JP5079463B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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(1)表示領域にマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、表示領域の周縁部に沿って形成されたコモン配線と、少なくとも走査線、信号線、スイッチング素子及びコモン配線の表面を被覆する第1絶縁膜を備える第1の透明基板を用意する工程、
(2)第1絶縁膜の表面をスイッチング素子及びコモン配線の一部が露出するようにエッチングしてそれぞれ第1及び第2のコンタクトホールを形成する工程、
(3)(2)の工程を経た第1の透明基板の少なくとも表示領域の全体に亘って非感光性樹脂からなる平坦化膜を形成する工程、
(4)平坦化膜の表面に所定のパターンで透明導電性材料からなる第1電極を形成した後、第1の透明基板の表面全体に亘って第2絶縁膜を形成する工程、
(5)第2絶縁膜の表面にフォトレジスト層を、平面視で、第1電極の一部及び第1のコンタクトホール及びその周囲を被覆する第2絶縁膜が露出すると共に、第2のコンタクトホール及びその周囲の被覆する第2絶縁膜が露出するように、形成する工程、
(6)第1のエッチングガスを用いて露出している第2絶縁膜をエッチングした後、第2のエッチングガスを用いてフォトレジスト層を除去すると共に第1及び第2のコンタクトホール及びその周囲を被覆する平坦化膜を除去する工程、
(7)(6)の工程で得られた透明基板の表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成した後、所定パターンにエッチングすることによって、第1電極及び第2電極のいずれか一方側を複数の走査線及び信号線で区画された領域毎に第1のコンタクトホールを経てスイッチング素子に電気的に接続すると共に、第1電極及び第2電極のうちの他方側を表示領域の周縁部で第1絶縁膜の表面を経てコモン配線に電気的に接続する工程、
(8)(7)の工程で得られた第1の透明基板の表面に第2の透明基板を所定距離隔てて対向配置させて貼り合わせ、第1及び第2の透明基板間に液晶を封入する工程。
この実施例1のFFSモードの液晶表示装置10Aにおけるアレイ基板は、最初にガラス基板等の透明基板11の表面全体に亘って、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金等の導電性層が形成される。その後、周知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域Dispに複数の走査線12を互いに平行になるように形成すると共に、表示領域Dispの周縁部(以下、「額縁領域Trim」という。)にコモン配線16及びゲート配線(図示せず)を形成する。なお、ゲート配線は、必ずしも走査線12用の配線として使用されるものではなく、走査線12と同じ材質の配線であるために「ゲート配線」と称されているものであり、適宜各種の配線用に使用されるものである。なお、コモン配線16は、ドライバICや各種端子が配置される周縁の一部を除いて、表示領域の外周部を囲むように、他の配線よりも太く形成されている。
次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極D上を被覆するパッシベーション膜17を貫通する第1のコンタクトホール21aを形成すると共に、コモン配線16上を被覆するゲート絶縁膜13及びパッシベーション膜17には、以下に示す共通電極として機能する第2電極22との接続位置Y(図1参照)部分に第2のコンタクトホール21bを形成する。このコンタクトホール21a及び21bの形成には乾式エッチング法の1種であるプラズマエッチング法を採用し得る。この第2工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図5(b)にそれぞれ示す。
第2工程で得られた透明基板11の表面に非感光性の平坦化膜18を一定の厚さに形成する。この非感光性の平坦化膜18としては、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、エポキシ樹脂、又はアクリル樹脂等の透明度が高い樹脂を使用することができる。これらの樹脂のうち、特にポリイミド及びエポキシ樹脂は耐熱性も高いために好ましい。また、透明性の観点からはアクリル樹脂が好ましい。この第3工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図5(c)にそれぞれ示す。
次いで、ITOないしIZOからなる下側の透明導電性層を積層し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域Dispの画素領域毎に所定のパターンに第1電極19を形成する。この第1電極19は、全ての画素領域の第1のコンタクトホール21aに相当する位置には形成されておらず、穴が空いた状態となっている。そして、実施例1の液晶表示装置10Aにおいては、この第1電極19が画素電極に対応する。更に、第1電極19が形成された透明基板11の表面全体に亘り窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる電極間絶縁膜20を所定の厚さに形成する。この電極間絶縁膜20は、平坦化膜18を透明度が高いが耐熱性が良好ではない非感光性樹脂で形成した場合には、電極間絶縁膜の成膜時にかかる温度による平坦化膜材料の熱分解を避けるため、ゲート絶縁膜13やパッシベーション膜17の形成条件よりも穏やかな条件、いわゆる低温成膜条件で形成する。しかしながら、平坦化膜18をポリイミド及びエポキシ樹脂等の耐熱性が良好な樹脂で形成した場合には、電極間絶縁膜20の成膜温度を高温化することができ、従来のゲート絶縁膜13やパッシベーション膜17と近い形成条件で形成することができる。なお、この電極間絶縁膜20が本発明の液晶表示装置における第2絶縁膜に対応する。
次いで、このフォトレジスト層30をマスクとして、エッチングガスとして、SF6、CF4に代表されるフッ素系のガスを使用してプラズマエッチングを行って、露出している電極間絶縁膜20をエッチングして除去する。このフッ素系のエッチングガスを使用し、窒化ケイ素ないし酸化ケイ素等のケイ素系の化合物は選択的にエッチングされるが、ITOないしIZOからなる第1電極19及び平坦化膜18はエッチングされないエッチング条件を選択する。この第5工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図5(e)にそれぞれ示す。
次いで、エッチングガスを酸素ベースのガスに代えて同様にプラズマエッチングを行うと、電極間絶縁膜20はエッチングされず、平坦化膜18がエッチングされると共にフォトレジスト層30はアッシングされて除去される。このプラズマエッチングにより、ドレイン電極Dの表面及びコモン配線16の表面に形成されていた平坦化膜18は除去され、ドレイン電極Dの表面及びコモン配線16の表面が露出する。このプラズマエッチングに際しては、第1電極19及び電極間絶縁膜20は平坦化膜18のエッチング用のマスクとして作用するため、平坦化膜18のエッチング面はテーパ角度が従来よりも垂直に近くなる。この第6工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図5(f)にそれぞれ示す。
次いで、第6工程を経た透明基板11の表面全体にITOないしIZOからなる透明導電性材料を被覆する。そうすると、透明導電性材料は、第1のコンタクトホール21a側では第1電極19及びドレイン電極Dの表面を被覆し、第2コンタクトホール21b側ではコモン配線16の表面を被覆した状態となる。次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、複数の走査線12及び信号線15で区画された領域に対応する位置毎に、図2及び図3に示したように、フリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット24を形成する。また、第2コンタクトホール21b側では第2電極22が平坦化膜18の側面及びパッシベーション膜17の表面を延在してコモン配線16の表面を被覆するようにパターン化する。更に、第1のコンタクトホール21a側では、第2電極22に第1のコンタクトホール21aの周囲を囲むようにスリット24aを形成する。そうすると、第1電極19は、第2電極22と電気的に絶縁された状態となると共に、第2電極22から切り離された透明導電性層からなる導電路22aによってドレイン電極Dと電気的に接続された状態となる。この後、第2電極22側の表面全体に配向膜(図示せず)を設けることにより実施例1の液晶表示装置10Aのアレイ基板が完成される。この第7工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図5(g)にそれぞれ示す。
実施例2の液晶表示装置10Bの製造工程は、第3工程までは図5(a)〜図5(c)に示した実施例1の液晶表示装置10Aの場合と同様である。第4工程においては、ITOないしIZOからなる下側の透明導電性層を積層し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域Dispの全面に亘って第1電極19'を形成する。この第1電極19'は、全ての画素領域の第1のコンタクトホール21aに相当する位置には形成されておらず、穴が空いた状態となっている。そして、実施例2の液晶表示装置10Bにおいては、この第1電極19'が共通電極に対応する。更に、第1電極19'が形成された透明基板11の表面全体に亘り窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる電極間絶縁膜20を所定の厚さに形成する。この電極間絶縁膜20は、実施例1の場合と同様に、平坦化膜18を透明度が高いが耐熱性が良好ではない非感光性樹脂で形成した場合には、電極間絶縁膜の成膜時にかかる温度による平坦化膜材料の熱分解を避けるため、ゲート絶縁膜13やパッシベーション膜17の形成条件よりも穏やかな条件、いわゆる低温成膜条件で形成する。しかしながら、平坦化膜18をポリイミド及びエポキシ樹脂等の耐熱性が良好な樹脂で形成した場合には、電極間絶縁膜20の成膜温度を高温化することができ、従来のゲート絶縁膜13やパッシベーション膜17と近い形成条件で形成することができる。なお、この電極間絶縁膜20が本発明の液晶表示装置における第2絶縁膜に対応する。
次いで、このフォトレジスト層30をマスクとして、エッチングガスとして、SF6、CF4に代表されるフッ素系のガスを使用してプラズマエッチングを行って、露出している電極間絶縁膜20をエッチングして除去する。このフッ素系のエッチングガスを使用し、窒化ケイ素ないし酸化ケイ素等のケイ素系の化合物は選択的にエッチングされ、ITOないしIZOからなる第1電極19'及び平坦化膜18はエッチングされないエッチング条件を選択する。この第5工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図7(b)にそれぞれ示す。
次いで、エッチングガスを酸素ベースのガスに代えて同様にプラズマエッチングを行うと、電極間絶縁膜20はエッチングされず、平坦化膜18がエッチングされると共にフォトレジスト層30はアッシングされて除去される。このプラズマエッチングにより、ドレイン電極Dの表面及びコモン配線16の表面に形成されていた平坦化膜18は除去され、ドレイン電極Dの表面及びコモン配線16の表面が露出する。このプラズマエッチングに際しては、第1電極19及び電極間絶縁膜20は平坦化膜18のエッチング用のマスクとして作用するため。平坦化膜18のエッチング面はテーパ角度が従来よりも垂直に近くなる。この第6工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図7(c)にそれぞれ示す。
次いで、第6工程を経た透明基板11の表面全体にITOないしIZOからなる透明導電性材料を被覆する。そうすると、透明導電性材料は、第1のコンタクトホール21a側ではドレイン電極Dの表面を被覆し、第2コンタクトホール21b側では第1電極19及びコモン配線16の表面を被覆した状態となる。次いで、フォトリソフラフィー法及びエッチング法によって、図12に示したように、複数の走査線12及び信号線15で区画された領域に対応する位置毎に第2電極22'を形成すると共に、この第2電極22'にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット24を形成する。また、第2コンタクトホール21b側では第2電極22'が平坦化膜18の側面及びパッシベーション膜17の表面を延在してコモン配線16の表面を被覆するようにパターン化すると共に、電極間絶縁膜20の表面において、第1電極19'と第2電極22'との間を電気的に切り離すためのスリット24aを形成する。そうすると、第1電極19'は、第2電極22'と電気的に絶縁された状態となると共に、透明導電性層からなる導電路22'aによってコモン配線16と電気的に接続された状態となる。この後、第2電極22'側の表面全体に配向膜(図示せず)を設けることにより実施例2の液晶表示装置10Bのアレイ基板が完成される。この第7工程を経た後のTFT部分の断面図及びコモン配線部分の断面図を図7(d)にそれぞれ示す。
以下において、本発明の液晶表示装置の効果の確認及び独自の構成を示すために、従来例の平坦化膜として感光性樹脂からなるものを使用した液晶表示装置10Cの構成を図8A及び図8Bを用いて製造工程順に説明する。なお、図8A及び図8Bに示した比較例の液晶表示装置10Cは、第1電極を画素電極として使用し、第2電極を共通電極として使用したものであって、本発明の実施例1の液晶表示装置10Aに対応するものである。そして、比較例の図8A及び図8Bはそれぞれ実施例1の図5(g)のTFT部分及びコモン配線部分に対応する部分の構成を示す。また、図8A及び図8Bにおいては、図1〜図5に示した構成と同一の部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
Claims (5)
- 液晶層を挟持した一対の透明基板を備え、前記一対の透明基板のうちの一方の前記液晶層側には、表示領域にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記表示領域の周縁部に沿って形成されたコモン配線と、前記スイッチング素子及び前記コモン配線の表面を被覆する第1絶縁膜と、前記表示領域の全体に亘って形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の表面に形成された透明導電性材料からなる第1電極と、前記第1電極上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成され、複数のスリットが形成された透明導電性材料からなる第2電極と、を有する液晶表示装置において、
前記表示領域の周縁部に沿って形成された前記コモン配線が前記第2絶縁膜で被覆されておらず、前記第1電極は前記第2電極と同材質の導電路によって前記スイッチング素子又は前記コモン配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1電極は、前記複数の走査線及び信号線で区画された領域毎に形成され、前記平坦化膜及び前記第1絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記導電路によって前記スイッチング素子に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記表示領域の周縁部で前記第1絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記コモン配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第2電極は、前記複数の走査線及び信号線で区画された領域毎に形成され、前記第2絶縁膜、前記平坦化膜及び前記第1絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続され、
前記第1電極は、前記表示領域の周縁部で前記第1絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記導電路によって前記コモン配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記平坦化膜は、非感光性樹脂からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 液晶表示装置の製造方法であって、
(1)表示領域にマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記表示領域の周縁部に沿って形成されたコモン配線と、少なくとも前記走査線、前記信号線、前記スイッチング素子及び前記コモン配線の表面を被覆する第1絶縁膜を備える第1の透明基板を用意する工程、
(2)前記第1絶縁膜の表面を前記スイッチング素子及び前記コモン配線の一部が露出するようにエッチングしてそれぞれ第1及び第2のコンタクトホールを形成する工程、
(3)前記(2)の工程を経た前記第1の透明基板の少なくとも前記表示領域の全体に亘って非感光性樹脂からなる平坦化膜を形成する工程、
(4)前記平坦化膜の表面に所定のパターンで透明導電性材料からなる第1電極を形成した後、前記第1の透明基板の表面全体に亘って第2絶縁膜を形成する工程、
(5)前記第2絶縁膜の表面にフォトレジスト層を、平面視で、前記第1電極の一部及び前記第1のコンタクトホール及びその周囲を被覆する前記第2絶縁膜が露出すると共に、前記第2のコンタクトホール及びその周囲を被覆する前記第2絶縁膜が露出するように、形成する工程、
(6)第1のエッチングガスを用いて露出している前記第2絶縁膜をエッチングした後、第2のエッチングガスを用いて前記フォトレジスト層を除去すると共に前記第1及び第2のコンタクトホール及びその周囲を被覆する前記平坦化膜を除去する工程、
(7)前記(6)の工程で得られた透明基板の表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成した後、所定パターンにエッチングすることによって、前記第1電極及び第2電極のいずれか一方側を前記複数の走査線及び信号線で区画された領域毎に前記第1のコンタクトホールを経て前記スイッチング素子に電気的に接続すると共に、前記第1電極及び前記第2電極のうちの他方側を前記表示領域の周縁部で前記第1絶縁膜の表面を経て前記コモン配線に電気的に接続する工程、
(8)前記(7)の工程で得られた第1の透明基板の表面に第2の透明基板を所定距離隔てて対向配置させて貼り合わせ、前記第1及び第2の透明基板間に液晶を封入する工程、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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