JPH10282517A - 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
反射型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH10282517A JPH10282517A JP8659097A JP8659097A JPH10282517A JP H10282517 A JPH10282517 A JP H10282517A JP 8659097 A JP8659097 A JP 8659097A JP 8659097 A JP8659097 A JP 8659097A JP H10282517 A JPH10282517 A JP H10282517A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示の明るさを高め、かつクロストークによ
る表示不良を改善した反射型アクティブマトリクス型液
晶表示装置を得る。 【解決手段】 ゲート線１２、信号線１９、蓄積容量線
１３、ＴＦＴ２２および表示画素電極１８を配置したア
レイ基板１１と、透明絶縁膜からなる共通対向電極２５
を配置した対向基板２３と、これら基板間に挟持された
液晶層２６とを有し、一方の基板に反射板３０を形成し
た反射型装置において、信号線１９と画素電極１８間の
間隙１８ｓに対向する対向基板側の領域に透明導電膜お
よび遮光膜のないスリット２５ａを形成する。
る表示不良を改善した反射型アクティブマトリクス型液
晶表示装置を得る。 【解決手段】 ゲート線１２、信号線１９、蓄積容量線
１３、ＴＦＴ２２および表示画素電極１８を配置したア
レイ基板１１と、透明絶縁膜からなる共通対向電極２５
を配置した対向基板２３と、これら基板間に挟持された
液晶層２６とを有し、一方の基板に反射板３０を形成し
た反射型装置において、信号線１９と画素電極１８間の
間隙１８ｓに対向する対向基板側の領域に透明導電膜お
よび遮光膜のないスリット２５ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transister，以下ＴＦＴと記す）をスイッ
チング素子として表示画素電極アレイを構成したアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関する。
（Thin Film Transister，以下ＴＦＴと記す）をスイッ
チング素子として表示画素電極アレイを構成したアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置の
基本構成は、図４および図５に示すように、表示画素電
極をマトリクス状に配置したアレイ基板４１（以下ＴＦ
Ｔ基板と記す）と対向基板４２との間に液晶４３を封入
してなる。アレイ基板４１は、ガラスなどの透明絶縁性
基板上にマトリクス状に配置されたＴＦＴ４４および表
示画素電極４５を駆動、制御するための走査線４６およ
び信号線４７が形成され、さらに表示画素４５を横切る
ように絶縁膜を介し相対して配設され容量を形成する蓄
積容量線４９を具備する。一方、対向基板４２は、ガラ
スなどの透明絶縁性基板上に透明導電膜が全面に形成さ
れてなる対向電極５０を具備する。走査線４６、信号線
４７、ＴＦＴ４４に対向する対向電極領域に遮光体５１
を形成する。
基本構成は、図４および図５に示すように、表示画素電
極をマトリクス状に配置したアレイ基板４１（以下ＴＦ
Ｔ基板と記す）と対向基板４２との間に液晶４３を封入
してなる。アレイ基板４１は、ガラスなどの透明絶縁性
基板上にマトリクス状に配置されたＴＦＴ４４および表
示画素電極４５を駆動、制御するための走査線４６およ
び信号線４７が形成され、さらに表示画素４５を横切る
ように絶縁膜を介し相対して配設され容量を形成する蓄
積容量線４９を具備する。一方、対向基板４２は、ガラ
スなどの透明絶縁性基板上に透明導電膜が全面に形成さ
れてなる対向電極５０を具備する。走査線４６、信号線
４７、ＴＦＴ４４に対向する対向電極領域に遮光体５１
を形成する。
【０００３】走査線４６には、画面上方から順次行毎に
選択パルスが印加され、表示画素電極４５には信号線４
７に印加された電位が書き込まれる。この表示画素電位
と対向電極電位との電位差に応じて液晶層４３の光透過
率が変化する。
選択パルスが印加され、表示画素電極４５には信号線４
７に印加された電位が書き込まれる。この表示画素電位
と対向電極電位との電位差に応じて液晶層４３の光透過
率が変化する。
【０００４】反射型アクティブマトリクス型液晶表示装
置では、アレイ基板４１と対向基板４２のいずれか一方
の基板（以下フロント基板と記す）例えば対向基板４２
に偏光板５１、他方の基板（以下リア基板と記す）例え
ばアレイ基板４１に反射板付き偏光板５２２を貼付す
る。フロント基板４２から太陽光または室内光の外光が
入射し、液晶層４３により透過率の変調を受け、リア基
板４１の反射板５２で拡散反射され、拡散光が再度液晶
層により透過率の変調を受け、フロント基板４１を通過
し装置から出射される。この拡散光の輝度を液晶層に印
加する電位により制御することによって表示が行われ
る。
置では、アレイ基板４１と対向基板４２のいずれか一方
の基板（以下フロント基板と記す）例えば対向基板４２
に偏光板５１、他方の基板（以下リア基板と記す）例え
ばアレイ基板４１に反射板付き偏光板５２２を貼付す
る。フロント基板４２から太陽光または室内光の外光が
入射し、液晶層４３により透過率の変調を受け、リア基
板４１の反射板５２で拡散反射され、拡散光が再度液晶
層により透過率の変調を受け、フロント基板４１を通過
し装置から出射される。この拡散光の輝度を液晶層に印
加する電位により制御することによって表示が行われ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】反射型アクティブマト
リクス液晶表示装置では、表示の明るさを高めることが
要求されており、そのために、一画素において光がフロ
ント基板から入射しリア基板の反射板で反射されて再び
フロント基板へ抜けていくのを遮る、信号線、ゲート線
等の非透明配線電極、ＴＦＴ素子、蓄積容量、配線電極
部の遮光体、ＴＦＴ素子部の遮光体などの遮光物の面積
をできる限り小さくする必要がある。
リクス液晶表示装置では、表示の明るさを高めることが
要求されており、そのために、一画素において光がフロ
ント基板から入射しリア基板の反射板で反射されて再び
フロント基板へ抜けていくのを遮る、信号線、ゲート線
等の非透明配線電極、ＴＦＴ素子、蓄積容量、配線電極
部の遮光体、ＴＦＴ素子部の遮光体などの遮光物の面積
をできる限り小さくする必要がある。
【０００６】そこで配線電極部遮光体を信号線、ゲート
線上に形成しないことが考えられるが、従来の共通対向
電極をもつ対向基板でこれを行うと、アレイ基板上の画
素透明電極の信号線とこれに対向する部分に位置する対
向基板上の透明な共通対向電極との間に形成される電界
（以下斜め電界と記す）にアレイ基板上の画素透明電極
と信号線との間の液晶分子が応答しており、この応答の
仕方が表示パターンに依存するため、配線部遮光体を設
置しない場合、クロストークの表示不良として観察され
てしまうという不都合がある。
線上に形成しないことが考えられるが、従来の共通対向
電極をもつ対向基板でこれを行うと、アレイ基板上の画
素透明電極の信号線とこれに対向する部分に位置する対
向基板上の透明な共通対向電極との間に形成される電界
（以下斜め電界と記す）にアレイ基板上の画素透明電極
と信号線との間の液晶分子が応答しており、この応答の
仕方が表示パターンに依存するため、配線部遮光体を設
置しない場合、クロストークの表示不良として観察され
てしまうという不都合がある。
【０００７】また、信号線と画素電極との間にも形成さ
れる電界（以下横電界と記す）があり、配線部遮光体を
設置しない場合、やはり表示パターンに応じてクロスト
ークの表示不良を招き問題である。
れる電界（以下横電界と記す）があり、配線部遮光体を
設置しない場合、やはり表示パターンに応じてクロスト
ークの表示不良を招き問題である。
【０００８】本発明は、上記の技術的背景に鑑み、表示
の明るさを高め、かつクロストークによる表示不良を改
善した反射型アクティブマトリクス型液晶表示装置を提
供することを目的とする。
の明るさを高め、かつクロストークによる表示不良を改
善した反射型アクティブマトリクス型液晶表示装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明における第１の発
明は、透明絶縁基板上に配置されゲート電極上に半導体
層を有し、この半導体層上にソース電極およびドレイン
電極を形成した薄膜トランジスタと、前記基板上に形成
され、一部をゲート電極とした走査線と、この走査線と
同一の材料で形成された蓄積容量線と、前記走査線およ
び蓄積容量線に少なくとも絶縁膜を介して積層され一部
をドレイン電極に接続された信号線と、前記ソース電極
に電気的に接続され前記信号線と間隙を置いて配置され
た表示画素電極とを有するアレイ基板と；このアレイ基
板に対向して透明導電膜と遮光体が積層して形成された
対向基板と；前記アレイ基板と対向基板との間隙に挟持
される液晶層とを具備し、前記アレイ基板または前記対
向基板の一方に反射板を有する反射型アクティブマトリ
クス液晶表示装置において、前記信号線と前記表示画素
電極との間隙に対向する前記対向基板側の少なくとも一
部に、前記透明導電膜と前記遮光体とを有しない領域が
含まれていることを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置である。
明は、透明絶縁基板上に配置されゲート電極上に半導体
層を有し、この半導体層上にソース電極およびドレイン
電極を形成した薄膜トランジスタと、前記基板上に形成
され、一部をゲート電極とした走査線と、この走査線と
同一の材料で形成された蓄積容量線と、前記走査線およ
び蓄積容量線に少なくとも絶縁膜を介して積層され一部
をドレイン電極に接続された信号線と、前記ソース電極
に電気的に接続され前記信号線と間隙を置いて配置され
た表示画素電極とを有するアレイ基板と；このアレイ基
板に対向して透明導電膜と遮光体が積層して形成された
対向基板と；前記アレイ基板と対向基板との間隙に挟持
される液晶層とを具備し、前記アレイ基板または前記対
向基板の一方に反射板を有する反射型アクティブマトリ
クス液晶表示装置において、前記信号線と前記表示画素
電極との間隙に対向する前記対向基板側の少なくとも一
部に、前記透明導電膜と前記遮光体とを有しない領域が
含まれていることを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置である。
【００１０】第２の発明は、前記アレイ基板上の前記信
号線および前記信号線と前記表示画素電極との間隙の部
分のうち、前記走査線および前記蓄積容量線との交差部
に対向する前記対向基板の対向部では前記遮光体が除か
れている液晶表示装置である。
号線および前記信号線と前記表示画素電極との間隙の部
分のうち、前記走査線および前記蓄積容量線との交差部
に対向する前記対向基板の対向部では前記遮光体が除か
れている液晶表示装置である。
【００１１】第３の発明は、前記対向基板上の遮光体
は、前記アレイ基板の前記薄膜トランジスタに対向する
前記対向基板上にのみ存在する液晶表示装置である。
は、前記アレイ基板の前記薄膜トランジスタに対向する
前記対向基板上にのみ存在する液晶表示装置である。
【００１２】第４の発明は、前記透明導電膜は共通対向
電極であり信号電極に対向する共通対向電極部分に形成
されたスリットが表示画素電極上に達している液晶表示
装置である。
電極であり信号電極に対向する共通対向電極部分に形成
されたスリットが表示画素電極上に達している液晶表示
装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】図１は、本実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の画素部分の平面図であり、図２は、図
１におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線の断面図であ
る。本実施の形態はフロント基板に偏光板、リア基板に
反射板付き偏光板を貼付するツイステッド、ネマチック
液晶をアクティブマトリクス駆動する反射型液晶表示装
置である。
型液晶表示装置の画素部分の平面図であり、図２は、図
１におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線の断面図であ
る。本実施の形態はフロント基板に偏光板、リア基板に
反射板付き偏光板を貼付するツイステッド、ネマチック
液晶をアクティブマトリクス駆動する反射型液晶表示装
置である。
【００１５】まず、厚さ０．７ｍｍのガラスからなる透
明絶縁基板１１上にＴｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ
等の単体、これらの複合積層体あるいは合金を単層また
は多層に成膜後、フォトエッチング法により所定形状に
加工することにより、走査線１２と走査線の一部である
ゲート電極１２ａおよび蓄積容量線１３とを形成する。
明絶縁基板１１上にＴｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ
等の単体、これらの複合積層体あるいは合金を単層また
は多層に成膜後、フォトエッチング法により所定形状に
加工することにより、走査線１２と走査線の一部である
ゲート電極１２ａおよび蓄積容量線１３とを形成する。
【００１６】次に例えばＳｉＯｘからなるゲート絶縁膜
１４をプラズマＣＶＤ法により形成する。
１４をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００１７】次にこの上に、例えばｉ型の水素化アモル
ファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと記す）からなる
半導体層１５とＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１６をプラ
ズマＣＶＤ法により形成する。ここで、この保護絶縁膜
１６はゲート電極パターンによる自己整合法で形成す
る。すなわち、上記ガラス基板１１において、ゲート電
極１２ａが形成してある面（以下、膜面と記す）の裏面
から光をあて、上記保護絶縁膜１６上に塗布したレジス
トを感光させる。このとき不透明なゲート電極１２ａ上
にのみ保護絶縁膜が残り、しかも光の回折によりゲート
電極パターンより０〜３ミクロン小さく形成される。
ファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと記す）からなる
半導体層１５とＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１６をプラ
ズマＣＶＤ法により形成する。ここで、この保護絶縁膜
１６はゲート電極パターンによる自己整合法で形成す
る。すなわち、上記ガラス基板１１において、ゲート電
極１２ａが形成してある面（以下、膜面と記す）の裏面
から光をあて、上記保護絶縁膜１６上に塗布したレジス
トを感光させる。このとき不透明なゲート電極１２ａ上
にのみ保護絶縁膜が残り、しかも光の回折によりゲート
電極パターンより０〜３ミクロン小さく形成される。
【００１８】このようにして形成したレジストパターン
をマスクとしてフォトエッチングにより保護絶縁膜１６
をパタ−ニングする。
をマスクとしてフォトエッチングにより保護絶縁膜１６
をパタ−ニングする。
【００１９】さらにこの上に、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈでなる半導体層１７を形成し、こ
のオーミック層となるｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１７な
らびに前記チャンネル領域を形成するｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ
半導体層１５を最終所定形状にフォトエッチングする。
て、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈでなる半導体層１７を形成し、こ
のオーミック層となるｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１７な
らびに前記チャンネル領域を形成するｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ
半導体層１５を最終所定形状にフォトエッチングする。
【００２０】次に例えばＩＴＯ膜をスパッタ法で被膜し
た後に、所定の形状にフォトエッチングすることによ
り、表示画素電極１８を形成する。このとき信号線を被
着する領域と表示画素電極１８との間隙の間隔は５ミク
ロンとした。さらに、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｕ等の単体、複合体または合金をスパッタリング
法により被膜し、所定の形状にフオトエッチングして、
ソース電極１９ａ、ドレイン電極２０および信号線１９
を形成する。
た後に、所定の形状にフォトエッチングすることによ
り、表示画素電極１８を形成する。このとき信号線を被
着する領域と表示画素電極１８との間隙の間隔は５ミク
ロンとした。さらに、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｕ等の単体、複合体または合金をスパッタリング
法により被膜し、所定の形状にフオトエッチングして、
ソース電極１９ａ、ドレイン電極２０および信号線１９
を形成する。
【００２１】最後にＳｉＮｘからなる保護絶縁膜２１を
プラズマＣＶＤ法を用いて全面に形成し、表示画素電極
部の保護絶縁膜をフォトエッチング法により除去し、ア
レイ基板１１が得られる。基板１１上に、マトリクス配
列された多数の表示画素電極１８とスイッチング素子と
してＴＦＴ素子２２が配置される。なお、ＴＦＴ素子上
に遮光膜を形成しておくのがよい。
プラズマＣＶＤ法を用いて全面に形成し、表示画素電極
部の保護絶縁膜をフォトエッチング法により除去し、ア
レイ基板１１が得られる。基板１１上に、マトリクス配
列された多数の表示画素電極１８とスイッチング素子と
してＴＦＴ素子２２が配置される。なお、ＴＦＴ素子上
に遮光膜を形成しておくのがよい。
【００２２】一方、対向基板２３となる厚さ０．７ｍｍ
のガラス基板上には、例えばＣｒ膜をスパッタリング法
により被膜した後、パターン精度および組み立て精度で
決定する所定の形状にフォトエッチングして、遮光層２
４を形成する。このとき遮光層はアレイ基板上の信号
線、走査線の対向部には設けず、ＴＦＴ素子の対向部に
のみ設ける。
のガラス基板上には、例えばＣｒ膜をスパッタリング法
により被膜した後、パターン精度および組み立て精度で
決定する所定の形状にフォトエッチングして、遮光層２
４を形成する。このとき遮光層はアレイ基板上の信号
線、走査線の対向部には設けず、ＴＦＴ素子の対向部に
のみ設ける。
【００２３】本実施の形態ではさらに、反射板付き偏光
板（図示せず）をリア基板１１の背面に貼付する。この
ような反射型液晶表示装置では、配線電極や遮光体など
光の透過を遮るパターンに対し、リア基板の厚さ程度の
影ができる。したがって、蓄積容量線１３や走査線１９
に対向する対向基板２３の対向部に遮光体を設けると、
影の面積が増え、画素内の実効的な開口部面積が減り、
表示画面の明るさが損なわれるため、遮光体はスイッチ
ング素子の光リークを防ぐための最小限の面積にするの
がよい。
板（図示せず）をリア基板１１の背面に貼付する。この
ような反射型液晶表示装置では、配線電極や遮光体など
光の透過を遮るパターンに対し、リア基板の厚さ程度の
影ができる。したがって、蓄積容量線１３や走査線１９
に対向する対向基板２３の対向部に遮光体を設けると、
影の面積が増え、画素内の実効的な開口部面積が減り、
表示画面の明るさが損なわれるため、遮光体はスイッチ
ング素子の光リークを防ぐための最小限の面積にするの
がよい。
【００２４】対向基板２３にさらにＩＴＯからなる透明
導電膜を例えばスパッタリング法により被膜した後、フ
ォトエッチング法により共通対向電極２５を形成する。
このとき、対向基板上の共通対向電極はアレイ基板１１
上の信号線１９、および信号線と画素表示電極１８の間
の間隙１８ｓの無電極部分のうち、走査線１２や蓄積容
量線１３と重ならない部分に対向する部分２５ｓにおい
て透明導電膜と遮光体のない領域としてスリット２５ａ
を形成した。
導電膜を例えばスパッタリング法により被膜した後、フ
ォトエッチング法により共通対向電極２５を形成する。
このとき、対向基板上の共通対向電極はアレイ基板１１
上の信号線１９、および信号線と画素表示電極１８の間
の間隙１８ｓの無電極部分のうち、走査線１２や蓄積容
量線１３と重ならない部分に対向する部分２５ｓにおい
て透明導電膜と遮光体のない領域としてスリット２５ａ
を形成した。
【００２５】信号線１９および信号線１９と画素電極１
８の間の部分のうち、走査線、蓄積容量線と重なる部分
の対向部２５ｂでは、対向基板上のＩＴＯを残しておく
ことにより、対向電極抵抗の著しい上昇を防ぐことがで
きる。対向電極抵抗が著しく上昇してしまうと、例えば
対向電極電位をフレーム毎に極性反転するような駆動法
を用いた場合、対向電極電位に波形なまりを生じクロス
トークの表示不良を招き問題となる。
８の間の部分のうち、走査線、蓄積容量線と重なる部分
の対向部２５ｂでは、対向基板上のＩＴＯを残しておく
ことにより、対向電極抵抗の著しい上昇を防ぐことがで
きる。対向電極抵抗が著しく上昇してしまうと、例えば
対向電極電位をフレーム毎に極性反転するような駆動法
を用いた場合、対向電極電位に波形なまりを生じクロス
トークの表示不良を招き問題となる。
【００２６】次に、このようにして得られたアレイ基板
１１および対向基板２３のそれぞれの電極形成面の全面
にポリイミド膜を印刷塗布し、ラビング処理を施すこと
によって配向膜（図示しない）を形成する。
１１および対向基板２３のそれぞれの電極形成面の全面
にポリイミド膜を印刷塗布し、ラビング処理を施すこと
によって配向膜（図示しない）を形成する。
【００２７】続いてアレイ基板１１と対向基板２３をそ
れぞれの配向方向が概ね９０゜をなすように組み合わせ
て接着し、液晶セルを形成する。ついでこの液晶セルに
液晶物質を注入して両基板間で液晶層２６を挟持する。
れぞれの配向方向が概ね９０゜をなすように組み合わせ
て接着し、液晶セルを形成する。ついでこの液晶セルに
液晶物質を注入して両基板間で液晶層２６を挟持する。
【００２８】リア基板となるアレイ基板１１の外面に反
射板付き偏光板３０を、フロント基板となる対向基板２
３の外面に偏光板３１を被着して、本実施の形態の反射
型アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
射板付き偏光板３０を、フロント基板となる対向基板２
３の外面に偏光板３１を被着して、本実施の形態の反射
型アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【００２９】このようにして得られた反射型アクティブ
マトリクス型液晶表示装置では、信号線、蓄積容量線お
よび走査線の対向部に遮光体を形成していないため明る
い表示が得られ、しかも、信号線の対向部において対向
基板上ＩＴＯが取り除かれているため、斜め電界による
クロストークの表示不良が観察されない高品位な表示を
行うことができる。
マトリクス型液晶表示装置では、信号線、蓄積容量線お
よび走査線の対向部に遮光体を形成していないため明る
い表示が得られ、しかも、信号線の対向部において対向
基板上ＩＴＯが取り除かれているため、斜め電界による
クロストークの表示不良が観察されない高品位な表示を
行うことができる。
【００３０】上記実施の形態の変形例は、図３に示すよ
うに、信号線１９に対応する対向基板上の対向電極領域
をも取り除き広いスリット２５ｃとする。なお、図にお
いて図２と同符号は同一部分を示す。スリット縁のアレ
イ基板上の投影位置は信号線１９と表示画素電極１８と
の間隙１８ｓを含み、表示画素電極上に達しており、信
号線幅よりも広い幅の導電膜のない領域が信号線１９に
そって形成される。これによっても、信号線電位が対向
電極電位に影響を及ぼさず、斜め電界が生じず液晶層の
液晶分子の配向が乱されないので、クロストークを避け
ることができる。しかも、遮光体を形成しないため、開
口率を高めることができる。
うに、信号線１９に対応する対向基板上の対向電極領域
をも取り除き広いスリット２５ｃとする。なお、図にお
いて図２と同符号は同一部分を示す。スリット縁のアレ
イ基板上の投影位置は信号線１９と表示画素電極１８と
の間隙１８ｓを含み、表示画素電極上に達しており、信
号線幅よりも広い幅の導電膜のない領域が信号線１９に
そって形成される。これによっても、信号線電位が対向
電極電位に影響を及ぼさず、斜め電界が生じず液晶層の
液晶分子の配向が乱されないので、クロストークを避け
ることができる。しかも、遮光体を形成しないため、開
口率を高めることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の反射型アクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、信号線と対向する部分の対向
基板上の透明電極を取り除いてしまうことにより、ＴＦ
Ｔ基板上の画素透明電極の信号線と平行な部分の縁との
間に斜め電界を発生させず、信号線の対向部の遮光体を
不要とし、表示の明るさを向上させることができる。
液晶表示装置においては、信号線と対向する部分の対向
基板上の透明電極を取り除いてしまうことにより、ＴＦ
Ｔ基板上の画素透明電極の信号線と平行な部分の縁との
間に斜め電界を発生させず、信号線の対向部の遮光体を
不要とし、表示の明るさを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における反射型アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の一部平面図、
ブマトリクス型液晶表示装置の一部平面図、
【図２】図１の一部を断面で示しており、（ａ）はＡ−
Ａ線にそう断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線にそう断面図、ａ
（ｃ）はＣ−Ｃ線にそう断面図、
Ａ線にそう断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線にそう断面図、ａ
（ｃ）はＣ−Ｃ線にそう断面図、
【図３】本発明の他の実施の形態を説明する一部断面
図、
図、
【図４】従来の反射型アクティブマトリクス型液晶表示
装置の一部平面図、
装置の一部平面図、
【図５】図４のＤ−Ｄ線にそう断面図。
１１…アレイ基板 １２…走査線 １２ａ…ゲート電極 １３…蓄積容量線 １４…ゲート絶縁膜 １５…半導体層 １８…画素電極 １８ｓ…信号線と画素表示電極との間隙 １９…信号線 １９ａ…ソース電極 ２０…ドレイン電極 ２１…保護絶縁膜 ２２…ＴＦＴ ２４…遮光体 ２３…対向基板 ２５…共通対向電極（透明導電膜） ２５ａ…スリット ２６…液晶層 ３０…反射板付き偏光板 ３１…偏光板
Claims (4)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に配置されゲート電極上
に半導体層を有し、この半導体層上にソース電極および
ドレイン電極を形成した薄膜トランジスタと、前記基板
上に形成され、一部をゲート電極とした走査線と、この
走査線と同一の材料で形成された蓄積容量線と、前記走
査線および蓄積容量線に少なくとも絶縁膜を介して積層
され一部をドレイン電極に接続された信号線と、前記ソ
ース電極に電気的に接続され前記信号線と間隙を置いて
配置された表示画素電極とを有するアレイ基板と；この
アレイ基板に対向して透明導電膜と遮光体が積層して形
成された対向基板と；前記アレイ基板と対向基板との間
隙に挟持される液晶層とを具備し、前記アレイ基板また
は前記対向基板の一方に反射板を有する反射型アクティ
ブマトリクス液晶表示装置において、 前記信号線と前記表示画素電極との間隙に対向する前記
対向基板側の少なくとも一部に、前記透明導電膜と前記
遮光体とを有しない領域が含まれていることを特徴とす
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記アレイ基板上の前記信号線および前
記信号線と前記表示画素電極との間隙の部分のうち、前
記走査線および前記蓄積容量線との交差部に対向する前
記対向基板の対向部では前記遮光体が除かれていること
を特徴とする請求項１の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記対向基板上の遮光体は、前記アレイ
基板の前記薄膜トランジスタに対向する前記対向基板上
にのみ存在することを特徴とする請求項１の液晶表示装
置。 - 【請求項４】 前記透明導電膜は共通対向電極であり信
号電極に対向する共通対向電極部分に形成されたスリッ
トが表示画素電極上に達していることを特徴とする請求
項１の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8659097A JPH10282517A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8659097A JPH10282517A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282517A true JPH10282517A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13891233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8659097A Pending JPH10282517A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10282517A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675088B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법 |
| KR100825097B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2008-04-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP8659097A patent/JPH10282517A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675088B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법 |
| KR100825097B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2008-04-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
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