KR100675088B1 - 액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 표시장치의 점결함의 검출을 용이하게 하기 위해 기판과; 상기 기판 상에 가로 및 세로 방향으로 각각 형성된 게이트 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터와 기판 전면을 덮고, 상기 데이터 배선이 노출된 데이터 배선 홀을 갖는 절연막과; 상기 절연막 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터에서 신호를 인가 받는 화소전극을 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판에 관해 개시하고 있다.

Description

액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법{Liquid crystal display and method for fabricating the same}

도 1은 일반적인 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 단면도.

도 2는 일반적인 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면을 도시한 평면도.

도 3a 내지 도 3e는 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ에 따른 단면의 제작공정을 나타내는 공정도.

도 4는 일반적인 액정 표시장치의 공정을 나타내는 순서도.

도 5는 도 2의 절단선 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면을 도시한 도면.

도 6은 종래 액정 표시장치의 충전특성을 도시한 도면.

도 7은 본 발명에 따른 데이터 배선 부분의 단면을 도시한 도면.

도 8은 본 발명에 따라 제작된 액정 표시장치의 충전특성을 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 기판 24 : 데이터 배선

14 : 화소전극 14' : 인접 화소전극

13 : 불량 화소패턴 200 : 데이터 배선 홀

본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 포함하는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)의 제조방법 및 그 제조 방법에 따른 액정 표시장치에 관한 것이다.

특히, 본 발명은 액정 표시장치를 제조하는데 있어서, 어레이 패널의 점결함에 따른 불량의 검출이 용이하게 제작된 어레이 패널에 관한 것이다.

액정 표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.

현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.

일반적으로 액정 표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.

도 1은 일반적인 액정 패널의 단면을 도시한 단면도이다.

액정 패널(20)은 여러 종류의 소자들이 형성된 두 장의 기판(2, 4)이 서로 대응되게 형성되고, 상기 두 장의 기판(2, 4) 사이에 액정층(10)이 개재된 형태로 위치하고 있다.

상기 액정 패널(20)에는 색상을 표현하는 컬러필터가 형성된 상부 기판(4)과 상기 액정층(10)의 분자 배열방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 회로가 내장된 하부 기판(2)으로 구성된다.

상기 상부 기판(4)은 색을 구현하는 컬러필터층(8)과, 상기 컬러필터층(8)을 덮는 공통전극(12)이 형성되어 있다. 상기 공통전극(12)은 액정(10)에 전압을 인가하는 한쪽전극의 역할을 한다. 상기 하부 기판(2)은 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(S)와, 상기 박막 트랜지스터(S)로부터 신호를 인가 받고 상기 액정(10)으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극(14)으로 구성된다.

상기 화소전극(14)이 형성된 부분을 화소부(P)라고 한다.

그리고, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 사이에 주입되는 액정(10)의 누설을 방지하기 위해, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 가장자리에는 실란트(sealant : 6)로 봉인되어 있다.

상기 도 1에 도시된 하부 기판(2)의 평면도를 나타내는 도 2에서 하부 기판(2)의 작용과 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.

하부 기판(2)에는 화소전극(14)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(14)의 수직 및 수평 배열 방향에 따라 각각 데이터 배선(24) 및 게이트 배선(22)이 형성되어 있다.

그리고, 능동행렬 액정 표시장치의 경우, 화소전극(14)의 한쪽 부분에는 상기 화소전극(14)에 전압을 인가하는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(S)가 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터(S)는 게이트 전극(26), 소스 및 드레인 전극(28, 30)으로 구성된다.

상기 박막 트랜지스터(S)에는 스위칭 동작에 가장 중요한 액티브층(55)이 형성된다.

상기 액티브층은 일반적으로 비정질 실리콘이 주로 사용되며, 이는 350 ℃ 이하의 저온에서 형성이 가능하기 때문이다.

또한, 상기 데이터 배선(24) 및 게이트 배선(22)의 일 끝단에는 각각 데이터 패드 및 게이트 패드(미도시)가 형성되어, 상기 박막 트랜지스터(S) 및 화소전극(14)을 각각 구동하는 구동회로(미도시)와 연결된다.

그리고, 상기 드레인 전극(30)은 상기 화소전극(14)과 드레인 콘택홀(30')을 통해 전기적으로 연결되어 있다.

또한, 상기 게이트 배선(22)의 일부분에는 캐패시터 전극(21)이 형성되며, 상기 화소전극(14)과 상기 캐패시터 전극(21)이 오버랩되어 스토리지 캐패시터(C_st) 가 형성된다. 상기 화소전극(14)과 더불어 전하를 저장하는 역할을 수행한다.

상술한 능동행렬 액정 표시장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.

스위칭 박막 트랜지스터(S)의 게이트 전극(26)에 전압이 인가되면, 데이터 신호가 화소전극(14)으로 인가되고, 게이트 전극(26)에 신호가 인가되지 않는 경우에는 화소전극(14)에 전압이 인가되지 않는다.

액정 표시장치를 구성하는 액정 패널의 제조공정은 매우 복잡한 여러 단계의 공정이 복합적으로 이루어져 있다. 특히, 박막 트랜지스터(S)가 형성된 하부 기판은 여러 번의 마스크 공정을 거쳐야 한다.

최종 제품의 성능은 이런 복잡한 제조공정에 의해 결정되는데, 가급적이면 공정이 간단할수록 불량이 발생할 확률이 줄어들게 된다. 즉, 하부 기판에는 액정 표시장치의 성능을 좌우하는 주요한 소자들이 많이 형성되므로, 제조 공정을 단순화하여야 한다.

일반적으로 하부 기판의 제조공정은 만들고자 하는 각 소자에 어떤 물질을 사용하는가 혹은 어떤 사양에 맞추어 설계하는가에 따라 결정되는 경우가 많다.

예를 들어, 과거 소형 액정 표시장치의 경우는 별로 문제시되지 않았지만, 12인치 이상의 대면적 액정 표시장치의 경우에는 게이트 배선에 사용되는 재질의 고유 저항 값이 화질의 우수성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 따라서, 대면적의 액정 표시소자의 경우에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 저항이 낮은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.

이하, 종래의 능동행렬 액정 표시장치의 제조공정을 도 3a 내지 도 3e를 참 조하여 설명한다.

일반적으로 액정 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 구조는 역 스태거드(Inverted Staggered)형 구조가 많이 사용된다. 이는 구조가 간단하면서도 성능이 우수하기 때문이다.

또한, 상기 역 스태거드형 박막 트랜지스터는 채널 형성 방법에 따라 백 채널 에치형(back channel etch : EB)과 에치 스타퍼형(etch stopper : ES)으로 나뉘며, 구조가 간단한 백 채널 에치형 구조가 적용되는 액정 표시소자 제조공정에 관해 설명한다.

먼저, 기판(1)에 이물질이나 유기성 물질을 제거하고, 증착될 게이트 물질의 금속 박막과 유리기판의 접촉성(adhesion)을 좋게 하기 위하여 세정을 실시한 후, 스퍼터링(sputtering)에 의하여 금속막을 증착한다.

도 3a는 상기 금속막 증착 후에 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 전극(26)과 캐패시터 전극(21)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다. 능동 행렬 액정 표시장치의 동작에 중요한 게이트 전극(26) 물질은 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock) 형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로, 알루미늄 배선의 경우는 합금의 형태로 쓰이거나 적층구조가 적용되기도 한다.

그리고 상기 게이트 전극(26)과 상기 캐패시터 전극(21)은 동일 패턴으로 형성한다.

다음으로, 도 3b를 참조하여 설명하면, 상기 게이트 전극(26) 및 캐패시터 전극(21) 형성 후, 그 상부 및 노출된 기판 전면에 걸쳐 절연막(50)을 증착한다.

또한, 상기 게이트 절연막(50) 상에 연속으로 반도체 물질인 비정질 실리콘(a-Si:H : 52)과 불순물이 함유된 비정질 실리콘(n⁺ a-Si:H : 54)을 증착한다.

상기 반도체 물질 증착후에 제 2 마스크로 패터닝하여 액티브층(55)을 형성한다.

상기 불순물이 함유된 비정질 실리콘(54)은 추후 생성될 금속층과 상기 액티브층(55)과의 접촉저항을 줄이기 위한 목적이다.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 금속층을 증착하고 제 3 마스크로 패터닝하여 소스 전극(28) 및 드레인 전극(30)을 형성한다. 상기 소스 및 드레인 전극(28, 30)과 동시에 상기 소스 전극(28)과 연결된 데이터 배선(24)을 형성한다.

즉, 제 3 마스크 공정에서 데이터 배선(24), 소스 전극(28), 드레인 전극(30)이 형성되게 된다.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(28, 30)을 마스크로 하여 상기 소스 전극(28)과 상기 드레인 전극(30) 사이에 존재하는 옴익 접촉층을 제거하여 채널(Ch)을 형성한다.

만약, 상기 소스 전극(28)과 상기 드레인 전극(30) 사이에 존재하는 옴익 접촉층을 제거하지 않으면 박막 트랜지스터(S)의 전기적 특성에 심각한 문제가 발생 할 수 있으며, 성능에서도 큰 문제가 생긴다.

또한, 상기 옴익 접촉층의 제거에는 신중한 주의가 요구된다. 실제 옴익 접촉층의 식각시에는 그 하부에 형성된 액티브층과 식각 선택비가 없으므로 액티브층을 약 50 nm 정도 과식각을 시키는데, 식각 균일도(etching uniformity)는 박막 트랜지스터(S)의 특성에 직접적인 영향을 미친다.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 절연막을 증착하고 제 4 마스크로 패터닝하여 액티브층(55)을 보호하기 위해 보호막(56)을 형성한다. 상기 보호막(56)은 액티브층(55)의 불안정한 에너지 상태 및 식각시 발생하는 잔류물질에 의해 박막 트랜지스터 특성에 나쁜 영향을 끼칠 수 있으므로 무기질의 실리콘 질화막(SiN_x) 내지는 실리콘 산화막(SiO₂)이나 무기질의 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성한다.

상기 보호막(56)은 높은 광투과율과 내습 및 내구성이 있는 물질의 특성을 요구한다.

상기 보호막(56) 패터닝시 콘택홀을 형성하는 공정이 추가되는데, 드레인 전극의 일부가 노출되도록 드레인 콘택홀(30')을 형성한다.

상기 드레인 콘택홀(30')은 추후 공정에서 형성될 화소전극과의 접촉을 위함이다.

도 3e에 도시된 공정은 투명한 도전물질(Transparent Conducting Oxide : TCO)을 증착하고 제 5 마스크로 패터닝하여 화소전극(14)을 형성하는 공정이다. 상기 투명한 도전물질은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 쓰인다.

상기 화소전극(14)은 상기 드레인 콘택홀(30')을 통해 상기 드레인 전극(30)전기적으로 접촉하고 있다.

상술한 공정에 의해서 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 기판은 완성되게 된다.

도 4는 상기 도 3a 내지 도 3e의 제작 공정을 나타내는 흐름도 이다.

ST200은 기판을 준비하는 단계로 유리기판(1)을 사용한다. 또한, 유리기판(1)을 세정(Cleaning)하는 공정을 포함한다. 세정은 초기 공정 중에 기판이나 막 표면의 오염, 불순물(Particle)을 사전에 제거하여 불량이 발생하지 않도록 하는 기본 개념 이외에, 증착될 박막의 접착력 강화와 박막 트랜지스터의 특성 향상을 목적으로 한다.

ST210은 금속막을 증착하는 단계로, 알루미늄 내지는 몰리브덴 등을 증착하여 형성한다. 그리고, 리소그래피 기술을 이용하여, 금속막이 테이퍼 형상을 갖도록 게이트 전극 및 캐패시터 전극을 형성하는 단계이다.

ST220은 절연막과 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘을 증착하는 단계로, 절연막은 3000Å 정도의 두께로 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 증착한다. 상기 절연막증착 후에 연속으로 비정질 실리콘막과 불순물이 함유된 비정질 실리콘막을 연속해서 증착한다.

ST230은 크롬이나 크롬합금과 같은 금속을 증착하고 패터닝하여, 소스 전극, 드레인 전극을 형성하는 단계이다.

ST240은 ST230에서 형성된 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여 불순물 반 도체층을 제거하여 채널을 형성하는 단계이다.

ST250은 소자들을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계이다. 상기 보호막은 습기나 외부의 충격에 강한 물질이 사용된다. 상기 공정에서 각각의 소자와 연결되는 매개체로써 콘택홀이 형성된다.

ST260은 투명한 도전전극(TCO)으로 ITO를 증착하고 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계이다. 상기 공정에서 각각의 패드전극이 형성된다.

현재 제작되는 액정 표시장치는 고정세화, 고개구율화를 지향하는 방향으로 설계되고 있다.

따라서, 액정 표시장치가 고정세화, 고개구율화로 진행됨에 따라 상기 액정 표시장치의 제작공정 중에 발생할 수 있는 불량이 증가하게 된다. 그 대표적인 예를 도 5에 도시하였다.

도 5는 도 2의 절단선 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 화소전극에서 발생할 수 있는 불량을 도시하였다.

도 5에 도시한 바와 같이 종래의 액정 표시장치는 기판(1) 상에 게이트 절연막(50)이 형성되며, 상기 게이트 절연막(50) 상에 데이터 배선(24)이 형성된다.

또한, 상기 데이터 배선(24)을 덮는 형태로 보호막(56)이 형성되며, 상기 데이터 배선(24)을 중심으로 상기 보호막(56) 상의 양쪽에 화소전극(14, 14')이 형성된다.

앞서 설명한바 있지만 현재의 액정 표시장치는 고정세화, 고개구율화로 제작공정이 진행중이다. 따라서, 상기 화소전극(14, 14')을 패터닝할 때에는 신중한 주의가 요구된다.

그러나, 상기 각 화소전극(14, 14')의 형성시 여러 가지 변수에 의해 각 상기 화소전극(14, 14')으로 사용되는 인듐-틴-옥사이드(ITO)의 잔막 또는 잔사에 의해 불량 화소패턴(13)이 발생할 수 있다.

따라서, 상기 불량 화소패턴(13)에 의해 각 화소전극(14, 14') 간에 단락이 발생하게 된다.

상기와 같이 불량 화소패턴(13)은 고정세, 고개구율의 설계구조에서 발생빈도가 증가하게 되며, 이는 점결함(point defect)으로 진행된다.

상기와 같이 각 화소전극(14, 14') 간의 단락에 의한 점결함은 그 검사가 매우 힘들게 된다. 즉, 상기 화소전극(14, 14')은 두께가 약 500 Å정도의 매우 얇고 투명한 ITO가 사용되기 때문에 어레이 기판 완성 후에 패턴(pattern) 검사에 의한 검출이 매우 어렵다.

또한, 전기적인 검사에서도 명확하게 검출하는 방법은 현재까지 없다.

도 6은 액정 표시장치에서의 화소전극의 충전특성을 도시한 도면으로, 스위칭 작용을 하는 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극에 소정의 입력 신호를 인가할 때, 화소전극에 저장되는 신호의 특성을 알 수 있다.

즉, 상기와 같이 화소전극의 충전특성을 검사하면, 점결함의 발생 유/무를 알 수 있다.

여기서, 도 6에 도시한 화소전극의 충전 특성은 정상적으로 제작된 액정 표시장치에서 측정되는 특성이다.

즉, 게이트 전극에 소정의 신호(V_g)가 인가되고, 소스전극에도 상기 게이트 신호와 동시에 소정의 화상 신호(V_d)가 인가되면 상기 소스 전극에 인가된 화상 신호는 액티브층을 통해 드레인 전극으로 이동하게 된다. 그리고, 상기 드레인 전극에 인가된 화상 신호는 화소전극에 의해 게이트 전극에 다음 신호가 인가될 때 까지 상기 화상 신호를 저장하게 된다.

여기서, 정상적으로 제작된 액정 표시장치에서는 도 6에 도시된 바와 같이 화소전극에서 검출되는 신호(V_p)가 다음 게이트 신호 때 까지 유지되어야 한다.

그러나, 불량화소패턴에 의해 화소전극과 인접 화소전극 간에 단락이 발생하게 되면, 화소전극에만 유지되어야 하는 화상신호가 인접 화소전극까지 누설되게 되어 화상 신호가 약간 감소(△V)하는 경향을 갖게 된다.

여기서, 도 6에 도시한 도면에서와 같이 정상화소와 불량화소의 충전 특성은 △V 만큼의 차이가 생기게 된다. 그러나 상기 △V 만큼의 미소한 차이로는 화소전극 간의 단락 불량을 검출할 수 없다.

상기와 같이 전기적인 불량 검사를 통과한 불량 어레이 패널이 액정패널 제작공정까지 진행되게 되면 최종적으로 제작된 액정 표시장치에서는 확연히 그 불량이 검출되게 된다. 즉, 화소전극 간의 불량화소패턴에 의한 단락은 생산성 향상에 치명적으로 작용할 수 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 상기 화소전극 간의 불량화소패턴에 의한 점결함을 사전에 검사할 수 있는 어레이 패널의 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 기판과; 상기 기판 상에 가로 및 세로 방향으로 각각 형성된 게이트 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터와 기판 전면을 덮고, 상기 데이터 배선이 노출된 데이터 배선 홀을 갖는 절연막과; 상기 절연막 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터에서 신호를 인가 받는 화소전극을 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판을 제공한다.

또한, 본 발명에서는 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 갖는 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속 상에 게이트 절연막과 반도체층을 증착하고 패터닝하여 상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층 상에 제 2 금속으로 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮는 보호막을 증착하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 데이터 배선이 노출되도록 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 보호막 상에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법을 제공한 다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 7은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 데이터 배선 부분에 해당하는 단면을 도시한 도면으로, 본 발명에서는 화소전극(14, 14')을 형성하기 전에 즉, 드레인 전극(미도시)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀 공정에서 상기 드레인 콘택홀과 동시에 데이터 배선(24)이 노출되도록 보호막(56)에 데이터 배선 홀(200)을 형성한다.

상기 데이터 배선 홀(200)을 형성한 이후에 화소전극(14, 14')을 형성하여 도 7에 도시된 도면에서와 같은 구조를 형성한다.

상기와 같이 데이터 배선(200)을 노출시킨 액정 표시장치의 구조에서는 불량화소패턴(13)에 의해 화소전극(14)과 인접 화소전극(14') 간에 단락이 발생하게 되면, 반드시 불량 화소패턴(13)은 상기 노출된 데이터 배선(24)을 경유하게 된다.

즉, 다시 설명하면, 불량 화소패턴(13)이 각 화소전극(14, 14') 간을 단락 시키기 위해서는 반드시 노출된 데이터 배선(13)을 경유하여 인접 화소전극(14')과 접촉하게 된다.

본 발명에서는 상기와 같이 불량 화소패턴(13)이 데이터 배선(24)과 접촉하는 것을 이용하여 불량 화소패턴(13)에 의한 점결함의 검출을 용이하게 하는 것이다.

상기와 같이 불량 화소패턴(13)에 의해 서로 단락된 각 화소전극(14, 14')과 노출된 데이터 배선(24)과 접촉하는 불량 화소패턴(13)이 형성된 어레이 기판을 전기검사(즉, 화소전극의 출전특성)를 실시하면 도 8에 도시된 도면에서와 같은 결과를 검출 할 수 있다.

도 8은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 구조에서 불량 화소패턴(13)에 의해 불량이 발생한 어레이 기판의 충전특성을 도시한 도면으로, 게이트 및 소스 전극에 신호(V_g, V_d)가 인가되면, 상기 소스 전극(V_d)에 인가된 화상 신호는 화소전극에 저장(V_p)되게 된다. 이 때, 화소전극에 저장된 화상 신호(V_p)는 불량 화소패턴을 따라 인접 화소전극에도 인가되게 되고, 이 때, 노출된 데이터 배선과 접촉하는 불량화소패턴에 의해 상기 화소전극에 저장된 화상 신호는 상기 데이터 배선을 통해 방전되게 된다.

따라서, 도 8에 도시된 도면에서와 같이 화소전극에 인가되는 화상신호는 게이트 전극에 인가되는 신호가 중단되면, 데이터 배선과 접촉하는 불량 화소패턴에 의해 캐패시터의 역할을 하지 못하게 되어 화소전극에 저장된 화상 신호를 잃어버리게 된다.

상기와 같이 불량 화소패턴에 의한 점결함의 발생시 화소전극의 충전 특성을 조사하면 불량여부를 즉시 알 수 있는 장점이 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 액정 표시장치는 화소전극을 형성하기 전 에 데이터 배선을 노출시켜 불량 화소패턴에 의한 점결함의 발생을 검출하여 생산성을 향상할 수 있는 장점이 있다.

Claims (3)

1. 기판과;

   상기 기판 상에 가로 및 세로 방향으로 각각 형성된 게이트 및 데이터 배선과;

   상기 게이트 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 박막 트랜지스터와;

   상기 박막 트랜지스터와 기판 전면을 덮고, 상기 데이터 배선이 노출된 데이터 배선 홀을 갖는 절연막과;

   상기 데이터 배선 홀을 제외한 절연막 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터에서 신호를 인가 받는 화소전극

   을 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)인 액정 표시장치의 어레이 기판.
3. 기판을 구비하는 단계와;

   상기 기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 갖는 게이트 배선을 형성하는 단계와;

   상기 제 1 금속 상에 게이트 절연막과 반도체층을 증착하고 패터닝하여 상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와;

   상기 액티브층 상에 제 2 금속으로 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;

   상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮는 보호막을 증착하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 데이터 배선이 노출되도록 패터닝하는 단계와;

   상기 패터닝된 보호막 상에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계

   를 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법.

Images