CN106233196B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。

Description

液晶显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示面板及其制造方法。
背景技术
为了提高液晶显示面板的开口率，已知有在薄膜晶体管(以下，称为TFT。)、栅极总线和源极总线上形成有机层间绝缘层，在有机层间绝缘层上形成像素电极的液晶显示面板(例如，专利文献1和2)。
为了具有广视野角特性，近年来的液晶显示面板广泛应用以垂直取向模式(VA模式)和边缘场开关模式(以下，称为FFS模式。)为代表的横电场模式(有时也称为“IPS模式”。)。在专利文献3中，公开有在有机层间绝缘层上设置有第一透明导电层、在第一透明导电层上形成的无机电介质层和在无机电介质层上形成的第二透明导电层的液晶显示面板。第二透明导电层例如为具有相互平行地延伸的多个直线部的像素电极。第二透明导电层典型地具有多个狭缝。第一透明导电层例如是没有狭缝等开口部的实心的共用电极(有时也称为“对置电极”。)。第一透明导电层、无机电介质层和第二透明导电层形成辅助电容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-152625号公报
专利文献2：日本特开2001-345023号公报
专利文献3：国际公开第2013/073143号
发明所要解决的问题
本发明的发明人制作了上述第二透明导电层/无机电介质层/第一透明导电层/有机层间绝缘层的层叠结构(该表述是指以第二透明导电层为最上层，按记载顺序表示下侧的层，有机层间绝缘层为最下层)的液晶显示面板，发现当长时间使用液晶显示面板时发生在液晶层产生气泡的问题。根据本发明的发明人的研究，该问题如后述那样为由于在有机层间绝缘层上形成无机电介质层而发生的新的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述的问题而完成的，用于抑制在有机层间绝缘层上具有无机电介质层的液晶显示面板中的气泡的产生。
用于解决问题的技术方案
本发明的实施方式的液晶显示面板包括：液晶层；以隔着上述液晶层彼此相对的方式配置的第一基板和第二基板；由上述第一基板支承的薄膜晶体管；覆盖上述薄膜晶体管的有机层间绝缘层；在上述有机层间绝缘层的表面的第一区域形成的第一透明导电层；和含有SiN的无机电介质层，其覆盖上述第一透明导电层，并且形成在上述有机层间绝缘层的上述表面的与上述第一区域不同的第二区域，上述有机层间绝缘层的上述表面的上述第一区域和上述第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
在一个实施方式中，上述第一透明导电层的表面的算术平均粗糙度Ra为3.75nm以上6.30nm以下。
在一个实施方式中，上述液晶显示面板在上述无机电介质层上具有第二透明导电层。
在一个实施方式中，在包含上述有机层间绝缘层具有的第一接触孔和上述无机电介质层具有的第二接触孔的接触孔内，上述第二透明导电层与上述薄膜晶体管的漏极电极连接，上述第一接触孔的内周面由上述无机电介质层覆盖。
在一个实施方式中，在包含上述有机层间绝缘层具有的第一接触孔和上述无机电介质层具有的第二接触孔的接触孔内，上述第二透明导电层与上述薄膜晶体管的漏极电极连接，从上述第一基板的法线方向看时，上述第一接触孔与上述第二接触孔相互交叉。
本发明的实施方式的具有液晶层和以隔着上述液晶层彼此相对的方式配置的第一基板和第二基板的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括：准备第一基板的工序；在上述第一基板上形成薄膜晶体管的工序；形成覆盖上述薄膜晶体管的有机层间绝缘层的工序；通过将上述有机层间绝缘层的表面灰化而形成算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下的第一区域和第二区域的工序；在上述有机层间绝缘层的上述第一区域形成第一透明导电层的工序；和利用CVD法形成覆盖上述第一透明导电层并且形成在上述有机层间绝缘层的上述表面的与上述第一区域不同的上述第二区域的含有SiN的无机电介质层的工序。
在一个实施方式中，上述灰化在含有氧的气体气氛下进行。
发明的效果
根据本发明的实施方式，能够提供抑制了液晶层中的气泡产生的液晶显示面板及这样的液晶显示面板的制造方法。
附图说明
图1(a)是本发明的实施方式的液晶显示面板具有的TFT基板100A的示意的俯视图，表示与一个像素(点)对应的结构，(b)是沿(a)中的1B-1B’线的示意的剖视图，(c)是沿(a)中的1C-1C’线的示意的剖视图。
图2(a)～(d)是表示利用原子力显微镜观察有机层间绝缘层24的表面时的像的图，(a)表示无灰化，(b)～(d)分别表示灰化时间为30秒、60秒、90秒的有机层间绝缘层24的表面的AFM像。
图3(a)～(d)是表示利用原子力显微镜观察辅助电容电极25的表面时的像的图，(a)表示无灰化，(b)～(d)分别表示灰化时间为30秒、60秒、90秒的辅助电容电极25的表面的AFM像，(e)表示TFT基板的剖面的SEM像。
图4(a)是本发明的实施方式的液晶显示面板具有的另一TFT基板100B的示意的俯视图，表示与一个像素(点)对应的结构。(b)是沿(a)中的4B-4B’线的示意的剖视图，(c)是沿(a)中的4C-4C’线的示意的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式的液晶显示面板及其制造方法。不过，本发明的实施方式的液晶显示面板及其制造方法并不限定于例示的方式。
图1(a)～(c)表示本发明的实施方式的液晶显示面板具有的TFT基板100A的示意的结构。另外，比较例的液晶显示面板具有的TFT基板除了有机层间绝缘层的表面粗糙度不在规定的范围这一点以外，具有与TFT基板100A相同的结构，因此在说明比较例的液晶显示面板时也参照图1(a)～(c)。
图1(a)是本发明的实施方式的液晶显示面板具有的TFT基板100A的示意的俯视图，表示与一个像素(点)对应的结构。图1(b)是沿图1(a)中的1B-1B’线的示意的剖视图，图1(c)是沿图1(a)中的1C-1C’线的示意的剖视图。
本发明的实施方式的液晶显示面板还具有以与TFT基板100A相对的方式配置的对置基板和设置在TFT基板100A与对置基板之间的液晶层，不过为了简化说明而省略图示。对置基板例如具有玻璃基板、在玻璃基板的液晶层侧形成的滤色片层和黑矩阵(遮光层)。在TFT基板100A和对置基板的与液晶层接触的表面，典型的是形成有取向膜。此外，在TFT基板100A和对置基板的外侧配置有偏光片、位相差片。本发明的实施方式的液晶显示面板例如是VA模式或FFS模式的液晶显示面板，TFT基板100A以外的构成要素与公知的液晶显示面板相同即可，这些构成要素因为本领域技术人员熟知而省略说明。公知的VA模式和FFS模式的液晶显示面板例如在专利文献3中有记载。作为参考，在本说明书中引用专利文献3的全部公开内容。以下，对VA模式的液晶显示面板中使用的TFT基板100A进行说明。
TFT基板100A具有：由基板(例如玻璃基板)11支承的TFT；覆盖TFT的有机层间绝缘层24；在有机层间绝缘层24的表面的第一区域形成的第一透明导电层25；和覆盖第一透明导电层25，且形成在有机层间绝缘层24的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层26，有机层间绝缘层24的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。在TFT基板100A中，将有机层间绝缘层24的表面中的第一透明导电层25直接接触的区域称为第一区域，将含有SiN的无机电介质层26直接接触的区域称为第二区域，有机层间绝缘层24的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra被控制为3.45nm以上5.20nm以下。典型的是，在形成有机层间绝缘层24之后，形成第一透明导电层25之前，将有机层间绝缘层24的整个表面在含有氧的气体气氛下进行灰化，由此将有机层间绝缘层24的整个表面的算术平均粗糙度Ra控制在上述的范围内。通过使有机层间绝缘层24的表面的算术平均粗糙度Ra处于上述的范围内，能够抑制在液晶层产生气泡。这在具有图4所示的TFT基板100B的本发明的实施方式的另一液晶显示面板也是同样的。
参照图1(a)～(c)，对TFT基板100A的结构和由此获得的上述优点进行说明。
TFT基板100A具有由基板11支承的底栅型的TFT。在基板11上形成有可省略的无机保护层12，在其上形成有栅极电极13和栅极总线13。此处，栅极电极13作为栅极总线13的一部分形成，因此，为了简化说明而标注相同的附图标记。在栅极电极13上形成有几乎覆盖基板11的整个面的栅极绝缘层14，以隔着栅极绝缘层14与栅极电极13相对的方式形成有半导体层16。在半导体层16上形成有源极电极18s和漏极电极18d，源极电极18s和漏极电极18d与半导体层16接触的区域分别成为源极区域和漏极区域，构成TFT。即，TFT包括栅极电极13、栅极绝缘层14、半导体层16、源极电极18s和漏极电极18d。源极总线18与源极电极18s由相同的导电膜(源极金属层)一体地形成。另外，TFT的结构并不限定于此，能够广泛地使用公知的TFT。
形成有覆盖TFT、栅极金属层(与栅极总线13相同的导电膜)和源极金属层的无机绝缘层22。在无机绝缘层22上形成有机层间绝缘层24。有机层间绝缘层24还作为平坦化膜发挥作用。有机层间绝缘层24的表面的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。在有机层间绝缘层24的表面形成有第一透明导电层25。此处例示的TFT基板100A是VA模式的液晶显示面板中使用的TFT基板100A，第一透明导电层25是辅助电容电极。辅助电容电极25典型的是在所有像素共用地设置，因此设置在TFT基板100A的几乎整个面。在辅助电容电极25，根据需要设置有开口部。
将覆盖辅助电容电极25的无机电介质层26形成在基板11的几乎整个面。无机电介质层26在有机层间绝缘层24的表面中的与形成辅助电容电极25的区域(第一区域)不同的区域(第二区域)，与有机层间绝缘层24直接接触。
在无机电介质层26上的规定的区域形成有第二透明导电层27。以下对第二透明导电层27为像素电极的情况进行说明。像素电极27、辅助电容电极25、位于像素电极27与辅助电容电极25之间的无机电介质层26形成辅助电容。辅助电容电极25被供给共用电压，该共用电压由设置在对置基板(以隔着液晶层与TFT基板100A相对的方式配置的基板)的对置电极供给。辅助电容电极25，因为是透明的，所以即使存在于像素区域内也不会对液晶显示面板的像素开口率造成影响。根据液晶显示面板所要求的辅助电容值，调整辅助电容电极25中的形成辅助电容的(即，中间隔着无机电介质层26地与像素电极27相对的)部分的面积。
像素电极27在接触孔28内与漏极电极18d接触。接触孔28包含在无机绝缘层22形成的接触孔22a、在有机层间绝缘层24形成的接触孔24a和在无机电介质层26形成的接触孔26a。有机层间绝缘层24的接触孔24a的内周面由无机电介质层26覆盖。在无机电介质层26上形成的像素电极27，也形成在覆盖接触孔24a的内周面的无机电介质层26上，且在无机电介质层26具有的接触孔26a内与漏极电极18d接触。
另外，在将TFT基板100A用于FFS模式的液晶显示面板的情况下，例如第一透明导电层25作为共用电极(对置电极)25发挥作用，在共用电极25与具有相互平行地延伸的多个直线部的像素电极27之间生成横电场(边缘电场)。此外，也可以与此相反，令第一透明导电层25为像素电极25，令第二透明导电层27为共用电极(对置电极)27。
此处，例示的TFT基板100A能够使用公知的材料利用公知的方法制造。
根据需要形成的无机保护层12能够与后述的栅极绝缘层14或无机绝缘层22同样地形成而得到。无机保护层12例如具有防止来自基板11的离子的扩散的功能。无机保护层12的厚度例如为50nm以上200nm以下。
作为栅极金属层的材料，能够使用铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金或者其氮化物。栅极金属层例如利用溅射法形成。利用光刻工艺将栅极金属层图案化，由此能够形成栅极电极13和栅极总线13。栅极金属层的厚度例如为100nm以上400nm以下。
作为栅极绝缘层14的材料，例如能够使用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy，x＞y)，氧氮化硅(SiNxOy，x＞y)等。栅极绝缘层14既可以为单层膜，也可以为层叠膜。栅极绝缘层14例如利用CVD法和/或溅射法形成。栅极绝缘层14的厚度例如为100nm以上500nm以下。
半导体层16例如为氧化物半导体层。氧化物半导体层例如包括In-Ga-Zn-O类的半导体(以下，简称为“In-Ga-Zn-O类半导体”)。此处，In-Ga-Zn-O类半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元类氧化物，In、Ga和Zn的比例(组成比)并无特别限定，例如包括In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。在本实施方式中，氧化物半导体层也可以为例如按In:Ga:Zn＝1:1:1的比例包含In、Ga、Zn的In-Ga-Zn-O类半导体层。
具有In-Ga-Zn-O类半导体层的TFT具有高的迁移率(与a-SiTFT相比超过20倍)和低的漏电流(与a-SiTFT相比不到100分之1)，因此优选用作驱动TFT和像素TFT。使用具有In-Ga-Zn-O类半导体层的TFT，能够大幅削减液晶显示面板的消耗电力。
In-Ga-Zn-O类半导体既可以为非晶，也可以包含结晶部分。作为结晶In-Ga-Zn-O类半导体，优选c轴与层面大致垂直地取向的结晶In-Ga-Zn-O类半导体。这样的In-Ga-Zn-O类半导体的结晶结构例如在日本特开2012-134475号公报中有公开。为了参考，在本说明书中援用日本特开2012-134475号公报的全部公开内容。
氧化物半导体层还可以代替In-Ga-Zn-O类半导体，包含其它氧化物半导体。例如Zn-O类半导体(ZnO)、In-Zn-O类半导体(IZO(注册商标))、Zn-Ti-O类半导体(ZTO)、Cd-Ge-O类半导体、Cd-Pb-O类半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O类半导体、In-Sn-Zn-O类半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O类半导体等。
半导体层16并不限定于氧化物半导体层，还可以使用非晶硅、多晶硅、微晶硅、连续粒界结晶硅等硅类材料。半导体层16的厚度例如为10nm以上100nm以下。
作为源极金属层的材料，能够使用铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属或其合金、或者其氮化物。源极金属层不仅能够为由上述材料形成的单层膜，也可以为由上述材料形成的层叠膜。源极金属层既可以透明，也可以使用例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO(注册商标)，以下称为InZnO类透明导电材料)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化钛等光透射性的导电材料形成源极金属层。此外，也可以将它们适当地组合使用。源极金属层例如利用溅射法形成。通过将源极金属层图案化，形成包含源极电极18s和漏极电极18d等的源极金属层。源极金属层的厚度例如为100nm以上400nm以下。
作为无机绝缘层22的材料，例如能够使用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy，x＞y)、氧氮化硅(SiNxOy，x＞y)等。无机绝缘层22既可以为单层膜，也可以为2层以上的层叠膜。无机绝缘层22例如利用CVD法形成。无机绝缘层22的厚度例如为150nm以上700nm以下。
作为有机层间绝缘层24的材料，例如能够使用感光性树脂材料。感光性树脂材料例如为正型的感光性树脂材料(例如，丙烯酸类树脂材料)。也能够使用负型的感光性树脂材料。利用涂敷法或印刷法，在无机绝缘层22上施加感光性树脂材料，之后使用光刻工艺进行感光性树脂材料的膜的图案化，由此形成具有接触孔24a的有机层间绝缘层24。在接触孔24a内，无机绝缘层22露出。有机层间绝缘层24的厚度例如为2μm以上4μm以下。然后，以有机层间绝缘层24为掩模对无机绝缘层22进行干蚀刻，由此在无机绝缘层22形成接触孔22a。在接触孔22a、24a内，漏极电极18d露出。
之后，在形成辅助电容电极25之前，将有机层间绝缘层24的表面灰化。通过灰化，使得有机层间绝缘层24的表面的算术平均粗糙度Ra成为3.45nm以上5.20nm以下。灰化优选在含氧的气体气氛下进行。例如，通过如在之后例示实验例具体说明的那样在RF功率2000W、压力30mTorr、氧流量50sccm、施加时间60s的条件下进行灰化，能够形成具有上述的规定的粗糙度的表面。当在含氧的气体气氛下进行时，被灰化的有机层间绝缘层24的表面被氧化，成为亲水性，与辅助电容电极25和无机电介质层26的紧贴性优异。
辅助电容电极25使用透明导电材料形成。作为透明导电材料，能够使用InZnO类透明导电材料、铟锡氧化物(ITO)等。辅助电容电极25例如通过使用光刻工艺将利用溅射法形成的透明导电材料的层图案化而形成。辅助电容电极25的厚度例如为50nm以上150nm以下。
例如，当如在之后例示实验例具体说明的那样，在算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下的有机层间绝缘层24的表面，使用InZnO类透明导电材料，在DC功率1W/cm2、氧分压5％、0.6Pa、沉积时间200s的条件下，沉积要成为辅助电容电极25的透明导电层时，获得具有算术平均粗糙度Ra为3.75nm以上6.30nm以下的表面的透明导电层。该透明导电层是具有柱状结构的非晶层，与有机层间绝缘层24的紧贴性优异。
无机电介质层26含有SiN，例如能够使用氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy，x＞y)、氧氮化硅(SiNxOy，x＞y)形成。此外，也可以将含有这些SiN的层与二氧化硅(SiO2)的层层叠。无机电介质层26的厚度例如为50nm以上400nm以下。
形成含有SiN的无机电介质层26的工序包括使用SiH4和NH3作为反应气体的CVD法的工序。根据本发明的发明人的研究，此时，SiH4和/或H2气体被取入到有机层间绝缘层24中，可知这是在液晶层产生的气泡的原因。
在本发明的实施方式的TFT100A的制造方法中，有机层间绝缘层24的与辅助电容电极25或无机电介质层26接触的区域的表面的算术平均粗糙度Ra被控制为3.45nm以上5.20nm以下，因此，能够抑制被取入到有机层间绝缘层24中的SiH4或H2气体在液晶显示面板的使用中从有机层间绝缘层24释放。
此处例示的TFT基板100A在无机电介质层26上具有像素电极27。像素电极27与辅助电容电极25同样使用透明导电材料形成。像素电极27以与在接触孔28(22a、24a、26a)内露出的漏极电极18d接触的方式形成，并且以具有规定的形状的方式被图案化。
之后，根据需要，以覆盖TFT基板100A的液晶层侧的表面的方式，在几乎整个面形成取向膜(未图示)，提供给液晶显示面板的组装工序。
本发明的发明人在上述的TFT基板100A的制造方法中省略将有机层间绝缘层24的表面灰化的工序，或使灰化时间(30秒、60秒、90秒)不同地制作了TFT基板。使用所制作的TFT基板，制作了液晶显示面板。根据灰化时间(秒)将所制作的TFT基板称为TFT基板(0)、TFT基板(30)、TFT基板(60)、TFT基板(90)，将使用这些TFT基板的液晶显示面板称为LCD(0)、LCD(30)、LCD(60)、LCD(90)。
具体而言，上述的TFT基板具有以下的结构。另外，省略了无机保护层12。
基板11：玻璃基板厚度0.7mm。
栅极金属层：W层/TaN层，厚度400nm(350nm/50nm)，溅射法。
栅极绝缘层14：SiO2层，厚度400nm，溅射法。
半导体层16：In-Ga-Zn-O类半导体层，厚度50nm，溅射法。
源极金属层：Ti/Al/Ti层，厚度400nm(100nm/200nm/100nm)，溅射法。
无机绝缘层22：SiO2层，厚度250nm，溅射法。
有机层间绝缘层24：正型丙烯酸树脂层，厚度2μm，后烘焙220℃，60分钟。
灰化条件：RF功率2000W，压力30mTorr(4Pa)，氧流量50sccm，施加时间60s。
辅助电容电极25：InZnO类透明导电层，厚度100nm，溅射法。
无机电介质层26：氮化硅(SiNx)层，厚度200nm，CVD法。
图2(a)～(d)表示TFT基板(0)、TFT基板(30)、TFT基板(60)、TFT基板(90)的制造过程中的、利用原子力显微镜(AFM，布鲁克AXS公司制，“NanoscopeV”)观察有机层间绝缘层24的表面而得到的像。各像的一个边为1μm。此外，通过AFM求得有机层间绝缘层24的表面的算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rq。结果在表1表示。
[表1]
灰化时间 0秒 30秒 60秒 90秒
算术平均粗糙度Ra(nm) 1.67 2.98 3.45 5.20
均方根粗糙度Rq(nm) 2.10 3.73 4.35 6.67
由图2(a)～(d)和表1的结果可知，随着灰化时间变长，表面粗糙度增加。
此外，图3(a)～(d)表示利用原子力显微镜观察TFT基板(0)、TFT基板(30)、TFT基板(60)、TFT基板(90)的制造过程中的辅助电容电极(第一透明导电层)25的表面而得到的像。各像的一个边为1μm。此外，通过AFM求得辅助电容电极25的表面的算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rq。结果在表2表示。
[表2]
灰化时间 0秒 30秒 60秒 90秒
算术平均粗糙度Ra(nm) 1.75 2.82 3.75 6.30
均方根粗糙度Rq(nm) 2.20 3.55 4.69 7.85
由图3(a)～(d)和表2的结果可知，越是在灰化时间长的有机层间绝缘层24上形成的辅助电容电极25，其表面粗糙度越增加。即，可知辅助电容电极25的表面粗糙度反映了其基底的有机层间绝缘层24的表面粗糙度。
此外，如从图3(e)所示的TFT基板(60)的剖面的SEM像(像中的满刻度为500nm)可知，构成辅助电容电极25的InZnO类透明导电层具有柱状结构。该InZnO类透明导电层为非晶，通过具有柱状结构，形成得致密，认为这有助于抑制被取入到有机层间绝缘层24中的SiH4和/或H2向液晶层漏出。
与上述方法同样地按各灰化时间制作了五个有机层间绝缘层24的灰化时间不同的TFT基板。对使用这些TFT基板制作的液晶显示面板(各五个)调查了保存在85℃85RH％的高温高湿环境中时的气泡的产生时间。其结果是，在灰化时间为30秒以下的LCD中，在136小时以内所有五个基板均产生了气泡，而在灰化时间为60秒以上的LCD中，到所有五个均产生气泡为止需要159小时。即，可知：通过令灰化时间为60秒以上，能够抑制气泡的产生。另外，当灰化时间超过90秒时，有机层间绝缘层24的膜损失变大，并且，表面的粗糙度变大。其结果是，存在第一透明导电层25的成品率降低的情况，因此优选灰化时间为90秒以下。
另外，当改变灰化的条件时，最佳的灰化时间当然也会改变。如参照上述表1和表2说明的那样，以使得有机层间绝缘层24的表面的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下的方式适当地调节灰化条件和/或时间即可。此外，在有机层间绝缘层24的表面上形成的透明导电层25优选以其表面的算术平均粗糙度Ra为3.75nm以上6.30nm以下的方式成膜。
另外，此处，对于有机层间绝缘层24和形成在有机层间绝缘层24的表面上的透明导电层25的表面粗糙度，使用了算术平均粗糙度Ra(nm)作为特征参数，但是，也能够使用均方根粗糙度Rq(nm)来代替。即，有机层间绝缘层24的表面的均方根粗糙度Rq为4.35nm以上6.67nm以下，透明导电层25的表面的均方根粗糙度Rq为4.69nm以上7.85nm以下。
图4(a)～(c)表示本发明的实施方式的液晶显示面板具有的另一TFT基板100B的示意的结构。图4(a)是本发明的实施方式的液晶显示面板具有的另一TFT基板100B的示意的俯视图，表示与一个像素(点)第一的结构。图4(b)是沿图4(a)中的4B-4B’线的示意的剖视图，图4(c)是沿图4(a)中的4C-4C’线的示意的剖视图。
在TFT基板100B中，像素电极27在包含无机绝缘层22具有的接触孔22a、有机层间绝缘层24具有的接触孔24a和无机电介质层26具有的接触孔26a的接触孔28内，与薄膜晶体管的漏极电极18d连接，在从基板11的法线方向看时接触孔24a与接触孔26a相互交叉。TFT基板100B除了接触孔28的结构不同以外是与TFT基板100A实质上相同的结构，因此省略说明。
当如TFT基板100B那样，将长方形(除正方形以外)的接触孔24a与接触孔26a以相互交叉的方式配置时，能够使漏极电极18d的与像素电极27重叠配置的部分的面积变小，因此能够提高像素开口率。另外，接触孔22a与接触孔24a平行配置。
在上述说明中，作为使用VA模式的液晶显示面板的TFT基板，例示了在液晶层侧具有像素电极27、像素电极27具有多个狭缝的TFT基板，不过本发明的实施方式的液晶显示面板极中使用的TFT基板并不限定于此，还能够用于FFS模式的液晶显示面板。此外，本发明的实施方式的液晶显示面板还能够应用于VA模式以外的纵电场模式、FFS模式以外的横电场模式的液晶显示面板。
工业上的可利用性
本发明能够广泛应用于液晶显示面板。
附图标记的说明
11 基板
12 无机保护层
13 栅极电极、栅极总线
14 栅极绝缘层
16 半导体层
18 源极总线
18s 源极电极
18d 漏极电极
22 无机绝缘层
24 有机层间绝缘层
25 辅助电容电极(第一透明导电层)
26 无机电介质层
27 像素电极(第二透明导电层)
28 接触孔
100A、100B TFT基板。

Claims (7)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
液晶层；
以隔着所述液晶层彼此相对的方式配置的第一基板和第二基板；
由所述第一基板支承的薄膜晶体管；
覆盖所述薄膜晶体管的有机层间绝缘层；
在所述有机层间绝缘层的表面的第一区域形成的第一透明导电层；和
含有SiN的无机电介质层，其覆盖所述第一透明导电层，并且形成在所述有机层间绝缘层的所述表面的与所述第一区域不同的第二区域，
所述有机层间绝缘层的所述表面的所述第一区域和所述第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：
所述第一透明导电层的表面的算术平均粗糙度Ra为3.75nm以上6.30nm以下。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于：
在所述无机电介质层上具有第二透明导电层。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于：
在包含所述有机层间绝缘层具有的第一接触孔和所述无机电介质层具有的第二接触孔的接触孔内，所述第二透明导电层与所述薄膜晶体管的漏极电极连接，所述第一接触孔的内周面由所述无机电介质层覆盖。
5.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于：
在包含所述有机层间绝缘层具有的第一接触孔和所述无机电介质层具有的第二接触孔的接触孔内，所述第二透明导电层与所述薄膜晶体管的漏极电极连接，从所述第一基板的法线方向看时，所述第一接触孔与所述第二接触孔相互交叉。
6.一种液晶显示面板的制造方法，该液晶显示面板具有液晶层和以隔着所述液晶层彼此相对的方式配置的第一基板和第二基板，所述液晶显示面板的制造方法的特征在于，包括：
准备第一基板的工序；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管的工序；
形成覆盖所述薄膜晶体管的有机层间绝缘层的工序；
通过将所述有机层间绝缘层的表面灰化而形成算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下的第一区域和第二区域的工序；
在所述有机层间绝缘层的所述第一区域形成第一透明导电层的工序；和
利用CVD法形成覆盖所述第一透明导电层并且形成在所述有机层间绝缘层的所述表面的与所述第一区域不同的所述第二区域的含有SiN的无机电介质层的工序。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：
所述灰化在含有氧的气体气氛下进行。
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