl resin)或苯環丁烯(BCB)之有機材料，以形成平坦層146。因此，保護層144與平坦層146可形成在閘極絕緣層134之整個表面上。
參閱第2H圖，圖樣化製程可利用一遮罩在保護層144與平坦層146執行，以形成暴露部份汲極電極142之一接觸孔148。例如氧化銦錫(ITO)之透明導電材料可透過濺鍍或蒸鍍塗佈於平坦層146上與接觸孔148中，以形成一導電金屬層。接著，可利用一遮罩圖樣化導電金屬層，以形成透過接觸孔148電性連接汲極電極142之像素電極150。
參閱第2I圖，第二光阻圖樣151形成在非顯示區域NDA之平坦層146上。更具體而言，光阻材料可塗佈在平坦層146與像素電極150上以形成一第二光阻層(圖未示)。接著，可利用一遮罩圖樣化第二光阻層，以形成第二光阻圖樣151。
第二光阻圖樣151可具有比隨後第二校準層152之厚度的至少約四倍之厚度。第二光阻圖樣151因操作界限(process margin)故可以第二寬度W2與顯示區域DA分隔。
參閱第2J圖，第二校準層152形成在第二光阻圖樣151、暴露之平坦層146及像素電極150上。第二校準層152可藉由利用滾輪塗佈、旋轉塗佈或浸漬之方式塗佈聚亞醯胺而形成。舉例來說，第二校準層152可具有約500Å之厚度。第二校準層152在第二光阻圖樣151之側壁上的厚度比在第二光阻圖樣151與平坦層146之上表面的厚度較薄。
參閱第2K圖，透過剝離製程移除第二光阻圖樣151。剝離製程可利用對於第二光阻圖樣151比第二校準層152具有較高蝕刻選擇性之蝕刻劑而執行。舉例來說，可利用具有約150℃至約180℃之溫度的硫酸溶液作為蝕刻劑。
第二校準層152設置在第二光阻圖樣151之側壁的部份可於剝離製程期間而蝕刻掉，進而暴露第二光阻圖樣151之側壁之上部分。接著，暴露之第二光阻圖樣151可快速地被蝕刻，因此，可移除第二校準層152形成在第二光阻圖樣151之上的部分。因此，第二校準層152僅保留在平坦層146與像素電極150上。
第二校準層152延伸約1μm至約99μm之第二寬度W2至非顯示區域NDA。因此，形成薄膜電晶體基板130。
參閱第2L圖，密封圖樣160形成在非顯示區域NDA之平坦層146上。密封圖樣160與第二校準層152分隔。密封圖樣160可呈具有對應第一黑矩陣112a之一區域之開口(圖未示)的方型框架形狀。舉例來說，密封圖樣160可具有約0.2mm至約0.7mm之第三寬度W3。 舉例來說，密封圖樣160可以約0.1mm至0.5mm之距離d與第一校準層120及第二校準層152之至少一分隔。
密封劑可塗佈於暴露之平坦層146與第二校準層152上。 已塗佈之密封劑可利用遮罩圖樣化，以於第一黑矩陣112a上形成密封圖樣160。
參閱第2M圖，彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130利用密封圖樣160接合。舉例而言，彩色濾光基板110可與薄膜電晶體基板130對齊，接著，熱或光可照射在密封圖樣160上。結果，彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130可透過密封圖樣160接合。在此，密封圖樣160可附著平坦層與第一黑矩陣112a。
參閱第2N圖，液晶層170透過開口(圖未示)嵌入在彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130之間。液晶層170可包含具有光學各異向性特徵之液晶172。該開口可於液晶層170嵌入後而密封，進而完成製造液晶顯示裝置100。
根據本發明概念之不同實施例，第一校準層120與第二校準層152設置在非顯示區域NDA之部份可透過剝離製程而減少，以避免密封圖樣160與第一校準層120及第二校準層152彼此重疊。因此，可提供一種其中第一黑矩陣112a可穩定地形成之製造液晶顯示裝置之方法。因此，液晶顯示裝置100之彩色濾光基板110與薄膜電晶體基板130可確實地彼此接合，藉此避免產品缺陷。
雖然舉出彩色濾光基板110可被形成且接著形成薄膜電晶體基板130，但薄膜電晶體基板130亦可先形成，再形成彩色濾光基板110。
其被了解的是，本領域具有通常知識者在沒有偏離本發明之精神與範疇下可對本發明作各種修改及變更。因此，其旨在本發明涵蓋所附之申請專利範圍及其等效物中所提供之發明的修改與變更。
100‧‧‧液晶顯示裝置
110‧‧‧彩色濾光基板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧黑矩陣
112a‧‧‧第一黑矩陣
112b‧‧‧第二黑矩陣
114‧‧‧彩色濾光層
116‧‧‧外套層
118‧‧‧共同電極
120‧‧‧第一校準層
130‧‧‧薄膜電晶體基板
131‧‧‧第二基板
132‧‧‧閘極電極
134‧‧‧閘極絕緣層
136‧‧‧半導體層
138‧‧‧歐姆接觸層
140‧‧‧源極電極
142‧‧‧汲極電極
144‧‧‧保護層
146‧‧‧平坦層
148‧‧‧接觸孔
150‧‧‧像素電極
152‧‧‧第二校準層
160‧‧‧密封圖樣
170‧‧‧液晶層
172‧‧‧液晶
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
W1、W2、W3‧‧‧寬度
TFT‧‧‧薄膜電晶體
d‧‧‧距離
R‧‧‧紅色濾光層
G‧‧‧綠色濾光層
B‧‧‧藍色濾光層

Claims (9)

  1. 一種液晶顯示裝置，其包含：一第一基板與對向之一第二基板，該第一基板與該第二基板包含顯示一影像之一顯示區域、以及環繞該顯示區域之一非顯示區域；一第一黑矩陣，其設置在該非顯示區域中且在該第一基板上；一平坦層，其設置在該第二基板上且面對該第一黑矩陣；一第一校準層，其設置在該顯示區域中並在該第一基板上，且延伸至該第一黑矩陣之一部分；一共用電極，設置於該第一基板與該第一校準層之間；一第二校準層，其設置在該顯示區域中並在該第二基板上，且延伸至該非顯示區域；以及一密封圖樣，其設置在該非顯示區域中，以連接該第一基板與該第二基板並覆蓋該第一黑矩陣，該密封圖樣係與該第一校準層及該第二校準層之至少其一分隔；其中，該第一校準層之最外側邊緣對準該共用電極之最外側邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一校準層與該第二校準層以1μm至99μm之距離延伸至該非顯示區域。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第 一黑矩陣具有0.3mm至1.2mm之一寬度，該寬度係自該顯示區域之邊緣朝向該非顯示區域之外部邊緣所測量。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包含：一薄膜電晶體，其設置在該第二基板上且在該顯示區域中，該薄膜電晶體包含一閘極電極、一半導體層、一源極電極及一汲極電極；一閘極絕緣層，其設置在該第二基板上且在該閘極電極與該半導體層之間，該閘極絕緣層自該顯示區域延伸至該非顯示區域；一保護層，其設置在該薄膜電晶體與該平坦層之間且在該閘極絕緣層與該平坦層之間；以及一像素電極，其設置在該顯示區域中並在該平坦層與該第二校準層之間，且電性連接該汲極電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包含：一彩色濾光層，其設置在該顯示區域中且在該第一基板上；以及一第二黑矩陣，其設置在該第一基板上且設置在該彩色濾光層之間；其中該共用電極設置在該彩色濾光層與該第一校準層之間及在該第二黑矩陣與該第一校準層之間。
  6. 一種製造液晶顯示裝置之方法，該液晶顯示裝置包含一顯示區域及一非顯示區域，該方法包含：在一第二基板上與該顯示區域中形成一薄膜電晶體，在該薄膜電晶體上形成一平坦層，且在該平坦層上形成一像素電極，該像素電極連接於該薄膜電晶體之一汲極電極；在該非顯示區域中且在該平坦層上形成一第二光阻圖樣；在該第二光阻圖樣、該像素電極及該平坦層上形成一第二校準層，其中該第二校準層之一部分覆蓋該第二光阻圖樣的上表面以及該第二光阻圖樣的一側表面，且該側表面相鄰該像素電極；利用一剝離製程(lift-off process)移除該第二光阻圖樣與該第二校準層之該部分；以及形成一密封圖樣，該密封圖樣與殘留於該平坦層上之該第二校準層之最外側邊緣分隔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，更包含：在該非顯示區域中且在一第一基板上形成一第一黑矩陣，在該顯示區域中且在該第一基板上形成一第二黑矩陣、一彩色濾光層及一共用電極，其中該彩色濾光層及該共用電極形成在該第二黑矩陣上且在該第一黑矩陣之邊緣；在該第一黑矩陣上形成一第一光阻圖樣；在該第一光阻圖樣與該共用電極上形成一第一校準層；利用該剝離製程移除該第一光阻圖樣與形成在該第一光阻圖樣上該第一校準層之一部份；以及 利用該密封圖樣連結該第一基板與該第二基板，使該第一黑矩陣接觸該平坦層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該剝離製程係利用一蝕刻劑而執行，該蝕刻劑相對於該第一光阻圖樣與該第二光阻圖樣其中之一比該第一校準層與該第二校準層其中之一具有較高的蝕刻選擇性。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一校準層與該第二校準層之至少其一從該顯示區域之邊緣延伸1μm至99μm至該非顯示區域。
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