JPH1039333A

JPH1039333A - アクティブマトリクス型表示装置およびその欠陥修正方法

Info

Publication number: JPH1039333A
Application number: JP19113096A
Authority: JP
Inventors: Yukihiko Nakakura; 行彦中倉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-07-19
Filing date: 1996-07-19
Publication date: 1998-02-13
Also published as: US6191832B1

Abstract

(57)【要約】【課題】ライン状の画素欠陥を防ぐと共に表示装置の
開口率を向上させる。【解決手段】データバスライン２の上に絶縁膜を介し
て迂回用予備線５を重畳形成し、絶縁膜の貫通孔５ａに
おいてデータバスライン２と迂回用予備線５とを接続さ
せる。データバスライン２に断線が生じても、信号電圧
が迂回用予備線５を迂回して、断線箇所より先に設けら
れた画素電極に信号電圧を印加することができる。ゲー
トバスライン１とデータバスライン２との交差部にリー
クが生じた場合には、交差部においてデータバスライン
２を切断する。迂回用予備線５はデータバスライン２上
に重畳しているので、表示装置の開口率が低下しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タの表示画面、ＴＶ（テレビジョン）、プロジェクタの
ライトバルブ等の表示装置として用いられるアクティブ
マトリクス型表示装置およびその欠陥修正方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置やプラズマ表示装置等の表
示装置においては、マトリクス状に配置された複数の画
素電極と、これらの画素電極に対向して配置された対向
電極との間に、液晶やプラズマ等の表示媒体が挟持され
る。このような表示装置においては、上記画素電極に駆
動信号を印加することにより、その画素電極と対向電極
との間に生じた電圧により表示媒体が光学的に変調す
る。このような変調原理を利用して画素電極に選択的に
駆動信号を付与することにより、画面上には表示パター
ンが表示される。

【０００３】このような表示装置の駆動方法として、ア
クティブマトリクス駆動方式が知られている。この駆動
方式により駆動されるアクティブマトリクス型表示装置
においては、マトリクス状に配置された画素電極の各々
にスイッチング素子を接続し、これらのスイッチング素
子を介して各画素電極に選択的に電位を印加する構成と
なったアクティブマトリクス基板と、この基板とは表示
媒体を挟んで対向する対向基板とを有する。上記スイッ
チング素子としては、一般に、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等が知ら
れている。

【０００４】ところで、上記アクティブマトリクス基板
は、従来当所、信号配線や走査配線等のバスラインの一
方が画素電極と同層に形成され、画素電極とそれと同層
のバスラインとが互いに接触しない状態に配されたもの
が一般的であった。近年においては、信号配線や走査配
線を覆って絶縁膜を設け、その絶縁膜上に画素電極を形
成すると共にその画素電極とスイッチング素子とを接続
する構成のアクティブマトリクス基板が提案されている
（特開昭６１−１５６０２５号）。この提案構成では、
画素電極とバスラインとが別層に形成されるため、画素
電極の面積を大きくすることにより開口率の拡大化が可
能である。

【０００５】図１５は、提案構成のアクティブマトリク
ス基板の１画素分の構成を示す平面図である。このアク
ティブマトリクス基板は、走査配線５２および信号配線
５３が互いに交差して設けられ、それらを覆う図示しな
い絶縁膜上に画素電極５１が設けられている。画素電極
５１は、図示しない絶縁膜に設けたコンタクトホール５
１ｂを介してＴＦＴ５５のドレイン電極６２と接続され
ている。このように画素電極５１をバスライン５２、５
３を覆う絶縁膜上に形成することにより、画素電極５１
とバスラインとが別層に形成される。

【０００６】また、この図示例のアクティブマトリクス
基板は、Ｃｓ（補助容量）ｏｎＣｏｍｍｏｎの構成で
あり、各画素に共通のＣｓ配線５９が走査配線５２と平
行に設けられ、その上に図示しないゲート絶縁膜を介し
てＣｓ電極５６が形成されている。Ｃｓ電極５６は上記
絶縁膜のコンタクトホール５１ａを介して画素電極５１
と接続されており、補助容量はＣｓ配線５２、ゲート絶
縁膜およびＣｓ電極５６の重畳部で構成される。

【０００７】ところで、このようなアクティブマトリク
ス基板を用いたアクティブマトリクス型表示装置におい
ては、製造上の不良に起因して生じるバスラインの断線
が問題となっている。また、近年においては、表示装置
の高開口率化と高精細化とを目的としてバスライン幅が
極限まで細線化されており、その一方でバスライン同士
の交差部が増加しているため、従来に比べて、バスライ
ンの断線不良やバスライン同士の交差部におけるリーク
不良が発生しやすくなっている。このような断線不良や
リーク不良といった不良が発生すると、バスラインから
画素電極に正常な電圧が印加されないため、ライン状欠
陥として表示される。このライン状欠陥は表示装置とし
ては致命的な欠陥であり、この欠陥が発生した表示装置
は不良品として廃棄される。このため、表示装置の良品
率が低下して製造コストの上昇を招くという問題が生じ
る。

【０００８】上記バスラインの断線不良による問題を低
減すべく、アクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、１つの画素電極に対してバスラインを２本設けた構
成が提案されている（ＳＩＤ’９５ＤＩＧＥＳＴｏ
ｆＴＥＣＨＮＩＣＡＬＰＡＰＥＲＳ４：ＡＭＬＣ
Ｄｓ４．３；”Ｈｉｇｈ−ＡｐｅｒｔｕｒｅａｎｄＦ
ａｕｌｔ−ＴｏｌｅｒａｎｔＰｉｘｅｌＳｔｒｕｃ
ｔｕｒｅｓｆｏｒＴＦＴ−ＬＣＤｓ”）。図１６に、
この液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
平面図を示す。

【０００９】このアクティブマトリクス基板において
は、各画素電極５１に対して２本の走査配線５２、５
２’が設けられている。各走査配線５２、５２’は、画
素電極５１の両側に信号配線５３、５３’に沿って配さ
れた短絡線５４、５４’により短絡されている。各短絡
線５４、５４’は、図示しない絶縁膜を介して画素電極
５１と重畳しており、その重なった部分が補助容量とな
っている。

【００１０】このようなアクティブマトリクス基板を用
いた液晶表示装置においては、２本の走査配線５２、５
２’によりＴＦＴ５５が駆動されるため、２本の走査配
線５２、５２’のうちのいずれか１本が断線しても、短
絡線５４、５４’を介してＴＦＴ５５に走査電圧を印加
することができる。また、この液晶表示装置において
は、アクティブマトリクス基板側に短絡線５４、５４’
が画素電極に一部重畳して設けられているため、隣合う
画素電極５１の間から光が漏れるのを防ぐべく対向基板
側に形成される遮光パターンの一部を省略することがで
きる。

【００１１】また、本願出願人は、上記バスラインの断
線による問題を低減するため、特願平７−２５１３３９
号「アクティブマトリクス型液晶表示装置および画素欠
陥修正方法」において、図１７および図１８に示すよう
なアクティブマトリクス基板を提案している。図１７は
アクティブマトリクス基板の構成を示す平面図であり、
図１８はその１画素分を示す平面図である。このアクテ
ィブマトリクス基板においては、信号配線２と予備線１
０５とを、一定の間隔をあけて同層に交互かつ平行に配
置し、この信号配線２および予備線１０５を、これらと
同層に設けられた短絡線により接続している。この構成
によれば、信号配線２が断線しても、予備線１０５を介
して断線箇所が迂回されることにより、断線箇所よりも
先の信号配線２部分に信号電圧を印加することができ
る。

【００１２】また、この特願平７−２５１３３９号で
は、図１９に示すようなアクティブマトリクス基板も提
案している。このアクティブマトリクス基板は、走査配
線１と予備線１２２とを、一定の間隔をあけて同層に交
互かつ平行に配置し、この走査配線１および予備線１２
２を、これらと同層に設けられた短絡線により接続した
構成である。この構成によれば、走査配線１が断線して
も、予備線１２２を介して断線箇所が迂回されることに
より、断線箇所よりも先の走査配線１部分に走査電圧を
印加することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、バスラ
インの断線による問題を低減するために種々の提案がな
されているが、これらには以下のような問題がある。

【００１４】例えば、一般的な構成である画素電極と同
層にバスラインの一方を設ける構成のアクティブマトリ
クス基板に対して、図１６に示したように１つの画素電
極に対してバスラインの一方、たとえば走査配線を２本
を設ける技術を付加した場合、もう一方のバスライン、
たとえば信号配線と画素電極とが接触しないように配置
する必要がある。このため、画素電極を大きくすること
ができず、表示装置の高開口率化の妨げとなる。また、
その制限の中で僅かでも開口率を高めるためには２本化
した配線同士の間隔を狭める必要があるため、２本化し
た配線間でリーク不良が発生しやすくなる。

【００１５】また、図１７および図１８に示したアクテ
ィブマトリクス基板においては、アクティブマトリクス
基板上に信号配線と予備線とが同層に形成されているの
で、信号配線と走査配線との交差部におけるリーク不良
に加えて、予備線と走査配線との交差部についてもリー
ク不良が生じるおそれがある。そのために、各配線の端
子間の抵抗を測定する検査等において、信号配線と走査
配線とのリーク不良が検出された場合、そのリーク不良
が信号配線と走査配線との交差部において発生したの
か、または予備線と走査配線との交差部で発生したのか
を明確に区別するのが極めて困難である。よって、欠陥
修正を行うべきリーク不良箇所を特定するために特殊な
方法が必要となる。また、予備線が絶縁膜を介して画素
電極上を横切っているので画素電極と予備線との間に電
気容量が生じるが、これによる影響を低減するためには
絶縁膜の材料を誘電率の低いものにするか、または特殊
な駆動信号を印加する必要がある。さらに、表示装置の
高開口率化のためには、予備線の線幅を細くするか、ま
たは透明の導電膜を用いて予備線を形成する必要があ
る。このような透明の導電膜としては、例えば、インジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）等を用いることが可能である
が、信号配線と予備線とを同層に形成しているため、信
号配線と予備線とを同じ材料を用いて形成する必要があ
る。しかし、大型表示装置の場合にはバスラインも長く
なるため、ＩＴＯのように比抵抗の高い材料を用いて信
号配線を形成することは困難である。このため、予備線
についても例えばアルミニウム等の比抵抗の低い金属材
料を用いることになるが、これらの金属材料は不透明で
あるので、開口率を低減させないためには予備線の細線
化を図る必要がある。従って、予備線についても断線が
生じるおそれがある。

【００１６】さらに、図１９に示したアクティブマトリ
クス基板においても、走査配線と予備線とが同層に形成
されているので、上述の図１７および図１８に示したア
クティブマトリクス基板と同様の問題が生じる。

【００１７】本発明は、従来技術の課題を解決すべくな
されたものであり、ライン状の画素欠陥の発生を防ぐと
共にその欠陥を修正することができ、しかも開口率を高
くすることができるアクティブマトリクス型表示装置お
よびその欠陥修正方法を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型表示装置は、マトリクス状に配置された画素電
極および各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
配線および該スイッチング素子に信号電圧を与えるため
の信号配線が互いに交差して設けられ、該走査配線およ
び該信号配線のうちの少なくとも一方に、断線不良部お
よびリーク不良部のうちの少なくとも一方を迂回させる
ための迂回用予備線が絶縁膜を介して重畳形成され、該
迂回用予備線とこれを重畳させた配線とが電気的に接続
されており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１９】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の欠陥修正方法は、マトリクス状に配置された画素電極
および各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
配線および該スイッチング素子に信号電圧を与えるため
の信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマト
リクス型表示装置の欠陥修正方法であって、該走査配線
および該信号配線について断線の有無を検査する工程
と、断線不良が生じた配線の上に、迂回用予備線を絶縁
膜を介して重畳形成すると共に、該迂回用予備線とこれ
を重畳させた配線とを電気的に接続する工程とを含み、
そのことにより上記目的が達成される。

【００２０】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の欠陥修正方法は、マトリクス状に配置された画素電極
および各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
配線および該スイッチング素子に信号電圧を与えるため
の信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマト
リクス型表示装置におけるリーク不良を修正する欠陥修
正方法であって、該走査配線および該信号配線の交差部
でのリーク不良の有無を検査する工程と、リーク不良の
生じている交差部を有する走査配線および信号配線のう
ちの少なくとも一方に対し、該交差部の両側で切断する
工程と、切断した配線の上に迂回用予備線を絶縁膜を介
して重畳形成すると共に、該迂回用予備線とこれを重畳
させた配線とを電気的に接続する工程とを含み、そのこ
とにより上記目的が達成される。

【００２１】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
は、マトリクス状に配置された画素電極および各画素電
極に接続されたスイッチング素子を備え、該スイッチン
グ素子に走査電圧を与えるための走査配線および該スイ
ッチング素子に信号電圧を与えるための信号配線が互い
に交差して設けられ、該走査配線および該信号配線のう
ちの少なくとも一本に生じた断線不良を有する配線の上
に、迂回用予備線が絶縁膜を介して重畳形成され、該迂
回用予備線とこれを重畳させた配線とが電気的に接続さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。

【００２２】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
は、マトリクス状に配置された画素電極および各画素電
極に接続されたスイッチング素子を備え、該スイッチン
グ素子に走査電圧を与えるための走査配線および該スイ
ッチング素子に信号電圧を与えるための信号配線が互い
に交差して設けられ、該走査配線および該信号配線の交
差部のうちの少なくとも一箇所に生じたリーク不良を有
する交差部を通る走査配線および信号配線のうちの少な
くとも一方が該交差部の両側で切断されており、切断さ
れた配線の上に、迂回用予備線が絶縁膜を介して重畳形
成され、該迂回用予備線とこれを重畳させた配線とが電
気的に接続されており、そのことにより上記目的が達成
される。

【００２３】前記迂回用予備線が、前記走査配線および
信号配線の交差部を迂回して形成されていてもよい。

【００２４】前記アクティブマトリクス型表示装置の欠
陥修正方法において、前記走査配線および前記信号配線
の交差部についてリーク不良の有無を検査する工程と、
前記走査配線および前記信号配線のうち、前記迂回用予
備線に重畳する配線を切断する工程とを含んでいてもよ
い。

【００２５】前記迂回用予備線とこれを重畳させた配線
とが前記絶縁膜に設けられた貫通孔を介して電気的に接
続されており、該貫通孔が該迂回用予備線を重畳させた
配線とそれに交差する配線との各交差部から所定の位置
に１つずつ設けられていてもよい。

【００２６】前記迂回用予備線とこれを重畳させた配線
とが前記絶縁膜に設けられた貫通孔を介して電気的に接
続されており、該貫通孔が該迂回用予備線を重畳させた
配線の両端部上に１つずつ設けられていてもよい。

【００２７】前記迂回用予備線が透明導電体からなって
いてもよく、不透明導電体からなっていてもよい。

【００２８】前記信号配線を覆う絶縁膜が有機絶縁膜か
らなり、該画素電極が該絶縁膜上に設けられていてもよ
い。

【００２９】前記迂回用予備線が前記有機絶縁膜上に設
けられ、前記画素電極と同じ材料を用いて同時にパター
ニングされていてもよい。

【００３０】前記迂回用予備線を覆って第２の絶縁膜が
設けられ、前記画素電極が該第２の絶縁膜上に設けられ
ていてもよい。

【００３１】前記絶縁膜および第２の絶縁膜のうちの少
なくとも一方が有機絶縁膜であってもよい。

【００３２】以下に、本発明の作用について説明する。

【００３３】本発明にあっては、走査配線または信号配
線、あるいはその両方と迂回用予備線とが電気的に接続
されており、断線不良部およびリーク不良部において走
査電圧または信号電圧が迂回用予備線を迂回する。この
ため、断線箇所より先の配線部分に走査電圧または信号
電圧が印加され、ライン状画素欠陥を防ぐことができ
る。この迂回用予備線は絶縁膜を介して走査配線または
信号配線の上に重畳形成されているので、迂回用予備線
により画素を透過する光が遮られることはなく、表示装
置の開口率が低下しない。

【００３４】本発明にあっては、走査配線および信号配
線について断線の有無を検査し、断線不良が生じた配線
の上に迂回用予備線を絶縁膜を介して重畳形成して、そ
の配線と迂回用予備線とを電気的に接続する。断線不良
部においては、走査電圧または信号電圧が迂回用予備線
を迂回してその先の配線部分に印加されるので、ライン
状画素欠陥は発生しない。また、断線不良が生じた場合
に、その箇所に特定して上記絶縁膜および迂回用予備線
を形成できるので、製造コストを低減することができ
る。

【００３５】また、本発明にあっては、走査配線および
信号配線の交差部についてリーク不良の有無を検査し、
リーク不良が生じた交差部の両側でどちらかの配線を切
断する。そして、切断した配線の上に迂回用予備線を絶
縁膜を介して重畳形成して、その配線と迂回用予備線と
を電気的に接続する。リーク不良が生じた交差部の両側
で信号配線を切断すると、信号配線に信号電圧が印加さ
れなくり、走査配線と信号配線とのリーク不良が生じな
くなる。また、その部分で信号配線を切断しても、迂回
用予備線を迂回してその先の信号配線部分に信号電圧が
印加されるのでライン状画素欠陥は発生しない。この場
合、特願平７−２５１３３９号のように走査配線と信号
配線との交差部にリーク不良が発生したのか走査配線と
迂回用予備線との交差部にリーク不良が発生したのかを
特定する困難性がない。一方、リーク不良が生じた交差
部の両側で走査配線を切断すると、走査配線に走査電圧
が印加されなくり、走査配線と信号配線とのリーク不良
が生じなくなる。また、その部分で走査配線を切断して
も、迂回用予備線を迂回してその先の走査配線部分に走
査電圧が印加されるので、ライン状画素欠陥は発生しな
い。さらに、リーク不良が生じた場合に、その箇所に特
定して上記絶縁膜および迂回用予備線を形成できるの
で、製造コストを低減することができる。

【００３６】上記迂回用予備線を走査配線および信号配
線の交差部を迂回するように形成してもよい。この場
合、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わ
せ、さらに、両基板の間隙に表示媒体を挟持させて表示
装置の構成とした後でも、レーザー照射等により交差部
におけるリーク不良を修正することができる。この迂回
用予備線は絶縁膜を介して走査配線または信号配線の上
に重畳しており、交差部を迂回しているだけなので、迂
回用予備線により画素を透過する光が遮られることはな
く、遮られても僅かな領域のみである。

【００３７】上記迂回用予備線は、上記絶縁膜に設けら
れた貫通孔を介して走査配線または信号配線と電気的に
接続してもよい。この場合、その貫通孔は、迂回用予備
線に重畳する配線とそれに交差する配線との各交差部か
ら所定の位置に１つずつ設けるのが好ましい。貫通孔を
各交差部から２つ以上の位置に形成した場合、各貫通孔
の間に存在する走査配線部分が、隣接する画素電極に対
応する走査配線部分と接続されなくなる。あるいは、各
貫通孔の間に存在する信号配線部分が、隣接する画素電
極に対応する信号配線部分と接続されなくなる。これに
対して、各交差部から所定の位置に１つずつ貫通孔を設
けた場合、ある画素電極に対応する走査配線部分と、隣
接する画素電極に対応する走査配線部分とを全て迂回用
予備線により接続でき、また、ある画素電極に対応する
信号配線部分と、隣接する画素電極に対応する信号配線
部分とを全て迂回用予備線により接続できる。また、上
記絶縁膜に設けられる貫通孔は、走査配線または信号配
線の両端部上に１つずつ設けてもよい。この場合、画素
電極が形成されていない表示領域外に走査配線と迂回用
予備線との接続部または信号配線と迂回用予備線との接
続部を配置することができるので、走査配線と迂回用予
備線との接続面積または信号配線と迂回用予備線との接
続面積を広く取ることができる。従って、それらの接続
抵抗が低くなり、接続の信頼性も向上する。

【００３８】上記迂回用予備線は透明導電体からなって
いるのが好ましい。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電体を用いると、迂回用予備線が走査配
線または信号配線の上からはみ出しても画素を透過する
光が遮られることがない。よって、迂回用予備線の幅を
走査配線または信号配線に比べて十分広くすることがで
き、迂回用予備線の断線不良が低減する。

【００３９】上記迂回用予備線は不透明導電体からなっ
ていてもよい。例えば、アルミニウム膜等を用いると、
迂回用予備線の抵抗値を低くすることができる。この場
合でも、迂回用予備線の幅は、ブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）等の遮光パターン幅よりも狭いか同じ幅にすればよ
いので、特に細線化する必要はない。

【００４０】上記画素電極は信号配線を覆う有機絶縁膜
上に形成されているのが好ましい。一般に、有機絶縁膜
は誘電率が低いため、画素電極と信号配線との間の容量
を小さくすることができる。また、この場合、信号配線
の下方に形成される走査配線と画素電極との間の容量も
小さくすることができる。

【００４１】上記迂回用予備線は信号配線を覆う上記有
機絶縁膜上に形成されていてもよい。信号配線は走査配
線を覆う絶縁膜上に形成されるため、絶縁膜の形成不良
や絶縁膜の剥がれ等により急峻な凹凸が発生して断線す
ることがある。この信号配線を覆う有機絶縁膜上に迂回
用予備線を形成すると、有機絶縁膜は平坦化が可能であ
るため、迂回用予備線の断線が発生しにくくなる。ま
た、画素電極と迂回用予備線とを同層に形成すると、製
造コストを削減できる。

【００４２】上記画素電極が上記迂回用予備線を覆う第
２の絶縁膜上に形成されていてもよい。この場合、画素
電極と迂回用予備線とが別層に形成されるので、画素電
極と迂回用予備線とのリークが極めて生じにくい。

【００４３】上記信号配線を覆う絶縁膜および第２の絶
縁膜のうちの少なくとも１つを有機絶縁膜にすると、そ
れらの絶縁膜を平坦化することができるので、迂回用予
備線の断線を低減することができる。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を具体
的に説明する。

【００４５】（実施形態１）図１（ａ）は実施形態１の
アクティブマトリクス型表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板の構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は
そのＴＦＴ部分を拡大して示す平面図である。また、図
２はその１画素分の拡大図である。図３（ａ）は図２の
Ａ−Ａ’線断面図であり、図３（ｂ）はコンタクトホー
ル部分の拡大図である。また、図４はそのＴＦＴ部分の
断面図である。

【００４６】このアクティブマトリクス基板は、基板８
上に走査配線としてのゲートバスライン１が設けられ、
ゲートバスライン１と同層に、各画素に共通のＣｓ配線
３がゲートバスライン１と平行かつ交互に配置されてい
る。Ｃｓ配線３上には、１画素当たり１つのＣｓ電極１
０がゲート絶縁膜９を介して形成されている。絶縁膜９
上には、信号配線として下層データバスライン１１およ
びデータバスライン２がゲートバスライン１と交差して
設けられている。これらを覆って絶縁膜１２が設けられ
ており、その上にデータバスライン２に重畳するように
迂回用予備線５が設けられている。絶縁膜１２には、デ
ータバスライン２との重畳部分に各画素毎に１つずつコ
ンタクトホール５ａが設けられ、このコンタクトホール
５ａを介してデータバスライン２と迂回用予備線５とが
接続されている。

【００４７】各ゲートバスライン１およびデータバスラ
イン２の交差部近傍にはスイッチング素子としてのＴＦ
Ｔ６が設けられている。ＴＦＴ６は半導体層６ａを有し
ており、この半導体層６ａはゲートバスライン１の上に
ゲート絶縁膜９を介して形成されている。半導体層６ａ
の中間部はチャネル領域となっており、その両端部は半
導体コンタクト層１４を介して各々データバスライン２
およびドレイン電極に接続されている。データバスライ
ンは下層データバスライン１１およびデータバスライン
２の２層からなり、その一部として下層ソース電極１７
および上層ソース電極１５が形成されている。また、ド
レイン電極はドレイン電極７および下層ドレイン電極１
６の２層からなる。これらを覆って第２の絶縁膜として
の層間絶縁膜１３が設けられており、その上に画素電極
４が設けられて、層間絶縁膜１３に設けられたコンタク
トホール４ａを介してドレイン電極７と接続されてい
る。

【００４８】このアクティブマトリクス基板は、図示し
ない対向電極が設けられた対向基板と所定の空隙を隔て
て貼り合わせられ、その空隙に表示媒体としての液晶が
封入されて液晶表示装置が構成される。

【００４９】この液晶表示装置において、アクティブマ
トリクス基板のゲートバスライン１にＯＮ電圧（走査電
圧）が印加されると、ＴＦＴ６がＯＮ状態になり、デー
タバスラインに印加される信号電圧が画素電極４に与え
られる。これにより、その画素電極４と対向電極との間
の画素容量（液晶）が充電される。

【００５０】この実施形態１のアクティブマトリクス型
表示装置の製造について、図３および図４を用いて説明
する。

【００５１】まず、透光性および絶縁性を有する基板８
上に透明導電膜を形成し、これをパターニングすること
によりゲートバスライン１およびＣｓ配線３を形成す
る。ここでは、基板８としてガラス基板を用いたが、透
光性を有する絶縁性基板であれば、他のものを用いても
良い。

【００５２】次に、ゲートバスライン１およびＣｓ配線
３を覆うようにゲート絶縁膜９となる絶縁性薄膜、半導
体層６ａとなる半導体薄膜、半導体コンタクト層１４と
なる半導体−電極コンタクト材薄膜を順次形成する。こ
こでは絶縁性薄膜として窒化シリコンを用いたが、絶縁
性を有するものであれば他のものを用いてもよい。ま
た、半導体薄膜としてはアモルファスシリコンを用いた
が他のものを用いても良い。

【００５３】続いて、透明導電性薄膜および導電性薄膜
を順次形成し、この導電性薄膜をパターニングすること
によりデータバスライン２、ドレイン電極７およびデー
タバスライン２の一部である上層ソース電極１５を形成
する。次に、上記透明導電性薄膜をパターニングするこ
とにより下層データバスライン１１、下層ドレイン電極
１６、下層ソース電極１７およびＣｓ電極１０を形成す
る。ここでは透明導電性薄膜としてＩＴＯを用い、導電
性薄膜としてＴａ系金属材料を用いたが、導電性材料で
あれば他の材料を用いてもよい。また、データバスライ
ン、ドレイン電極、ソース電極およびＣｓ電極は１種類
の導電性材料を用いて形成しても良く、透明導電性材料
を用いて形成してもよい。この場合には、下層データバ
スライン１１および下層ドレイン電極１６は不要にな
る。尚、データバスライン２の幅は、電気的な駆動条件
を考慮して約８μｍに設定した。以上によりＴＦＴ６が
形成される。

【００５４】その後、絶縁膜１２となる絶縁層を形成
し、迂回用予備線５とデータバスライン２との接続のた
めのコンタクトホール５ａを形成する。その上にデータ
バスライン２に沿って迂回用予備線５を形成する。この
とき、コンタクトホール５ａ内部にも迂回用予備線５が
形成されてデータバスライン２と接続される。ここで
は、絶縁膜１２として窒化シリコン膜を形成したが、絶
縁性を有する材料であればその他の材料を用いてもよ
い。この絶縁膜１２の膜厚は、データバスライン２の膜
厚以上１μｍ以下であるのが好ましい。また、迂回用予
備線５は、ＩＴＯ等の透明導電膜を用いて形成してもよ
く、アルミニウムのような抵抗の低い不透明導電膜を用
いてもよく、その他の導電性材料を用いてもよい。ここ
では、材料として、Ｔａ系金属材料を用いて迂回用予備
線５を形成した。尚、迂回用予備線５の幅は、データバ
スライン２の幅よりも狭い一定の幅に設定されるが、こ
こでは電気的な特性条件を考慮して約７μｍに設定し
た。

【００５５】次に、層間絶縁膜１３としての絶縁層を形
成し、画素電極４とドレイン電極７との接続のためのコ
ンタクトホール４ａ、画素電極４とＣｓ電極１０との接
続のためのコンタクトホール４ｂを形成する。この層間
絶縁膜１３の膜厚は、絶縁性を考慮すると１μｍ以上５
μｍ以下であるのが好ましく、さらに好ましくは１．５
μｍ以上３μｍ以下である。また、層間絶縁膜１３とし
ては、比誘電率の低い材料を用いるのが好ましい。ここ
では層間絶縁膜１３として比誘電率３．５の感光性アク
リル樹脂を膜厚約３．０μｍ形成したが、絶縁性を有す
る材料であればその他の材料を用いてもよく、絶縁膜１
２および層間絶縁膜１３を同じ材料を用いて形成しても
良い。尚、上記絶縁膜１２および第２の絶縁膜としての
層間絶縁膜１３のうちの少なくとも一方は有機絶縁膜で
あるのが好ましい。

【００５６】その後、導電性膜をパターニングすること
により画素電極４を形成する。このとき、コンタクトホ
ール４ａ、４ｂ内部にも画素電極４が形成され、画素電
極４とドレイン電極７およびＣｓ電極１０とが接続され
る。ここではＩＴＯを用いて画素電極４を形成したが、
その他の導電性材料を用いても良い。以上によりアクテ
ィブマトリクス基板が得られる。

【００５７】このアクティブマトリクス基板と、対向電
極が設けられた対向基板とを所定の空隙を隔てて貼り合
わせ、その空隙に液晶を封入することにより液晶表示装
置が完成する。

【００５８】このようにして得られる実施形態１のアク
ティブマトリクス型表示装置においては、以下のように
優れた特徴を備えている。

【００５９】（１）データバスライン２に断線が生じた
場合、迂回用予備線５により断線発生箇所から先の画素
電極４に信号電圧を印加することができる。

【００６０】（２）ゲートバスライン１とデータバスラ
イン２との交差部にリークが生じた場合、絶縁膜１２の
形成前に、その交差部の両側に例えばレーザー光等を照
射することにより、データバスライン２をその交差部の
両側で切断する。これにより、交差部においてデータバ
スライン２に電圧が印加されなくなり、ゲートバスライ
ン１とデータバスライン２とのリーク不良を修正するこ
とができる。

【００６１】（３）迂回用予備線５が画素電極４を横切
らないため、迂回用予備線５と画素電極４との容量が極
めて小さく、迂回用予備線５によるクロストークは殆ど
生じない。

【００６２】（４）迂回用予備線５がデータバスライン
２上に形成されているので、ゲートバスライン１と迂回
用予備線５との交差部でリークが発生することはない。

【００６３】（５）透明導電体を用いて迂回用予備線５
を形成した場合には、迂回用予備線５が画素を透過する
光を遮ることはないので、開口率を高くすることができ
る。また、データバスライン２よりも迂回用予備線の幅
を広くしてもよく、この場合、迂回用予備線の断線を低
減することができる。また、不透明導電体を用いて迂回
用予備線５を形成した場合には、比抵抗率の低い材料を
選択することができるので、迂回用予備線の抵抗値を低
くすることができる。この場合でも、迂回用予備線がデ
ータバスライン２上に形成されているので、画素を透過
する光を遮ることはなく、画素の開口率を高くすること
ができる。

【００６４】（６）データバスライン２において、隣接
する画素電極４に対応する部分同士が全て迂回用予備線
５により接続されているようにすることができる。この
ため、データバスライン２のどの箇所に断線が生じて
も、迂回用予備線５により断線発生箇所から先の画素電
極４に信号電圧を印加することができる。

【００６５】（７）画素電極４が有機絶縁膜からなる層
間絶縁膜１３上に形成されているので、画素電極４とデ
ータバスライン２との間の容量を小さくすることがで
き、ゲートバスライン１と画素電極４との間の容量も小
さくすることができる。

【００６６】（８）データバスライン２を覆う絶縁膜１
２として有機絶縁膜を用いた場合、迂回用予備線５が平
坦な有機絶縁膜上に形成されるため、迂回用予備線５の
断線が発生しにくくなる。

【００６７】（９）迂回用予備線５がデータバスライン
２を覆う絶縁膜１２上に形成され、画素電極４が迂回用
予備線５を覆う第２の絶縁膜１３上に形成されているの
で、画素電極４と迂回用予備線５とのリークが極めて生
じにくい。

【００６８】なお、図１では、データバスライン２の各
々に対して迂回用予備線５を形成したが、絶縁膜１２の
形成前に、データバスライン２の断線またはゲートバス
ライン１とデータバスライン２との交差部のリークが生
じているデータバスライン２の上にのみ迂回用予備線５
を形成してもよい。この場合、データバスライン２の断
線またはゲートバスライン１とデータバスライン２との
交差部のリークが生じていないことが分かった箇所に
は、迂回用予備線５を形成しなくてもよい。このように
絶縁膜１２および迂回用予備線５の形成を省略すること
により、製造時間および製造費用を節約することができ
る。

【００６９】また、図１では、画素電極４とドレイン電
極７を直接接続させたが、図５に示すように、Ｃｓ電極
１０および接続電極１０ａを介して画素電極４とドレイ
ン電極７を接続させてもよい。

【００７０】また、図１では、Ｃｓ電極１０を各画素に
共通するＣｓ配線３上に配して、Ｃｓ配線、ゲート絶縁
膜９およびＣｓ電極１０の重畳部に補助容量を設けるＣ
ｓｏｎＣｏｍｍｏｎの構造を採用したが、図６に示す
ように、隣接する画素電極４に対応するゲートバスライ
ン１の上にＣｓ電極１０の一部を重畳させて、ゲートバ
スライン１、ゲート絶縁膜９およびＣｓ電極１０の重畳
部に補助容量を設けるＣｓｏｎＧａｔｅの構造とし
てもよい。

【００７１】さらに、図７に示すように、絶縁膜１２の
上表面を平坦化させてその上に迂回用予備線５を形成し
てもよい。この場合には、迂回用予備線５の断線が少な
くなるという利点がある。

【００７２】（実施形態２）実施形態２のアクティブマ
トリクス型表示装置について、図８を用いて説明する。
尚、本実施形態２、後述の実施形態３および実施形態４
において、前述の実施形態１における構成要素と同様の
機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、
その説明を省略する。

【００７３】図８は実施形態２のアクティブマトリクス
型表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素
分の構成を示す平面図である。

【００７４】このアクティブマトリクス基板において、
ゲートバスライン１、データバスライン２、Ｃｓ配線３
が実施形態１と同様に配置されている。

【００７５】Ｃｓ配線３上には、図示しないゲート絶縁
膜を介してＣｓ電極２１が形成されて、ＣｓｏｎＣ
ｏｍｍｏｎ構造の補助容量が形成されている。このＣｓ
電極２１は、ゲート絶縁膜のコンタクトホール４ｃを介
して画素電極４と接続されている。

【００７６】これらを覆って設けられた図示しない絶縁
膜１２の上には、ゲートバスライン１に重畳するように
迂回用予備線２２が設けられている。絶縁膜１２には、
ゲートバスライン１において各画素電極４に対応する部
分上にコンタクトホール２２ａが設けられ、このコンタ
クトホール２２ａを介してゲートバスライン１と迂回用
予備線２２とが接続されている。この迂回用予備線２２
は、ゲートバスライン１の幅よりも狭い一定の幅に形成
されている。この迂回用予備線２２は、ＩＴＯ等の透明
導電膜を用いて形成してもよく、アルミニウムのような
抵抗の低い不透明導電膜を用いてもよく、その他の導電
性材料を用いてもよい。

【００７７】各ゲートバスライン１およびデータバスラ
イン２の交差部近傍には実施形態１と同様のＴＦＴが設
けられている。

【００７８】これらを覆って設けられた図示しない第２
の絶縁膜１３の上には、画素電極４が設けられている。

【００７９】この実施形態２のアクティブマトリクス型
表示装置は、絶縁膜１２上に迂回用予備線５を形成する
工程を省略し、その代わりに絶縁膜１２上に迂回用予備
線２２を形成する工程を加える以外は、実施形態１と同
様にして作製することができる。

【００８０】この実施形態２のアクティブマトリクス型
表示装置は、以下のように優れた特徴を備えている。

【００８１】（１）ゲートバスライン１に断線が生じた
場合、迂回用予備線２２により断線発生箇所から先の画
素電極４に走査電圧を印加することができる。

【００８２】（２）ゲートバスライン１とデータバスラ
イン２との交差部にリークが生じた場合、絶縁膜１２の
形成前に、その交差部の両側に例えばレーザー光等を照
射することにより、ゲートバスライン１をその交差部の
両側で切断する。これにより、交差部においてゲートバ
スライン１に電圧が印加されなくなり、ゲートバスライ
ン１とデータバスライン２とのリーク不良を修正するこ
とができる。

【００８３】（３）迂回用予備線２２が画素電極４を横
切らないため、迂回用予備線２２と画素電極４との容量
が極めて小さく、この容量による画素電圧の引き込みは
殆ど生じない。尚、画素電圧の引き込みとは、ゲートと
ドレイン（画素）との間の容量Ｃｇｄが増大した場合に
生じる現象であり、ゲートがオンして画素を充電した後
にオフするとき、画素電位がＣｇｄを介してゲートに引
き込まれ、その結果、画素電位が低下することを言う。
このような画素電圧の引き込みが生じると、画素電極と
共通電極との間に挟持される液晶にＤＣ成分が与えら
れ、液晶に悪影響を及ぼす。これを防ぐためには、共通
電極に印加される電位を最適化することによりＤＣ成分
をキャンセルする。

【００８４】（４）透明導電体を用いて迂回用予備線２
２を形成した場合には、迂回用予備線２２が画素を透過
する光を遮ることはないので、開口率を高くすることが
できる。また、データバスライン２よりも迂回用予備線
の幅を広くしてもよく、この場合、迂回用予備線の断線
を低減することができる。また、不透明導電体を用いて
迂回用予備線２２を形成した場合には、比抵抗率の低い
材料を選択することができるので、迂回用予備線の抵抗
値を低くすることができる。この場合でも、迂回用予備
線がゲートバスライン１上に形成されているので、画素
を透過する光を遮ることはなく、画素の開口率を高くす
ることができる。

【００８５】（５）ゲートバスライン１において、隣接
する画素電極４に対応する部分同士が全て迂回用予備線
２２により接続されているようにすることができる。こ
のため、ゲートバスライン１のどの箇所に断線が生じて
も、迂回用予備線２２により断線発生箇所から先の画素
電極４に信号電圧を印加することができる。

【００８６】（６）画素電極４が有機絶縁膜からなる層
間絶縁膜１３上に形成されているので、画素電極４とデ
ータバスライン２との間の容量を小さくすることがで
き、ゲートバスライン１と画素電極４との間の容量も小
さくすることができる。

【００８７】（７）ゲートバスライン１を覆う絶縁膜１
２として有機絶縁膜を用いた場合、迂回用予備線２２が
平坦な有機絶縁膜上に形成されるため、迂回用予備線２
２の断線が発生しにくくなる。

【００８８】（８）迂回用予備線２２がゲートバスライ
ン１を覆う絶縁膜１２上に形成され、画素電極４が迂回
用予備線２２を覆う第２の絶縁膜１３上に形成されてい
るので、画素電極４と迂回用予備線２２とのリークが極
めて生じにくい。

【００８９】なお、図８では、ゲートバスライン１の各
々に対して迂回用予備線２２を形成したが、絶縁膜１２
の形成前に、ゲートバスライン１の断線またはゲートバ
スライン１とデータバスライン２との交差部のリークが
生じているゲートバスライン１の上にのみ迂回用予備線
２２を形成してもよい。この場合、ゲートバスライン１
の断線またはゲートバスライン１とデータバスライン２
との交差部のリークが生じていないことが分かった箇所
には、迂回用予備線２２を形成しなくてもよい。このよ
うに絶縁膜１２および迂回用予備線２２の形成を省略す
ることにより、製造時間および製造費用を節約すること
ができる。

【００９０】また、図８では、Ｃｓ電極２１を各画素に
共通するＣｓ配線３上に配して、Ｃｓ配線、ゲート絶縁
膜およびＣｓ電極２１の重畳部に補助容量を設けるＣｓ
ｏｎＣｏｍｍｏｎの構造を採用したが、図９に示す
ように、隣接する画素電極４に対応するゲートバスライ
ン１の上にＣｓ電極２１の一部を重畳させて、ゲートバ
スライン１、ゲート絶縁膜およびＣｓ電極２１の重畳部
に補助容量を設けるＣｓｏｎＧａｔｅの構造として
もよい。

【００９１】また、図８の構成に加えて、実施形態１と
同様の迂回用予備線５を形成して絶縁膜１２のコンタク
トホール５ａにおいてデータバスライン２と接続させる
構成とすることもできる。

【００９２】（実施形態３）実施形態３のアクティブマ
トリクス型表示装置について、図１０を用いて説明す
る。

【００９３】図１０は実施形態３のアクティブマトリク
ス型表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成
を示す平面図である。

【００９４】このアクティブマトリクス基板において
は、迂回用予備線５とデータバスライン２とを接続する
コンタクトホール５ａを設けずに表示領域外にコンタク
トホール５ｂを設けた以外は実施形態１と同様の構成を
有している。この場合は、２つのコンタクトホール５ｂ
と接続した端子部分を、入力端子側と反入力端子側とす
ると、入力端子から信号電圧が入力されて断線箇所の手
前までデータバスライン２を伝播し、入力端子側のコン
タクトホール５ｂを介して迂回用予備線５を伝播し、反
入力端子側のコンタクトホール５ｂを介してデータバス
ライン２の断線箇所まで信号電圧が伝播する。よって、
通常の表示状態が得られる。

【００９５】この実施形態３のアクティブマトリクス型
表示装置は、実施形態１のアクティブマトリクス型表示
装置の優れた特徴に加えて、さらに、以下のように優れ
た特徴を備えている。

【００９６】（１）画素電極４が設けられていない表示
領域外にコンタクトホール５ｂが設けられており、その
部分でデータバスライン２の幅を太くして迂回用予備線
５とデータバスライン２とのコンタクト部の面積を広く
することができる。このため、データバスライン２と迂
回用予備線５との接続抵抗を低くすることができ、接続
の信頼性も向上させることができる。

【００９７】（２）データバスライン２と迂回用予備線
５とのコンタクト部の個数を必要最小限にすることによ
り、コンタクト部形成における歩留りを向上させること
ができる。

【００９８】（３）コンタクト部の個数を表示領域外の
２箇所に制限すると、迂回用予備線５の抵抗を低くする
必要がある。一方、迂回用予備線５はゲートバスライン
１およびデータバスライン２と別の層で形成されている
ため、これらの配線と同じ導電膜を用いる必要は無い。
従って、比抵抗の低いアルミニウム等の材料を選択する
ことにより、迂回用予備線５の抵抗を低くすることがで
きる。

【００９９】尚、図１０では、表示領域外に迂回用予備
線５とデータバスライン２とを接続するためのコンタク
トホール５ｂを設けたが、図１１に示すように、表示領
域外に迂回用予備線２２とゲートバスライン１とを接続
するためのコンタクトホール２２ｂを設ける構成として
もよい。この場合には、その他の構成は実施形態２と同
様にすることができる。

【０１００】また、図１０に示した迂回用予備線５およ
び図１１に示した迂回用予備線２２の両方を基板上に形
成し、各々絶縁膜１２のコンタクトホール５ｂおよび２
２ｂにおいてデータバスライン２およびゲートバスライ
ン１と接続される構成としてもよい。

【０１０１】さらに、Ｃｓ電極１０または２１を各画素
に共通するＣｓ配線３上に配して、Ｃｓ配線３、ゲート
絶縁膜およびＣｓ電極１０または２１の重畳部に補助容
量を設けるＣｓｏｎＣｏｍｍｏｎの構造を採用した
が、隣接する画素電極４に対応するゲートバスライン１
の上にＣｓ電極１０または２１の一部を重畳させて、ゲ
ートバスライン１、ゲート絶縁膜およびＣｓ電極１０ま
たは２１の重畳部に補助容量を設けるＣｓｏｎＧａ
ｔｅの構造としてもよい。

【０１０２】（実施形態４）実施形態４のアクティブマ
トリクス型表示装置およびその欠陥修正方法について、
図１２、図１３および図１４を用いて説明する。

【０１０３】図１２は実施形態４のアクティブマトリク
ス型表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成
を示す平面図である。

【０１０４】このアクティブマトリクス基板は、データ
バスライン１上に絶縁膜１２を介して重畳する迂回用予
備線５が、ゲートバスライン１とデータバスライン２と
の交差部およびデータバスライン２とＣｓ配線３との交
差部を迂回するように設けられており、それ以外は実施
形態１と同様の構成を有している。

【０１０５】この実施形態４のアクティブマトリクス型
表示装置において、リーク不良が生じた場合の欠陥修正
は以下のようにして行う。

【０１０６】図１３（ａ）に示すように、ゲートバスラ
イン１とデータバスライン２との交差部Ｒにおいてゲー
トバスライン１とデータバスライン２とのリークが生じ
た場合には、その交差部Ｒの両側Ｒ１、Ｒ２にレーザー
光等を照射してデータバスライン２を切断する。これに
より、交差部Ｒにおいてデータバスライン２に電圧が印
加されなくなり、ゲートバスライン１とデータバスライ
ン２とのリーク不良を修正することができる。この場
合、迂回用予備線５の形成後であってもリーク不良を修
正することができる。従って、このアクティブマトリク
ス基板を対向基板と貼り合わせて両基板の間隙に液晶を
注入した後でも、欠陥修正を行って表示装置の歩留りを
向上させることができる。

【０１０７】また、図１３（ｂ）に示すように、データ
バスライン２とＣｓ配線３との交差部Ｓにおいてデータ
バスライン２とＣｓ配線３とのリークが生じた場合、迂
回用予備線５の形成後であっても、その交差部Ｓの両側
Ｓ１、Ｓ２にレーザー光等を照射してデータバスライン
２を切断することができる。これにより、交差部Ｓにお
いてデータバスライン２に電圧が印加されなくなり、デ
ータバスライン２とＣｓ配線３とのリーク不良を修正す
ることができる。

【０１０８】さらに、図１４に示すように、データバス
ライン２の一部Ｑに断線が生じた場合には、信号電圧が
迂回用予備線５により断線部Ｑを迂回し、その先のデー
タバスライン２に信号電圧が印加される。従って、断線
発生箇所Ｑから先の画素電極４にも信号電圧を印加する
ことができる。

【０１０９】尚、透明導電体を用いて迂回用予備線５を
形成した場合には、迂回用予備線５が画素を透過する光
を遮ることはないので、表示装置の開口率を高くするこ
とができる。また、不透明導電体を用いて迂回用予備線
５を形成した場合でも、迂回用予備線５が画素を遮る面
積が小さいため、表示装置の開口率を高くすることがで
きる。

【０１１０】なお、図１２では、データバスライン２上
に絶縁膜１２を介して迂回用予備線５を設けたが、実施
形態２のようにゲートバスライン１上に絶縁膜１２を介
して迂回用予備線２２を設けた構成とすることもでき
る。この場合の迂回用予備線２２は、ゲートバスライン
１およびデータバスライン２の交差部を迂回するように
形成する。

【０１１１】また、上記実施形態１〜４では、レーザー
光の照射によりバスラインを切断したが、アクティブマ
トリクス基板と対向基板とを貼り合わせる前にリークが
発見された場合には、レーザー光以外の物理的手段また
は化学的手段によりバスラインを切断してもよい。ま
た、アクティブマトリクス基板の製造過程においてリー
ク不良を修正する場合も同様である。

【０１１２】実施形態１〜３では、ゲートバスライン１
またはデータバスライン２に断線が生じた場合について
説明したが、ゲートバスライン１とデータバスライン２
との交差部やデータバスライン２とＣｓ配線３との交差
部でリークが発生した場合、実施形態４と同様に交差部
の両側において各バスラインを切断することにより、リ
ーク不良を修正することができる。但し、迂回用予備線
が交差部を迂回していない構成の場合には、迂回用予備
線５または２２の形成前にデータバスライン２またはゲ
ートバスライン１を交差部の両側で切断しておく必要が
ある。

【０１１３】実施形態１〜４においては、スイッチング
素子として逆スタガ型ＴＦＴを用いたが、スタガ型ＴＦ
Ｔを用いてもよく、スイッチング素子として機能するも
のであれば、上記材料、構造および製造方法に限定され
ずに用いることができる。例えば、ＭＩＭ素子等の他の
スイッチング素子を用いてもよい。尚、スタガ型ＴＦＴ
を用いる場合、ゲートバスラインおよび半導体層の配置
は逆スタガ型ＴＦＴの場合と異なったものになる。ま
た、ＭＩＭ素子を用いる場合、アクティブマトリクス基
板上に走査配線としてのゲートバスライン１は形成され
ていない。その代わりに、対向基板（またはカラーフィ
ルタ基板）上に画素電極と同じ幅の走査配線が設けられ
る。従って、この場合には、アクティブマトリクス基板
上にＭＩＭ素子と共に形成されるデータバスラインにつ
いて本発明の適用が可能である。但し、この場合、画素
電極と各データバスラインとは絶縁膜を介して別層に形
成される。

【０１１４】また、実施形態１〜４においては、迂回用
予備線を信号配線を覆う絶縁膜の上に形成し、その上に
設けられた第２の絶縁膜上に画素電極を形成したが、迂
回用予備線と画素電極とを同じ絶縁膜上の同層に形成し
ても良い。

【０１１５】実施形態１〜４においては、迂回用予備線
を絶縁膜の貫通孔を介して各バスラインと接続させた
が、各バスラインの端子部において迂回用予備線と各バ
スラインとを接続させてもよい。

【０１１６】さらに、表示媒体としては液晶を用いた
が、プラズマ等の他の表示媒体を用いても良い。

【０１１７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のアクティブマトリクス型表示装置によれば、走査配線
または信号配線に断線不良が生じた場合、断線箇所にお
いて走査電圧または信号電圧が迂回用予備線を迂回し
て、その断線箇所より先の走査配線または信号配線に走
査電圧または信号電圧が印加される。このため、走査配
線または信号配線の断線が生じても、断線箇所より先に
設けられた画素電極に走査電圧または信号電圧を印加す
ることができる。その結果、ライン状欠陥の発生を防止
して表示装置の良品率を大幅に高めることができ、製造
コストの低減を図ると共に表示装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、この迂回用予備線は走査配線ま
たは信号配線に重畳しているので、迂回用予備線により
光が遮られることはなく、表示装置の開口率が低下しな
い。さらに、迂回用予備線が画素電極領域を横切らず、
または横切っても極めて狭い面積であるので、迂回用予
備線と画素電極との間の容量に起因する表示特性の低下
を防ぐことができ、表示品位を高めることができる。

【０１１８】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の欠陥修正方法によれば、断線不良が生じた配線の上に
迂回用予備線を絶縁膜を介して重畳形成し、その配線と
迂回用予備線とを電気的に接続することにより、断線不
良を修正することができる。または、リーク不良が生じ
た交差部の両側でどちらかの配線を切断し、その配線の
上に迂回用予備線を絶縁膜を介して重畳形成して、その
配線と迂回用予備線とを電気的に接続することにより、
リーク不良を修正することができる。その結果、ライン
状欠陥の発生を防止して表示装置の良品率を大幅に高め
ることができる。また、断線不良やリーク不良が生じた
箇所に特定して上記絶縁膜および迂回用予備線を形成で
きるので、さらに製造コストを低減することができる。

【０１１９】上記迂回用予備線を走査配線および信号配
線の交差部を迂回するように形成してもよい。この場
合、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わ
せ、さらに、両基板の間隙に表示媒体を挟持させて表示
装置の構成とした後でも、レーザー照射等により交差部
におけるリーク不良を修正することができるので、さら
に表示装置の歩留りを向上させることができる。この迂
回用予備線は絶縁膜を介して走査配線または信号配線の
上に重畳しており、交差部を迂回しているだけなので、
迂回用予備線により画素を透過する光が遮られる面積は
僅かな領域のみであるので、表示装置の開口率が低下す
ることはない。

【０１２０】上記迂回用予備線と走査配線または信号配
線とを接続するために絶縁膜に設けられる貫通孔を、走
査配線または信号配線の両端部上に１つずつ設けた場合
には、コンタクトホールの数を必要最低限の個数とし、
表示領域外に広い面積のコンタクト部を形成することが
できる。このため、コンタクトホールの歩留りを大幅に
向上することができ、さらに製造コストの低減を図るこ
とができる。また、コンタクト部の面積が広いため、走
査配線または信号配線と迂回用予備線との接続抵抗が低
くなると共に接続の信頼性も向上して、表示装置の信頼
性をさらに向上することができる。

【０１２１】上記迂回用予備線と走査配線または信号配
線とを接続するために絶縁膜に設けられる貫通孔を、信
号配線および走査配線の交差部から所定の位置に１つず
つ設けた場合、各画素電極に対応する信号配線部分また
は走査配線部分を全て迂回用予備線により接続すること
ができる。

【０１２２】上記迂回用予備線は透明導電体を用いて形
成すると、実施形態４のように迂回用予備線が配線の交
差部を迂回して画素電極領域を横切るような構成として
も、迂回用予備線により画素を透過する光が遮られるこ
とがない。よって、液晶等の表示媒体注入後においても
交差部におけるリーク不良の修正を行うことができ、し
かも高開口率を維持することができる。この結果、表示
媒体注入後の良品率を向上させることができる。また、
迂回用予備線の幅を走査配線または信号配線に比べて広
くすることもできるので、迂回用予備線の断線を低減し
て歩留りを向上させることができる。

【０１２３】上記迂回用予備線は不透明導電体を用いて
形成すると、迂回用予備線の抵抗値を低くすることがで
きる。よって、走査電圧または信号電圧が迂回用予備線
を迂回して画素電極に印加されても、表示品位が低下せ
ず、さらに高い表示品位を得ることができる。

【０１２４】上記画素電極を信号配線を覆う有機絶縁膜
上に形成すると、画素電極と信号配線との間の容量を小
さくすることができ、信号配線の下方に形成される走査
配線と画素電極との間の容量も小さくすることができ
る。よって、画素電極と信号配線との間の容量によるク
ロストークを低減することができると共に、画素電極と
走査配線との間の容量による画素電圧の引き込みを抑制
することができる。この結果、これらの容量による影響
を抑えて表示品位をさらに向上させることができる。

【０１２５】上記迂回用予備線を信号配線を覆う上記有
機絶縁膜上に形成すると、迂回用予備線の断線が発生し
にくいため歩留りが向上する。また、画素電極と迂回用
予備線とを同層に形成すると、１枚のマスクを用いてこ
れらを同時にパターニングできるので、製造コストをさ
らに削減できる。

【０１２６】上記迂回用予備線を信号配線を覆う絶縁膜
上に形成し、画素電極を上記迂回用予備線を覆う第２の
絶縁膜上に形成すると、画素電極と迂回用予備線とが別
の層に形成されるので、画素電極と迂回用予備線とのリ
ークが極めて生じにくい。また、この信号配線を覆う絶
縁膜を有機絶縁膜とした場合、ゲート絶縁膜の剥がれや
不良による急峻な凹凸により信号配線に断線が生じて
も、絶縁膜によりその凹凸を埋めて平坦化することがで
きる。よって、迂回用予備線が断線しにくくなり、信号
配線の断線を迂回用予備線により迂回することができる
ので、良品率を高めることができる。また、迂回用予備
線を覆う第２の絶縁膜を有機絶縁膜とした場合、各配線
の段差を埋めて平坦化することができるので、液晶等の
表示媒体の配向が乱れず、表示品位を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は実施形態１のアクティブマトリクス型
表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成を示
す平面図であり、（ｂ）はそのＴＦＴ部分を拡大して示
す平面図である。

【図２】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を
示す平面図である。

【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ’線断面図であり、
（ｂ）はコンタクトホール部分の拡大図である。

【図４】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
におけるＴＦＴ部分の断面図である

【図５】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の他の構成を示す平
面図である

【図６】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の他の構成を示す平
面図である

【図７】（ａ）は実施形態１のアクティブマトリクス型
表示装置におけるアクティブマトリクス基板の他の構成
を示す図２のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）はコンタ
クトホール部分の拡大図である。

【図８】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を
示す平面図である。

【図９】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の他の構成を示す平
面図である

【図１０】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装
置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成
を示す平面図である。

【図１１】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装
置におけるアクティブマトリクス基板の他の構成を示す
平面図である

【図１２】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成
を示す平面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は実施形態４のアクティブマ
トリクス型表示装置にリーク不良が生じた場合の欠陥修
正方法を説明するための平面図である。

【図１４】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置に断線不良が生じた場合について説明するための平面
図である。

【図１５】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す
平面図である。

【図１６】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す
平面図である。

【図１７】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図であ
る。

【図１８】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す
平面図である。

【図１９】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を示す
平面図である。

【符号の説明】

１ゲートバスライン（走査配線）２データバスライン（信号配線）４画素電極５、２２迂回用予備線６ＴＦＴ（スイッチング素子）８基板９ゲート絶縁膜１２絶縁膜１３第２の絶縁膜（層間絶縁膜）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配置された画素電極およ
び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備え、該
スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査配線お
よび該スイッチング素子に信号電圧を与えるための信号
配線が互いに交差して設けられ、該走査配線および該信
号配線のうちの少なくとも一方に、断線不良部およびリ
ーク不良部のうちの少なくとも一方を迂回させるための
迂回用予備線が絶縁膜を介して重畳形成され、該迂回用
予備線とこれを重畳させた配線とが電気的に接続されて
いるアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】マトリクス状に配置された画素電極およ
び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備え、該
スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査配線お
よび該スイッチング素子に信号電圧を与えるための信号
配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリクス
型表示装置の欠陥修正方法であって、該走査配線および該信号配線について断線の有無を検査
する工程と、断線不良が生じた配線の上に、迂回用予備線を絶縁膜を
介して重畳形成すると共に、該迂回用予備線とこれを重
畳させた配線とを電気的に接続する工程とを含むアクテ
ィブマトリクス型表示装置の欠陥修正方法。
【請求項３】マトリクス状に配置された画素電極およ
び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備え、該
スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査配線お
よび該スイッチング素子に信号電圧を与えるための信号
配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリクス
型表示装置におけるリーク不良を修正する欠陥修正方法
であって、該走査配線および該信号配線の交差部でのリーク不良の
有無を検査する工程と、リーク不良の生じている交差部を有する走査配線および
信号配線のうちの少なくとも一方に対し、該交差部の両
側で切断する工程と、切断した配線の上に迂回用予備線を絶縁膜を介して重畳
形成すると共に、該迂回用予備線とこれを重畳させた配
線とを電気的に接続する工程とを含むアクティブマトリ
クス型表示装置の欠陥修正方法。
【請求項４】マトリクス状に配置された画素電極およ
び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備え、該
スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査配線お
よび該スイッチング素子に信号電圧を与えるための信号
配線が互いに交差して設けられ、該走査配線および該信
号配線のうちの少なくとも一本に生じた断線不良を有す
る配線の上に、迂回用予備線が絶縁膜を介して重畳形成
され、該迂回用予備線とこれを重畳させた配線とが電気
的に接続されているアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】マトリクス状に配置された画素電極およ
び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備え、該
スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査配線お
よび該スイッチング素子に信号電圧を与えるための信号
配線が互いに交差して設けられ、該走査配線および該信
号配線の交差部のうちの少なくとも一箇所に生じたリー
ク不良を有する交差部を通る走査配線および信号配線の
うちの少なくとも一方が該交差部の両側で切断されてお
り、切断された配線の上に、迂回用予備線が絶縁膜を介
して重畳形成され、該迂回用予備線とこれを重畳させた
配線とが電気的に接続されているアクティブマトリクス
型表示装置。
【請求項６】前記迂回用予備線が、前記走査配線およ
び信号配線の交差部を迂回して形成されている請求項１
または４に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】請求項６に記載のアクティブマトリクス
型表示装置の欠陥修正方法であって、前記走査配線および前記信号配線の交差部についてリー
ク不良の有無を検査する工程と、前記走査配線および前記信号配線のうち、前記迂回用予
備線に重畳する配線を切断する工程とを含むアクティブ
マトリクス型表示装置の欠陥修正方法。
【請求項８】前記迂回用予備線とこれを重畳させた配
線とが前記絶縁膜に設けられた貫通孔を介して電気的に
接続されており、該貫通孔が該迂回用予備線を重畳させ
た配線とそれに交差する配線との各交差部から所定の位
置に１つずつ設けられている請求項１、４、５または６
に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】前記迂回用予備線とこれを重畳させた配
線とが前記絶縁膜に設けられた貫通孔を介して電気的に
接続されており、該貫通孔が該迂回用予備線を重畳させ
た配線の両端部上に１つずつ設けられている請求項１、
４、５または６に記載のアクティブマトリクス型表示装
置。
【請求項１０】前記迂回用予備線が透明導電体からな
る請求項１、４、５、６、８または９に記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】前記迂回用予備線が不透明導電体から
なる請求項１、４、５、６、８または９に記載のアクテ
ィブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】前記信号配線を覆う絶縁膜が有機絶縁
膜からなり、該画素電極が該絶縁膜上に設けられている
請求項１、４、５、６、８、９、１０または１１に記載
のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】前記迂回用予備線が前記有機絶縁膜上
に設けられ、前記画素電極と同じ材料を用いて同時にパ
ターニングされている請求項１２に記載のアクティブマ
トリクス型表示装置。
【請求項１４】前記迂回用予備線を覆って第２の絶縁
膜が設けられ、前記画素電極が該第２の絶縁膜上に設け
られている請求項１、４、５、６、８、９、１０、１
１、１２または１３に記載のアクティブマトリクス型表
示装置。
【請求項１５】前記絶縁膜および第２の絶縁膜のうち
の少なくとも一方が有機絶縁膜である請求項１４に記載
のアクティブマトリクス型表示装置。