JPH10311986A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置及びその製造方法に関し、アク
ティブマトリクス基板を構成する透明基板上に設けた透
明絶縁膜にコンタクトホールを再現性良く形成する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１を構成する
透明基板２上に設けた透明絶縁膜５のコンタクトホール
８を形成する領域の電極３上に、黒色導電体パターン４
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、アクティブマト
リクス型液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタに対す
るコンタクトホールを精度良く形成するための構造及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置はＡＶ機器や、パー
ソナルコンピュータ等の表示装置として用いられてお
り、より高画質のものが求められているが、この液晶表
示装置は大きく分けて、アクティブマトリクス型液晶表
示装置と単純マトリクス型液晶表示装置とがあり、この
内、前者のアクティブマトリクス型液晶表示装置が高画
質用として用いられている。

【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、個々の画素に対応してアクティブマトリクス基板上
にマトリクス状に配置された多数のゲートバスラインと
ドレインバスラインに駆動電圧を印加し、ゲートバスラ
インとドレインバスラインとの交差部に配置された薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を選択駆動することにより、対
応する所望の画素をドット表示するように構成されてい
る。

【０００４】また、この様なアクティブマトリクス型液
晶表示装置においては、画素電極とゲートバスライン及
びドレインバスラインとの間に電気的接続性を待たせな
いために１００ｎｍ（１０００Å）程度の間隙を設けて
おり、この間隙を遮光するためのブラックマトリクス及
び共通電極を備えた対向基板をスペーサを介してアクテ
ィブマトリクス基板と対向させ、その間の空間に液晶を
注入することによって液晶パネルを完成させている。

【０００５】これらの画素電極とゲートバスライン及び
ドレインバスラインとの間の間隙、及び、貼り合わせ時
のブラックマトリクスとの位置合わせのためのマージン
を必要とし、この位置合わせマージンにより開口率が５
７％程度に低下し、表示輝度の低下の原因となってい
る。

【０００６】この様な開口率の低下の問題を解決するた
めに、画素電極の端とゲートバスライン及びドレインバ
スラインとが絶縁膜を介して重なるようにして、開口部
をゲートバスライン、ドレインバスライン、ＴＦＴ素子
によって規定することが提案されており（必要ならば、
特開昭６３−２７９２２８号公報参照）、この様に画素
電極を設けることによって開口率が約８０％になり、従
来に比べて飛躍的に開口率を上昇させることができると
共に、ブラックマトリクスもＴＦＴ素子部のみを覆うよ
うに設ければ良くなる。

【０００７】ここで、従来の改良型のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を、図５及び図６を参照して説明す
る。なお、図５はアクティブマトリクス型液晶表示装置
の概略的構成の説明図であり、図５（ａ）は要部平面
図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線
に沿った要部断面図であり、また、図６はソース電極に
対するコンタクトホールの形成工程の説明図である。

【０００８】図５（ａ）及び（ｂ）参照 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、石英製
ガラス基板３１上に例えば厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を堆
積させてパターニングすることによってゲートバスライ
ン３２及びゲート電極３３を形成したのち、その上に例
えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させてゲート絶縁
膜３４とする。

【０００９】次いで、厚さ１５ｎｍのα−Ｓｉ膜３５、
及び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲ
ート電極３３をマスクとしたセルフアライン露光を利用
してＳｉＮ膜をパターニングすることによってチャネル
保護膜３６を形成する。

【００１０】次いで、オーミックコンタクト層となる厚
さ３０ｎｍのｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜３７、及び、ドレインバ
スライン３８、ドレイン電極３９、ソース電極４０、及
び、補助容量電極４１となるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導
電膜を堆積させたのち、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）によってＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導電膜及びｎ⁺型
α−Ｓｉ膜３７を一括してパターニングすることによっ
て、ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜３７、ドレインバスライン３８、
ドレイン電極３９、ソース電極４０、及び、補助容量電
極４１からなるＴＦＴ素子部を形成する。

【００１１】次いで、画素電極とゲートバスライン３２
及びドレインバスライン３８との間の寄生容量を低減す
るために、全面に例えば厚さ２μｍの非感光性透明レジ
ストからなる厚い透明平坦化層４２を塗布したのち、透
明平坦化層４２のソース電極４０及び補助容量電極４１
に対する部分にコンタクトホール４３，４４を形成し、
次いで、全面にＩＴＯ膜を堆積してパターニングするこ
とによって画素電極４５を形成していた。

【００１２】図６（ａ）参照 ここで、この場合のコンタクトホールの形成工程を説明
すると、まず、ソース電極４０を設けた石英製ガラス基
板３１上に、厚さ２μｍの非感光性透明レジストからな
る厚い透明平坦化層４２を塗布したのち、ポジ型レジス
ト層４６を塗布し、コンタクトホールに対応する開口部
を有する遮光膜パターンを設けたフォトマスク４７を用
いて紫外線４８による露光を行う。なお、図において
は、説明を簡単にするためにソース電極４０の直下の層
構造を省略しており、また、フォトマスク４７について
も遮光膜パターンのみを示している。

【００１３】図６（ｂ）及び（ｃ）参照 次いで、ポジ型レジスト層４６を現像してコンタクトホ
ールに対応する開口部５０を有するレジストパターン４
９を形成した後、プラズマアッシャー装置を用いてアッ
シング（灰化処理）することによって、レジストパター
ン４９及び透明平坦化層４２を同時にエッチングしてコ
ンタクトホール４４を形成する。

【００１４】図６（ｄ）参照 次いで、アセトンで処理することにより残存するレジス
トパターン４９を除去して、コンタクトホール４４の形
成工程が終了する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
透明平坦化層４２として、非感光性透明レジストを用い
た場合には、パターン形成のために別個のレジスト層を
必要とし、また、コンタクトホール形成のためのエッチ
ング工程が必要となり、製造工程が多くなるという問題
がある。

【００１６】この様な製造工程を簡素化するためには、
透明平坦化層４２としてそれ自体が感光性を有する感光
性透明レジストを用いれば良く、特に、ポジ型レジスト
を用いた場合には、除去したい部分にのみ光を照射すれ
ば良いので微細なパターンを形成するのに有利である
が、ポジ型レジストは光の透過率、特に、短波長領域に
おける透過率が低く、高い表示輝度が得られなくなると
いう問題がある。

【００１７】そこで、透明平坦化層４２として光の透過
率の高いネガ型の感光性透明レジストを用いた場合に
は、高い表示輝度が得られるものの、今度は、一辺の長
さが５〜１０μｍの細かなコンタクトホールを形成する
ことが困難になるという問題があるので、この問題点を
図７を参照して説明する。

【００１８】図７（ａ）乃至（ｃ）参照 まず、ソース電極４０を設けた石英製ガラス基板３１上
に、厚さ２μｍのネガ型感光性透明平坦化層５１を塗布
したのち、コンタクトホールに対応する遮光膜パターン
を設けたフォトマスク５２を用いて紫外線５３による露
光を行い、現像することによってコンタクトホール４４
を形成する。なお、この場合も、説明を簡単にするため
にソース電極４０の直下の層構造を省略しており、ま
た、フォトマスク５２についても遮光膜パターンのみを
示している。

【００１９】図７（ｂ）及び（ｃ）参照 しかし、コンタクトホール４４は光反射率の高いソース
電極４０に対して設けるものであるので、仮に露光装置
の光照射の平行度が±１°以下と高くても、ソース電極
４０からの反射光５４によって、フォトマスク５２の遮
光膜パターンの直下のネガ型感光性透明平坦化層５１も
間接露光されることになり、現像してもソース電極４０
に達した貫通したコンタクトホール４４を形成できない
という問題が発生する。

【００２０】この場合、コンタクトホール４４の大きさ
をソース電極４０の大きさより大きくすれば、コンタク
トホール４４をソース電極４０に達するように形成する
ことができるが、そうするとコンタクトホール４４の端
部が画素の開口部にはみ出すことになり、その上に設け
た画素電極４５に形成される段差部の影響がブラックマ
トリクスで覆われていない開口部に及び、段差に起因す
るディスクリネーションラインが発生し、コントラスト
が低下するという問題がある。

【００２１】したがって、本発明は、アクティブマトリ
クス基板を構成する透明基板上に設けた透明絶縁膜にコ
ンタクトホールを再現性良く形成することを目的とす
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）乃至（ｃ）参照 （１）本発明は、液晶表示装置において、アクティブマ
トリクス基板１を構成する透明基板２上に設けた透明絶
縁膜５のコンタクトホール８を形成する領域の電極３上
に黒色導電体パターン４を設けたことを特徴とする。

【００２３】この様に、コンタクトホール８を形成する
領域の電極３上に黒色導電体パターン４を設けておくこ
とによって、コンタクトホール８を精度良く形成するこ
とができる。

【００２４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、透明絶縁膜５が、ネガ型感光性透明レジストからな
る透明平坦化層であることを特徴とする。

【００２５】この様に、透明絶縁膜５としてネガ型感光
性透明レジストからなる透明平坦化層を用いることによ
って、パターニング工程を簡素化することができ、且
つ、透明絶縁膜５上に設ける画素電極９の平坦性を改善
することができ、また、ネガ型感光性透明レジストは光
の透過率が高いので表示輝度を高めることができる。

【００２６】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、黒色導電体パターン４を設ける電極３
が、ソース電極及び補助容量電極であることを特徴とす
る。

【００２７】この様なコンタクトホール８を形成する対
象となる電極３としては、画素電極９を接続するための
ソース電極が典型的なものであり、また、補助容量を補
助容量電極とゲートバスラインとの間で形成する場合に
は、画素電極９との接続を必要とする補助容量電極も対
象となる。

【００２８】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、黒色導電体パターン４が、
グラファイトの薄膜パターンであることを特徴とする。

【００２９】この様に、黒色導電体パターン４として、
グラファイトの薄膜パターンを用いることにより、十分
な導電性を得ることができるので、遅延等の駆動特性の
劣化を生ずることがなく、また、露光用光７に対する十
分な吸収率を得ることができるので、コンタクトホール
８を精度良く形成することができる。

【００３０】（５）また、本発明は、液晶表示装置の製
造方法において、アクティブマトリクス基板１を構成す
る透明基板２上に設けた電極３を透明絶縁膜５で覆い、
電極３に対するコンタクトホール８を透明絶縁膜５に設
ける際に、予めコンタクトホール８を設ける領域の電極
３上に黒色導電体パターン４を設けておくことを特徴と
する。

【００３１】この様に、コンタクトホール８を形成する
領域の電極３上に黒色導電体パターン４を設けておくこ
とによって、露光用光７が黒色導電体パターン４で十分
吸収されるため、反射光による不所望な架橋反応が生じ
ないのでコンタクトホール８を精度良く形成することが
できる。

【００３２】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、透明絶縁膜５が、ネガ型感光性透明レジストからな
る透明平坦化層であることを特徴とする。

【００３３】上記の様な反射光による不所望な架橋反応
は、透明絶縁膜５としてネガ型感光性透明レジストから
なる透明平坦化層を用い、他のフォトレジストを用いる
ことなくパターニング工程を行う際に特に問題になるの
で、本発明の工程が特に有用となる。

【００３４】（７）また、本発明は、上記（６）におい
て、黒色導電体パターン４をリフトオフ法により形成し
たことを特徴とする。

【００３５】この様な黒色導電体のエッチングは困難性
を伴うことが多いので、黒色導電体パターン４をパター
ニングする際に黒色導電体自体のエッチングを必要とし
ないリフトオフ法を用いることが有効である。

【００３６】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、電極３に対するコンタクトホール８を透明平坦化層
に設けるパターニング工程において、黒色導電体パター
ン４を形成した際に用いたマスクパターンと同一のマス
クパターンを用いてパターニングを行うことを特徴とす
る。

【００３７】この様に、コンタクトホール８を透明平坦
化層に設けるパターニング工程において、黒色導電体パ
ターン４を形成した際に用いたマスクパターンと同一の
マスクパターンを有するフォトマスク６を用いることに
よって、黒色導電体パターン４に対応したコンタクトホ
ール８を精度良く形成することができる。

【００３８】（９）また、本発明は、上記（７）におい
て、電極３に対するコンタクトホール８を透明平坦化層
に設けるパターニング工程において、マスクを用いるこ
となくパターニングを行うことを特徴とする。

【００３９】この様に、黒色導電体パターン４を用いた
場合には、全面露光した場合、黒色導電体パターン４を
設けない部分においては透明基板２との界面からの反射
光による多重露光が生じるのに対し、黒色導電体パター
ン４を設けた部分においては露光用光７が吸収され露光
が不十分となり、現像することによって黒色導電体パタ
ーン４を設けた部分の透明平坦化層のみが除去されてコ
ンタクトホール８が形成されるので、フォトマスク６が
不要になる。

【００４０】（１０）また、本発明は、上記（５）乃至
（９）のいずれかにおいて、黒色導電体パターン４を設
ける電極３が、ソース電極３及び補助容量電極３である
ことを特徴とする。

【００４１】（１１）また、本発明は、上記（５）乃至
（１０）のいずれかにおいて、黒色導電体パターン４
が、グラファイトの薄膜パターンであることを特徴とす
る。

【００４２】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態を図２及び図３を参照して説明する。なお、説明を簡
単にするために石英製ガラス基板上に直接ソース電極を
設けた状態を示すが、実際には、図５に示した従来例と
同様に、石英製ガラス基板上に、幅２０μｍのゲートバ
スラインを形成し、ゲートバスラインの一部に形成した
ゲート電極を利用してＴＦＴを形成し、このＴＦＴに対
するソース・ドレイン電極、ドレイン電極に接続する幅
６μｍのドレインバスライン、及び、ゲートバスライン
に重なる補助容量電極を形成し、次いで、全体を覆うよ
うに、透明平坦化膜を設けている。

【００４３】図２（ａ）参照 まず、石英製ガラス基板１１上に設けたソース電極１２
を覆うようにネガ型レジスト層１３を塗布し、ソース電
極１２に対応する遮光膜パターンを有するフォトマスク
１４を用いて紫外線１５で露光する。

【００４４】図２（ｂ）参照 次いで、ネガ型レジスト層１３を現像してレジストパタ
ーン１６を形成したのち、全面にグラファイト粒子を分
散した溶液を塗布し、乾燥させることにより厚さ１００
〜３００ｎｍ、例えば、１５０ｎｍのグラファイト薄膜
１７を形成する。

【００４５】図２（ｃ）参照 次いで、酸系の現像液を用いたリフトオフ法によって、
レジストパターン１６と共に、その上に堆積するグラフ
ァイト薄膜１７を除去して、８μｍ角のグラファイト薄
膜パターン１８をソース電極１２上に形成する。

【００４６】なお、この場合のグラファイト薄膜パター
ン１８を厚さ１００ｎｍで８μｍ角とすると、約１００
０Ωの抵抗の上昇となるが、コンタクトホールの抵抗と
しては十分な導通性を保つことが可能となる。

【００４７】図３（ｄ）参照 次いで、全面に透明度が高く、誘電率が低いネガ型透明
フォトレジスト、例えば、誘電率が３程度のアクリル系
樹脂であるＣＴ（富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー株式会社製商品名）を、透明平坦化層１９として塗
布する。

【００４８】なお、この場合、ＣＴ（富士ハントエレク
トロニクステクノロジー株式会社製商品名）の誘電率は
３程度であるので、透明平坦化層１９の厚さが２μｍ以
上になるように塗布すれば、ドレインバスラインと画素
電極との間の寄生容量の影響を避けることができるの
で、透明平坦化層１９の厚さは、２．０〜２．５μｍ、
例えば、２．２μｍとする。

【００４９】図３（ｅ）参照 次いで、グラファイト薄膜パターン１８を形成した際と
同じ遮光膜パターンを有するフォトマスク２０を用い
て、ネガ型フォトレジストの性質を有する透明平坦化層
１９を紫外線２１で露光する。

【００５０】図３（ｆ）参照 次いで、ＴＭＡＨを用いて透明平坦化層１９を現像する
ことによって、未露光部を除去して、グラファイト薄膜
パターン１８に対応するコンタクトホール２２を形成す
る。なお、この場合には、補助容量電極に対するコンタ
クトホールも同時に形成している。

【００５１】次いで、図示しないものの、全面にスパッ
タリング法を用いてＩＴＯ膜を堆積させ、画素電極がド
レインバスラインに対しては幅３〜４μｍだけ重なるよ
うに、また、ゲートバスラインに対しては５μｍ重なる
ように、蓚酸等のエッチャントを用いてパターニング
し、ソース電極１２及び補助容量電極と電気的に接続す
る画素電極を形成する。

【００５２】次いで、全面に配向膜と塗布し、配向方向
を規定するための所定のラビング処理を施したのち、ス
ペーサ及びシール剤を用いて、共通電極及びブラックマ
トリクスを設けた対向基板と貼り合わせ、その間隙に液
晶を注入することによってアクティブマトリクス型液晶
表示装置が完成する。

【００５３】なお、この場合にも、画素電極と、ドレイ
ンバスライン及びゲートバスラインとが重なって遮光膜
を兼ねることになるので、ブラックマトリクスはＴＦＴ
素子部のみを遮光するパターンで良い。

【００５４】この本発明の第１の実施の形態において
は、ソース電極１２及び補助容量電極に対するコンタク
トホール２２を形成する部分に予め黒色のグラファイト
薄膜パターン１８を設けているので、透明平坦化層１９
を露光する際に、ソース電極１２及び補助容量電極によ
る不所望な反射光によりコンタクトホール２２の形成部
分の透明平坦化層１９が露光されることがなく、底まで
貫通するコンタクトホール２２を再現性良く、且つ、精
度良く形成することができる。

【００５５】この様に、光学的に優れたネガ型感光性透
明レジストに微細なコンタクトホールを形成することが
可能になるので、このネガ型感光性透明レジストを透明
平坦化層として用いることにより、画素開口率を高くし
たＴＦＴ基板を形成することが可能になる。

【００５６】次に、図４を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図４（ａ）参照 上述の第１の実施の形態と同様に、まず、石英製ガラス
基板１１上に設けたソース電極１２を覆うようにネガ型
レジスト層を塗布し、ソース電極１２に対応する遮光膜
パターンを有するフォトマスクを用いて紫外線で露光し
たのち、ネガ型レジスト層を現像してレジストパターン
を形成し、次いで、全面にグラファイト粒子を分散した
溶液を塗布し、乾燥させることにより厚さ１００〜３０
０ｎｍ、例えば、１５０ｎｍのグラファイト薄膜を形成
する。

【００５７】次いで、酸系の現像液を用いたリフトオフ
法によって、レジストパターンと共に、その上に堆積す
るグラファイト薄膜を除去して、８μｍ角のグラファイ
ト薄膜パターン１８をソース電極１２上に形成したの
ち、全面にＣＴ（富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー株式会社製商品名）の様に、露光量のマージンの狭
い感光性透明ネガレジストを透明平坦化層１９として厚
さが２．０〜２．５μｍ、例えば、２．２μｍになるよ
うに塗布する。

【００５８】図４（ｂ）参照 次いで、フォトマスクを用いないで、ネガ型フォトレジ
ストの性質を有する透明平坦化層１９の全面に紫外線２
１を照射する。

【００５９】この場合、グラファイト薄膜パターン１８
を設けていない領域においては、照射された紫外線２１
が石英製ガラス基板１１と透明平坦化層１９の界面で反
射され、この反射光２３により透明平坦化層１９が多重
露光され、総合的露光量が多くなるのに対して、グラフ
ァイト薄膜パターン１８を設けた領域においては、照射
された紫外線２１はグラファイト薄膜パターン１８で吸
収され、重複露光が生じないので総合的露光量は少なく
なる。

【００６０】図４（ｃ）参照 次いで、露光した透明平坦化層１９を現像することによ
って、グラファイト薄膜パターン１８を形成した部分に
コンタクトホール２２を形成する。

【００６１】即ち、露光量のマージンの狭い感光性透明
ネガレジストを用いた場合、紫外線２１の露光量を調整
することによって、総合的露光量の差によりグラファイ
ト薄膜パターン１８を設けた部分にグラファイト薄膜パ
ターン１８まで貫通するコンタクトホール２２を再現性
良く、精度良く形成することができる。

【００６２】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、露光量のマージンの狭い感光性透明ネガレジス
トを用ることにより、マスクレスの露光によりコンタク
トホールを精度良く形成することができるので、フォト
マスク、及び、フォトマスクの位置合わせ工程が不要に
なり、製造工程が簡素化される。

【００６３】以上、α−ＳｉからなるＴＦＴをスイッチ
ング素子として本発明の各実施の形態を説明したが、ス
イッチング素子はα−ＳｉＴＦＴに限られるものではな
く、多結晶Ｓｉを用いたＴＦＴでも良く、さらには、Ｍ
ＩＭ素子等の他のスイッチング素子を用いても良いもの
である。

【００６４】また、上記の各実施の形態においては、黒
色導電体パターンとしてグラファイト薄膜パターンを用
いているが、グラファイト薄膜に限られるものではな
く、他の黒色導電体、例えば、カーボンブラックを用い
ても良いものであり、また、黒色導電体をパターニング
する際にはリフトオフ法以外にマスクを用いたマスクス
パッタリング法を用いても良いものである。

【００６５】また、上記の各実施の形態においては、Ｔ
ＦＴ基板として石英製ガラス基板を用いているが、石英
製ガラス基板に限られるものでなく、α−ＳｉＴＦＴの
場合にはそれ程の高温熱処理工程が伴わないので、比較
的耐熱性の低いガラス基板等の透明絶縁基板を用いても
良いものである。

【００６６】また、上記の各実施の形態においては、画
素開口率を高めるために画素電極とゲートバスライン及
びドレインバスラインとが重なった改良型のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置として説明しているが、本発
明の技術思想は画素電極とゲートバスライン及びドレイ
ンバスラインとが重ならない型のアクティブマトリクス
型液晶表示装置に対しても有効である。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば、コンタクトホールの形
成予定領域の電極上に、グラファイト薄膜パターン等の
黒色導電体パターンを予め設けているので、透明平坦化
層として光学的特性の優れたネガ型感光性透明レジスト
を用いても微細なコンタクトホールを再現性良く、且
つ、精度良く形成することができ、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置の高画質化及び高輝度化に寄与すると
ころが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の製造工
程の説明図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の製造工程の説明図
である。

【図５】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
説明図である。

【図６】従来のコンタクトホールの形成工程の説明図で
ある。

【図７】従来の他のコンタクトホールの形成工程の問題
点の説明図である。

【符号の説明】

１ アクティブマトリクス基板 ２ 透明基板 ３ 電極 ４ 黒色導電体パターン ５ 透明絶縁膜 ６ フォトマスク ７ 露光用光 ８ コンタクトホール ９ 画素電極 １１ 石英製ガラス基板 １２ ソース電極 １３ ネガ型レジスト層 １４ フォトマスク １５ 紫外線 １６ レジストパターン １７ グラファイト薄膜 １８ グラファイト薄膜パターン １９ 透明平坦化層 ２０ フォトマスク ２１ 紫外線 ２２ コンタクトホール ２３ 反射光 ３１ 石英製ガラス基板 ３２ ゲートバスライン ３３ ゲート電極 ３４ ゲート絶縁膜 ３５ α−Ｓｉ膜 ３６ チャネル保護膜 ３７ ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜 ３８ ドレインバスライン ３９ ドレイン電極 ４０ ソース電極 ４１ 補助容量電極 ４２ 透明平坦化層 ４３ コンタクトホール ４４ コンタクトホール ４５ 画素電極 ４６ ポジ型レジスト層 ４７ フォトマスク ４８ 紫外線 ４９ レジストパターン ５０ 開口部 ５１ ネガ型感光性透明平坦化層 ５２ フォトマスク ５３ 紫外線 ５４ 反射光

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アクティブマトリクス基板を構成する透
   明基板上に設けた透明絶縁膜のコンタクトホールを形成
   する領域の電極上に、黒色導電体パターンを設けたこと
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 上記透明絶縁膜が、ネガ型感光性透明レ
   ジストからなる透明平坦化層であることを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 上記黒色導電体パターンを設ける電極
   が、ソース電極及び補助容量電極であることを特徴とす
   る請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 上記黒色導電体パターンが、グラファイ
   トの薄膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至
   ３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 アクティブマトリクス基板を構成する透
   明基板上に設けた電極を透明絶縁膜で覆い、前記電極に
   対するコンタクトホールを前記透明絶縁膜に設ける際
   に、予めコンタクトホールを設ける領域の前記電極上
   に、黒色導電体パターンを設けておくことを特徴とする
   液晶表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 上記透明絶縁膜が、ネガ型感光性透明レ
   ジストからなる透明平坦化層であることを特徴とする請
   求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 上記黒色導電体パターンを、リフトオフ
   法により形成したことを特徴とする請求項６記載の液晶
   表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 上記電極に対するコンタクトホールを上
   記透明平坦化層に設けるパターニング工程において、上
   記黒色導電体パターンを形成した際に用いたマスクパタ
   ーンと同一のマスクパターンを用いてパターニングを行
   うことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製造
   方法。
9. 【請求項９】 上記電極に対するコンタクトホールを上
   記透明平坦化層に設けるパターニング工程において、マ
   スクを用いることなくパターニングを行うことを特徴と
   する請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 上記黒色導電体パターンを設ける電極
    が、ソース電極及び補助容量電極であることを特徴とす
    る請求項５乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示装置
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 上記黒色導電体パターンが、グラファ
    イトの薄膜パターンであることを特徴とする請求項５乃
    至１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方
    法。