JP2987045B2 - 液晶パネル用基板とその製造方法 - Google Patents

液晶パネル用基板とその製造方法

Info

Publication number
JP2987045B2
JP2987045B2 JP33089893A JP33089893A JP2987045B2 JP 2987045 B2 JP2987045 B2 JP 2987045B2 JP 33089893 A JP33089893 A JP 33089893A JP 33089893 A JP33089893 A JP 33089893A JP 2987045 B2 JP2987045 B2 JP 2987045B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment film
layer
lift
photosensitive resin
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP33089893A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07191323A (ja
Inventor
清弘 川崎
圭介 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP33089893A priority Critical patent/JP2987045B2/ja
Publication of JPH07191323A publication Critical patent/JPH07191323A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2987045B2 publication Critical patent/JP2987045B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は画像表示機能を有する
液晶パネル、とりわけ液晶材にTN型のものを用いた液
晶画像表示装置において有効な配向膜の構成と、その製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料および実
装技術等の進歩により3〜15インチ程度のサイズでは
あるが、液晶パネルで実用上支障ないテレビジョン画像
や各種の画像表示が商業ベースで既に得られている。液
晶パネルを構成する2枚のガラス基板の一方にRGBの
着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実
現され、また絵素毎にスイッチング素子を内蔵させた、
いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも
少なくかつ高いコントラスト比を有する画像が保証され
る。
【0003】このような液晶パネルは、走査線としては
120〜960本、信号線としては240〜2000本
程度のマトリクス編成が標準的で、図に示すように液
晶パネル1を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガ
ラス基板2上に形成された走査線の電極端子群6に駆動
信号を供給する半導体集積回路チップ3を直接接続する
COG(Chip-On-Glass )方式や、例えばポリイミド系
樹脂薄膜をベースとし金メッキされた銅箔の端子群(図
示せず)を有する接続フィルム4を信号線の電極端子群
5に接着剤で圧接しながら固定する方式などの実装手段
によって電気信号が画像表示部に供給される。ここでは
便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが、実際に
はいずれかの実装方式が選ばれることは言うまでもな
い。なお、7,8は液晶パネル1中央の画像表示部と信
号線および走査線の電極端子群5,6との間を接続する
配線路で、必ずしも電極端子群5,6と同じ導電材で構
成される必要はない。
【0004】9は全ての液晶セルに共通の透明導電性の
対向電極を有するもう1枚のガラス基板で、2枚のガラ
ス基板2,9は石英ファイバやプラスチック・ビーズ等
のスペーサによって数μm程度の所定の距離を隔てて形
成され、その間隙(ギャップ)は有機性樹脂よりなるシ
ール材と封口材で封止された閉空間になっており、閉空
間には液晶が充填されている。カラー表示を実現するに
は、ガラス基板9の閉空間側に着色層と称する染料また
は顔料のいずれか一方もしくは両方を含む有機薄膜が被
着されて色表示機能が与えられるので、その場合にはガ
ラス基板9は別名カラーフィルタと呼ばれる。そして液
晶材の性質によってはガラス基板9の上面またはガラス
基板2の下面のいずれかもしくは両面上に偏光板が貼付
され、液晶パネル1は電気光学素子として機能する。
【0005】図1はスイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ10を絵素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図である。実線で描かれた素子は
一方のガラス基板2上に、そして破線で描かれた素子は
もう一方のガラス基板9上に形成されている。走査線1
1(8)と信号線12(7)は、例えば非晶質シリコン
(a−Si)を半導体層とし、シリコン窒化層(SiN
X )をゲート絶縁層とするTFT(薄膜トランジスタ)
10の形成と同時にガラス基板2上に作製される。液晶
セル13はガラス基板2上に形成された透明導電性の絵
素電極14と、カラーフィルタであるガラス基板9上に
形成された同じく透明導電性の対向電極15と、2枚の
ガラス基板2,9で構成された閉空間を満たす液晶とで
構成され、電気的にはコンデンサと同じ扱いを受ける。
蓄積容量の構成に関してはいくつかの選択が可能で、例
えば図1では蓄積容量22は前段のゲート(走査線)
と絵素電極14とで構成されている。
【0006】図1はカラー液晶画像表示装置の要部断
面図である。染色された感光性ゼラチンまたは着色性感
光性樹脂等よりなる着色層18は先述したように、カラ
ーフィルタであるガラス基板9の閉空間側で絵素電極1
4に対応してRGBの三原色で所定の配列に従って配置
されている。全ての絵素電極14に共通の対向電極15
は着色層18の存在による電圧配分損失を避けるために
は図示したように着色層18上に形成される。液晶16
に接して2枚のガラス基板2,9上に被着された、例え
ば0.1μm程度の膜厚のポリイミド系樹脂薄膜層19
は液晶分子を決められた方向に揃えるための配向膜であ
る。加えて液晶16にツイスト・ネマチック(TN)型
のものを用いる場合には上下に2枚の偏光板20を必要
とする。
【0007】RGBの着色層18の境界に低反射性の不
透明膜21を配置すると、ガラス基板2上の信号線12
等の配線層からの反射光を防止できてコントラスト比が
向上し、また薄膜トランジスタ(スイッチング素子)1
0の外部光照射によるオフ時のリーク電流の増大が防げ
て強い外光の下でも動作させることが可能となり、ブラ
ックマトリクスとして実用化されている。ブラックマト
リクス材の構成も多数考えられるが、着色層の境界にお
ける段差の発生状況と光の透過率を考慮すると、コスト
高にはなるが0.1μm程度の膜厚のCr薄膜が簡便で
ある。
【0008】なお、図1において理解を簡単にするた
め、薄膜トランジスタ10、走査線11、および蓄積容
量22に加えてバックライト光源やスペーサ等の主要因
子は省略されている。23は絵素電極14と薄膜トラン
ジスタ10のドレインとを接続するための導電性薄膜
で、一般的には信号線12と同一の材質で同時に形成さ
れる。ここでは図示しなかったが、対向電極15は画像
表示部より僅かに外よりの隅部で適当な導電性ペースト
を介してガラス基板(TFT基板)2上の適当な導電性
パターンに接続され、電極端子群5,6の一部に組み込
まれて電気的接続が与えられる。
【0009】図1は配向膜19が塗布された2枚のガ
ラス基板2,9に対する配向処理の方向を示す概念図で
あり、何れのガラス基板2,9も配向膜が塗布された主
面を紙面上にして表示されている。配向膜19には耐熱
性の観点から一般的にはポリイミド系樹脂が用いられ、
オフセット印刷で必要な領域(画像表示部)にのみ0.
1μm程度の膜厚で塗布され、150〜300℃の加熱
処理によって熱硬化される。そして液晶材がTN型の場
合には乾燥布を巻き付けた回転ドラムにガラス基板2,
9をその移動方向30−1,30−2が概ね直交するよ
うに適当な圧力で押しつけられて摺動することによっ
て、配向処理が実施される。
【0010】図1(a)には従来の液晶パネルの要部
断面図を示す。ここではノーマリ・ホワイトの動作モー
ドを選び、偏光板は省略した断面図を提示している。入
射光31が液晶分子32の配列方向となす角度は全白表
示では入射光31の入射角度によらずほぼ同じである
が、中間調表示においては入射角度によって大きく異な
り、結果として図1(b)に示したように液晶パネル
の透過率は上下方向に角度依存性を有し、視野角によっ
てはコントラストの低下や表示画像の色調反転等の好ま
しからざる現象が観察され、観察者にとっては視野角が
狭く感じられる。
【0011】これに対して、図1(a)に示したよう
に、一組の絵素電極14,15内で液晶配列方向が逆向
き33,34になるような配向処理が可能であると、中
間調表示においても入射光31が液晶の配列方向33,
34となす角度が対称となり、結果として図1(b)
に示したように透過率は上下方向の角度依存性が大幅に
緩和されて、観察者にとっては視野角が広く感じられ
る。
【0012】このように一組の絵素電極内の液晶分子の
配列を逆向きにした液晶セル構造はマルチドメインと呼
ばれ、一組の絵素電極上の配向膜に異なった配向処理を
与える必要がある。
【0013】図1には上記したマルチドメインを実現
する手法の一例を示す。絵素電極やその他の構成要素は
省略するが、まず図1(a)に示したようにガラス基
板2上に配向膜19を塗布し、適宜熱硬化する。つぎ
に、図1(b)に示したように乾燥布を巻き付けた回
転ドラム35を左回転36で配向膜19に適当な圧力と
回転数で押し付けながら摺動し、図1(c)に示した
ように右上がりのプレティルト角37を得る。その後、
図1(d)に示したように適当なマスク機能を有する
部材として、例えば感光性樹脂38で配向膜19を所定
のパターンで選択的に覆う。そして図1(e)に示し
たように回転ドラム35を右回転39で配向膜19に適
当な圧力と回転数で押し付けながら摺動し、図1
(f)に示したように露出している配向膜19に左上が
りのプレティルト角40を得る。最後に図1(g)に
示したように感光性樹脂38を除去すれば、配向膜19
は右上がりのプレティルト角37を有する配向膜19−
1と左上がりのプレティルト角40を有する配向膜19
−2とに分割されていることが理解されよう。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記したマルチドメイ
ンでは2度目の配向処理時に選択的マスク機能を発揮す
る感光性樹脂の除去方法が最大の課題である。なぜなら
ば、配向膜は耐熱性のあるポリイミド系樹脂ではある
が、カラーフィルタを構成する着色層の耐熱性が低く現
状では250℃を越えるカラーフィルタは開発中であ
り、またアクティブ型の液晶パネルを構成するTFT基
板の耐熱性もせいぜい300℃止まりであることから、
実用上は配向膜の硬化温度は200℃〜250℃程度で
あり、したがって耐薬品性も脆弱で感光性樹脂を除去す
る剥離液や有機溶剤で、配向膜が化学的損傷を受けて膜
減りする。そのため、マルチドメインを形成することは
可能であっても配向性能が劣化して表示画像のコントラ
ストが低下したり、長期信頼性に欠ける液晶パネルしか
得られていないのが現状である。
【0015】一方、有機溶剤を希釈液としない水溶性の
感光性樹脂であれば上記した課題は生じないが、水溶性
の感光性樹脂は感度と解像力に難点があり、半導体や液
晶デバイス等の微細加工には使用されることは極めて少
ない。
【0016】この発明の目的は、配向膜の損傷を与える
ことがない液晶パネル用基板とその製造方法を提供する
ことである。
【0017】
【課題を解決するための手段】この発明は上記した現況
に鑑みなされたもので、感光性樹脂の除去に対して耐薬
品性を配向膜に与えるための弗素化処理とリフトオフに
よる配向膜の選択的形成を中核とする。
【0018】請求項記載の液晶パネル用基板は、透明
性絶縁基板上の透明導電性の絵素電極上にその表面が部
分的に弗素化された第1の配向膜が形成され、部分的に
弗素化された第1の配向膜上の弗素化部分に第1の配向
膜とはプレティルト角の異なる第2の配向膜が形成され
ている。
【0019】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素
電極上に第1の配向膜を塗布し、ついで第1の配向膜の
表面を弗素化し、ついで弗素化された第1の配向膜上に
第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第2の配向膜
を塗布し、ついで第2の配向膜上にポジ型の感光性樹脂
を塗布し、ついで絵素電極内を選択的に露光し、ついで
露光後の感光性樹脂を現像するとともに第2の配向膜を
選択的に除去して第1の配向膜を露出し、ついで感光性
樹脂を除去し、ついで酸素ガスプラズマで露出した第1
の配向膜上の弗素化された表面を除去する。
【0020】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素
電極上に第1の配向膜を塗布し、ついで第1の配向膜の
表面を弗素化し、ついで弗素化された第1の配向膜上に
第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第2の配向膜
を塗布し、ついで第2の配向膜の表面を弗素化し、つい
で弗素化された第2の配向膜上にポジ型の感光性樹脂を
塗布し、ついで絵素電極内を選択的に露光し、ついで露
光後の感光性樹脂を現像して選択的に第2の配向膜を露
出し、ついで酸素ガスプラズマで露出した第2の配向膜
上の弗素化された表面を除去し、ついで第2の配向膜を
選択的に除去して第1の配向膜を露出し、ついで感光性
樹脂を除去し、ついで酸素ガスプラズマで露出した第1
および第2の配向膜上の弗素化された表面を除去する。
【0021】請求項記載の液晶パネル用基板は、透明
性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素電極上に第
1の配向膜と第1の配向膜とは材質とプレティルト角の
異なる第2の配向膜とが隣接して形成された液晶パネル
用基板であって、第2の配向膜は第1の配向膜上に形成
されたリフトオフ層上および絵素電極上に塗布され、リ
フトオフ層上の部分がリフトオフされることで、第1の
配向膜に隣接して形成されている。
【0022】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素
電極上に第1の配向膜を塗布し、ついで第1の配向膜上
にリフトオフ層を被着し、ついで感光性樹脂を用いてリ
フトオフ層と第1の配向膜とよりなる積層部を絵素電極
上に選択的に残し、ついで第1の配向膜とはプレティル
ト角の異なる第2の配向膜を塗布し、ついで酸素ガスプ
ラズマで第2の配向膜の膜厚を減少させて積層部の側面
を露出し、ついでリフトオフ層を除去するとともにリフ
トオフ層上の第2の配向膜を除去する。
【0023】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、請求項の液晶パネル用基板の製造方法におい
て、リフトオフ層がモリブデンで、リフトオフ層の除去
液が過酸化水素水または希硝酸である。
【0024】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、請求項記載の液晶パネル用基板の製造方法にお
いて、感光性樹脂にネガ型を用い、リフトオフ層がPV
A樹脂で、リフトオフ層の除去液が水である。
【0025】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素
電極上に第1の配向膜を塗布し、ついで第1の配向膜上
にリフトオフ層を被着し、ついでリフトオフ層上に感光
性樹脂を塗布し、ついで感光性樹脂とリフトオフ層と第
1の配向膜とよりなる積層部を絵素電極上に選択的に残
し、ついで第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第
2の配向膜を塗布し、ついで酸素ガスプラズマで第2の
配向膜の膜厚を減少させて積層部の側面を露出し、つい
でリフトオフ層の除去とともにリフトオフ層上の感光性
樹脂と第2の配向膜を除去する。
【0026】請求項記載の液晶パネル用基板の製造方
法は、請求項記載の液晶パネル用基板の製造方法にお
いて、リフトオフ層がモリブデンで、リフトオフ層の除
去液が過酸化水素または希硝酸である。
【0027】請求項1記載の液晶パネル用基板の製造
方法は、請求項記載の液晶パネル用基板の製造方法に
おいて、感光性樹脂にネガ型を用い、リフトオフ層がP
VA樹脂で、リフトオフ層の除去液が水である。
【0028】請求項1記載の液晶パネル用基板の製造
方法は、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵
素電極上に第1の配向膜を塗布し、ついで第1の配向膜
の表面を弗素化し、ついで表面が弗素化された第1の配
向膜を選択的に除去し、ついで第1の配向膜とはプレテ
ィルト角の異なる第2の配向膜で第1の配向膜以外の領
域を埋め、ついで酸素ガスプラズマで第1の配向膜上の
弗素化された表面を除去する。
【0029】
【作用】 請求項ないし請求項1の記載の構成におい
て、弗素化による配向膜形成では、その表面を弗素化さ
れた配向膜は撥水性と耐薬品性が著しく向上し、感光性
樹脂の現像液に対して膜減りすることは回避される。ま
た、リフトオフによる配向膜形成ではリフトオフ層で配
向膜が保護され、感光性樹脂の除去液で損傷を受けるこ
とは皆無である。
【0030】
【実施例】以下、この発明の実施例について図1および
図3ないし図の製造工程断面図を参照しながら説明す
る。なお便宜上同一の部位には従来例と同じ符号を付す
こととする。
【0031】この発明の請求項は、透明性絶縁基板に
その表面が部分的に弗素化された第1の配向膜を形成
し、前記部分的に弗素化した第1の配向膜上に第2の配
向膜を自己整合的に形成する液晶パネル用基板の製造方
法であって、少なくとも第1の配向膜の表面を弗素化す
ることにより配向膜の耐薬品性を向上させることが可能
となり、感光性樹脂および第2の配向膜の除去に有機溶
剤を用いる必要が無くなることが特徴である。弗素化の
回数によって二つの製造方法を選択することが可能であ
り、それを第、第の実施例として以下に記載する。
【0032】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、まず図(a)に
示したように、図示はしないが絵素電極が形成された、
透明性絶縁基板である例えばガラス基板2上に第1の配
向膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で
1時間程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化
学製のRN740が選ばれる。その後フレオン系ガス、
例えばCF4を用いた減圧下で弗素ガスプラズマ56に
より第1の配向膜51の表面を50〜150Å程度弗素
化して弗素化部分61とする。
【0033】引続き図(b)に示したように、第2の
配向膜52を第1の配向膜51上に0.1μm程度の膜
厚で塗布して170℃で30分程加熱処理する。第2の
配向膜52としては日本合成ゴム製のオプトマーAL3
046が選ばれる。なお、第2の配向膜52の塗布に当
り、第2の配向膜52の弾きが発生するのであれば、適
当な密着増強材、例えばHMDSを使用して塗布しても
何等支障は無い。
【0034】その後図(c)に示したように、ポジ型
の感光性樹脂53を1μm程度の膜厚で塗布して100
℃で10分程プリベーク処理し、ホトマスク54と紫外
線55による選択的紫外線照射を行う。
【0035】そして、現像液として2.38%の濃度の
TMAH水溶液で現像処理を行うと、現像液がアルカリ
性であるので、図(d)に示したように感光性樹脂5
3ともども第2の配向膜52がパターン化されて感光性
樹脂パターン53’と第2の配向膜パターン52’が同
時に得られる。この現像処理時に第1の配向膜51の表
面は弗素化されているために第1の配向膜51が膜減り
することは皆無である。
【0036】この後は不要な感光性樹脂パターン53’
を除去すればよく、図(e)に示したように紫外線5
5を全面に照射して再度、現像処理を行えば感光性樹脂
パターン53’は容易に除去される。ただし、再現像時
に過現像に注意しないと第2の配向膜52’の膜減りが
生じる。
【0037】その後図(f)に示したように、酸素ガ
スプラズマ57中での処理により、第1の配向膜51の
表面の弗素化部分61’を灰化して第1の配向膜51を
露出させる。この時、第2の配向膜52’も一部膜減り
するが、最終的には図(g)に示したように、その表
面が部分的に弗素化された第1の配向膜51が形成さ
れ、部分的に弗素化された第1の配向膜51上に第2の
配向膜52’が自己整合的に形成された液晶パネル用基
板が得られる。
【0038】第1の実施例によって得られる液晶パネル
用基板は単位絵素内に2種類の配向膜51,52’が存
在しており、図14(a)に類似したような液晶分子の
配列を得て視野角を拡大するためには図2に示すような
構成上の工夫が必要である。具体的には一方のガラス基
板9上に形成された第3の配向膜19よりもプレティル
ト角が大きい第2の配向膜52’と、逆に第3の配向膜
19よりもプレティルト角が小さい第1の配向膜51を
選定することである。
【0039】以上の構成は、一方のガラス基板9にはプ
レティルト角θを持つような配向処理を施し、他方のガ
ラス基板2にはθ+φ1のプレティルト角とθ−φ2の
プレティルト角と(ただし、φ1>0、θ>φ2>0)
の二つの配向処理領域を持たせたものである。このよう
な配向処理を施すと、θ+φ1のプレティルト角を持つ
領域では液晶層中心部の液晶分子はおよそφ1のプレテ
ィルトを有し、θ−φ2のプレティルト角を持つ領域で
は液晶層中心部の液晶分子はおよそ−φ2のプレティル
トを有するように配向する。この結果、中間調表示にお
いても入射光31(図14(a)参照)が液晶の2種類
の配列方向となす角度が対称的となり、透過率は上下方
向の角度依存性が大幅に緩和されて、視野角の拡大がな
される。φ1=φ2の場合が図14(a)に最も類似し
た分子配列となる。このように単位絵素内に2種類の配
向膜を配置することが視野角拡大の要点である。
【0040】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、第の実施例にお
ける感光性樹脂の除去時に第2の配向膜が膜減りしない
ようにプロセスを改善したもので、まず図(a)に示
したように、図示はしないが絵素電極が形成された、透
明性絶縁基板である例えばガラス基板2上に第1の配向
膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で1
時間程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化学
製のRN740が選ばれる。その後CF4 を用いた減圧
下での弗素ガスプラズマ56により第1の配向膜51の
表面を50〜150Å程度弗素化して弗素化部分61と
する。
【0041】引続き図(b)に示したように、第2の
配向膜52を第1の配向膜51上に0.1μm程度の膜
厚で塗布して170℃で30分程加熱処理する。第2の
配向膜52としては日本合成ゴム製のオプトマーAL3
046が選ばれる。なお、第2の配向膜52の塗布に当
り適当な密着増強材、例えばHMDSを使用しても何等
支障は無いことは既に述べた。第2の配向膜52の塗布
後、再度CF4 を用いた減圧下での弗素ガスプラズマ5
6により第2の配向膜52の表面も50〜150Å程度
弗素化して弗素化部分62とする。
【0042】その後図(c)に示したように、ポジ型
の感光性樹脂53を1μm程度の膜厚で塗布して100
℃で10分程プリベーク処理し、ホトマスク54と紫外
線55による選択的紫外線照射を行う。
【0043】そして、現像液として2.38%の濃度の
TMAH水溶液で現像処理を行うと、図(d)に示し
たように感光性樹脂パターン53’を得ることができ
る。
【0044】第2の配向膜52の表面が弗素化されてい
るので、酸素ガスプラズマ中で弗素化された弗素化部分
62を灰化して第2の配向膜52を露出させた後、図
(e)に示したように現像処理または第2の配向膜52
の希釈液で第2の配向膜52の選択的パターン形成を行
う。第2の配向膜52の選択的除去時に、第1の配向膜
51の表面は弗素化されているために第1の配向膜51
が膜減りすることは皆無である。この後は不要な感光性
樹脂パターン53’を除去すればよく、第の実施例と
同様に紫外線55を全面に照射して再度、現像処理を行
えば感光性樹脂パターン53’は容易に除去される。再
現像時に過現像が与えられても第2の配向膜52’の表
面も弗素化されているので、第2の配向膜52’の膜減
りも生じない。
【0045】その後、酸素ガスプラズマ中での処理によ
り第1の配向膜51と第2の配向膜52’表面の弗素化
部分61,62を同時に灰化し、最終的には図(f)
に示したように、ガラス基板2の上にその表面が部分的
に弗素化された第1の配向膜51が形成され、部分的に
弗素化された第1の配向膜51上に第2の配向膜52’
が自己整合的に形成された液晶パネル用基板が得られ
る。
【0046】この発明の請求項は、透明性絶縁基板上
に形成された透明導電性の絵素電極上に第1の配向膜と
第1の配向膜とは材質とプレティルト角の異なる第2の
配向膜とが隣接して形成された液晶パネル用基板であっ
て、第2の配向膜は第1の配向膜上に形成されたリフト
オフ層上および絵素電極上に塗布され、リフトオフ層上
の部分がリフトオフされることで、第1の配向膜に隣接
して形成されていることを特徴とする液晶パネル用基板
であ、請求項は同基板のリフトオフによる第2の配
向膜形成を特徴とする製造方法である。リフトオフ材の
選択によって2種類の製造方法があり、それを第と第
の実施例として以下に記載する。
【0047】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、まず図(a)に
示したように、図示はしないが絵素電極が形成された、
透明性絶縁基板である例えばガラス基板2上に第1の配
向膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で
1時間程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化
学製のRN740が選ばれる。引続きリフトオフ層63
としてMo(モリブデン)をスパッタ等の真空製膜装置
を用いて全面に0.1μm程度の膜厚で被着し、さらに
ポジ型の感光性樹脂53を1μm程度の膜厚で塗布して
100℃で10分程プリベーク処理する。
【0048】その後フォトマスクと紫外線照射による選
択的露光を行って、図(b)に示したように所定の感
光性樹脂パターン53’を得、感光性樹脂パターン5
3’をマスクとしてリフトオフ層(Mo層)63と第1
の配向膜51を食刻してそれぞれ63’,51’とす
る。食刻方法としては一般的なものでよく特に制約があ
るわけではないが、例えばフレオン系ガスを用いたドラ
イエッチングでリフトオフ層63を、また酸素ガスプラ
ズマを用いたアッシングで第1の配向膜51を食刻すれ
ば、処理装置が1台で間に合う簡便さがある。感光性樹
脂パターン53’の除去方法も第1の配向膜53’がリ
フトオフ層63’でカバーされているため、特に制約が
あるわけではなく、第1の配向膜51の食刻後、そのま
ま酸素ガスプラズマで除去することも可能である。
【0049】感光性樹脂パターン53’の除去後、図
(c)に示したように第2の配向膜52をガラス基板2
上に0.1μm程度の膜厚で塗布して170℃で30分
程加熱処理する。第2の配向膜52としては日本合成ゴ
ム製のオプトマーAL3046が選ばれる。
【0050】そして図(d)に示したように、第2の
配向膜52の膜厚を減少させてリフトオフ層63’と第
1の配向膜51’よりなる積層パターンの段差部で第2
の配向膜52が段切れを生じ、積層部の側面が露出する
まで酸素ガスプラズマ57中での処理を行う。
【0051】最終工程はリフトオフ層63’の除去とと
もにリフトオフ層63’上の第2の配向膜52を選択的
に除去することであり、リフトオフ層63’の除去には
過酸化水素水または0.1%程度の希硝酸を用いる。こ
れらの除去液は感光性樹脂53の現像液とは異なり中性
または弱酸であるので、第1と第2の配向膜51’,5
2’が侵されて膜減りする恐れは皆無である。この結
果、図(e)に示したように、透明性絶縁基板である
ガラス基板2上に形成された透明導電性の絵素電極上に
第1の配向膜51’と第2の配向膜52’とを隣接して
形成することができた。
【0052】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、高額な真空製膜装
置を必要としないリフトオフ材を採用したもので、まず
(a)に示したように、図示はしないが絵素電極が
形成された、透明性絶縁基板である例えばガラス基板2
上に第1の配向膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布し
て220℃で1時間程熱硬化する。第1の配向膜51と
しては日産化学製のRN740が選ばれる。引続きリフ
トオフ層64として水溶性のPVA樹脂、例えば東京応
化製のTPFを0.1μm程度の膜厚で塗布して140
℃で10分間加熱し、さらにネガ型の感光性樹脂65、
例えば東京応化製のOMR−83を1μm程度の膜厚で
塗布して90℃で5分程プリベーク処理する。
【0053】その後フォトマスクと紫外線照射による選
択的露光を行って現像すると、図(b)に示したよう
に所定の感光性樹脂パターン65’が得られる。ネガレ
ジストの現像時、リフトオフ層(TPF層)64は現像
液であるキシレンやリンス液である酢酸ブチル等の有機
溶剤に不溶であるため、リフトオフ層64が膜減りする
ことはない。
【0054】感光性樹脂パターン65’をマスクとして
リフトオフ層64と第1の配向膜51を食刻して、図
(c)に示したようにそれぞれ64’、51’とする。
食刻方法としては対象物が有機薄膜であるので、酸素ガ
スを用いたアッシングでリフトオフ層64と第1の配向
膜51を食刻すれば、処理装置が1台で間に合う簡便さ
がある。感光性樹脂パターン65’の除去方法は第1の
配向膜51’がリフトオフ層64’でカバーされている
ため、ABS(アルキルベンゼンスルフォン酸)を主成
分とするネガ型感光性樹脂の剥離液で何等支障なく、リ
フトオフ層64’が同じく剥離液に不溶であるため、リ
フトオフ層64’が膜減りすることもない。
【0055】感光性樹脂パターン65’の除去後、図
(d)に示したように第2の配向膜52をガラス基板2
上に0.1μm程度の膜厚で塗布して170℃で30分
程加熱処理する。第2の配向膜52としては日本合成ゴ
ム製のオプトマーAL3046が選ばれる。
【0056】そして図(e)に示したように、第2の
配向膜52の膜厚を減少させてリフトオフ層64’と第
1の配向膜51’よりなる積層パターンの段差部で第2
の配向膜52が段切れを生じ、積層部の側面が露出する
まで酸素ガスプラズマ57中での処理を行う。
【0057】最終工程はリフトオフ層64’の除去とと
もにリフトオフ層64’上の第2の配向膜52を選択的
に除去することであり、リフトオフ層64’の除去には
水を用いる。水は感光性樹脂の現像液とは異なり中性で
あるので、第1’と第2の配向膜51’,52’が侵さ
れて膜減りする恐れは皆無である。
【0058】この結果、図(f)に示したように、透
明性絶縁基板であるガラス基板2上に形成された透明導
電性の絵素電極上に第1の配向膜51’と第2の配向膜
52’を隣接して形成することができた。
【0059】この発明の請求項も同基板のリフトオフ
による第2の配向膜形成を特徴とする製造方法である
が、請求項に比べて製造工数を低下させることが可能
であり、同様にリフトオフ材の選択によって2種類の製
造方法が考案され、それを第と第の実施例として以
下に記載する。
【0060】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、まず図(a)に
示したように、図示はしないが絵素電極が形成された、
透明性絶縁基板である例えばガラス基板2上に第1の配
向膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で
1時間程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化
学製のRN740が選ばれる。引続きリフトオフ層63
としてMo(モリブデン)をスパッタ等の真空製膜装置
を用いて全面に0.1μm程度の膜厚で被着し、さらに
ポジ型の感光性樹脂53を1μm程度の膜厚で塗布して
100℃で10分程プリベーク処理する。
【0061】その後フォトマスクと紫外線照射による選
択的露光を行って図(b)に示したように所定の感光
性樹脂パターン53’を得、感光性樹脂パターン53’
をマスクとしてリフトオフ層63と第1の配向膜51を
食刻してそれぞれ63’、51’とする。食刻方法とし
ては先述したように、フレオン系ガスを用いたドライエ
ッチングでリフトオフ層63を、また酸素ガスプラズマ
を用いたアッシングで第1の配向膜51を食刻すれば、
処理装置が1台で間に合う簡便さがある。
【0062】引続き図(c)に示したように、第2の
配向膜52をガラス基板2上に0.1μm程度の膜厚で
塗布して170℃で30分程加熱処理する。第2の配向
膜52としては日本合成ゴム製のオプトマーAL304
6が選ばれる。第1配向膜51’とリフトオフ層63’
と感光性樹脂パターン53’の3層よりなる積層部は膜
厚が1.2μmもあるので、積層部の側面で第2の配向
膜52は段切れを起こし易い。
【0063】そこで、このままリフトオフ層63である
Moの除去液に浸漬させてもよいが、確実性を期するな
らば第、第の実施例と同様に図(d)に示したよ
うに、酸素ガスプラズマ57中での処理を追加して積層
部の側面の露出を促進するとよい。
【0064】最終工程は、リフトオフ層63’の除去と
ともにリフトオフ層63’上の感光性樹脂パターン5
3’と第2の配向膜52を選択的に除去することであ
り、リフトオフ層63’の除去には先述したように過酸
化水素水または0.1%程度の希硝酸を用いる。
【0065】この結果、図(e)に示したように、透
明性絶縁基板であるガラス基板2上に形成された透明導
電性の絵素電極上に第1の配向膜51’と第2の配向膜
52’を隣接して形成することができた。
【0066】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、まず図(a)に
示したように、図示はしないが絵素電極が形成された、
透明性絶縁基板である例えばガラス基板2上に第1の配
向膜51を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で
1時間程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化
学製のRN740が選ばれる。引続きリフトオフ層64
として水溶性のPVA樹脂、例えば東京応化製のTPF
を全面に0.1μm程度の膜厚で塗布して140℃で1
0分間加熱し、さらにネガ型の感光性樹脂65、例えば
東京応化製のOMR−83を1μm程度の膜厚で塗布し
て90℃で5分程プリベーク処理する。
【0067】その後フォトマスクと紫外線照射による選
択的露光を行って現像して、図(b)に示すように、
感光性樹脂パターン65’を得る。感光性樹脂パターン
65’をマスクとしてリフトオフ層64と第1の配向膜
51を食刻して図(b)に示したように64’、5
1’を得る。食刻方法としては酸素ガスを用いたアッシ
ングでリフトオフ層64と第1の配向膜51を食刻すれ
ば、処理装置が1台で間に合う簡便さがある。
【0068】引続き図(c)に示したように、ガラス
基板2上に第2の配向膜52を0.1μm程度の膜厚で
塗布して170℃で30分程加熱処理する。第2の配向
膜52としては日本合成ゴム製のオプトマーAL304
6が選ばれる。第1の配向膜51’とリフトオフ層6
4’と感光性樹脂パターン65’の3層よりなる積層部
は膜厚が1.2μmもあるので、積層部の側面で第2の
配向膜52は段切れを起こし易い。
【0069】そこで、このままリフトオフ層64である
TPFの除去液に浸漬させてもよいが、確実性を期する
ならば第、第の実施例と同様に図(d)に示した
ように、酸素ガスプラズマ57中での処理を追加して積
層部の側面の露出を促進するとよい。
【0070】最終工程はリフトオフ層64’の除去とと
もにリフトオフ層64’上の第2の感光性樹脂パターン
65’と第2の配向膜52を選択的に除去することであ
り、リフトオフ層64’の除去には水を用いる。
【0071】この結果、図(e)に示したように、透
明性絶縁基板であるガラス基板2上に形成された透明導
電性の絵素電極上に第1の配向膜51’と第2の配向膜
52’を隣接して形成することができた。
【0072】この発明の請求項1は請求項と同じ
く、透明性絶縁基板上に形成された透明導電性の絵素電
極上に第1の配向膜と第2の配向膜が隣接して形成され
ていることを特徴とする液晶パネル用基板の製造方法で
あって、撥水性を利用した第2の配向膜形成を特徴とす
る製造方法である。それを第の実施例として以下に記
載する。
【0073】〔第の実施例〕 この発明の第の実施例においては、まず図(a)に
示したように、図示はしないが絵素電極が形成された、
透明性絶縁基板であるガラス基板2上に第1の配向膜5
1を0.1μm程度の膜厚で塗布して220℃で1時間
程熱硬化する。第1の配向膜51としては日産化学製の
RN740が選ばれる。その後CF4を用いた減圧下で
の弗素ガスプラズマ56により第1の配向膜51の表面
を50〜150Å程度弗素化して弗素化部分61とす
る。
【0074】引続き図(b)に示したように、ポジ型
の感光性樹脂を1μm程度の膜厚で塗布して100℃で
10分程プリベーク処理し、フォトマスクと紫外線照射
による選択的露光を行って現像し、得られた所定の感光
性樹脂パターン53’をマスクとして第1の配向膜51
を図(c)に示すように食刻して51’とする。食刻
方法としては弗素化された表面部も含めて酸素ガスプラ
ズマを用いると簡便である。
【0075】そして図(c)に示したように、紫外線
の再照射と再現像等の手段によって感光性樹脂パターン
53’を除去した後、図(d)に示すように、第2の
配向膜52をガラス基板2上に0.1μm程度の膜厚で
塗布すると第1の配向膜51’の表面が弗素化されてい
るので、第2の配向膜52の溶剤の選定と樹脂濃度の高
希釈化によって第2の配向膜52は第1の配向膜51’
上では撥水して弾かれて塗布することができず、したが
って図(d)に示したように自動的に第1の配向膜5
1’のパターン間を埋めて塗布され52’となる。第2
の配向膜52’の選択的塗布後、170℃で30分程加
熱処理して第2の配向膜52中の希釈溶剤を蒸発させ
る。第2の配向膜52としては日本合成ゴム製のオプト
マーAL3046が選ばれる。
【0076】最終工程は図(e)に示したように、酸
素ガスプラズマ中での処理により、第1の配向膜51’
の表面の弗素化部分61を灰化して第1の配向膜51’
を露出して、透明性絶縁基板であるガラス基板2上に形
成された透明導電性の絵素電極上に第1の配向膜51’
と第2の配向膜52’を隣接して形成することができ
た。酸素ガスプラズマ中での処理により第2の配向膜5
2’もわずかに膜減りするが、その量を見越して塗布厚
を設定しておけば何等支障無い。
【0077】この発明は絵素電極上の配向膜の選択的塗
布形成に関わるものであり、対象となる液晶パネルは従
来例で説明したアクティブ型に限られるものではなく、
単純マトリクス編成の液晶パネルにも適用可能であり、
またカラーフィルタを対向基板として用いるカラー表示
はもちろん、白黒表示の液晶パネルにも適用可能なこと
は言うまでもないし、アクティブ型の液晶表示装置にお
いてもスイッチング素子が絶縁ゲート型トランジスタに
限定されず、2端子素子であっても支障無いことは説明
を要しないであろう。
【0078】
【発明の効果】この発明によれば、透明性絶縁基板上に
形成された透明導電性の絵素電極上に第1の配向膜と第
2の配向膜を選択的に形成するにあたり、一つの手段と
して配向膜の表面を弗素化して耐薬品性を向上させてい
るので、選択的形成に用いた感光性樹脂の除去時に配向
膜が膜減りして配向膜特性が劣化することは回避され
る。また別の手段としてリフトオフ層の導入により、第
1の配向膜をリフトオフ層で保護しながら第2の配向膜
をリフトオフで選択的に形成するため、同様に配向膜に
物理的、化学的な損傷を与えることがない。さらに他の
手段では表面を弗素化された第1の配向膜の撥水性を利
用して第2の配向膜の選択的形成がなされるため、やは
り物理的、化学的な損傷を与えることがなく配向膜の選
択的塗布がなされる。これらの結果、マルチドメインが
実現して液晶パネルの視野角拡大の推進が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図2】この発明の第1の実施例による視野角拡大原理
の説明図である。
【図3】この発明の第2の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図4】この発明の第3の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図5】この発明の第4の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図6】この発明の第5の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図7】この発明の第6の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図8】この発明の第7の実施例による液晶パネル用基
板の配向膜形成工程の断面図である。
【図9】液晶パネルへの実装手段を示す斜視図である。
【図10】アクティブ型液晶パネルの等価回路図であ
る。
【図11】カラー表示用アクティブ型液晶パネルの要部
断面図である。
【図12】液晶パネルを構成する2枚の基板に対する配
向処理の概念図である。
【図13】従来構造のTN液晶パネルの分子配向と視野
角の角度依存性を示す概略図である。
【図14】マルチドメイン構造のTN液晶パネルの分子
配向と視野角の角度依存性を示す概略図である。
【図15】マルチドメインを実現する従来の配向処理工
程を示す概略図である。
【符号の説明】
2 ガラス基板 9 ガラス基板 51,52 配向膜 53 ポジ型感光性樹脂 54 フォトマスク 55 紫外線 56 弗素ガスプラズマ 57 酸素ガスプラズマ 61,62 配向膜の表面の弗素化部分 63 リフトオフ層 64 リフトオフ層 65 ネガ型感光性樹脂
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/1337 505

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明性絶縁基板上の透明導電性の絵素電
    極上にその表面が部分的に弗素化された第1の配向膜が
    形成され、部分的に弗素化された前記第1の配向膜上の
    弗素化部分に前記第1の配向膜とはプレティルト角の異
    なる第2の配向膜が形成されていることを特徴とする液
    晶パネル用基板。
  2. 【請求項2】 透明性絶縁基板上に形成された透明導電
    性の絵素電極上に第1の配向膜を塗布する工程と、 前記第1の配向膜の表面を弗素化する工程と、 弗素化された前記第1の配向膜上に前記第1の配向膜と
    はプレティルト角の異なる第2の配向膜を塗布する工程
    と、 前記第2の配向膜上にポジ型の感光性樹脂を塗布する工
    程と、 前記絵素電極内を選択的に露光する工程と、 前記露光後の感光性樹脂を現像するとともに前記第2の
    配向膜を選択的に除去して前記第1の配向膜を露出する
    工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、 酸素ガスプラズマで露出した前記第1の配向膜上の弗素
    化された表面を除去する工程とを含む液晶パネル用基板
    の製造方法。
  3. 【請求項3】 透明性絶縁基板上に形成された透明導電
    性の絵素電極上に第1の配向膜を塗布する工程と、 前記第1の配向膜の表面を弗素化する工程と、 弗素化された前記第1の配向膜上に前記第1の配向膜と
    はプレティルト角の異なる第2の配向膜を塗布する工程
    と、 前記第2の配向膜の表面を弗素化する工程と、 弗素化された前記第2の配向膜上にポジ型の感光性樹脂
    を塗布する工程と、 前記絵素電極内を選択的に露光する工程と、 前記露光後の感光性樹脂を現像して選択的に第2の配向
    膜を露出する工程と、 酸素ガスプラズマで前記露出した第2の配向膜上の弗素
    化された表面を除去する工程と、 前記第2の配向膜を選択的に除去して前記第1の配向膜
    を露出する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、 酸素ガスプラズマで前記露出した第1および第2の配向
    膜上の弗素化された表面を除去する工程とを含む液晶パ
    ネル用基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 透明性絶縁基板上に形成された透明導電
    性の絵素電極上に第1の配向膜と前記第1の配向膜とは
    材質とプレティルト角の異なる第2の配向膜とが隣接し
    形成された液晶パネル用基板であって、前記第2の配
    向膜は前記第1の配向膜上に形成されたリフトオフ層上
    および前記絵素電極上に塗布され、前記リフトオフ層上
    の部分がリフトオフされることで、前記第1の配向膜に
    隣接して形成されていることを特徴とする液晶パネル用
    基板。
  5. 【請求項5】 透明性絶縁基板上に形成された透明導電
    性の絵素電極上に第1の配向膜を塗布する工程と、 前記第1の配向膜上にリフトオフ層を被着する工程と、 感光性樹脂を用いて前記リフトオフ層と前記第1の配向
    膜とよりなる積層部を前記絵素電極上に選択的に残す工
    程と、 前記第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第2の配
    向膜を塗布する工程と、 酸素ガスプラズマで前記第2の配向膜の膜厚を減少させ
    て前記積層部の側面を露出する工程と、 前記リフトオフ層を除去するとともに前記リフトオフ層
    上の前記第2の配向膜を除去する工程とを含む液晶パネ
    ル用基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 リフトオフ層がモリブデンで、前記リフ
    トオフ層の除去液が過酸化水素水または希硝酸である請
    求項記載の液晶パネル用基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 感光性樹脂にネガ型を用い、リフトオフ
    層がPVA樹脂で、前記リフトオフ層の除去液が水であ
    る請求項記載の液晶パネル用基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 透明性絶縁基板上に形成された透明導電
    性の絵素電極上に第1の配向膜を塗布する工程と、 前記第1の配向膜上にリフトオフ層を被着する工程と、 前記リフトオフ層上に感光性樹脂を塗布する工程と、 前記感光性樹脂と前記リフトオフ層と前記第1の配向膜
    とよりなる積層部を前記絵素電極上に選択的に残す工程
    と、 前記第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第2の配
    向膜を塗布する工程と、 酸素ガスプラズマで前記第2の配向膜の膜厚を減少させ
    て前記積層部の側面を露出する工程と、 前記リフトオフ層の除去とともに前記リフトオフ層上の
    前記感光性樹脂と前記第2の配向膜を除去する工程とを
    含む液晶パネル用基板の製造方法。
  9. 【請求項9】 リフトオフ層がモリブデンで、前記リフ
    トオフ層の除去液が過酸化水素または希硝酸である請求
    記載の液晶パネル用基板の製造方法。
  10. 【請求項10】 感光性樹脂にネガ型を用い、リフトオ
    フ層がPVA樹脂で、前記リフトオフ層の除去液が水で
    ある請求項記載の液晶パネル用基板の製造方法。
  11. 【請求項11】 透明性絶縁基板上に形成された透明導
    電性の絵素電極上に第1の配向膜を塗布する工程と、 前記第1の配向膜の表面を弗素化する工程と、 前記表面が弗素化された第1の配向膜を選択的に除去す
    る工程と、 前記第1の配向膜とはプレティルト角の異なる第2の配
    向膜で前記第1の配向膜以外の領域を埋める工程と、 酸素ガスプラズマで前記第1の配向膜上の弗素化された
    表面を除去する工程とを含む液晶パネル用基板の製造方
    法。
JP33089893A 1993-12-27 1993-12-27 液晶パネル用基板とその製造方法 Expired - Fee Related JP2987045B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33089893A JP2987045B2 (ja) 1993-12-27 1993-12-27 液晶パネル用基板とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33089893A JP2987045B2 (ja) 1993-12-27 1993-12-27 液晶パネル用基板とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07191323A JPH07191323A (ja) 1995-07-28
JP2987045B2 true JP2987045B2 (ja) 1999-12-06

Family

ID=18237734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33089893A Expired - Fee Related JP2987045B2 (ja) 1993-12-27 1993-12-27 液晶パネル用基板とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2987045B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8481351B2 (en) 2008-12-19 2013-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method
US8681307B2 (en) 2008-12-19 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Insulated gate transistor, active matrix substrate, liquid crystal display device, and method for producing the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510437B1 (ko) * 1997-06-24 2005-10-21 삼성전자주식회사 액정표시소자및이에사용되는액정셀의형성방법
JP4334166B2 (ja) 2001-08-01 2009-09-30 シャープ株式会社 液晶表示装置及び配向膜の露光装置及び配向膜の処理方法
JP2009008868A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子
JP2009187043A (ja) * 2009-05-29 2009-08-20 Sharp Corp 液晶表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8481351B2 (en) 2008-12-19 2013-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method
US8681307B2 (en) 2008-12-19 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Insulated gate transistor, active matrix substrate, liquid crystal display device, and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07191323A (ja) 1995-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7817218B2 (en) Method of manufacturing a liquid crystal device utilizing a liquid organic semiconductor for the active layer
EP0375268B1 (en) Liquid crystal display device
JP3719939B2 (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
US7531372B2 (en) Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device
JP2004110054A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
JPH05203987A (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示装置
KR20050070344A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
TW200909955A (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
JP2987045B2 (ja) 液晶パネル用基板とその製造方法
US7027114B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP3541026B2 (ja) 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板
JPH10142628A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP2000162643A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07175088A (ja) 液晶パネル用基板とその製造方法
KR100603852B1 (ko) 회절 노광 기술을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법
JP3371853B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置とその製造方法
KR101898118B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR101381204B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
JP2001296559A (ja) 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板
KR101006475B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
JPH10311986A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR101030527B1 (ko) 리프트-오프 방법을 이용한 액정표시소자 및 그 제조방법
JP3541014B2 (ja) 液晶表示装置
JP2003177390A (ja) 液晶表示装置とその製造方法
KR100707020B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees