JP2003307748A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ソース配線に発生した断線を容易に修復できる
構造を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】本発明は、基本的に横電界方式の液晶表示
装置に関する。この液晶表示装置では、ソース配線３と
共通電極５が一定の領域において重なり合う。そして、
共通電極５は、ソース配線３と重なり合う重なり領域外
に、少なくとも画素電極６との間で電界を生じさせる他
の共通電極５と当該重なり領域との接続を分離すること
ができる断線修復用分離領域５３１、５３２、５３３を
有するものである。
構造を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】本発明は、基本的に横電界方式の液晶表示
装置に関する。この液晶表示装置では、ソース配線３と
共通電極５が一定の領域において重なり合う。そして、
共通電極５は、ソース配線３と重なり合う重なり領域外
に、少なくとも画素電極６との間で電界を生じさせる他
の共通電極５と当該重なり領域との接続を分離すること
ができる断線修復用分離領域５３１、５３２、５３３を
有するものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線の断線の修復
を行うことが容易にできる液晶表示装置と、液晶表示装
置の配線の断線を修復することによる液晶表示装置の製
造方法に関する。
を行うことが容易にできる液晶表示装置と、液晶表示装
置の配線の断線を修復することによる液晶表示装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば特開平８−２５４７１２号
公報で開示されているように、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置において、液晶に印加する電界の方向を
基板に対して平行な方向とする横方向電界方式が、主に
超広視野角を得る手法として用いられている。この方式
を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラスト
の変化、階調レベルの反転がほとんど無くなることが明
らかにされている（参考文献：M.Oh-e, 他,Asia Displa
y'95,pp.577-580）。図６（ａ）は、従来の一般的な横
方向電界方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。そして、図６（ｂ）は、その一部を拡大した断面図
である。図において、１００はＴＦＴアレイ基板、２０
０はカラーフィルタ（ＣＦ）基板である。また、１は絶
縁性基板上に形成された複数本の走査信号線であるゲー
ト配線、２はゲート絶縁膜、３はソース配線、４はソー
ス配線３上に設けられた絶縁膜、５ａ、５ｂはゲート配
線１と同層に設けられた共通電極である。特に、この例
では、共通電極５は、共通電極５ａ及び共通電極５ｂに
分離して配置されている。そのため、ソース配線に電圧
が印加された状態においては、その電圧によって電界Ｅ
が発生し、ＴＦＴアレイ基板１００とＣＦ基板２００の
間に設けられた液晶の配向状態を変えてしまう。このた
め、図６に示される構成では、結局図上Ｌ１で示される
幅が広く必要であり光の透過が制限されるため、開口率
が低くなるという問題点もあった。
公報で開示されているように、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置において、液晶に印加する電界の方向を
基板に対して平行な方向とする横方向電界方式が、主に
超広視野角を得る手法として用いられている。この方式
を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラスト
の変化、階調レベルの反転がほとんど無くなることが明
らかにされている（参考文献：M.Oh-e, 他,Asia Displa
y'95,pp.577-580）。図６（ａ）は、従来の一般的な横
方向電界方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図であ
る。そして、図６（ｂ）は、その一部を拡大した断面図
である。図において、１００はＴＦＴアレイ基板、２０
０はカラーフィルタ（ＣＦ）基板である。また、１は絶
縁性基板上に形成された複数本の走査信号線であるゲー
ト配線、２はゲート絶縁膜、３はソース配線、４はソー
ス配線３上に設けられた絶縁膜、５ａ、５ｂはゲート配
線１と同層に設けられた共通電極である。特に、この例
では、共通電極５は、共通電極５ａ及び共通電極５ｂに
分離して配置されている。そのため、ソース配線に電圧
が印加された状態においては、その電圧によって電界Ｅ
が発生し、ＴＦＴアレイ基板１００とＣＦ基板２００の
間に設けられた液晶の配向状態を変えてしまう。このた
め、図６に示される構成では、結局図上Ｌ１で示される
幅が広く必要であり光の透過が制限されるため、開口率
が低くなるという問題点もあった。
【０００３】このような問題点を解決するために、図７
（ａ）及び図７（ｂ）に示す構造が提案されている。こ
の構造では、共通電極５がソース配線３を覆い、両者が
重なり合うように配置されている。このような構成によ
れば、ソース配線３から発生する電界が共通電極５によ
って遮られるため、液晶まで及ばず、液晶の配向状態の
変化を低減することができる。このため、光の透過を制
限する幅Ｌ２を短くでき、開口率を高くすることができ
る。
（ａ）及び図７（ｂ）に示す構造が提案されている。こ
の構造では、共通電極５がソース配線３を覆い、両者が
重なり合うように配置されている。このような構成によ
れば、ソース配線３から発生する電界が共通電極５によ
って遮られるため、液晶まで及ばず、液晶の配向状態の
変化を低減することができる。このため、光の透過を制
限する幅Ｌ２を短くでき、開口率を高くすることができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般的に液晶表示装置
では、ソース配線がある確率で断線し、歩留低下の原因
となる。同じように図７に示される構造でも、ソース配
線３に断線が生じる可能性がある。ここで、ある配線に
断線が生じた場合、レーザによって上層の配線との間に
短絡を発生させ、断線を修復する方法が特開平９−１１
３９３０号公報に開示されている。しかしながら、ソー
ス配線３と共通電極５とは、ソース信号が共通電極５上
を流れることになるため、両者を短絡させることはでき
ない。
では、ソース配線がある確率で断線し、歩留低下の原因
となる。同じように図７に示される構造でも、ソース配
線３に断線が生じる可能性がある。ここで、ある配線に
断線が生じた場合、レーザによって上層の配線との間に
短絡を発生させ、断線を修復する方法が特開平９−１１
３９３０号公報に開示されている。しかしながら、ソー
ス配線３と共通電極５とは、ソース信号が共通電極５上
を流れることになるため、両者を短絡させることはでき
ない。
【０００５】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、ソース配線に発生した断線を容易
に修復できる構造を有し、修復を行った結果、表示に寄
与しなくなる領域が小さく、表示品位を低下させること
なく修復できる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
めになされたもので、ソース配線に発生した断線を容易
に修復できる構造を有し、修復を行った結果、表示に寄
与しなくなる領域が小さく、表示品位を低下させること
なく修復できる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる液晶表示
装置は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重
なり合う液晶表示装置であって、前記共通電極は、ソー
ス配線と重なり合う重なり領域外に、少なくとも画素電
極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり
領域との接続を分離することができる断線修復用分離領
域を有するものである。このような構成により、断線修
復用分離領域にレーザビームを照射することによって容
易に共通電極と重なり合ったソース配線の断線を修復す
ることができる。
装置は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重
なり合う液晶表示装置であって、前記共通電極は、ソー
ス配線と重なり合う重なり領域外に、少なくとも画素電
極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり
領域との接続を分離することができる断線修復用分離領
域を有するものである。このような構成により、断線修
復用分離領域にレーザビームを照射することによって容
易に共通電極と重なり合ったソース配線の断線を修復す
ることができる。
【０００７】ここで、前記共通電極と接続された共通容
量配線は、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせ
る他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離するこ
とができる断線修復用分離領域を有するものであっても
よい。このような構成により、共通容量配線と接続され
た共通電極を用いてソース配線の断線を修復することが
できる。
量配線は、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせ
る他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離するこ
とができる断線修復用分離領域を有するものであっても
よい。このような構成により、共通容量配線と接続され
た共通電極を用いてソース配線の断線を修復することが
できる。
【０００８】また、前記断線修復用分離領域は、当該ソ
ース配線を含む他の導電体と重なり合わない領域である
ことが望ましい。これにより、レーザービームによって
絶縁破壊を生じさせる可能性を低減することができる。
ース配線を含む他の導電体と重なり合わない領域である
ことが望ましい。これにより、レーザービームによって
絶縁破壊を生じさせる可能性を低減することができる。
【０００９】好ましい実施の形態における断線修復用分
離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に他の導電体
が存在しない領域である。さらに、確実にレーザービー
ムによる絶縁破壊を防止できる。
離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に他の導電体
が存在しない領域である。さらに、確実にレーザービー
ムによる絶縁破壊を防止できる。
【００１０】また、前記重なり領域における共通電極
は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンに
よって接続されていることが望ましい。これにより、複
数の電極パターンのうちの少なくとも一つの電極パター
ンにより隣接する画素の共通電極間を接続させた状態を
維持しつつ、ソース配線の断線を修復することができ
る。この結果、表示品位をほとんど低下させることなく
修復することができる。
は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンに
よって接続されていることが望ましい。これにより、複
数の電極パターンのうちの少なくとも一つの電極パター
ンにより隣接する画素の共通電極間を接続させた状態を
維持しつつ、ソース配線の断線を修復することができ
る。この結果、表示品位をほとんど低下させることなく
修復することができる。
【００１１】本発明にかかる液晶表示装置の製造方法
は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり
合うとともに、前記共通電極がソース配線と重なり合う
重なり領域外に少なくとも画素電極との間で電界を生じ
させる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離す
ることができる断線修復用分離領域を有する液晶表示装
置の製造方法であって、前記重なり領域におけるソース
配線に断線が生じた場合に、前記重なり領域において断
線部を挟み込む位置の前記共通電極と前記ソース電極を
導通状態にする導通ステップと、前記断線修復用分離領
域の共通電極を切断する切断ステップとを備えたもので
ある。このような方法により、容易に共通電極と重なり
合ったソース配線の断線を修復することができる。
は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり
合うとともに、前記共通電極がソース配線と重なり合う
重なり領域外に少なくとも画素電極との間で電界を生じ
させる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離す
ることができる断線修復用分離領域を有する液晶表示装
置の製造方法であって、前記重なり領域におけるソース
配線に断線が生じた場合に、前記重なり領域において断
線部を挟み込む位置の前記共通電極と前記ソース電極を
導通状態にする導通ステップと、前記断線修復用分離領
域の共通電極を切断する切断ステップとを備えたもので
ある。このような方法により、容易に共通電極と重なり
合ったソース配線の断線を修復することができる。
【００１２】ここで、前記導通ステップでは、レーザビ
ームを照射することにより前記共通電極と前記ソース電
極を導通状態にすることが望ましい。
ームを照射することにより前記共通電極と前記ソース電
極を導通状態にすることが望ましい。
【００１３】また、前記切断ステップでは、レーザビー
ムを照射することにより前記共通電極を切断するとよ
い。
ムを照射することにより前記共通電極を切断するとよ
い。
【００１４】さらに、前記重なり領域における共通電極
は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンに
よって接続されているとともに、前記切断ステップで
は、前記複数の電極パターンのうちのいずれか一つの電
極パターンを切断するとよい。これにより、隣接する画
素の共通電極間を接続させた状態を維持しつつ、ソース
配線の断線を修復することができる。
は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンに
よって接続されているとともに、前記切断ステップで
は、前記複数の電極パターンのうちのいずれか一つの電
極パターンを切断するとよい。これにより、隣接する画
素の共通電極間を接続させた状態を維持しつつ、ソース
配線の断線を修復することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．本発明にか
かる液晶表示装置は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す
構造を有している。さらに詳細には、一定の距離を隔て
一対のＣＦ基板とＴＦＴ基板とが対向配置されている。
そして、これらの基板間に液晶層が挟持されている。そ
して、基板のうちの一方の基板上に、互いに交差するゲ
ート配線及びソース配線が形成されている。さらに、ゲ
ート配線及びソース配線と接続された薄膜トランジスタ
等のスイッチング素子が形成されている。また、スイッ
チング素子には、ソース配線と平行に設けられた複数本
の電極よりなる櫛状の画素電極と、画素電極の複数本の
電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる
櫛状の共通電極が形成されている。この画素電極及び共
通電極間に電圧を印加することによって、基板面にほぼ
平行な電界を液晶層に印加している。
かる液晶表示装置は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す
構造を有している。さらに詳細には、一定の距離を隔て
一対のＣＦ基板とＴＦＴ基板とが対向配置されている。
そして、これらの基板間に液晶層が挟持されている。そ
して、基板のうちの一方の基板上に、互いに交差するゲ
ート配線及びソース配線が形成されている。さらに、ゲ
ート配線及びソース配線と接続された薄膜トランジスタ
等のスイッチング素子が形成されている。また、スイッ
チング素子には、ソース配線と平行に設けられた複数本
の電極よりなる櫛状の画素電極と、画素電極の複数本の
電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる
櫛状の共通電極が形成されている。この画素電極及び共
通電極間に電圧を印加することによって、基板面にほぼ
平行な電界を液晶層に印加している。
【００１６】図１は、本発明にかかる液晶表示装置にお
いて、複数の画素部を拡大した図である。図において、
図６、７と同じ符号を付した構成は、図６、７で説明し
た構成と同じ又は同等のものであり説明を省略する。
いて、複数の画素部を拡大した図である。図において、
図６、７と同じ符号を付した構成は、図６、７で説明し
た構成と同じ又は同等のものであり説明を省略する。
【００１７】図１において、３はソース配線であり、一
画素の端部において、後述の共通電極５と画素電極６の
間に生じる電界の方向とほぼ垂直方向に延在している。
このソース配線３の膜厚は、例えば、４００ｎｍ〜５０
０ｎｍである。５は後述の画素電極６の複数本の電極と
平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の
共通電極であり、対向電極とも呼ばれる。この共通電極
５の膜厚は、例えば１００ｎｍである。６は薄膜トラン
ジスタに接続され、ソース配線３と平行に設けられた複
数本の電極より構成された櫛状の画素電極であり、クロ
ム（Ｃｒ）等の金属やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の
透明性導電膜により形成されている。７はクロム（Ｃ
ｒ）等の金属よりなる共通容量配線であり、スルーホー
ルを介して共通電極５と接続されている。この例では、
ソース配線３、共通電極５、画素電極６は、中央部にお
いて１回屈曲している。そして、この屈曲点は、共通容
量配線部７に設けられている。このように、屈曲した電
極構成により、２方向の液晶の駆動方向を得ることがで
き、横電界方式の液晶パネルで特定方向におこる視角特
性の悪化を改善することができる。
画素の端部において、後述の共通電極５と画素電極６の
間に生じる電界の方向とほぼ垂直方向に延在している。
このソース配線３の膜厚は、例えば、４００ｎｍ〜５０
０ｎｍである。５は後述の画素電極６の複数本の電極と
平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の
共通電極であり、対向電極とも呼ばれる。この共通電極
５の膜厚は、例えば１００ｎｍである。６は薄膜トラン
ジスタに接続され、ソース配線３と平行に設けられた複
数本の電極より構成された櫛状の画素電極であり、クロ
ム（Ｃｒ）等の金属やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の
透明性導電膜により形成されている。７はクロム（Ｃ
ｒ）等の金属よりなる共通容量配線であり、スルーホー
ルを介して共通電極５と接続されている。この例では、
ソース配線３、共通電極５、画素電極６は、中央部にお
いて１回屈曲している。そして、この屈曲点は、共通容
量配線部７に設けられている。このように、屈曲した電
極構成により、２方向の液晶の駆動方向を得ることがで
き、横電界方式の液晶パネルで特定方向におこる視角特
性の悪化を改善することができる。
【００１８】図１に示されるように、電界の生じる方向
である、横方向に隣接する画素間に設けられたソース配
線３と共通電極５は互いにオーバーラップしている。換
言すると、ソース配線３上に絶縁膜４を介して共通電極
５がソース配線３を包みこむようにして重なり合って設
けられている。
である、横方向に隣接する画素間に設けられたソース配
線３と共通電極５は互いにオーバーラップしている。換
言すると、ソース配線３上に絶縁膜４を介して共通電極
５がソース配線３を包みこむようにして重なり合って設
けられている。
【００１９】図１に示される構造において、ソース配線
３上の領域３１に断線が生じた場合について説明する。
この領域３１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５
とソース電極３の重なり部分の一領域である。この場合
には、まず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及
び領域５２にレーザによりレーザビームを照射する。こ
こで、領域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共
通電極５とソース電極３の重なり部分の一領域であっ
て、領域３１を挟み込む位置の領域である。このレーザ
には、例えば、ＹＡＧレーザやエキシマレーザが用いら
れる。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２
の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線
３と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。この
ような断線の修正は、例えば、アレイ検査工程後又はパ
ネル検査工程後に実行される。
３上の領域３１に断線が生じた場合について説明する。
この領域３１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５
とソース電極３の重なり部分の一領域である。この場合
には、まず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及
び領域５２にレーザによりレーザビームを照射する。こ
こで、領域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共
通電極５とソース電極３の重なり部分の一領域であっ
て、領域３１を挟み込む位置の領域である。このレーザ
には、例えば、ＹＡＧレーザやエキシマレーザが用いら
れる。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２
の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線
３と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。この
ような断線の修正は、例えば、アレイ検査工程後又はパ
ネル検査工程後に実行される。
【００２０】図２に断線が生じた部分の断面図を示す。
前述のように、この例にかかるＴＦＴアレイ基板では、
絶縁膜２上にソース配線３、絶縁膜４、共通電極５が積
層されている。ここで、絶縁膜４は、例えば２回にわた
って成膜され、第１の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３
００ｎｍ、第２の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３００
ｎｍである。
前述のように、この例にかかるＴＦＴアレイ基板では、
絶縁膜２上にソース配線３、絶縁膜４、共通電極５が積
層されている。ここで、絶縁膜４は、例えば２回にわた
って成膜され、第１の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３
００ｎｍ、第２の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３００
ｎｍである。
【００２１】この例では、図２（ａ）に示されるよう
に、ソース配線３の領域３１に断線が生じている。図２
（ａ）で示される構造において、レーザを用いて共通電
極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜
４を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加
工すると、図２（ｂ）に示す構造に加工される。図２
（ｂ）に示す構造では、断線したソース配線３は、溶融
金属５１、共通電極５、溶融金属５２というバイパス経
路を介して、ソース信号が印加される。
に、ソース配線３の領域３１に断線が生じている。図２
（ａ）で示される構造において、レーザを用いて共通電
極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜
４を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加
工すると、図２（ｂ）に示す構造に加工される。図２
（ｂ）に示す構造では、断線したソース配線３は、溶融
金属５１、共通電極５、溶融金属５２というバイパス経
路を介して、ソース信号が印加される。
【００２２】次に、レーザを用いて図１に示す共通電極
５の領域５３１、領域５３２及び領域５３３にレーザビ
ームを照射する。そして、これらの領域５３１、領域５
３２及び領域５３３の共通電極５を切断する。これらの
領域５３１、領域５３２及び領域５３３は、断線修復用
分離領域として機能する。ここで、領域５３１は、横方
向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重な
り部分と、横方向に延在する共通電極５とを切り離すこ
とができる領域である。領域５３２は、さらに横方向に
隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部
分と、領域５３１とは反対側の横方向に延在する共通電
極５とを切り離すことができる領域である。領域５３３
は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極
３の重なり部分と、横方向に延在し、共通容量配線７と
接続された共通電極５とを切り離すことができる領域で
ある。これによって、領域５１及び領域５２のレーザビ
ームの照射によってソース電極３と導通状態に加工され
た部分の共通電極５を、少なくとも画素電極６との間で
電界を生じさせる他の共通電極５と電気的に分離するこ
とができる。そのために、共通電極５の領域５３１、領
域５３２及び領域５３３、即ち断線修復用分離領域の下
方には、ソース電極３等の導電体が設けられていない。
このような構造を有するのでレーザビームを照射しても
他の導電体と導通状態になることがない。この断線修復
用分離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に共通電
極と異なる電位を供給する他の導電体が存在しない領域
であることが好ましい。
５の領域５３１、領域５３２及び領域５３３にレーザビ
ームを照射する。そして、これらの領域５３１、領域５
３２及び領域５３３の共通電極５を切断する。これらの
領域５３１、領域５３２及び領域５３３は、断線修復用
分離領域として機能する。ここで、領域５３１は、横方
向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重な
り部分と、横方向に延在する共通電極５とを切り離すこ
とができる領域である。領域５３２は、さらに横方向に
隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部
分と、領域５３１とは反対側の横方向に延在する共通電
極５とを切り離すことができる領域である。領域５３３
は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極
３の重なり部分と、横方向に延在し、共通容量配線７と
接続された共通電極５とを切り離すことができる領域で
ある。これによって、領域５１及び領域５２のレーザビ
ームの照射によってソース電極３と導通状態に加工され
た部分の共通電極５を、少なくとも画素電極６との間で
電界を生じさせる他の共通電極５と電気的に分離するこ
とができる。そのために、共通電極５の領域５３１、領
域５３２及び領域５３３、即ち断線修復用分離領域の下
方には、ソース電極３等の導電体が設けられていない。
このような構造を有するのでレーザビームを照射しても
他の導電体と導通状態になることがない。この断線修復
用分離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に共通電
極と異なる電位を供給する他の導電体が存在しない領域
であることが好ましい。
【００２３】尚、共通電極５の領域５３１、領域５３２
及び領域５３３に照射するレーザビームは、領域５１及
び領域５２に照射するレーザビームと種類及び強度にお
いて同じであってもよいが、異なるものであってもよ
い。例えば、領域５３１、領域５３２及び領域５３３に
照射するレーザビームは、領域５１及び領域５２に照射
するレーザビームよりも低い強度としてもよい。
及び領域５３３に照射するレーザビームは、領域５１及
び領域５２に照射するレーザビームと種類及び強度にお
いて同じであってもよいが、異なるものであってもよ
い。例えば、領域５３１、領域５３２及び領域５３３に
照射するレーザビームは、領域５１及び領域５２に照射
するレーザビームよりも低い強度としてもよい。
【００２４】発明の実施の形態２．図３は、本発明にか
かる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図
である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであ
り、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
かる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図
である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであ
り、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
【００２５】図３に示される構造において、ソース配線
３上の領域３２に断線が生じた場合について説明する。
領域３２は、横方向に隣接する画素間のソース配線３で
あって、中央部において共通配線５と重なり合う領域で
ある。この場合には、まず、共通電極５側から共通電極
５の領域５１及び領域５２にレーザによりレーザビーム
を照射する。ここで、領域５１、５２は、横方向に隣接
する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部分の
一領域であって、領域３２を挟み込む位置の領域であ
る。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２の
金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３
と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。断線し
たソース配線３は、溶融金属５１、共通電極５、溶融金
属５２というバイパス経路を介して、ソース信号が印加
される。
３上の領域３２に断線が生じた場合について説明する。
領域３２は、横方向に隣接する画素間のソース配線３で
あって、中央部において共通配線５と重なり合う領域で
ある。この場合には、まず、共通電極５側から共通電極
５の領域５１及び領域５２にレーザによりレーザビーム
を照射する。ここで、領域５１、５２は、横方向に隣接
する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部分の
一領域であって、領域３２を挟み込む位置の領域であ
る。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２の
金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３
と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。断線し
たソース配線３は、溶融金属５１、共通電極５、溶融金
属５２というバイパス経路を介して、ソース信号が印加
される。
【００２６】次に、レーザを用いて図３に示す共通電極
５の領域５４１、領域５４２及び領域５４３と共通容量
配線７の領域７１、７２にレーザビームを照射する。こ
こで、領域５４１は、横方向に隣接する画素間の共通電
極５とソース電極３の重なり部分と、横方向に延在する
共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域
５４２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソー
ス電極３の重なり部分と、領域５３１とは反対側の横方
向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域
である。領域５４３は、横方向に隣接する画素間の共通
電極５とソース電極３の重なり部分と、横方向に延在
し、ゲート配線１を介して縦方向に延在する共通電極５
とを切り離すことができる領域である。領域７１は、横
方向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重
なり部分と共通容量配線７とを切り離すことができる領
域である。そして、これらの領域５４１、領域５４２及
び領域５４３の共通電極５と、共通容量配線７の領域７
１、７２を切断する。これによって、領域５１及び領域
５２のレーザビームの照射によってソース電極３と導通
状態に加工された部分の共通電極５を他の共通電極５や
共通容量配線７と電気的に分離することができる。その
ために、共通電極５の領域５４１、領域５４２及び領域
５４３と共通容量配線７の領域７１の下方には、ソース
電極３等の導電体が設けられていない。このような構造
を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導
通状態になることがない。
５の領域５４１、領域５４２及び領域５４３と共通容量
配線７の領域７１、７２にレーザビームを照射する。こ
こで、領域５４１は、横方向に隣接する画素間の共通電
極５とソース電極３の重なり部分と、横方向に延在する
共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域
５４２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソー
ス電極３の重なり部分と、領域５３１とは反対側の横方
向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域
である。領域５４３は、横方向に隣接する画素間の共通
電極５とソース電極３の重なり部分と、横方向に延在
し、ゲート配線１を介して縦方向に延在する共通電極５
とを切り離すことができる領域である。領域７１は、横
方向に隣接する画素間の共通電極５とソース電極３の重
なり部分と共通容量配線７とを切り離すことができる領
域である。そして、これらの領域５４１、領域５４２及
び領域５４３の共通電極５と、共通容量配線７の領域７
１、７２を切断する。これによって、領域５１及び領域
５２のレーザビームの照射によってソース電極３と導通
状態に加工された部分の共通電極５を他の共通電極５や
共通容量配線７と電気的に分離することができる。その
ために、共通電極５の領域５４１、領域５４２及び領域
５４３と共通容量配線７の領域７１の下方には、ソース
電極３等の導電体が設けられていない。このような構造
を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導
通状態になることがない。
【００２７】発明の実施の形態３．図４は、本発明にか
かる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図
である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであ
り、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
かる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図
である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであ
り、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
【００２８】図４に示される構造において、ソース配線
３上の領域３３に断線が生じた場合について説明する。
ここで、領域３３は、ソース配線３がスイッチング素子
の半導体膜と重なる部分の近傍である。即ち、領域３３
はスイッチング素子の近傍である。この場合には、ま
ず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及び領域５
２にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、領
域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５
とソース電極３の重なり部分の一領域であって、領域３
３を挟み込む位置の領域である。これにより、共通電極
５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４
を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加工
する。断線したソース配線３は、溶融金属５１、共通電
極５、溶融金属５２というバイパス経路を介して、ソー
ス信号が印加される。
３上の領域３３に断線が生じた場合について説明する。
ここで、領域３３は、ソース配線３がスイッチング素子
の半導体膜と重なる部分の近傍である。即ち、領域３３
はスイッチング素子の近傍である。この場合には、ま
ず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及び領域５
２にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、領
域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５
とソース電極３の重なり部分の一領域であって、領域３
３を挟み込む位置の領域である。これにより、共通電極
５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４
を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加工
する。断線したソース配線３は、溶融金属５１、共通電
極５、溶融金属５２というバイパス経路を介して、ソー
ス信号が印加される。
【００２９】次に、レーザを用いて図４に示す共通電極
５の領域５５１、領域５５２、領域５５３、領域５５４
及び領域５５５にレーザビームを照射する。ここで、領
域５５１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソ
ース電極３の重なり部分と、共通容量配線７と接続され
た共通電極５とを切り離すことができる領域である。領
域５５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソ
ース電極３の重なり部分と、他の共通電極５を切り離す
ことができる領域である。領域５５３は、横方向に隣接
する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部分
と、他の共通電極５を切り離すことができる領域であ
る。領域５５４は、横方向に隣接する画素間の共通電極
５とソース電極３の重なり部分と、領域５５３側とは反
対の共通電極５を切り離すことができる領域である。領
域５５５は、領域５２のある共通電極５を他の共通電極
５と切り離すことができる領域である。そして、これら
の領域５５１乃至５５５の共通電極５を切断する。これ
によって、領域５１及び領域５２のレーザビームの照射
によってソース電極３と導通状態に加工された部分の共
通電極５を他の共通電極５と電気的に分離することがで
きる。そのために、共通電極５の領域５５１乃至５５５
の下方には、ソース電極３等の導電体が設けられていな
い。このような構造を有するのでレーザビームを照射し
ても他の導電体と導通状態になることがない。
５の領域５５１、領域５５２、領域５５３、領域５５４
及び領域５５５にレーザビームを照射する。ここで、領
域５５１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソ
ース電極３の重なり部分と、共通容量配線７と接続され
た共通電極５とを切り離すことができる領域である。領
域５５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソ
ース電極３の重なり部分と、他の共通電極５を切り離す
ことができる領域である。領域５５３は、横方向に隣接
する画素間の共通電極５とソース電極３の重なり部分
と、他の共通電極５を切り離すことができる領域であ
る。領域５５４は、横方向に隣接する画素間の共通電極
５とソース電極３の重なり部分と、領域５５３側とは反
対の共通電極５を切り離すことができる領域である。領
域５５５は、領域５２のある共通電極５を他の共通電極
５と切り離すことができる領域である。そして、これら
の領域５５１乃至５５５の共通電極５を切断する。これ
によって、領域５１及び領域５２のレーザビームの照射
によってソース電極３と導通状態に加工された部分の共
通電極５を他の共通電極５と電気的に分離することがで
きる。そのために、共通電極５の領域５５１乃至５５５
の下方には、ソース電極３等の導電体が設けられていな
い。このような構造を有するのでレーザビームを照射し
ても他の導電体と導通状態になることがない。
【００３０】尚、本例では、縦方向（共通電極５と画素
電極６との間に発生する電界とほぼ垂直方向）に隣接す
る画素間、即ち、ゲート配線１を境とする画素間の共通
電極５間を２本の電極パターン５０１、５０２によって
接続している。レーザビームによって切断する領域５５
２及び領域５５３は、電極パターン５０１が突出する部
分と電極パターン５０２が突出する部分の間の共通電極
５に設けられている。そのため、領域５５２及び領域５
５３を切断したとしても、縦方向に隣接する画素間の共
通電極５は、一方の電極パターン５０１によって接続状
態が維持される。従って、図に示す領域Ａが欠陥領域と
なることを防げる。
電極６との間に発生する電界とほぼ垂直方向）に隣接す
る画素間、即ち、ゲート配線１を境とする画素間の共通
電極５間を２本の電極パターン５０１、５０２によって
接続している。レーザビームによって切断する領域５５
２及び領域５５３は、電極パターン５０１が突出する部
分と電極パターン５０２が突出する部分の間の共通電極
５に設けられている。そのため、領域５５２及び領域５
５３を切断したとしても、縦方向に隣接する画素間の共
通電極５は、一方の電極パターン５０１によって接続状
態が維持される。従って、図に示す領域Ａが欠陥領域と
なることを防げる。
【００３１】尚、電極パターン５０１、５０２は、２本
でなくとも、３本以上の複数本であってもよい。以上の
実施例は、画素単位につき１回屈曲させる場合を示した
が、２回以上、あるいは屈曲させない場合に用いてもよ
い。また、画素電極と共通電極を屈曲させ、ソース配線
を屈曲させない場合にも同様に用いられる。
でなくとも、３本以上の複数本であってもよい。以上の
実施例は、画素単位につき１回屈曲させる場合を示した
が、２回以上、あるいは屈曲させない場合に用いてもよ
い。また、画素電極と共通電極を屈曲させ、ソース配線
を屈曲させない場合にも同様に用いられる。
【００３２】本発明にかかる液晶表示装置の製造方法．
次に、本発明の実施の形態１乃至３にかかる液晶表示装
置の製造プロセスフローを図５を用いて説明する。
次に、本発明の実施の形態１乃至３にかかる液晶表示装
置の製造プロセスフローを図５を用いて説明する。
【００３３】まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性基
板上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、または
ＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層
膜等をスパッタ法や蒸着法等により成膜し、写真製版・
加工によりゲート配線１、ゲート電極１、共通容量配線
を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、窒化シリ
コン等よりなるゲート絶縁膜２を形成し、さらに非晶質
Ｓｉ、多結晶poly‐Ｓｉ等よりなる半導体膜９３、ｎ型
のＴＦＴの場合はＰ等の不純物を高濃度にドーピングし
たｎ+ 非晶質Ｓｉ、ｎ+ 多結晶poly‐Ｓｉ等よりなるコ
ンタクト膜を、連続的に例えばプラズマＣＶＤ、常圧Ｃ
ＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。次いで、コンタクト膜
および半導体膜９３を島状に加工する。
板上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、または
ＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層
膜等をスパッタ法や蒸着法等により成膜し、写真製版・
加工によりゲート配線１、ゲート電極１、共通容量配線
を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、窒化シリ
コン等よりなるゲート絶縁膜２を形成し、さらに非晶質
Ｓｉ、多結晶poly‐Ｓｉ等よりなる半導体膜９３、ｎ型
のＴＦＴの場合はＰ等の不純物を高濃度にドーピングし
たｎ+ 非晶質Ｓｉ、ｎ+ 多結晶poly‐Ｓｉ等よりなるコ
ンタクト膜を、連続的に例えばプラズマＣＶＤ、常圧Ｃ
ＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。次いで、コンタクト膜
および半導体膜９３を島状に加工する。
【００３４】次に、図５（ｃ）に示すように、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等
やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性
を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法
や蒸着法で成膜後、写真製版と微細加工技術によりソー
ス配線３、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極等
を形成する。さらに、ソース電極及びドレイン電極ある
いはそれらを形成したホトレジストをマスクとしてコン
タクト膜をエッチングし、チャネル領域から取り除く。
ｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等
やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性
を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法
や蒸着法で成膜後、写真製版と微細加工技術によりソー
ス配線３、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極等
を形成する。さらに、ソース電極及びドレイン電極ある
いはそれらを形成したホトレジストをマスクとしてコン
タクト膜をエッチングし、チャネル領域から取り除く。
【００３５】次いで、図５（ｄ）に示すように、窒化シ
リコンや酸化シリコン、無機絶縁膜または有機樹脂等か
らなる絶縁膜４を成膜する。この絶縁膜４は、２回以上
に渡って成膜され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が形成
される。その後、写真製版とそれに続くエッチングによ
りコンタクトホールを形成する。
リコンや酸化シリコン、無機絶縁膜または有機樹脂等か
らなる絶縁膜４を成膜する。この絶縁膜４は、２回以上
に渡って成膜され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が形成
される。その後、写真製版とそれに続くエッチングによ
りコンタクトホールを形成する。
【００３６】最後に、図５（ｅ）に示すように、Ｃｒ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ
等やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光
性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等を成膜後、
パターニングすることで画素電極、対向電極５を形成す
る。
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ
等やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光
性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等を成膜後、
パターニングすることで画素電極、対向電極５を形成す
る。
【００３７】以上の工程により、本実施の形態における
横方向電界方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板を
作製することができる。さらに、このＴＦＴ基板と対向
基板の間に液晶を挟持し、シール材にて接合する。この
ときラビング、光配向等の方法により液晶分子を所定の
角度で配向させる。なお、液晶を配向させる方法は、既
知のどのような方法を用いてもよい。さらに、ゲート配
線、ソース配線、共通容量配線にそれぞれゲート線駆動
回路、ソース線駆動回路、共通容量配線用電源を接続す
ることにより液晶表示装置を作製する。
横方向電界方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板を
作製することができる。さらに、このＴＦＴ基板と対向
基板の間に液晶を挟持し、シール材にて接合する。この
ときラビング、光配向等の方法により液晶分子を所定の
角度で配向させる。なお、液晶を配向させる方法は、既
知のどのような方法を用いてもよい。さらに、ゲート配
線、ソース配線、共通容量配線にそれぞれゲート線駆動
回路、ソース線駆動回路、共通容量配線用電源を接続す
ることにより液晶表示装置を作製する。
【００３８】その他の実施の形態．尚、上述の実施の形
態では、ソース電極と共通電極を導通状態にする工程
を、共通電極の一部を分離する工程よりも先に行った
が、これらの工程の順序は逆であってもよい。
態では、ソース電極と共通電極を導通状態にする工程
を、共通電極の一部を分離する工程よりも先に行った
が、これらの工程の順序は逆であってもよい。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、ソース配線に発生した
断線を容易に修復できる構造を有する液晶表示装置及び
その製造方法を提供することができる。
断線を容易に修復できる構造を有する液晶表示装置及び
その製造方法を提供することができる。
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図
である。
である。
【図２】本発明にかかる液晶表示装置の画素部の断面図
である。
である。
【図３】本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図
である。
である。
【図４】本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図
である。
である。
【図５】本発明にかかる液晶表示装置の製造フローを示
す図である。
す図である。
【図６】従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。
【図７】従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。
２ ゲート絶縁膜
３ ソース電極
４ 絶縁膜
５ 共通電極
６ 画素電極
７ 共通容量電極
８ ゲート電極
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H092 JB13 JB22 JB31 JB56 JB73
JB77 MA47 NA29
5F110 AA27 BB01 CC05 EE02 EE03
EE04 EE06 EE07 EE14 EE43
EE44 FF03 GG02 GG13 GG15
HK02 HK03 HK04 HK06 HK07
HK09 HK21 HK33 HK34 HK35
HK37 NN02 NN23 NN24 NN27
NN72 NN73
Claims (9)
- 【請求項１】ソース配線と共通電極が一定の領域におい
て重なり合う液晶表示装置であって、前記共通電極は、
ソース配線と重なり合う重なり領域外に、少なくとも画
素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重
なり領域との接続を分離することができる断線修復用分
離領域を有する液晶表示装置。 - 【請求項２】前記共通電極と接続された共通容量配線
は、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の
共通電極と当該重なり領域との接続を分離することがで
きる断線修復用分離領域を有する請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項３】前記断線修復用分離領域は、当該ソース配
線を含む他の導電体と重なり合わない領域であることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記断線修復用分離領域は、当該ソース配
線より４μｍ以内に他の導電体が存在しない領域である
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記重なり領域における共通電極は、隣接
する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接
続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】ソース配線と共通電極が一定の領域におい
て重なり合うとともに、前記共通電極がソース配線と重
なり合う重なり領域外に少なくとも画素電極との間で電
界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続
を分離することができる断線修復用分離領域を有する液
晶表示装置の製造方法であって、 前記重なり領域におけるソース配線に断線が生じた場合
に、 前記重なり領域において断線部を挟み込む位置の前記共
通電極と前記ソース電極を導通状態にする導通ステップ
と、 前記断線修復用分離領域の共通電極を切断する切断ステ
ップとを備えた液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】前記導通ステップでは、レーザビームを照
射することにより前記共通電極と前記ソース電極を導通
状態にすることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項８】前記切断ステップでは、レーザビームを照
射することにより前記共通電極を切断することを特徴と
する請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】前記重なり領域における共通電極は、隣接
する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接
続されているとともに、 前記切断ステップでは、前記複数の電極パターンのうち
のいずれか一つの電極パターンを切断することを特徴と
する請求項６、７又は８記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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