JPH09127547A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH09127547A JPH09127547A JP28041395A JP28041395A JPH09127547A JP H09127547 A JPH09127547 A JP H09127547A JP 28041395 A JP28041395 A JP 28041395A JP 28041395 A JP28041395 A JP 28041395A JP H09127547 A JPH09127547 A JP H09127547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 対向基板上にブラックストライプパターンを
設けることなく表示領域以外の部分からの光り漏れを無
くすことができるとともに、作製コストを十分に削減す
ることができる液晶表示装置を提供することにある。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板上の画素電極
を含んでなる表示領域の周辺部分に電極を設けるととも
に、該電極に液晶を黒表示するための信号が入力される
構成とする。
設けることなく表示領域以外の部分からの光り漏れを無
くすことができるとともに、作製コストを十分に削減す
ることができる液晶表示装置を提供することにある。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板上の画素電極
を含んでなる表示領域の周辺部分に電極を設けるととも
に、該電極に液晶を黒表示するための信号が入力される
構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）などのスイッチング素子を備
え、このスイッチング素子にて絵素をオンオフ制御して
表示を行う構成の液晶表示装置に関する。
（以下、ＴＦＴと称する）などのスイッチング素子を備
え、このスイッチング素子にて絵素をオンオフ制御して
表示を行う構成の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述した液晶表示装置として、図４に示
す等価回路からなるものが知られている。この液晶表示
装置は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基
板、つまりアクティブマトリクス基板と対向基板とを備
え、アクティブマトリクス基板には、スイッチング素子
であるＴＦＴ５２および画素容量５１がマトリクス状に
形成されている。ＴＦＴ５２のゲート電極には走査配線
であるゲート配線５３が接続され、そこに入力される信
号によってＴＦＴ５２が駆動される。ＴＦＴ５２のソー
ス電極には信号配線であるソース配線５５が接続され、
そこからビデオ信号などのデータ信号が入力される。各
ゲート配線５３とソース配線５５とは、互いに交差する
ように形成されている。ＴＦＴ５２のドレイン電極には
画素電極および画素容量５１の一方の端子が接続されて
いる。各画素容量５１の他方の端子には画素容量配線５
４が接続され、前記一対の基板の他方である対向基板上
に形成された対向電極と接続されている。
す等価回路からなるものが知られている。この液晶表示
装置は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基
板、つまりアクティブマトリクス基板と対向基板とを備
え、アクティブマトリクス基板には、スイッチング素子
であるＴＦＴ５２および画素容量５１がマトリクス状に
形成されている。ＴＦＴ５２のゲート電極には走査配線
であるゲート配線５３が接続され、そこに入力される信
号によってＴＦＴ５２が駆動される。ＴＦＴ５２のソー
ス電極には信号配線であるソース配線５５が接続され、
そこからビデオ信号などのデータ信号が入力される。各
ゲート配線５３とソース配線５５とは、互いに交差する
ように形成されている。ＴＦＴ５２のドレイン電極には
画素電極および画素容量５１の一方の端子が接続されて
いる。各画素容量５１の他方の端子には画素容量配線５
４が接続され、前記一対の基板の他方である対向基板上
に形成された対向電極と接続されている。
【０００３】図６は、液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の具体的な構成を示す断面図である。
マトリクス基板の具体的な構成を示す断面図である。
【０００４】図６において、透明絶縁性基板６１上に、
ゲート配線に接続されたゲート電極６２が形成され、そ
の上を覆ってゲート絶縁膜６３が形成されている。さら
にその上にはゲート電極６２と重畳するように半導体層
６４が形成され、その中央部にチャネル保護層６５が形
成されている。このチャネル保護層６５の両端部および
半導体層６４の一部を覆い、チャネル保護層６５上で分
断された状態で、ソース電極およびドレイン電極となる
ｎ+ Ｓｉ層６６が形成されている。このとき一方のｎ+
Ｓｉ層であるソース電極上には、ソース配線となる金属
層６７が接続され、他方のｎ+ Ｓｉ層であるドレイン電
極上にも金属層６７ａが形成されている。さらに、これ
らのＴＦＴ、ゲート配線およびソース配線の上部を覆っ
てＰｉなどの樹脂からなる層間絶縁膜６８が形成されて
いる。
ゲート配線に接続されたゲート電極６２が形成され、そ
の上を覆ってゲート絶縁膜６３が形成されている。さら
にその上にはゲート電極６２と重畳するように半導体層
６４が形成され、その中央部にチャネル保護層６５が形
成されている。このチャネル保護層６５の両端部および
半導体層６４の一部を覆い、チャネル保護層６５上で分
断された状態で、ソース電極およびドレイン電極となる
ｎ+ Ｓｉ層６６が形成されている。このとき一方のｎ+
Ｓｉ層であるソース電極上には、ソース配線となる金属
層６７が接続され、他方のｎ+ Ｓｉ層であるドレイン電
極上にも金属層６７ａが形成されている。さらに、これ
らのＴＦＴ、ゲート配線およびソース配線の上部を覆っ
てＰｉなどの樹脂からなる層間絶縁膜６８が形成されて
いる。
【０００５】この層間絶縁膜６８の上の表示領域には、
画素電極６９となる透明導電膜が形成され、この透明導
電膜は、ＴＦＴのドレイン電極と接続した金属層６７ａ
と接続されている。
画素電極６９となる透明導電膜が形成され、この透明導
電膜は、ＴＦＴのドレイン電極と接続した金属層６７ａ
と接続されている。
【０００６】このようにして作製されたアクティブマト
リクス基板と対向電極を備えた対向基板との間に液晶を
挟み込んで封止することにより、液晶表示装置を形成し
ている。
リクス基板と対向電極を備えた対向基板との間に液晶を
挟み込んで封止することにより、液晶表示装置を形成し
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな液晶表示装置において、例えばカラー表示を実現す
る場合などには、対向基板上にカラーフィルタを形成し
た構成とすることが最も一般的である。通常、このよう
なカラーフィルタを形成した対向基板上には、画素電極
と対応する部分以外の箇所に、色の混じりや光の漏れを
防ぐためのブラックストライプ（遮光膜）が形成されて
いる。
うな液晶表示装置において、例えばカラー表示を実現す
る場合などには、対向基板上にカラーフィルタを形成し
た構成とすることが最も一般的である。通常、このよう
なカラーフィルタを形成した対向基板上には、画素電極
と対応する部分以外の箇所に、色の混じりや光の漏れを
防ぐためのブラックストライプ（遮光膜）が形成されて
いる。
【０００８】遮光膜を対向基板上に形成する理由として
は、アクティブマトリクス基板上に金属材料の遮光膜を
形成した場合、この遮光膜を配線層と別層に形成する必
要があるため層間絶縁膜を形成する必要があり、また、
配線間の寄生容量の原因になるからである。一方、アク
ティブマトリクス基板上に樹脂材料の遮光膜を形成する
ことも考えられるが、樹脂の信頼性や材料開発の面から
実際には採用が難しかった。
は、アクティブマトリクス基板上に金属材料の遮光膜を
形成した場合、この遮光膜を配線層と別層に形成する必
要があるため層間絶縁膜を形成する必要があり、また、
配線間の寄生容量の原因になるからである。一方、アク
ティブマトリクス基板上に樹脂材料の遮光膜を形成する
ことも考えられるが、樹脂の信頼性や材料開発の面から
実際には採用が難しかった。
【０００９】図５は、上述のようにして形成した液晶表
示装置の構成を示す平面図であり、５９は表示領域の周
辺部分、６０は表示領域、７０はドライバ実装領域、７
１は対向基板、７２はアクティブマトリクス基板、７３
はシール領域を示している。
示装置の構成を示す平面図であり、５９は表示領域の周
辺部分、６０は表示領域、７０はドライバ実装領域、７
１は対向基板、７２はアクティブマトリクス基板、７３
はシール領域を示している。
【００１０】このブラックストライプは、図５に示すよ
うに、画素電極を含んでなる表示領域６０内の各画素毎
の境界部分に設けて、電圧が印加されない液晶部分から
の光の漏れなどを遮光する役割と、画素電極を含んでな
る表示領域の周辺部分５９に設けて、液晶表示パネルの
周辺部分における遮光を行う役割とを有している。
うに、画素電極を含んでなる表示領域６０内の各画素毎
の境界部分に設けて、電圧が印加されない液晶部分から
の光の漏れなどを遮光する役割と、画素電極を含んでな
る表示領域の周辺部分５９に設けて、液晶表示パネルの
周辺部分における遮光を行う役割とを有している。
【００１１】しかしながら、従来の液晶表示装置におい
ては、上述したように、ブラックストライプを形成して
いるため、該ブラックストライプの作製コストが高いと
いう問題があった。
ては、上述したように、ブラックストライプを形成して
いるため、該ブラックストライプの作製コストが高いと
いう問題があった。
【００１２】特に、ブラックストライプとして金属を用
いる場合においては、表面反射を抑えるための低反射化
処理にコストがかかっていた。
いる場合においては、表面反射を抑えるための低反射化
処理にコストがかかっていた。
【００１３】この対策の一つとしては、ブラックストラ
イプとして樹脂を用いる方法を挙げることができるが、
この場合においても、コストの削減は十分とは言えず、
また、ブラックストライプの透過率を十分に小さくする
ことが難しいため、ブラックストライプの目的である遮
光が不十分であるという問題があった。
イプとして樹脂を用いる方法を挙げることができるが、
この場合においても、コストの削減は十分とは言えず、
また、ブラックストライプの透過率を十分に小さくする
ことが難しいため、ブラックストライプの目的である遮
光が不十分であるという問題があった。
【００１４】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、ア
クティブマトリクス基板上の画素電極を含んでなる表示
領域の周辺部分に電極を設けるとともに、この電極に液
晶を黒表示するための信号が入力される構成とすること
により、対向基板上にブラックストライプパターンを設
けることなく表示領域以外の部分からの光り漏れを無く
すことができるとともに、作製コストを十分に削減する
ことができる液晶表示装置を提供することにある。
めになされたものであり、その目的とするところは、ア
クティブマトリクス基板上の画素電極を含んでなる表示
領域の周辺部分に電極を設けるとともに、この電極に液
晶を黒表示するための信号が入力される構成とすること
により、対向基板上にブラックストライプパターンを設
けることなく表示領域以外の部分からの光り漏れを無く
すことができるとともに、作製コストを十分に削減する
ことができる液晶表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置に
おいては、マトリクス状に配された画素電極と、該画素
電極の周辺を通り、かつ、相互に交差して形成された走
査配線および信号配線、並びに両配線に接続されたスイ
ッチング素子とが存在し、該スイッチング素子と画素電
極とが接続されたアクティブマトリクス基板を備え、該
アクティブマトリクス基板に対して、液晶層を間に挟ん
で対向基板が対向配置される液晶表示装置において、前
記アクティブマトリクス基板上の前記画素電極を含んで
なる表示領域の周辺部分に電極が設けられていることを
特徴としており、そのことにより、上記目的が達成され
る。
おいては、マトリクス状に配された画素電極と、該画素
電極の周辺を通り、かつ、相互に交差して形成された走
査配線および信号配線、並びに両配線に接続されたスイ
ッチング素子とが存在し、該スイッチング素子と画素電
極とが接続されたアクティブマトリクス基板を備え、該
アクティブマトリクス基板に対して、液晶層を間に挟ん
で対向基板が対向配置される液晶表示装置において、前
記アクティブマトリクス基板上の前記画素電極を含んで
なる表示領域の周辺部分に電極が設けられていることを
特徴としており、そのことにより、上記目的が達成され
る。
【００１６】また、本発明の液晶表示装置において、前
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極には、液晶を黒表示するための信号が入力されて
いるとともに、動作時には該液晶が黒表示することが好
ましい。
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極には、液晶を黒表示するための信号が入力されて
いるとともに、動作時には該液晶が黒表示することが好
ましい。
【００１７】また、そのとき、前記画素電極を含んでな
る表示領域の周辺部分に設けられた電極は、前記画素電
極と同じ材料であることが好ましい。
る表示領域の周辺部分に設けられた電極は、前記画素電
極と同じ材料であることが好ましい。
【００１８】また、そのとき、前記対向基板上の表示領
域の周辺部分には、黒色樹脂材料よりなる遮光膜が設け
られていてもよい。
域の周辺部分には、黒色樹脂材料よりなる遮光膜が設け
られていてもよい。
【００１９】また、本発明の液晶表示装置において、前
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極は、金属パターンからなる遮光膜であってもよ
い。
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極は、金属パターンからなる遮光膜であってもよ
い。
【００２０】さらに、本発明の液晶表示装置において、
前記画素電極と、前記走査配線および信号配線並びにス
イッチング素子との間には、層間絶縁膜が設けられてい
ることが好ましい。
前記画素電極と、前記走査配線および信号配線並びにス
イッチング素子との間には、層間絶縁膜が設けられてい
ることが好ましい。
【００２１】上記構成により、以下その作用を説明す
る。
る。
【００２２】本発明の液晶表示装置においては、マトリ
クス状に配された画素電極と、該画素電極の周辺を通
り、かつ、相互に交差して形成された走査配線および信
号配線、並びに両配線に接続されたスイッチング素子と
が存在し、該スイッチング素子と画素電極とが接続され
たアクティブマトリクス基板を備え、該アクティブマト
リクス基板に対して、液晶層を間に挟んで対向基板が対
向配置される液晶表示装置において、前記アクティブマ
トリクス基板上の前記画素電極を含んでなる表示領域の
周辺部分に電極が設けられていることを特徴としてお
り、そのことにより、表示領域以外の部分からの光り漏
れを無くすことができるとともに、作製コストを十分に
削減することができる液晶表示装置を実現することがで
きる。
クス状に配された画素電極と、該画素電極の周辺を通
り、かつ、相互に交差して形成された走査配線および信
号配線、並びに両配線に接続されたスイッチング素子と
が存在し、該スイッチング素子と画素電極とが接続され
たアクティブマトリクス基板を備え、該アクティブマト
リクス基板に対して、液晶層を間に挟んで対向基板が対
向配置される液晶表示装置において、前記アクティブマ
トリクス基板上の前記画素電極を含んでなる表示領域の
周辺部分に電極が設けられていることを特徴としてお
り、そのことにより、表示領域以外の部分からの光り漏
れを無くすことができるとともに、作製コストを十分に
削減することができる液晶表示装置を実現することがで
きる。
【００２３】また、本発明の液晶表示装置において、前
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極には、液晶を黒表示するための信号が入力されて
いるとともに、動作時には該液晶が黒表示するような構
成となっており、そのことにより、対向基板上には全く
ブラックストライプを形成する必要がなく、かつ、液晶
表示パネル周辺領域からの光漏れのない表示品位の良好
な液晶表示装置を実現することができる。
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極には、液晶を黒表示するための信号が入力されて
いるとともに、動作時には該液晶が黒表示するような構
成となっており、そのことにより、対向基板上には全く
ブラックストライプを形成する必要がなく、かつ、液晶
表示パネル周辺領域からの光漏れのない表示品位の良好
な液晶表示装置を実現することができる。
【００２４】また、そのとき、前記画素電極を含んでな
る表示領域の周辺部分に設けられた電極を、前記画素電
極と同じ材料によって構成することにより、表示領域内
の画素電極と表示領域の周辺部分の電極とを同時に形成
することが可能となる。
る表示領域の周辺部分に設けられた電極を、前記画素電
極と同じ材料によって構成することにより、表示領域内
の画素電極と表示領域の周辺部分の電極とを同時に形成
することが可能となる。
【００２５】また、そのとき、前記対向基板上の表示領
域の周辺部分に、黒色樹脂材料よりなる遮光膜を設ける
ことにより、黒色樹脂材料による遮光と液晶を黒表示状
態とすることによる遮光とを併用することになるため、
表示領域の周辺部分（額縁領域）の透過率を十分に小さ
くすることができ、液晶表示装置の表示品位をさらに向
上させることができる。
域の周辺部分に、黒色樹脂材料よりなる遮光膜を設ける
ことにより、黒色樹脂材料による遮光と液晶を黒表示状
態とすることによる遮光とを併用することになるため、
表示領域の周辺部分（額縁領域）の透過率を十分に小さ
くすることができ、液晶表示装置の表示品位をさらに向
上させることができる。
【００２６】また、本発明の液晶表示装置において、前
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極を、金属パターンからなる遮光膜によって構成す
ることにより、対向基板上には全くブラックストライプ
を形成する必要がなく、かつ、表示領域の周辺部分（額
縁領域）を金属パターンにより遮光して光漏れを隠すこ
とができるため、透過率を十分に小さくすることがで
き、液晶表示装置の表示品位をさらに向上させることが
できる。
記画素電極を含んでなる表示領域の周辺部分に設けられ
た電極を、金属パターンからなる遮光膜によって構成す
ることにより、対向基板上には全くブラックストライプ
を形成する必要がなく、かつ、表示領域の周辺部分（額
縁領域）を金属パターンにより遮光して光漏れを隠すこ
とができるため、透過率を十分に小さくすることがで
き、液晶表示装置の表示品位をさらに向上させることが
できる。
【００２７】さらに、本発明の液晶表示装置において
は、前記画素電極と、前記走査配線および信号配線並び
にスイッチング素子との間に、層間絶縁膜が設けられて
おり、そのことにより、アクティブマトリクス基板表面
の平坦化が図れるとともに、液晶配向の乱れを無くすこ
とができ、より表示品位の高い液晶表示装置を得ること
ができる。また、この層間絶縁膜により、表示領域の周
辺部分に形成された配線引き出し電極と重なることがな
く、容易に表示領域の周辺部分に電極を形成することが
可能となる。
は、前記画素電極と、前記走査配線および信号配線並び
にスイッチング素子との間に、層間絶縁膜が設けられて
おり、そのことにより、アクティブマトリクス基板表面
の平坦化が図れるとともに、液晶配向の乱れを無くすこ
とができ、より表示品位の高い液晶表示装置を得ること
ができる。また、この層間絶縁膜により、表示領域の周
辺部分に形成された配線引き出し電極と重なることがな
く、容易に表示領域の周辺部分に電極を形成することが
可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２９】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
構成を示す平面図であり、図２は、本発明の実施形態１
の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構
成を示す断面図である。
１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
構成を示す平面図であり、図２は、本発明の実施形態１
の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構
成を示す断面図である。
【００３０】図２において、ガラス基板などからなる透
明絶縁性基板１１上に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒなどの金属か
らなるゲート配線と枝分かれした遮光性のゲート電極１
２が設けられ、その上を覆って、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2 な
どからなるゲート絶縁膜１３が設けられている。その上
には、ゲート電極１２と重畳するようにして、Ｓｉなど
からなる半導体層１４が設けられ、その中央部上には、
ＳｉＮｘなどからなるチャネル保護層１５が設けられて
いる。この半導体層１４の一部およびチャネル保護層１
５の両端部を覆い、該チャネル保護層１５上で分断され
た状態で、ソース電極１７およびドレイン電極１７ａと
接続されるｎ+ 層１６が設けられている。
明絶縁性基板１１上に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒなどの金属か
らなるゲート配線と枝分かれした遮光性のゲート電極１
２が設けられ、その上を覆って、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2 な
どからなるゲート絶縁膜１３が設けられている。その上
には、ゲート電極１２と重畳するようにして、Ｓｉなど
からなる半導体層１４が設けられ、その中央部上には、
ＳｉＮｘなどからなるチャネル保護層１５が設けられて
いる。この半導体層１４の一部およびチャネル保護層１
５の両端部を覆い、該チャネル保護層１５上で分断され
た状態で、ソース電極１７およびドレイン電極１７ａと
接続されるｎ+ 層１６が設けられている。
【００３１】このようにして形成されたＴＦＴの上部を
覆って、前記アクティブマトリクス基板全面には、層間
絶縁膜１８として感光性のアクリル系樹脂が、スピンコ
ート法により例えば３μｍの膜厚で設けられており、該
層間絶縁膜１８上には、ＩＴＯよりなる画素電極１９が
スパッタ法によりパターニングして設けられている。こ
のとき、本発明においては、図１に示すような表示領域
１０内に画素電極１９を形成すると同時に、表示領域の
周辺部分９においても、該表示領域を囲むようにＩＴＯ
からなる電極２０を形成した。
覆って、前記アクティブマトリクス基板全面には、層間
絶縁膜１８として感光性のアクリル系樹脂が、スピンコ
ート法により例えば３μｍの膜厚で設けられており、該
層間絶縁膜１８上には、ＩＴＯよりなる画素電極１９が
スパッタ法によりパターニングして設けられている。こ
のとき、本発明においては、図１に示すような表示領域
１０内に画素電極１９を形成すると同時に、表示領域の
周辺部分９においても、該表示領域を囲むようにＩＴＯ
からなる電極２０を形成した。
【００３２】そして、前記画素電極１９上および対向基
板に形成された対向電極上に、それぞれ配向膜を形成
し、このようにして作製したアクティブマトリクス基板
と対向基板とを貼り合わせ、その後、該両基板間に液晶
を封入することにより、本実施形態１の液晶表示装置は
構成されている。
板に形成された対向電極上に、それぞれ配向膜を形成
し、このようにして作製したアクティブマトリクス基板
と対向基板とを貼り合わせ、その後、該両基板間に液晶
を封入することにより、本実施形態１の液晶表示装置は
構成されている。
【００３３】このとき、図１に示すように、アクティブ
マトリクス基板上の表示領域１０内に形成された画素電
極１９には、端子２２により、通常のスイッチング素子
を駆動するための信号が入力されているが、上述した表
示領域の周辺部分９に該表示領域を囲むように形成され
た電極２０には、通常のスイッチング素子を駆動するた
めの信号を入力する端子２２とは別に設けられた端子２
１により、液晶に黒を表示させるための信号が入力され
ている。
マトリクス基板上の表示領域１０内に形成された画素電
極１９には、端子２２により、通常のスイッチング素子
を駆動するための信号が入力されているが、上述した表
示領域の周辺部分９に該表示領域を囲むように形成され
た電極２０には、通常のスイッチング素子を駆動するた
めの信号を入力する端子２２とは別に設けられた端子２
１により、液晶に黒を表示させるための信号が入力され
ている。
【００３４】ここで、対向基板上においては、少なくと
も表示領域および表示領域の周辺部分の全面にわたって
対向電極が形成されていることは、従来の液晶表示装置
の場合と全く同様である。従って、表示装置としての動
作時には、表示領域の周辺部分の液晶に対しても電界が
印加されて黒が表示され、このことにより、前記画素電
極を含んでなる表示領域の周辺部分における遮光は行わ
れている。
も表示領域および表示領域の周辺部分の全面にわたって
対向電極が形成されていることは、従来の液晶表示装置
の場合と全く同様である。従って、表示装置としての動
作時には、表示領域の周辺部分の液晶に対しても電界が
印加されて黒が表示され、このことにより、前記画素電
極を含んでなる表示領域の周辺部分における遮光は行わ
れている。
【００３５】また、画素電極を全て含んでなる表示領域
内側の各画素電極間の境界部分における遮光は、前記マ
トリクス状に配された画素電極の周辺を通り、かつ、相
互に交差して遮光性の金属により形成されたゲート配線
およびソース配線によりなされている。
内側の各画素電極間の境界部分における遮光は、前記マ
トリクス状に配された画素電極の周辺を通り、かつ、相
互に交差して遮光性の金属により形成されたゲート配線
およびソース配線によりなされている。
【００３６】このような構成とすることにより、対向基
板上には全くブラックストライプを形成する必要がな
く、かつ、液晶表示パネル周辺領域からの光漏れのない
表示品位の良好な液晶表示装置を実現することができ
た。
板上には全くブラックストライプを形成する必要がな
く、かつ、液晶表示パネル周辺領域からの光漏れのない
表示品位の良好な液晶表示装置を実現することができ
た。
【００３７】（実施形態２）本実施形態２の液晶表示装
置においては、対向基板上の表示領域の周辺部分に形成
されている対向電極上に、黒色樹脂よりなるブラックス
トライプを形成しており、その他は実施形態１と全く同
様の手法により同様の液晶表示装置を作製した。
置においては、対向基板上の表示領域の周辺部分に形成
されている対向電極上に、黒色樹脂よりなるブラックス
トライプを形成しており、その他は実施形態１と全く同
様の手法により同様の液晶表示装置を作製した。
【００３８】このようにして作製された本実施形態２の
液晶表示装置においては、従来ブラックストライプとし
て黒色樹脂を用いた場合には、金属を用いてブラックス
トライプを形成した場合と比較して透過率が高く、表示
領域の周辺部分（額縁領域）が完全に遮光できなかった
のに対して、本実施形態では、黒色樹脂による遮光と液
晶を黒表示状態とすることによる遮光とを併用すること
になるため、このことにより、表示領域の周辺部分（額
縁領域）の透過率を十分に小さくすることができ、液晶
表示装置の表示品位をさらに向上させることができる。
液晶表示装置においては、従来ブラックストライプとし
て黒色樹脂を用いた場合には、金属を用いてブラックス
トライプを形成した場合と比較して透過率が高く、表示
領域の周辺部分（額縁領域）が完全に遮光できなかった
のに対して、本実施形態では、黒色樹脂による遮光と液
晶を黒表示状態とすることによる遮光とを併用すること
になるため、このことにより、表示領域の周辺部分（額
縁領域）の透過率を十分に小さくすることができ、液晶
表示装置の表示品位をさらに向上させることができる。
【００３９】（実施形態３）図３は、本発明の実施形態
３の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
構成を示す断面図である。
３の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
構成を示す断面図である。
【００４０】図３に示すように、本実施形態３の液晶表
示装置においては、アクティブマトリクス基板全面に形
成された層間絶縁膜１８上の表示領域内に、ＩＴＯより
なる画素電極１９を形成するとともに、表示領域の周辺
部分には、該表示領域を囲むように、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｔｉなどの金属パターンからなる電極２０ａを形成
しており、その他は実施形態１と全く同様の手法により
同様の液晶表示装置を作製した。このとき、前記電極２
０ａには、特に電位を与える必要は無い。
示装置においては、アクティブマトリクス基板全面に形
成された層間絶縁膜１８上の表示領域内に、ＩＴＯより
なる画素電極１９を形成するとともに、表示領域の周辺
部分には、該表示領域を囲むように、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｔｉなどの金属パターンからなる電極２０ａを形成
しており、その他は実施形態１と全く同様の手法により
同様の液晶表示装置を作製した。このとき、前記電極２
０ａには、特に電位を与える必要は無い。
【００４１】このようにして作製された本実施形態３の
液晶表示装置においては、表示領域の周辺部分（額縁領
域）を金属パターンにより遮光して光漏れを隠すことが
できるため、透過率を十分に小さくすることができ、液
晶表示装置の表示品位をさらに向上させることができ
る。
液晶表示装置においては、表示領域の周辺部分（額縁領
域）を金属パターンにより遮光して光漏れを隠すことが
できるため、透過率を十分に小さくすることができ、液
晶表示装置の表示品位をさらに向上させることができ
る。
【００４２】なお、本実施形態３においても、対向基板
上には全くブラックストライプを形成する必要はない。
上には全くブラックストライプを形成する必要はない。
【００４３】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置においては、アク
ティブマトリクス基板上の画素電極を含んでなる表示領
域の周辺部分（額縁領域）に、液晶を黒表示するように
配向させるための電極が設けられているため、該表示領
域の周辺部分の液晶を黒表示状態にすることにより、対
向基板には遮光パターン（ブラックストライプ）を設け
ない構成としており、そのことにより、表示領域の周辺
部分からの光漏れが目立たない良好な表示品位の液晶表
示装置を実現している。
ティブマトリクス基板上の画素電極を含んでなる表示領
域の周辺部分（額縁領域）に、液晶を黒表示するように
配向させるための電極が設けられているため、該表示領
域の周辺部分の液晶を黒表示状態にすることにより、対
向基板には遮光パターン（ブラックストライプ）を設け
ない構成としており、そのことにより、表示領域の周辺
部分からの光漏れが目立たない良好な表示品位の液晶表
示装置を実現している。
【図１】図１は、本発明の実施形態１の液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態１の液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の構成を示す断面図で
ある。
おけるアクティブマトリクス基板の構成を示す断面図で
ある。
【図３】図３は、本発明の実施形態３の液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の構成を示す断面図で
ある。
おけるアクティブマトリクス基板の構成を示す断面図で
ある。
【図４】図４は、従来の液晶表示装置における具体的な
回路構成を示す等価回路図である。
回路構成を示す等価回路図である。
【図５】図５は、従来の液晶表示装置の構成を示す平面
図である。
図である。
【図６】図６は、従来の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の構成を示す断面図である。
ブマトリクス基板の構成を示す断面図である。
９ 表示領域周辺部分 １０ 表示領域 １１ 透明絶縁性基板 １２ ゲート電極 １３ ゲート絶縁膜 １４ 半導体層 １５ チャネル保護層 １６ ｎ+ 層 １７ ソース電極 １７ａドレイン電極 １８ 層間絶縁膜 １９ 画素電極 ２０ 電極（ＩＴＯ） ２０ａ電極（メタル） ２１ 黒表示用端子 ２２ スイッチング素子駆動用端子 ５１ 画素容量 ５２ スイッチング素子（ＴＦＴ） ５３ ゲート配線 ５４ 画素容量配線 ５５ ソース配線 ５９ 表示領域周辺部分 ６０ 表示領域 ６１ 透明絶縁性基板 ６２ ゲート電極 ６３ ゲート絶縁膜 ６４ 半導体層 ６５ チャネル保護層 ６６ ｎ+ Ｓｉ層 ６７ 金属層（ソース配線） ６７ａ金属層（ドレイン電極） ６８ 層間絶縁膜 ６９ 画素電極 ７０ ドライバ実装領域 ７１ 対向基板 ７２ アクティブマトリクス基板 ７３ シール領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336
Claims (6)
- 【請求項１】 マトリクス状に配された画素電極と、該
画素電極の周辺を通り、かつ、相互に交差して形成され
た走査配線および信号配線、並びに両配線に接続された
スイッチング素子とが存在し、該スイッチング素子と画
素電極とが接続されたアクティブマトリクス基板を備
え、該アクティブマトリクス基板に対して、液晶層を間
に挟んで対向基板が対向配置される液晶表示装置におい
て、 前記アクティブマトリクス基板上の前記画素電極を含ん
でなる表示領域の周辺部分に電極が設けられていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記画素電極を含んでなる表示領域の周
辺部分に設けられた電極には、液晶を黒表示するための
信号が入力されているとともに、動作時には該液晶が黒
表示することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記画素電極を含んでなる表示領域の周
辺部分に設けられた電極は、前記画素電極と同じ材料で
あることを特徴とする請求項１および２に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 前記対向基板上の表示領域の周辺部分に
は、黒色樹脂材料よりなる遮光膜が設けられていること
を特徴とする請求項１〜３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記画素電極を含んでなる表示領域の周
辺部分に設けられた電極は、金属パターンからなる遮光
膜であることを特徴とする請求項１および２に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項６】 前記画素電極と、前記走査配線および信
号配線並びにスイッチング素子との間には、層間絶縁膜
が設けられていることを特徴とする請求項１〜５に記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041395A JPH09127547A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 液晶表示装置 |
| US08/736,426 US6268895B1 (en) | 1995-10-27 | 1996-10-24 | Liquid crystal display device having light shield in periphery of display |
| KR1019960048762A KR100289483B1 (ko) | 1995-10-27 | 1996-10-26 | 액정 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041395A JPH09127547A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09127547A true JPH09127547A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17624701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28041395A Pending JPH09127547A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09127547A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026869A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| CN101493620A (zh) * | 2008-01-21 | 2009-07-29 | Nec液晶技术株式会社 | 有源矩阵型液晶显示装置及其制造工艺 |
| JP2009265622A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-11-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7796217B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel, method of inspecting the same, and inspection apparatus used for the same |
| US9470926B2 (en) | 2013-12-06 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal lens module |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP28041395A patent/JPH09127547A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7796217B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel, method of inspecting the same, and inspection apparatus used for the same |
| JP2008026869A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| CN101493620A (zh) * | 2008-01-21 | 2009-07-29 | Nec液晶技术株式会社 | 有源矩阵型液晶显示装置及其制造工艺 |
| US8264643B2 (en) | 2008-01-21 | 2012-09-11 | Nlt Technologies, Ltd. | Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing process for the same |
| US8629956B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-01-14 | Nlt Technologies, Ltd. | Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing process for the same |
| JP2009265622A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-11-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7999897B2 (en) | 2008-04-01 | 2011-08-16 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device and electronic apparatus |
| US9470926B2 (en) | 2013-12-06 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal lens module |
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