KR100309210B1 - 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시장치의 제조 공정을 줄이기 위해서 기판을 구비하는 제 1 단계와; 상기 기판 상에 도전층을 증착하는 제 2 단계와; 상기 도전층을 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 배선을 형성하는 제 3 단계와; 상기 게이트 배선과 노출된 기판 전면에 절연층, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘과 소스/드레인 금속층을 연속 증착하는 제 4 단계와; 제 2 마스크로 소스/드레인 전극부와, 상기 소스/드레인 전극부와 연결되고 상기 게이트 배선과 수직방향인 데이터 배선부를 형성하는 제 5 단계와; 상기 데이터 배선부, 소스 및 드레인 전극부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 투명 도전물질을 증착하는 제 6 단계와; 제 3 마스크로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극과, 상기 게이트 전극 상부에 반도체 채널을 동시에 형성하는 제 7 단계를 포함하는 액정 표시장치 제조방법에 관해 개시하고 있다.

Description

액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치{Liquid crystal display and method for fabricating the same}
본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 포함하는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)의 제조방법 및 그 제조 방법에 따른 액정 표시장치에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 액정 표시장치를 제조하는데 있어서, 사용되는 마스크 수를 줄여 제조하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된 액정 표시장치에 관한 것이다.
액정 표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목 받고 있다.
일반적으로 액정 표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액정 패널의 단면을 도시한 단면도이다.
액정 패널(20)은 여러 종류의 소자들이 형성된 두 장의 기판(2, 4)이 서로 대응되게 형성되고, 상기 두 장의 기판(2, 4) 사이에 액정층(10)이 개재된 형태로 위치하고 있다.
상기 액정 패널(20)에는 색상을 표현하는 컬러필터가 형성된 상부 기판(4)과 상기 액정층(10)의 분자 배열방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 회로가 내장된 하부 기판(2)으로 구성된다.
상기 상부 기판(4)은 색을 구현하는 컬러필터층(8)과, 상기 컬러필터층(8)을 덮는 공통전극(12)이 형성되어 있다. 상기 공통전극(12)은 액정(10)에 전압을 인가하는 한쪽전극의 역할을 한다. 상기 하부 기판(2)은 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(S)와, 상기 박막 트랜지스터(S)로부터 신호를 인가받고 상기 액정(10)으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극(14)으로 구성된다.
상기 화소전극(14)이 형성된 부분을 화소부(P)라고 한다.
그리고, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 사이에 주입되는 액정(10)의 누설을 방지하기 위해, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 가장자리에는 실란트(sealant : 6)로 봉인되어 있다.
상기 도 1에 도시된 하부 기판(2)의 평면도를 나타내는 도 2에서 하부 기판(2)의 작용과 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.
하부 기판(2)에는 화소전극(14)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(14)의 수직 및 수평 배열 방향에 따라 각각 데이터 배선(24) 및 게이트 배선(22)이 형성되어 있다.
그리고, 능동행렬 액정 표시장치의 경우, 화소전극(14)의 한쪽 부분에는 상기 화소전극(14)에 전압을 인가하는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(S)가 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터(S)는 게이트 전극(26), 소스 및 드레인 전극(28, 30)으로 구성되며, 상기 게이트 전극(26)은 상기 게이트 배선(22)에 연결되어 있고, 상기 소스 전극(28)은 상기 데이터 배선(24)에 연결되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(24) 및 게이트 배선(22)의 가장자리에는 각각 데이터 패드(23) 및 게이트 패드(21)가 형성되어, 상기 박막 트랜지스터(S) 및 화소전극(14)을 각각 구동하는 구동회로(미도시)와 연결된다.
그리고, 상기 드레인 전극(30)은 상기 화소전극(14)과 드레인 콘택홀(30')을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(22)의 일부분에는 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성되어 상기 화소전극(14)과 더불어 전하를 저장하는 역할을 수행한다.
상술한 능동행렬 액정 표시장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
스위칭 박막 트랜지스터(S)의 게이트 전극(26)에 전압이 인가 되면, 데이터 신호가 화소전극(14)으로 인가되고, 게이트 전극(26)에 신호가 인가되지 않는 경우에는 화소전극(14)에 전압이 인가되지 않는다.
액정 표시장치를 구성하는 액정 패널의 제조공정은 매우 복잡한 여러단계의 공정이 복합적으로 이루어져 있다. 특히, 박막 트랜지스터(S)가 형성된 하부 기판은 여러번의 마스크 공정을 거쳐야 한다.
최종 제품의 성능은 이런 복잡한 제조공정에 의해 결정되는데, 가급적이면 공정이 간단할수록 불량이 발생할 확률이 줄어들게 된다. 즉, 하부 기판에는 액정 표시장치의 성능을 좌우하는 주요한 소자들이 많이 형성되므로, 제조 공정을 단순화 하여야 한다.
일반적으로 하부 기판의 제조공정은 만들고자 하는 각 소자에 어떤 물질을 사용하는가 혹은 어떤 사양에 맞추어 설계하는가에 따라 결정되는 경우가 많다.
예를 들어, 과거 소형 액정 표시장치의 경우는 별로 문제시되지 않았지만, 12인치 이상의 대면적 액정 표시장치의 경우에는 게이트 배선에 사용되는 재질의 고유 저항값이 화질의 우수성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 따라서, 대면적의 액정 표시소자의 경우에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 저항이 낮은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 종래의 능동행렬 액정 표시장치의 제조공정을 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 설명한다. 도 3a 내지 도 3e는 설명의 편이를 위해 도 2의 절단선 A-A 및 B-B의 단면도 이다.
일반적으로 액정 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 구조는 역 스태거드(Inverted Staggered)형 구조가 많이 사용된다. 이는 구조가 가장 간단하면서도 성능이 우수하기 때문이다.
또한, 상기 역 스태거드형 박막 트랜지스터는 채널 형성 방법에 따라 백 채널 에치형(back channel etch : EB)과 에치 스타퍼형(etch stopper : ES)으로 나뉘며, 구조가 간단한 백 채널 에치형 구조가 적용되는 액정 표시소자 제조공정에 관해 설명한다.
먼저, 기판(1)에 이물질이나 유기성 물질을 제거하고, 증착될 게이트 물질의 금속 박막과 유리기판의 접촉성(adhesion)을 좋게하기 위하여 세정을 실시한 후, 스퍼터링(sputtering)에 의하여 금속막을 증착한다.
도 3a는 상기 금속막 증착 후에 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 전극(26)과 스토리지 제 1 전극(22)를 형성하는 단계이다. 능동 행렬 액정 표시장치의 동작에 중요한 게이트 전극(26) 물질은 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock) 형성에 의한 배선 결함문제를 야기시키므로, 알루미늄 배선의 경우는 합금의 형태로 쓰이거나 적층구조가 적용되기도 한다. 그리고 상기 게이트 전극(26)과 상기 스토리지 제 1 전극(22)은 동일 패턴이고, 게이트 배선에 해당하는 부분으로 그 기능상 게이트 전극(26)과 스토리지 제 1전극(22)으로 지칭된다.
다음으로, 도 3b를 참조하여 설명하면, 상기 게이트 전극(26) 및 스토리지 제 1 전극(22) 형성후, 그 상부 및 노출된 기판 전면에 걸쳐 절연막(50)을 증착한다. 또한, 상기 게이트 절연막(50) 상에 연속으로 반도체 물질인 비정질 실리콘(a-Si:H : 52)과 불순물이 함유된 비정질 실리콘(n+a-Si:H : 54)을 증착한다.
상기 반도체 물질 증착후에 제 2 마스크로 패터닝하여 액티브층(55)과 상기 액티브층과 동일형태의 반도체 아일랜드(53)를 형성한다.
상기 불순물이 함유된 비정질 실리콘(54)은 추후 생성될 금속층과 상기 액티브층(55)과의 접촉저항을 줄이기 위한 목적이다.
이후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 금속층을 증착하고 제 3 마스크로 패터닝하여 소스 전극(28) 및 드레인 전극(30)을 형성한다. 상기 소스 및 드레인 전극(28, 30)과 동시에 상기 소스 전극(28)과 연결된 데이터 배선(24)을 형성한다.
또한, 상기 스토리지 제 1 전극(22) 상부 상기 절연막(50) 상에 상기 스토리지 제 1 전극(22)의 일부와 겹치게 스토리지 제 2 전극(58)을 형성한다. 즉, 제 3 마스크 공정에서 데이터 배선(24), 소스 전극(28), 드레인 전극(30), 스토리지 제 2 전극(58)이 형성되게 된다.
그리고 상기 소스 및 드레인 전극(28, 30)을 마스크로 하여 상기 소스 전극(28)과 상기 드레인 전극(30) 사이에 존재하는 오믹 접촉층을 제거한다. 만약, 상기 소스 전극(28)과 상기 드레인 전극(30) 사이에 존재하는 오믹 접촉층을 제거하지 않으면 박막 트랜지스터(S)의 전기적 특성에 심각한 문제를 발생 할 수 있으며, 성능에서도 큰 문제가 생긴다.
상기 오믹 접촉층의 제거에는 신중한 주의가 요구된다. 실제 오믹 접촉층의 식각시에는 그 하부에 형성된 액티브층과 식각 선택비가 없으므로 액티브층을 약 50 ∼ 100 nm 정도 과식각을 시키는데, 식각 균일도(etching uniformity)는 박막 트랜지스터(S)의 특성에 직접적인 영향을 미친다.
이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 절연막을 증착하고 제 4 마스크로 패터닝하여 액티브층(55)을 보호하기위해 보호막(56)을 형성한다. 상기 보호막(56)은 액티브층(55)의 불안정한 에너지 상태 및 식각시 발생하는 잔류물질에 의해 박막 트랜지스터 특성에 나쁜 영향을 끼칠 수 있으므로 무기질의 실리콘 질화막(SiNx) 내지는 실리콘 산화막(SiO2)이나 무기질의 BCB(BenzoCycloButene) 등으로 형성한다.
상기 보호막(56)은 높은 광투과율과 내습 및 내구성이 있는 물질의 특성을 요구한다.
상기 보호막(56) 패터닝시 콘택홀을 형성하는 공정이 추가되는데, 데이터 패드 콘택홀(23)과 드레인 콘택홀(30') 및 스토리지 콘택홀(58')을 각각 형성한다.
상기 데이터 패드 콘택홀(23)은 추후공정에서 생성될 투명도전막과 상기 데이터 배선(42)와의 접촉을 위함이고, 상기 드레인 콘택홀(30') 및 상기 스토리지 콘택홀(58')은 화소전극과의 접촉을 위함이다.
도 3e에 도시된 공정은 투명한 도전물질(Transparent Conducting Oxide :TCO)을 증착하고 제 5 마스크로 패터닝하여 화소전극(14)을 형성하는 공정이다. 상기 투명한 도전물질은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 쓰인다. 상기 화소전극(14)은 스토리지 제 2 전극(58)과 접촉되며, 또한, 상기 드레인 전극(30)과 상기 드레인 콘택홀(30')을 통해 전기적으로 접촉하고 있다.
상술한 공정에 의해서 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 기판은 완성되게 된다.
도 4는 상기 도 3a 내지 도 3e의 제작 공정을 나타내는 흐름도이다.
ST200은 기판을 준비하는 단계로 유리기판(1)을 사용한다. 또한, 유리기판(1)을 세정(Cleaning)하는 공정을 포함한다. 세정은 초기 공정중에 기판이나 막 표면의 오염, 불순물(Particle)을 사전에 제거하여 불량이 발생하지 않도록 하는 기본 개념 이외에, 증착될 박막의 접착력 강화와 박막 트랜지스터의 특성 향상을 목적으로 한다.
ST210은 금속막을 증착하는 단계로, 알루미늄 내지는 몰리브덴등을 증착하여 형성한다. 그리고, 리소그래피 기술을 이용하여, 금속막이 테이퍼 형상을 갖도록 게이트 전극 및 스토리지 제 1 전극를 형성하는 단계이다.
ST220은 절연막과 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘을 증착하는 단계로, 절연막은 3000Å 정도의 두께로 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 증착한다. 상기 절연막증착후에 연속으로 비정질 실리콘막과 불순물이 함유된 비정질 실리콘막을 연속해서 증착한다.
ST230은 크롬이나 크롬합금과 같은 금속을 증착하고 패터닝하여, 소스 전극,드레인 전극을 형성하는 단계이다.
ST240은 ST230에서 형성된 소스 및 드레인 전극을 마스크로 하여 불순물 반도체층을 제거하여 채널을 형성하는 단계이다.
ST250은 소자들을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계이다. 상기 보호막은 습기나 외부의 충격에 강한 물질이 사용된다. 상기 공정에서 각각의 소자와 연결되는 매개체로써 콘택홀이 형성된다.
ST260은 투명한 도전전극(TCO)으로 ITO를 증착하고 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계이다. 상기 공정에서 각각의 패드전극이 형성된다.
상술한 능동 행렬 액정 표시장치의 제조 방법은 기본적으로 사용되는 5 마스크 방법이다. 그러나 박막 트랜지스터를 형성하는 과정에서 게이트 전극을 알루미늄으로 사용할 경우에는 알루미늄 표면에 생길 수 있는 힐락의 문제를 해결하기위해 적어도 2개의 마스크가 더 필요하다. 따라서, 박막 트랜지스터 기판을 구성하기 위해 적어도 5 내지 6번의 마스크 공정이 필요하다.
액정 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터 기판을 제조하는데 있어서 사용되는 마스크 공정에는 세정, 증착, 베이킹, 식각등 여러 공정을 수반하고 있다. 따라서, 마스크 공정을 한번만 단축해도, 제조시간은 상당히 많이 줄어들고, 그 만큼 생산 수율과, 제조 원가 측면에서 유리하다.
따라서, 본발명은 액정표시 장치를 제조하는데 있어서, 사용되는 마스크 공정 수를 단축하는 방법을 제공하고, 제품의 생산수율을 향상하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 단면도.
도 2는 일반적인 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면을 도시한 평면도.
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 절단선 A-A 및 B-B를 따른 단면의 공정을 내타내는 공정도.
도 4는 일반적인 액정 표시장치의 공정을 나타내는 순서도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면도.
도 6a 내지 도 6c는 도 5의 절단선 Ⅵ-Ⅵ를 따른 단면의 공정을 내타내는 공정도.
도 7은 도 5의 절단선 Ⅶ-Ⅶ를 따른 단면을 도시한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 게이트 배선 102 : 게이트 패드
104 : 게이트 전극 106 : 스토리지 전극
108 : 화소전극 110 : 데이터 배선
112 : 데이터 패드 114 : 소스 전극
116 : 드레인 전극 130 : 유전층
128 : 데이터 배선부 118 : 스토리지 캐패시터
상기와 같은 목적을 달성 하기위해 본 발명에서는 기판을 구비하는 제 1 단계와; 상기 기판 상에 도전층을 증착하는 제 2 단계와; 상기 도전층을 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 배선을 형성하는 제 3 단계와; 상기 게이트 배선과 노출된 기판 전면에 절연층, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘과 소스/드레인 금속층을 연속 증착하는 제 4 단계와; 제 2 마스크로 소스/드레인 전극부와, 상기 소스/드레인 전극부와 연결되고 상기 게이트 배선과 수직방향인 데이터 배선부를 형성하는 제 5 단계와; 상기 데이터 배선부, 소스 및 드레인 전극부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 투명 도전물질을 증착하는 제 6 단계와; 제 3 마스크로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극과, 상기 게이트 전극 상부에 반도체 채널을 동시에 형성하는 제 7 단계를 포함하는 액정 표시장치 제조방법을 제공하고 있다.
또한, 본 발명에서는 기판 상에 형성된 화소전극과, 상기 화소전극과 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 액정 표시장치로서, 상기 기판 상에 형성된 제 1 스토리지 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극 상에 형성된 절연막, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘의 3층 구조로된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성된 제 2 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 캐패시터와; 상기 스토리지 캐패시터의 제 2 스토리지 전극과 연결된 화소전극을 포함하는 액정 표시장치을 제공하고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 한 화소부에 해당하는 평면도로서, 화소전극(108)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(108)의 수직 및 수평 배열 방향에 따라 각각 데이터 배선(110) 및 게이트 배선(100)이 형성되어 있다. 그리고, 화소전극(108)의 한쪽 부분에는 상기 화소전극(108)에 전압을 인가하는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(104), 소스 및 드레인 전극(114, 116)으로 구성되며, 상기 게이트 전극(114)은 상기 게이트 배선(100)에 연결되어 있고, 상기 소스 전극(116)은 상기 데이터 배선(110)에 연결되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(110) 및 게이트 배선(100)의 가장자리에는 각각 데이터 패드(112) 및 게이트 패드(102)가 형성되어, 추후에 상기 박막 트랜지스터 및 화소전극(108)을 각각 구동하는 구동회로(미도시)와 연결된다.
상기 게이트 전극(104)을 포함하지 않는 게이트 배선(100)의 상부에는 스토리지 전극(106)이 형성되어 스토리지 캐패시터(118)를 이룬다.
상기 게이트 전극(104)은 게이트 배선(100)과 그 형태가 구분되지 않으며, 기능상 게이트 전극(104) 및 게이트 배선(100)이라 칭한다.
도 5의 절단선인 Ⅵ-Ⅵ으로 자른 단면도인 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조공정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 도 6a을 참조하여 설명하면, 기판(1) 상에 금속물질을 증착하고 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 전극(104)을 형성한다.
상기 금속물질은 불투명한 금속과 투명한 ITO전극의 2중으로 증착하여도 무방하다.
상기와 같이 게이트 전극(104)을 투명한 도전 물질의 게이트 전극과 금속의 게이트 전극의 2층 구조로 형성할 경우, 상기 금속 게이트 전극의 단선으로 인한 불량 화소가 생기지 않는 장점이 있다. 즉, 상기 투명 도전물질의 게이트 전극은 상기 금속 게이트 전극의 보조 전극으로써의 역할을 한다.
도 6b는 상기 게이트 전극(104) 상부에 액티브층을 형성하는 단계로, 상기 게이트 전극(104) 상부 및 노출된 기판 전면에 걸쳐 절연막(120), 비정질 실리콘(122), 불순물이 함유된 비정질 실리콘(124), 소스/드레인 금속(126) 순으로 연속으로 적층한 후, 추후에 형성될 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극 부분을 제외한 부분을 제 2 마스크로 패터닝한다. 이 때, 박막 트랜지스터의 채널은 형성되지 않으며, 도 5에 도시된 스토리지 전극(106)이 형성된다.
이후, 도 6c에서와 같이 화소전극(108)으로 사용되는 투명한 도전물질인 ITO를 증착하고 제 3 마스크로 패터닝하여, 소스 전극(128, 114) 및 드레인 전극(129, 116)과 데이터 배선(110)을 각각 형성한다. 상기 제 3 마스크로 박막 트랜지스터의 채널부분(F)까지 동시에 형성됨으로 식각에 주의해야한다.
즉, 다시말해, 본 발명의 가장 핵심적인 부분이 제 3 마스크 공정이다. 상기 제 3 마스크 공정에 의해 화소전극(108), 소스 전극(128, 114) 및 드레인전극(129, 116)이 동시에 형성된다.
도 7a 내지 도 7c는 도 5의 절단선 Ⅶ-Ⅶ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 데이터 배선과 스토리지 캐패시터가 형성되는 과정이 상세히 도시되어 있다. 이하 자세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 7a는 제 1 마스크로 기판(1) 상에 게이트 배선(100)을 형성하는 단계를 도시하고 있다. 상기 게이트 배선(100)은 추후 생성될 스토리지 캐패시터의 일 전극으로써의 역할을 한다.
도 7b에 도시된 도면은 제 2 마스크에 의해 미완성 데이터 배선부와 스토리지 전극 및 유전층을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
먼저, 데이터 배선부(128)의 구조를 살펴보면, 기판 상에 절연막(120)과 비정질 실리콘(122), 불순물이 함유된 비정질 실리콘(124), 소스/드레인 금속물질(126)의 적층 형상으로 구성된다. 즉, 제 2 마스크 한번으로 동시에 패터닝된다.
그리고, 스토리지 캐패시터부를 살펴보면, 상기 게이트 배선(100)을 일 전극으로 하고, 상기 게이트 배선(100) 상에 절연막(120), 비정질 실리콘(122), 불순물이 함유된 비정질 실리콘(124)으로 구성되는 유전층(130)과 상기 유전층(130) 상부에 스토리지 전극(106)으로 구성된다.
최종적으로 제 3 마스크 공정에 의해 도 7c에 도시된 도면에서와 같이 투명 도전물질을 증착하고 패터닝하여, 상기 데이터 배선부(128)과 상기 데이터 배선부(128) 상부 투명 도전물질(132)로 데이터 배선(110)이 형성된다.
그리고, 상기 스토리지 전극(106)과 겹쳐지게 상기 투명 도전물질을 패터닝하여 화소전극(108)을 형성한다.
본 발명의 실시예에서는 보호막공정이 제외되었으나, 상기 보호막은 액정 배향막으로 대체될 수 있다. 즉, 본 발명에서는 보호막으로 액정 배향막을 사용하는 것이다.
상술한 본 발명의 실시예는 세번의 마스크로 박막 트랜지스터 및 화소전극을 형성하고, 보호막은 추후 공정에서 형성되는 액정 배향막을 사용함으로써, 제작공정을 줄일 수 있다.
그리고, 세번의 마스크만으로 박막 트랜지스터 기판을 제작함으로써, 미스-얼라인으로 인한 수율 감소를 사전에 방지할 수 있다.
또한, 게이트 배선 및 게이트 전극의 게이트 구성요소를 2층구조로 형성함으로써, 상기 게이트 구성요소의 패터닝시에 발생할 수 있는 전극의 단락 내지는 단선을 방지할 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예로 액정 표시장치를 제작할 경우 다음과 같은 특징이 있다.
첫째, 박막 트랜지스터 기판을 3개의 마스크로 제작할 수 있기 때문에 제작 시간이 단축된다.
둘째, 박막 트랜지스터 기판을 3개의 마스크로 구성할 수 있기 때문에,미스-얼라인으로 인한 수율 감소를 방지할 수 있다.
셋째, 액정 표시소자 제작 공정의 감소로 인해 원가절감 효과가 있다.
넷째, 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 2층 구조로 형성할 경우, 상기 게이트 전극 형성시, 게이트 전극의 단선으로 인한 불량화소를 줄일 수 있는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 기판을 구비하는 제 1 단계와;
    상기 기판 상에 도전층을 증착하는 제 2 단계와;
    상기 도전층을 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 배선을 형성하는 제 3 단계와;
    상기 게이트 배선과 노출된 기판 전면에 절연층, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘과 소스/드레인 금속층을 연속 증착하는 제 4 단계와;
    제 2 마스크로 소스/드레인 전극부와, 상기 소스/드레인 전극부와 연결되고 상기 게이트 배선과 수직방향인 데이터 배선부를 형성하는 제 5 단계와;
    상기 데이터 배선부, 소스 및 드레인 전극부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 투명 도전물질을 증착하는 제 6 단계와;
    제 3 마스크로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극과, 상기 게이트 전극 상부에 반도체 채널을 동시에 형성하는 제 7 단계
    를 포함하는 액정 표시장치 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 드레인 배선과 드레인 전극과 소스 전극은 절연막, 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘, 금속, 투명 도전물질의 5층으로 구성되는 액정 표시장치 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 채널은 상기 게이트 전극 상부에 형성된 투명 도전물질과 그 하부에 형성된 소스/드레인 금속물질, 불순물이 함유된 비정질 실리콘을 동시에 식각하여 형성하는 액정 표시장치 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2단계의 도전층은 불투명 금속층과 투명 도전물질층으로 이루어진 액정 표시장치 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 불투명한 금속은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 안티몬으로 구성된 집단에서 선택된 물질인 액정 표시장치 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 3 단계에서 제 1 마스크로 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 4 단계에서 상기 제 1 스토리지 전극 상에 절연막, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘의 3층 구조로된 유전층을 형성하는 단계와;
    상기 제 5 단계에서 제 2 마스크로 상기 3층의 유전층 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계
    를 더욱 포함하는 액정 표시장치 제조방법.
  7. 기판 상에 형성된 화소전극과, 상기 화소전극과 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 액정 표시장치로서,
    상기 기판 상에 형성된 제 1 스토리지 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극 상에 형성된 절연막, 순수 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘의 3층 구조로된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성된 제 2 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 캐패시터와;
    상기 스토리지 캐패시터의 제 2 스토리지 전극과 연결된 화소전극
    을 포함하는 액정 표시장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 스토리지 전극은 불투명한 금속과 투명한 도전물질의 적층 구조인 액정 표시장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 불투명한 금속은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 안티몬으로 구성된 집단에서 선택된 물질인 액정 표시장치.
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