KR20030082375A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20030082375A KR10-2003-0018367A KR20030018367A KR20030082375A KR 20030082375 A KR20030082375 A KR 20030082375A KR 20030018367 A KR20030018367 A KR 20030018367A KR 20030082375 A KR20030082375 A KR 20030082375A
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Abstract

(과제) 소오스 배선에 발생된 단선을 쉽게 수복할 수 있는 구조를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
(해결수단) 본 발명은 기본적으로 횡전계 방식의 액정 표시 장치에 관한 것이다. 이 액정 표시 장치에서는 소오스 배선 (3) 과 공통 전극 (5) 이 일정한 영역에서 서로 중첩된다. 그리고, 공통 전극 (5) 이 소오스 배선 (3) 과 서로 중첩되는 중첩영역 외부에, 적어도 화소 전극 (6) 과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극 (5) 과 당해 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역 (531, 532, 533) 이 포함된다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 배선의 단선을 쉽게 수복 (修復) 할 수 있는 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 배선의 단선을 수복하는 것에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 예컨대, 일본 공개특허공보 평8-254712호에 개시된 바와 같이, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 액정에 인가하는 전계의 방향을 기판에 대해 평행한 방향으로 하는 횡방향 전계 방식이 주로 초광시야각을 얻는 수법으로 이용되고 있다. 이 방식을 채용하면 시각방향을 변화시켰을 때의 콘트라스트의 변화와 계조 레벨의 반전이 거의 없어지는 것으로 판명되었다 (참고문헌: M.Oh-e, 외, Asia Display'95, pp.577-580). 도 6(a) 는 종래의 일반적인 횡방향 전계 방식의 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 평면도이다. 그리고, 도 6(b) 는 그 일부를 확대한 단면도이다. 도면에서, 100 은 TFT 어레이 기판, 200 은 컬러 필터 (CF) 기판이다. 또한, 1 은 절연성 기판 상에 형성된 복수개의 주사 신호선인 게이트 배선, 2 는 게이트 절연막, 3 은 소오스 배선, 4 는 소오스 배선 (3) 상에 형성된 절연막, 5a, 5b 는 게이트 배선 (1) 과 동일한 층에 형성된 공통 전극이다. 특히, 이 예에서는, 공통 전극 (5) 은 공통 전극 (5a), 및 공통 전극 (5b) 으로 분리하여 배치된다. 따라서, 소오스 배선에 전압이 인가된 상태에서는, 그 전압에 의해 전계 (E) 가 발생되어 TFT 어레이 기판 (100) 과 CF 기판(200) 사이에 형성된 액정의 배향상태를 변화시킨다. 따라서, 도 6 에 나타낸 구성에서는 결국 도면에서 L1 로 표시되는 폭이 넓게 되는 것이 필요하므로 빛의 투과가 제한되기 때문에 개구율이 감소되는 문제가 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 도 7(a), 및 도 7(b) 에 나타낸 구조가 제안되었다. 이 구조에서는 공통 전극 (5) 이 소오스 배선 (3) 을 덮어 양자가 서로 중첩되도록 배치된다. 이러한 구성에 따르면, 소오스 배선 (3) 으로부터 발생하는 전계가 공통 전극 (5) 에 의해 차단되기 때문에, 액정까지 이르지 않고 액정의 배향상태의 변화를 감소시킬 수 있다. 따라서, 빛의 투과를 제한하는 폭 (L2) 을 좁게 할 수 있으므로 개구율을 증가시킬 수 있다.
일반적으로, 액정 표시 장치에서는, 소오스 배선이 어떠한 확률로 단선되기 때문에 수율저하의 원인이 된다. 마찬가지로 도 7 에 나타낸 구조에서도 소오스 배선 (3) 에 단선이 발생될 가능성이 있다. 여기서, 어떠한 배선에 단선이 발생된 경우, 레이져에 의해 상층의 배선과의 사이에 단락을 발생시켜 단선을 수복하는 방법이 일본 공개특허공보 평9-113930호에 개시되어 있다. 그러나, 소오스 배선 (3) 과 공통 전극 (5) 은 소오스 신호가 공통 전극 (5) 상으로 흐르도록 되어 있기 때문에, 양자를 단락시킬 수는 없다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 소오스 배선에 발생된 단선을 쉽게 수복할 수 있는 구조를 갖고, 수복을 실시한 결과, 표시에 기여하지 않는 영역이 작고, 표시 품위 (品位) 를 저하시키지 않고 수복할 수 있는액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 도면.
도 2 는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소부의 단면도.
도 3 은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 도면.
도 4 는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 도면.
도 5 는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 흐름을 나타낸 도면.
도 6 은 종래의 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 도면.
도 7 은 종래의 액정 표시 장치의 화소부를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
2: 게이트 절연막
3: 소오스 전극
4: 절연막
5: 공통 전극
6: 화소 전극
7: 공통 용량 전극
8: 게이트 전극
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 소오스 배선과 공통 전극이 일정한 영역에서 서로 중첩되는 액정 표시 장치로서, 공통 전극이 소오스 배선과 서로 중첩되는 중첩영역 외부에, 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 당해 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역이 포함된다. 이러한 구성에 의해, 단선 수복용 분리영역에 레이져 빔을 조사함으로써 공통 전극과 서로 중첩된 소오스 배선의 단선을 쉽게 수복할 수 있다.
여기서, 공통 전극과 접속된 공통 용량 배선은 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 당해 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역을 갖는 것이어도 무방하다. 이러한 구성에 의해 공통 용량 배선과 접속된 공통 전극을 이용하여 소오스 배선의 단선을 수복할 수 있다.
또한, 단선 수복용 분리영역은 당해 소오스 배선을 포함하는 다른 도전체와 서로 중첩되지 않는 영역인 것이 바람직하다. 따라서, 레이져 빔에 의해 절연파괴를 발생시킬 가능성을 감소시킬 수 있다.
바람직한 실시형태에서의 단선 수복용 분리영역은 당해 소오스 배선으로부터 4㎛ 이내에 다른 도전체가 존재하지 않는 영역이다. 또한, 확실하게 레이져 빔에 의한 절연파괴를 방지할 수 있다.
또한, 중첩영역에서의 공통 전극은 인접하는 화소의 공통 전극과, 복수의 전극 패턴에 의해 접속되는 것이 바람직하다. 따라서, 복수의 전극 패턴 중 적어도 하나의 전극 패턴에 의해 인접하는 화소의 공통 전극간을 접속시킨 상태를 유지하면서 소오스 배선의 단선을 수복할 수 있다. 그 결과, 표시 품위를 거의 저하시키지 않고 수복할 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 소오스 배선과 공통 전극이 일정한 영역에서 서로 중첩됨과 동시에, 공통 전극과 소오스 배선이 서로 중첩되는 중첩영역 외부에 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 당해 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역을 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 중첩영역에서의 소오스 배선에 단선이 발생된 경우, 중첩영역에서 단선부를 사이에 둔 위치의 공통 전극과 소오스 전극을 도통 상태로 하는 도통 단계와, 단선 수복용 분리영역의 공통 전극을 절단하는 절단 단계를 구비한 것이다. 이러한 방법에 의해 공통 전극과 서로 중첩된 소오스 배선의 단선을 쉽게 수복할 수 있다.
여기서, 도통 단계에서는 레이져 빔을 조사함으로써 공통 전극과 소오스 전극을 도통 상태로 하는 것이 바람직하다.
또한, 절단 단계에서는 레이져 빔을 조사함으로써 공통 전극을 절단할 수도 있다.
또한, 중첩영역에서의 공통 전극은 인접하는 화소의 공통 전극과, 복수의 전극 패턴에 의해 접속됨과 동시에 절단 단계에서는 복수의 전극 패턴 중 어느 하나의 전극 패턴을 절단해도 무방하다. 따라서, 인접하는 화소의 공통 전극 사이를 접속시킨 상태를 유지하면서 소오스 배선의 단선을 수복할 수 있다.
[발명의 실시형태]
발명의 실시형태 1
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 도 7(a), 및 도 7(b) 에 나타낸 구조를 갖고 있다. 더욱 상세하게는, 일정한 거리를 두고 한 쌍의 CF 기판과 TFT 기판이 대향배치된다. 그리고, 이들 기판간에 액정층이 개재된다. 그리고, 기판 중의 일방의 기판 상에, 서로 교차하는 게이트 배선 및 소오스 배선이 형성된다. 또한, 게이트 배선 및 소오스 배선과 접속된 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자가 형성된다. 또한, 스위칭 소자에는 소오스 배선과 평행하게 형성된 복수의 전극으로 이루어지는 빗 형상의 화소 전극과, 화소 전극의 복수개의 전극과 평행하거나, 또는, 번갈아 배치된 복수개의 전극으로 이루어지는 빗 형상의 공통 전극이 형성된다. 이 화소 전극 및 공통 전극간에 전압을 인가함으로써 기판면에 거의 평행한 전계를 액정층에 인가하고 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서, 복수의 화소부를 확대한 도면이다. 도면에서, 도 6, 7 과 동일한 부호를 붙인 구성은 도 6, 7 에서 설명한 구성과 동일하거나 동등하므로 설명을 생략한다.
도 1 에서 3 은 소오스 배선이고, 1 화소의 단부에서 후술할 공통 전극 (5) 과 화소 전극 (6) 사이에 발생하는 전계의 방향과 거의 수직방향으로 연장된다. 이 소오스 배선 (3) 의 막두께는 예컨대, 400㎚ ∼ 500㎚ 이다. 5 는 후술할 화소 전극 (6) 의 복수개의 전극과 평행하거나, 또는, 번갈아 배치된 복수개의 전극으로 이루어지는 빗 형상의 공통 전극으로, 대향전극이라고도 한다. 이 공통전극 (5) 의 막두께는 예컨대, 100㎚ 이다. 6 은 박막 트랜지스터에 접속되고, 소오스 배선 (3) 과 평행하게 형성된 복수개의 전극으로 구성된 빗 형상의 화소 전극이며, 크롬 (Cr) 등의 금속이나 ITO (Indium Tin Oxide) 등의 투명성 도전막으로 형성된다. 7 은 크롬 (Cr) 등의 금속으로 이루어지는 공통 용량 배선이며, 쓰루홀을 통해 공통 전극 (5) 과 접속된다. 이 예에서는 소오스 배선 (3), 공통 전극 (5), 화소 전극 (6) 은 중앙부에서 1 회 굴곡된다. 그리고, 이 굴곡점은 공통용량 배선부 (7) 에 형성된다. 이와 같은 굴곡된 전극 구성에 의해, 2 방향의 액정 구동방향을 얻을 수 있고, 횡전계 방식의 액정패널에서 특정방향으로 발생되는 시각특성의 악화를 개선할 수 있다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 전계가 발생하는 방향인 횡방향으로 인접하는 화소간에 형성된 소오스 배선 (3) 과 공통 전극 (5) 은 서로 오버랩된다. 즉, 소오스 배선 (3) 상에 절연막 (4) 을 개재하여 공통 전극 (5) 이 소오스 배선 (3) 을 감싸도록 서로 중첩되어 형성된다.
도 1 에 나타낸 구조에서, 소오스 배선 (3) 상의 영역 (31) 에 단선이 발생된 경우에 대해 설명한다. 이 영역 (31) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분의 한 영역이다. 이 경우에는, 먼저 공통 전극 (5) 측으로부터 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 에 레이져에 의해 레이져 빔을 조사한다. 여기서, 영역 (51, 52) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분의 한 영역으로서, 영역 (31) 을 사이 둔 위치의 영역이다. 이 레이져에는 예컨대, YAG 레이져나엑시머 레이져가 이용된다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 의 금속을 용융시켜 절연막 (4) 을 절연파괴하여 소오스 배선 (3) 과 공통 전극 (5) 이 도통 상태가 되도록 가공한다. 이러한 단선의 수정은 예컨대, 어레이 검사공정 후 또는 패널 검사공정 후에 실시된다.
도 2 에 단선이 발생된 부분의 단면도를 나타낸다. 전술한 바와 같이, 이 예에 따른 TFT 어레이 기판에서는 게이트 절연막 (2) 상에 소오스 배선 (3), 절연막 (4), 공통 전극 (5) 이 적층된다. 여기서, 절연막 (4) 은 예컨대, 2 회에 걸쳐 막형성되고, 제 1 절연막의 막두께는 200㎚ ∼ 300㎚, 제 2 절연막의 막두께는 200㎚ ∼ 300㎚ 이다.
이 예에서는 도 2(a) 에 나타낸 바와 같이, 소오스 배선 (3) 의 영역 (31) 에 단선이 발생하였다. 도 2(a) 에 나타낸 구조에서, 레이져를 이용하여 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 의 금속을 용융시켜 절연막 (4) 을 절연파괴시켜 소오스 배선 (3) 과 도통 상태가 되도록 가공하면, 도 2(b) 에 나타낸 구조로 가공된다. 도 2(b) 에 나타낸 구조에서는, 단선된 소오스 배선 (3) 은 용융금속 (51), 공통 전극 (5), 용융금속 (52) 이라는 바이패스 경로를 통해 소오스 신호가 인가된다.
다음으로, 레이져를 이용하여 도 1 에 나타낸 공통 전극 (5) 의 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533) 에 레이져 빔을 조사한다. 그리고, 이들 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533) 의 공통 전극 (5) 을 절단한다. 이들 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533) 은 단선 수복용 분리영역으로 기능한다. 여기서, 영역 (531) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 횡방향으로 연장되는 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (532) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 영역 (531) 과는 반대측의 횡방향으로 연장되는 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (533) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 횡방향으로 연장되고, 공통 용량 배선 (7) 과 접속된 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 따라서, 영역 (51), 및 영역 (52) 의 레이져 빔의 조사에 의해 소오스 전극 (3) 과 도통 상태로 가공된 부분의 공통 전극 (5) 을, 적어도 화소 전극 (6) 과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극 (5) 과 전기적으로 분리시킬 수 있다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533), 즉, 단선 수복용 분리영역의 하방에는 소오스 전극 (3) 등의 도전체가 형성되어 있지 않다. 이러한 구조를 가지므로 레이져 빔을 조사하여도 다른 도전체와 도통 상태가 되는 경우는 없다. 이 단선 수복용 분리영역은 당해 소오스 배선으로부터 4㎛ 이내에 공통 전극과 상이한 전위를 공급하는 다른 도전체가 존재하지 않는 영역인 것이 바람직하다.
또한, 공통 전극 (5) 의 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533) 에 조사하는 레이져 빔은 영역 (51), 및 영역 (52) 에 조사하는 레이져 빔과 종류 및 강도에 있어 동일하거나 상이해도 무방하다. 예컨대, 영역 (531), 영역 (532), 및 영역 (533) 에 조사하는 레이져 빔은 영역 (51), 및 영역 (52) 에 조사하는 레이져빔보다 낮은 강도로 해도 무방하다.
발명의 실시형태 2
도 3 은 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서, 복수의 화소부를 확대한 도면이다. 도면에 나타낸 구성은 도 1 에 나타낸 구성과 동일하며 소오스 배선 (3) 의 단선부분만 상이하다.
도 3 에 나타낸 구조에서, 소오스 배선 (3) 상의 영역 (32) 에 단선이 발생된 경우에 대해 설명한다. 영역 (32) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 소오스 배선 (3) 으로서, 중앙부에서 공통 전극 (5) 과 서로 중첩되는 영역이다. 이 경우에는 먼저 공통 전극 (5) 측으로부터 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 에 레이져에 의해 레이져 빔을 조사한다. 여기서, 영역 (51, 52) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분의 한 영역으로서, 영역 (32) 을 사이에 둔 위치의 영역이다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 의 금속을 용융시켜 절연막 (4) 을 절연파괴하여 소오스 배선 (3) 과 공통 전극 (5) 이 도통 상태가 되도록 가공한다. 단선된 소오스 배선 (3) 에는 용융금속 (51), 공통 전극 (5), 용융금속 (52) 이라는 바이패스 경로를 통해 소오스 신호가 인가된다.
다음으로, 레이져를 이용하여 도 3 에 나타낸 공통 전극 (5) 의 영역 (541), 영역 (542), 및 영역 (543) 과 공통 용량 배선 (7) 의 영역 (71, 72) 에 레이져 빔을 조사한다. 여기서, 영역 (541) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 횡방향으로 연장되는 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (542) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 영역 (531) 과는 반대측의 횡방향으로 연장되는 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (543) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 횡방향으로 연장되고, 게이트 배선 (1) 을 개재하여 종방향으로 연장되는 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (71) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과 공통 용량 배선 (7) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 그리고, 이들 영역 (541), 영역 (542), 및 영역 (543) 의 공통 전극 (5) 과, 공통 용량 배선 (7) 의 영역 (71, 72) 을 절단한다. 따라서, 영역 (51), 및 영역 (52) 의 레이져 빔의 조사에 의해 소오스 전극 (3) 과 도통 상태로 가공된 부분의 공통 전극 (5) 을 다른 공통 전극 (5) 이나 공통 용량 배선 (7) 과 전기적으로 분리할 수 있다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (541), 영역 (542), 및 영역 (543) 과 공통 용량 배선 (7) 의 영역 (71) 의 하방에는 소오스 전극 (3) 등의 도전체가 형성되어 있지 않다. 이러한 구조를 가짐으로써 레이져 빔을 조사하여도 다른 도전체와 도통 상태가 되는 경우가 발생되지 않는다.
발명의 실시형태 3
도 4 는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서, 복수의 화소부를 확대한 도면이다. 도면에 나타낸 구성은 도 1 에 나타낸 구성과 동일하며 소오스 배선 (3) 의 단선부분만 다르다.
도 4 에 나타낸 구조에서, 소오스 배선 (3) 상의 영역 (33) 에 단선이 발생된 경우에 대해 설명한다. 여기서, 영역 (33) 은 소오스 배선 (3) 이 스위칭 소자의 반도체막과 중첩되는 부분의 근방이다. 즉, 영역 (33) 은 스위칭 소자의 근방이다. 이 경우에는, 먼저 공통 전극 (5) 측으로부터 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 에 레이져에 의해 레이져 빔을 조사한다. 여기서, 영역 (51, 52) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분의 한 영역으로서, 영역 (33) 을 사이에 둔 위치의 영역이다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (51), 및 영역 (52) 의 금속을 용융시켜 절연막 (4) 을 절연파괴하여 소오스 배선 (3) 과 도통 상태가 되도록 가공한다. 단선된 소오스 배선 (3) 에는 용융금속 (51), 공통 전극 (5), 용융금속 (52) 이라는 바이패스 경로를 통해 소오스 신호가 인가된다.
다음으로, 레이져를 이용하여 도 4 에 나타낸 공통 전극 (5) 의 영역 (551), 영역 (552), 영역 (553), 영역 (554), 및 영역 (555) 에 레이져 빔을 조사한다. 여기서, 영역 (551) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 공통 용량 배선 (7) 과 접속된 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (552) 은, 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 다른 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (553) 은, 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3) 의 중첩부분과, 다른 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (554) 은 횡방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 과 소오스 전극 (3)의 중첩부분과, 영역 (553) 측과는 반대의 공통 전극 (5) 을 분리시킬 수 있는 영역이다. 영역 (555) 은, 영역 (52) 의 어느 공통 전극 (5) 을 다른 공통 전극 (5) 과 분리시킬 수 있는 영역이다. 그리고, 이들 영역 (551) 내지 영역 (555) 의 공통 전극 (5) 을 절단한다. 따라서, 영역 (51), 및 영역 (52) 의 레이져 빔의 조사에 의해 소오스 전극 (3) 과 도통 상태로 가공된 부분의 공통 전극 (5) 을 다른 공통 전극 (5) 과 전기적으로 분리할 수 있다. 따라서, 공통 전극 (5) 의 영역 (551) 내지 영역 (555) 의 하방에는 소오스 전극 (3) 등의 도전체가 형성되지 않는다. 이러한 구조를 가짐으로써, 레이져 빔을 조사하여도 다른 도전체와 도통 상태가 되는 경우가 발생하지 않는다.
또한, 본 예에서는, 종방향 (공통 전극 (5) 과 화소 전극 (6) 사이에 발생하는 전계와 거의 수직방향) 으로 인접하는 화소간, 즉, 게이트 배선 (1) 을 경계로 하는 화소간의 공통 전극 (5) 간을 2 개의 전극 패턴 (501, 502) 에 의해 접속시킨다. 레이져 빔에 의해 절단하는 영역 (552), 및 영역 (553) 은 전극 패턴 (501) 이 돌출되는 부분과 전극 패턴 (502) 이 돌출되는 부분 사이의 공통 전극 (5) 에 형성된다. 따라서, 영역 (552), 및 영역 (553) 을 절단하더라도 종방향으로 인접하는 화소간의 공통 전극 (5) 은 일방의 전극 패턴 (501) 에 의해 접속상태가 유지된다. 따라서, 도면에 나타낸 영역 (A) 이 결함영역이 되는 것을 방지한다.
또한, 전극 패턴 (501, 502) 은 2 개가 아닌 3 개 이상의 복수개일 수도 있다.
이상의 실시예는 화소단위당 1 회 굴곡시키는 경우를 나타내었으나, 2 회 이상 또는 굴곡시키지 않는 경우에 이용해도 무방하다. 또한, 화소 전극과 공통 전극을 굴곡시키고, 소오스 배선을 굴곡시키지 않는 경우에도 동일하게 이용된다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법
다음으로, 본 발명의 실시형태 1 내지 3 에 따른 액정 표시 장치의 제조 프로세스 흐름을 도 5 를 참조하여 설명한다.
먼저 도 5(a) 에 나타낸 바와 같이, 절연성 기판 상에 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 이들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 이들 다층막 등을 스퍼터법이나 증착법 등에 의해 막형성하고, 사진제판ㆍ가공에 의해 게이트 배선 (1), 게이트 전극 (1), 공통 용량 배선을 형성한다. 다음으로, 도 5(b) 에 나타낸 바와 같이 질화 규소 등으로 이루어지는 게이트 절연막 (2) 을 형성하고, 나아가 비정질 Si, 다결정 poly-Si 등으로 이루어지는 반도체막 (93), n 형의 TFT 의 경우에는 P 등의 불순물을 고농도로 도핑한 n＋비정질 Si, n＋다결정 poly-Si 등으로 이루어지는 컨택트막을 연속적으로, 예컨대, 플라스마 CVD, 상압 CVD, 감압 CVD 법으로 막형성한다. 이어서, 컨택트막 및 반도체막 (93) 을 섬 모양으로 가공한다.
다음으로, 도 5(c) 에 나타낸 바와 같이 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 이들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 이들 다층막 등을 스퍼터법이나 증착법으로 막형성 후, 사진제판과 미세 가공기술에 의해 소오스 배선 (3), 소오스 전극, 드레인 전극, 보존 용량 전극 등을 형성한다. 또한, 소오스 전극 및 드레인 전극 또는 이들을 형성한 포토레지스트를 마스크로 하여 컨택트막을 에칭하고, 채널영역에서 제거한다.
다음으로, 도 5(d) 에 나타낸 바와 같이, 질화 규소나 산화 규소, 무기 절연막 또는 유기 수지 등으로 이루어지는 절연막 (4) 을 막형성한다. 이 절연막 (4) 은 2 회 이상에 걸쳐 막형성된 제 1 절연막과 제 2 절연막으로 형성된다. 그 후, 사진제판과 이에 이어지는 에칭에 의해 컨택트 홀을 형성한다.
마지막으로, 도 5(e) 에 나타낸 바와 같이 Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag 등이나 이들을 주성분으로 하는 합금, 또는 ITO 등의 투광성을 갖는 도전막, 또는 이들 다층막 등을 막형성후, 패터닝함으로써 화소 전극, 대향전극 (5) 을 형성한다.
이상의 공정에 의해, 본 실시형태에서의 횡방향 전계방식의 액정 표시 장치를 구성하는 TFT 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이 TFT 기판과 대향기판 사이에 액정을 개재하고 실링재로 접합한다. 이 때, 러빙, 광배향 등의 방법에 의해 액정분자를 소정 각도로 배향시킨다. 또한, 액정을 배향시키는 방법은 공지된 어떤 방법을 이용해도 무방하다. 또한, 게이트 배선, 소오스 배선, 공통 용량 배선에 각각 게이트선 구동회로, 소오스선 구동회로, 공통 용량 배선용 전원을 접속시킴으로써 액정 표시 장치를 제조한다.
그 밖의 실시형태
또한, 기술한 실시형태에서는 소오스 전극과 공통 전극을 도통 상태로 하는 공정을, 공통 전극의 일부를 분리하는 공정보다 먼저 실시하였지만, 이들 공정의순서는 반대가 될 수도 있다.
본 발명에 따르면 소오스 배선에 발생된 단선을 쉽게 수복할 수 있는 구조를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 소오스 배선과 공통 전극이 일정한 영역에서 서로 중첩되고,
    상기 공통 전극이 상기 소오스 배선과 서로 중첩되는 중첩영역 외부에, 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 상기 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 공통 전극과 접속된 공통 용량 배선은 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 상기 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 단선 수복용 분리영역은 상기 소오스 배선을 포함하는 다른 도전체와 서로 중첩되지 않는 영역인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 단선 수복용 분리영역은 상기 소오스 배선으로부터 4㎛ 이내에 다른 도전체가 존재하지 않는 영역인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 중첩영역에서의 상기 공통 전극은, 인접하는 화소의공통 전극에 복수의 전극 패턴에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 소오스 배선과 공통 전극이 일정한 영역에서 서로 중첩됨과 동시에 상기 공통 전극과 상기 소오스 배선이 서로 중첩되는 중첩영역 외부에, 적어도 화소 전극과의 사이에서 전계를 발생시키는 다른 공통 전극과 상기 중첩영역의 접속을 분리할 수 있는 단선 수복용 분리영역을 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 중첩영역에서의 소오스 배선에 단선이 발생된 경우,
    상기 중첩영역에서 단선부를 사이에 둔 위치의 상기 공통 전극과 상기 소오스 전극을 도통 상태로 하는 도통 단계, 및
    상기 단선 수복용 분리영역의 공통 전극을 절단하는 절단 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 도통 단계에서는 레이져 빔을 조사함으로써 상기 공통 전극과 상기 소오스 전극을 도통 상태로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 절단 단계에서는 레이져 빔을 조사함으로써 상기 공통 전극을 절단하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 6 항, 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 중첩영역에서의 공통 전극은 인접하는 화소의 공통 전극과 복수의 전극 패턴에 의해 접속됨과 동시에,
    상기 절단 단계에서는 상기 복수의 전극 패턴 중 어느 하나의 전극 패턴을 절단하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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