CN208908224U - 一种显示基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示器件中，膜层的段差较大，容易对显示器件的生产良率造成影响的问题。所述显示基板包括膜层，所述膜层上设置有膜层过孔，所述显示基板还包括：设置在所述膜层过孔的边缘，包围所述膜层过孔的阻挡结构。本实用新型提供的显示基板用于显示。

Description

一种显示基板、显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置。

背景技术

目前，为了保证显示器件的工作性能，一般会在显示器件中制作用于平整基板上因各种不同层图案所造成的面内段差的平坦化层，但由于该平坦化层的厚度较厚，使得在平坦化层上制作过孔时，该过孔处将产生较大的段差，这样在后续制作其它膜层时，在过孔处容易产生不良，对显示器件的生产良率产生影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于解决现有的显示器件中，膜层的段差较大，容易对显示器件的生产良率造成影响的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本实用新型的第一方面提供一种显示基板，包括膜层，所述膜层上设置有膜层过孔，所述显示基板还包括：设置在所述膜层过孔的边缘，包围所述膜层过孔的阻挡结构。

可选的，所述阻挡结构包括至少一圈凹槽。

可选的，当所述阻挡结构包括多圈凹槽时，所述多圈凹槽依次嵌套设置。

可选的，位于最内部的所述凹槽在垂直于其自身延伸方向上与所述膜层过孔之间的距离大于等于0.8μm，且小于等于1.2μm。

可选的，所述凹槽在垂直于所述显示基板的衬底基板上的深度大于等于0.2μm，且小于等于0.4μm，所述凹槽在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。

可选的，所述阻挡结构包括至少一圈挡墙图形。

可选的，所述挡墙图形与所述膜层为一体结构。

可选的，当所述阻挡结构包括多圈挡墙图形时，所述多圈挡墙图形依次嵌套设置。

可选的，所述挡墙图形在垂直于所述显示基板的衬底基板上的高度大于等于0.3μm，且小于等于0.5μm，所述挡墙图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。

可选的，所述膜层包括有机膜层。

基于上述显示基板的技术方案，本实用新型的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。

本实用新型提供的技术方案中，在显示基板中的膜层过孔的边缘设置了能够包围该膜层过孔的阻挡结构，使得在后续制作位于膜层上的其它膜层时，形成在其它膜层上的光刻胶不会从膜层过孔的边缘向膜层过孔中大量流入，保证了位于膜层过孔中的光刻胶的厚度与位于膜层过孔外的光刻胶的厚度基本相同，这样在后续对光刻胶进行曝光、显影时，膜层过孔的内部就不会残留光刻胶，相应的在进行刻蚀工艺后，膜层过孔中也不会残留其它膜层材料，从而很好的保证了显示基板的生产良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为相关技术中制作的显示基板的结构示意图；

图2-图4为相关技术中制作显示基板的流程图；

图5为本实用新型实施例提供的包括挡墙图形的显示基板的结构示意图；

图6为图5中挡墙图形的俯视示意图；

图7为本实用新型实施例提供的包括凹槽的显示基板的结构示意图；

图8为图7中的凹槽的俯视示意图。

具体实施方式

为了进一步说明本实用新型实施例提供的显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

当在显示基板中引入有机膜层，并将该有机膜层作为平坦化层时，显示基板的制作过程一般如下：

如图1所示，先在衬底基板1上依次形成栅极层11、栅极绝缘层12、数据线层13、缓冲层14，然后在缓冲层14上继续形成有机膜层10，在有机膜层10上形成第一过孔，该第一过孔在衬底基板1上的正投影位于数据线层13在衬底基板1上的正投影的内部，接着在有机膜层10上依次形成第一透明电极层15，钝化层16和第二透明电极层17。需要说明，上述第一透明电极层15可选为公共电极层，上述第二透明电极层17可选为像素电极层，但不仅限于此。

如图2～4所示，上述形成第一透明电极层15的步骤主要包括：先在有机膜层10上形成覆盖有机膜层10和第一过孔的透明薄膜，然后在透明薄膜上形成光刻胶20，由于第一过孔处形成了较大的段差，使得大量的光刻胶20流入到第一过孔中，导致第一过孔中的光刻胶20的厚度H2大于第一过孔外的光刻胶20的厚度H1；接着对光刻胶20进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶保留区域对应第一透明电极层15所在的区域，光刻胶去除区域对应其它区域，由于上述H2大于H1，因此在对光刻胶20进行曝光、显影时，第一过孔中的光刻胶20会产生残留(如图3中的箭头所指)；最后进行刻蚀工艺，将位于光刻胶去除区域的透明薄膜去除，而由于第一过孔所在的区域对应光刻胶去除区域，且第一过孔中存在残留的光刻胶20，因此导致在进行刻蚀工艺时，位于第一过孔中的被残留的光刻胶20覆盖的透明薄膜将不会被去除，形成残留的透明薄膜(如图4中的箭头所指)。在进行刻蚀工艺后，即完成了第一透明电极层15的制作，该第一透明电极层15位于有机膜层10背向衬底基板1的一侧，且第一透明电极层15上形成有第二过孔，第二过孔在衬底基板1上的正投影包围第一过孔在衬底基板1上的正投影。

从上述第一透明电极层15的形成过程能够看出，由于有机膜层10的厚度较大，使得在有机膜层10上形成过孔时，过孔处的段差也较大，这样在有机膜层10上制作第一透明电极层15时，容易在第一过孔中产生透明薄膜的残留，导致出现数据线层13与第一透明电极层15短路的不良现象(即DCS不良现象)，这种DCS不良现象会使得数据线层13的信号无法正常传输到第二透明电极层17上，在将显示基板应用在液晶显示器件中时，将无法驱动液晶分子正常偏转，导致液晶显示器件显示故障。

根据上述分析，本实用新型的发明人发现，当在显示器件中形成较厚的膜层时，该较厚的膜层形成的过孔处会产生较大的段差，从而容易在该过孔中产生其它膜层材料的残留，导致显示器件的生产良率降低。为了解决上述问题，本实用新型提供如下技术方案。

本实用新型实施例提供了一种显示基板，如图5-图8所示，包括膜层(如有机膜层10)，膜层上设置有膜层过孔21，所述显示基板还包括：设置在膜层过孔21的边缘，包围膜层过孔21的阻挡结构(如挡墙图形18和凹槽19)。

具体地，在制作上述显示基板时，可在形成膜层的过程中，或在形成膜层之后，在膜层过孔21的边缘形成阻挡结构，该阻挡结构能够限制具有一定流动性的材料由膜层过孔21的边缘向膜层过孔21中流动。

根据上述显示基板的具体结构可知，本实用新型实施例提供的显示基板中，在膜层过孔21的边缘设置了能够包围该膜层过孔21的阻挡结构，使得在后续制作位于上述膜层上的其它膜层时，形成在其它膜层上的光刻胶20不会从膜层过孔21的边缘向膜层过孔21中大量流入，保证了位于膜层过孔21中的光刻胶20的厚度与位于膜层过孔21外的光刻胶20的厚度基本相同，这样在后续对光刻胶20进行曝光、显影时，膜层过孔21的内部就不会残留光刻胶20，相应的在进行刻蚀工艺后，膜层过孔21中也不会残留其它膜层材料，从而很好的保证了显示基板的生产良率。

值得注意，上述实施例提供的显示基板中的膜层种类多种多样，示例性的，可包括有机膜层10，当显示基板中包括有机膜层10时，该有机膜层10可作为显示基板中的平坦化层，由于有机膜层10本身具有低介电常数、高厚度和平坦化等优点，使得显示基板中的像素电极(如图5中的第二透明电极层17)与数据线层13之间的相互影响减弱，从而缩短了像素电极与数据线层之间预留的安全距离，这样在将显示基板与彩膜基板对盒形成显示面板时，设置在彩膜基板中的黑矩阵的面积缩小，从而有效提升显示面板的开口率。另外，采用了有机膜层10的显示基板，其内部产生的寄生电容也远远小于其它不采用有机膜层10的显示基板，因此更有利于显示基板的工作稳定性。

上述实施例提供的阻挡结构的具体结构多种多样，如图5和图6所示，在一些实施例中，上述阻挡结构包括至少一圈挡墙图形18。

具体地，可设置阻挡结构包括至少一圈挡墙图形18，这样位于膜层过孔21边缘的具有一定流动性的材料由于被挡墙图形18阻挡，将无法流到膜层过孔21的内部，从而很好的避免了在膜层过孔21内部大量堆积该材料，造成不良影响。

更进一步地，当阻挡结构包括一圈挡墙图形18时，可将该挡墙图形18设置在尽量靠近膜层过孔21的位置。更详细地说，以上述膜层包括有机膜层10，有机膜层10上需要形成第一透明电极层15为例，有机膜层10上形成有第一过孔，第一透明电极层15上形成有第二过孔，第二过孔在衬底基板1上的正投影包围第一过孔在衬底基板1上的正投影。设置阻挡结构包括一圈挡墙图形18，且该挡墙图形18设置在尽量靠近第一过孔的位置，能够使得在制作第一透明电极层15时，该第一透明电极层15可不必覆盖挡墙图形18，从而保证了第一透明电极层15的平整性。

在一些实施例中，可设置挡墙图形18与膜层为一体结构。

具体地，设置挡墙图形18与膜层为一体结构，能够实现在一次构图工艺中同时制作挡墙图形18和膜层，即不需要为了制作挡墙图形18而增加额外的构图工艺，从而简化了制作工艺流程，降低了生产成本。

下面以上述膜层包括有机膜层10，挡墙图形18与有机膜层10为一体结构为例，对挡墙图形18的制作过程进行详细说明。

先制作一整层有机薄膜，然后利用半色调掩膜板对该有机薄膜进行曝光，形成有机薄膜全保留区域、有机薄膜半保留区域和有机薄膜全去除区域，其中有机薄膜全保留区域对应挡墙图形18所在区域，有机薄膜半保留区域对应有机膜层10所在区域，有机薄膜全去除区域对应其它区域，接着对曝光后的有机薄膜进行显影，以将位于有机薄膜全去除区域的有机薄膜完全去除，将位于有机薄膜半保留区域的有机薄膜部分去除，从而形成有机膜层10和挡墙图形18。

在一些实施例中，可设置阻挡结构包括多圈挡墙图形18，当阻挡结构包括多圈挡墙图形18时，多圈挡墙图形18依次嵌套设置，且位于最内部的挡墙图形18包围膜层过孔21。

具体地，上述在膜层过孔21的边缘设置多圈挡墙图形18的结构，进一步提升了阻挡结构对阻挡材料由膜层过孔21的边缘向膜层过孔21内部流动的阻挡效果，从而更好的避免了在膜层过孔21内部大量堆积该材料，造成不良影响。

在一些实施例中，可设置挡墙图形18在垂直于显示基板的衬底基板1上的高度大于等于0.3μm，且小于等于0.5μm，挡墙图形18在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。更进一步地，可设置挡墙图形18在垂直于显示基板的衬底基板1上的高度为0.4μm，挡墙图形18在垂直于其自身延伸方向上的宽度为0.9μm。

具体地，将挡墙图形18设置为上述尺寸，使得挡墙图形18不仅能够实现良好的阻挡效果，而且其还占用了较小的空间，不会对显示基板的尺寸产生太大影响。

如图7和图8所示，上述实施例提供的阻挡结构还可以包括至少一圈凹槽19。

具体地，设置阻挡结构包括至少一圈凹槽19时，位于膜层过孔21边缘的具有一定流动性的材料就会向凹槽19中聚集，而不容易从膜层过孔21的边缘流向膜层过孔21内部，从而很好的避免了在膜层过孔21内部大量堆积该材料，造成不良影响。

下面以上述膜层包括有机膜层10，阻挡结构包括至少一圈凹槽19为例，对凹槽19的制作过程进行详细说明。

先制作一整层有机薄膜，然后利用半色调掩膜板对该有机薄膜进行曝光，形成有机薄膜全保留区域、有机薄膜半保留区域和有机薄膜全去除区域，其中有机薄膜全保留区域对应有机膜层10所在区域，有机薄膜半保留区域对应至少一圈凹槽19所在区域，有机薄膜全去除区域对应其它区域，接着对曝光后的有机薄膜进行显影，以将位于有机薄膜全去除区域的有机薄膜完全去除，将位于有机薄膜半保留区域的有机薄膜部分去除，从而形成有机膜层10和至少一圈凹槽19。

在制作上述凹槽19和有机膜层10时，由于有机膜层10与有机薄膜全保留区域对应，凹槽19与有机薄膜半保留区域对应，因此，即使形成的有机膜层10的面积较大，也能够保证其具有良好的厚度均匀性。

在一些实施例中，可设置阻挡结构包括多圈凹槽19，当阻挡结构包括多圈凹槽19时，多圈凹槽19依次嵌套设置，且位于最内部的凹槽19包围膜层过孔21。

具体地，上述在膜层过孔21的边缘设置多圈凹槽19的结构，进一步提升了阻挡结构限制材料由膜层过孔21的边缘向膜层过孔21内部流动的效果，从而更好的避免了在膜层过孔21内部大量堆积该材料，造成不良影响。

进一步地，可设置位于最内部的凹槽19在垂直于其自身延伸方向上与膜层过孔21之间的距离大于等于0.8μm，且小于等于1.2μm；凹槽19在垂直于显示基板的衬底基板1上的深度大于等于0.2μm，且小于等于0.4μm，凹槽19在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。在一些实施例中，可设置位于最内部的凹槽19在垂直于其自身延伸方向上与膜层过孔21之间的距离为1μm；凹槽19在垂直于显示基板的衬底基板1上的深度为0.3μm，凹槽19在垂直于其自身延伸方向上的宽度为0.9μm。

将阻挡结构包括的凹槽19按照上述数据设置，不仅能够更好的限制具有一定流动性的材料由膜层过孔21的边缘流向膜层过孔21内部，而且凹槽19占用的空间较小，不会对显示基板的尺寸产生太大影响。

为了更清楚的说明本实用新型实施例提供的显示基板的制作过程，下面给出一具体实施例。

步骤一，在衬底基板1上依次形成栅极层11、栅极绝缘层12、有源层、同层设置的源漏金属层和数据线层13，然后在源漏金属层和数据线层13上形成缓冲层14。

步骤二，在缓冲层13上采用涂覆工艺形成有机薄膜，利用半色调掩膜板对有机薄膜进行曝光，然后对曝光后的有机薄膜进行显影，同时形成阻挡结构和具有第一过孔的有机膜层10。

步骤三，在有机膜层10上沉积形成透明薄膜，然后在透明薄膜上形成光刻胶20，对光刻胶20进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，采用刻蚀工艺将位于光刻胶去除区域的透明薄膜去除，并将光刻胶保留区域的光刻胶剥离，形成第一透明电极层15和第二过孔，第二过孔在衬底基板1上的正投影包围第一过孔在衬底基板1上的正投影。

步骤四，继续在第一透明电极层15上形成钝化层16，该钝化层16覆盖第一透明电极层15、阻挡结构、第一过孔和第二过孔，对钝化层16和缓冲层14进行构图，在钝化层16中形成第三过孔，在缓冲层14中形成第四过孔，该第三过孔和第四过孔在垂直于衬底基板的方向上至少部分重叠，且第三过孔和第四过孔在衬底基板上的正投影均位于第一过孔在衬底基板上的正投影的内部。

步骤五，在钝化层16上制作第二透明电极层17，第二透明电极层17通过第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔与数据线层13电连接。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。

由于上述实施例提供的显示基板中，在膜层过孔21的边缘设置了能够包围该膜层过孔21的阻挡结构，从而使得在后续制作其它膜层时，形成在其它膜层上的光刻胶20不会从膜层过孔21的边缘向膜层过孔21中大量流入，保证了显示基板的生产良率，因此，本实用新型实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时，同样具有上述效果，此处不再赘述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示基板，包括膜层，所述膜层上设置有膜层过孔，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述膜层过孔的边缘，包围所述膜层过孔的阻挡结构。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括至少一圈凹槽。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，当所述阻挡结构包括多圈凹槽时，所述多圈凹槽依次嵌套设置。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，位于最内部的所述凹槽在垂直于其自身延伸方向上与所述膜层过孔之间的距离大于等于0.8μm，且小于等于1.2μm。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述显示基板的衬底基板上的深度大于等于0.2μm，且小于等于0.4μm，所述凹槽在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括至少一圈挡墙图形。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙图形与所述膜层为一体结构。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，当所述阻挡结构包括多圈挡墙图形时，所述多圈挡墙图形依次嵌套设置。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙图形在垂直于所述显示基板的衬底基板上的高度大于等于0.3μm，且小于等于0.5μm，所述挡墙图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度大于等于0.8μm，且小于等于1μm。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述膜层包括有机膜层。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～10中任一项所述的显示基板。