JPS61156025A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPS61156025A
JPS61156025A JP59276891A JP27689184A JPS61156025A JP S61156025 A JPS61156025 A JP S61156025A JP 59276891 A JP59276891 A JP 59276891A JP 27689184 A JP27689184 A JP 27689184A JP S61156025 A JPS61156025 A JP S61156025A
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JP
Japan
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electrode
film
display electrode
display
field effect
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Pending
Application number
JP59276891A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Nasu
安宏 那須
Satoru Kawai
悟 川井
Kenichi Oki
沖　賢一
Tomotaka Matsumoto
友孝 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59276891A priority Critical patent/JPS61156025A/ja
Publication of JPS61156025A publication Critical patent/JPS61156025A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示装置、特にアクティブマトリクス液晶表示
装置等の改善に関する。
〔従来の技術〕
マトリクス加液晶表示装置等に多く用いられているアク
ティブマトリクス構造では、従来その画素が例えば第２
図（ａｌの断面図、同図（ｂｌの平面図に示す如く構成
されている。
すなわち通常ガラス基板１上に、例えば非晶質もしくは
多結晶のシリコン（Ｓｉ）、カドミウム・セレン（Ｃｄ
Ｓｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）等の薄膜半導体層２
を活性層として、ゲート電極３、ドレイン電極４、ソー
ス電極５を備えた電界効果トランジスタ素子が形成され
ている。
ゲート電極３とドレイン電極４はそれぞれノースライン
７．８で行方向又は列方向に相互に接続され、ソース電
極５にはドレイン電極４のノースライン８と同一層の導
体層９を介して表示電極６が接続されている。なお１０
は絶縁膜であり、トランジスタ素子の保護、ハスライン
等の層間絶縁なとの効果を有する。
ガラス基板１に対向するガラス基板１１上には透明平面
電極１２が設けられ、表示電極６と平面電極１２との間
に液晶１３が保持される。
この液晶１３の表示電極６、平面電極１２の面上におけ
る分子配向を改善するために、表示電極６等の面上に例
えばポリイミド、ポリビニルアルコール等を薄く塗布し
た膜１４を設け、その表面を回転するローラー等で一定
方向に摩擦する配向処理が多く行われている。しかしな
がら本従来例の構造では、トランジスタ素子の絶縁膜１
０、導体層９、パスライン８等が表示電極６より例えば
１〜２μｍ程度突出しており、これらの突出部分の近傍
では表示電極６上の膜１４に摩擦が行われず、液晶分子
の配向を整える際にこの部分にしみ状の乱れを生ずる。
また電極面上の液晶配向処理として、例えば酸化シリコ
ン（Ｓｉｎ）等を８０〜８５度程度の低い入射角で表示
電極６上に蒸着することも行われるが、この処理方法で
も突出する部分により影となる領域があり同様の乱れを
生ずる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明した如くアクティブマトリクス構造の表示装置
において、表示電極より突出する薄膜トランジスタ素子
等の部分が表示電極面の加工プロセスを阻害しているが
、表示装置の画素の微細化等に伴ってその影響がますま
す深刻となりその改善が強く要望されている。
〔問題点を解決するための手段〕
前記問題点は、絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜を
活性層とする電界効果トランジスタ素子と、該電界効果
トランジスタ素子の一つの電極に接続された表示電極と
を備えて、該表示電極が該電界効果トランジスタ素子を
埋め込んで上面が平坦な絶縁膜上に形成されてなる本発
明による表示装置により解決される。・ 〔作　用〕 本発明によれば、電界効果トランジスタ素子上の絶縁膜
の上表面と同一の高さの絶縁膜を表示電極を形成する領
域にも設けて、上面が平坦なこの絶縁膜上に表示電極を
形成する。
この結果、表示電極面とその周囲との高さの差が殆ど解
消され、表示電極面上の加工処理を均一に実施すること
が可能となる。
〔実施例〕
以下本発明を第１図に主要部分の工程順模式側断面図を
示す実施例により具体的に説明する。
第１図（ａｌ参照 ガラス基板１上に例えばクロム（Ｃｒ）、モリブデン（
Ｍｏ）等を用いて、ゲート電極３及びそのパスライン（
図示されない）のパターンを形成し、二酸化シリコン（
ＳｉＯ□）等によりゲート絶縁膜３ａを設ける。
次いで化学気相成長方法等により、例えば非晶質もしく
は多結晶シリコン（Ｓｉ）よりな゛る薄膜半導体層２を
厚さ０．１〜０．５μｍ程度に形成し、その上に例えば
アルミニウム（ＡＩ）によってドレイン電極４及びソー
ス電極５を設けて、従来構造と同様に電界効果トランジ
スタ素子が形成される。
第１図（ｂ）参照 絶縁膜１０として例えばポリイミドを厚さｌＩＩｍ程度
に、電界効果トランジスタ素子上及びドレイン電極４に
接続されるパスライン形成領域のみならず表示電極を形
成する領域にも、その上表面を平坦にして被着する。こ
の絶縁膜１０には他の有機材料等を用いてもよく、形成
方法としてはスピンコード法などを適用することができ
る。
絶縁膜１０上に表示電極６を例えばインジウム錫酸化物
（通常Ｓｎ／Ｉｎ比５％程度）等で形成する。
第１図（Ｃ１参照 絶縁膜１０に開口を設けて、例えば旧等によりトレイン
パスライン８及び導体層９を形成する。
本実施例の表示電極６の周囲にはこれより僅かに高い導
体層９があるのみで、表示電極６の面上に例えばポリイ
ミド等を薄く塗布した配向処理膜１４を設け、その表面
を一定方向に摩擦する配向処理を十分に実施することが
出来る。
他方従来技術によりガラス基板１１上に透明平面電極１
２と配向処理膜１４を設け、上述のプロセスが完了した
ガラス基板１に対向して配置して、その間に液晶１３を
保持させて本実施例が完成する。
以上説明した本実施例では、表示電極の液晶配向処理が
十分に行われて良好な表示が得られ、またトランジスタ
素子及び各配線等の絶縁も良好である。
上述の説明はマトリクス形液晶表示装置を対象としてい
るが、本発明はマトリクス形に限定されるものではなく
、更に液晶表示装置に類似する他の表示装置に適用して
同様の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、アクティブ形表示装
置の製造プロセス中の障害が除去され、良好な表示性能
を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）乃至ＦＣ＋は本発明の実施例を示す工程順
断面図、 第２図（ａｌは従来例を示す断面図、 第２図（ｂ）は従来例を示す平面図である。 図において、 ■及び１１はガラス基板、 ２は薄膜半導体層、 ３はゲート電極、 ３ａはゲート絶縁膜、 ４はドレイジ電極、 ５はソース電極、 ６は表示電極、 ８はドレインハスライン、 ９は導体層、 １０は絶縁膜、 １２は透明平面電極、 １３は液晶、 １４は配向処理膜を示す。 第　１　組 茅２　箇 （し）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜を活性層とする電
    界効果トランジスタ素子と、該電界効果トランジスタ素
    子の一つの電極に接続された表示電極とを備えて、該表
    示電極が該電界効果トランジスタ素子を埋め込んで上面
    が平坦な絶縁膜上に形成されてなることを特徴とする表
    示装置。
JP59276891A 1984-12-27 1984-12-27 表示装置 Pending JPS61156025A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02211428A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Nec Corp 液晶表示装置用アクティブマトリクス基板
US5771083A (en) * 1995-10-16 1998-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and liquid crystal display device
US5831708A (en) * 1995-09-28 1998-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with a scanning line having a ring shaped redundant section and method for fabricating the same
US5953084A (en) * 1995-08-11 1999-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less
US5995178A (en) * 1995-10-16 1999-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein
US6034747A (en) * 1995-09-27 2000-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device incorporating the same
US6072559A (en) * 1996-03-12 2000-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel
US6175393B1 (en) 1995-09-28 2001-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix type liquid crystal display device and method of compensating for defective pixel
US6191832B1 (en) 1996-07-19 2001-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device and methods for correcting defect thereof
US6204907B1 (en) * 1995-09-27 2001-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5683781A (en) * 1979-12-10 1981-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Image display unit and production thereof
JPS56130787A (en) * 1980-03-18 1981-10-13 Tokyo Shibaura Electric Co Liquid crystal display element
JPS6145221A (ja) * 1984-08-09 1986-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示用装置及びその製造方法
JPS6141223B2 (ja) * 1981-03-18 1986-09-13 Mosuko* Nauchino Isusuredo* Lab Ekusuperimentarunoii Kurinichesukoi Hirurugii Guraza Esu Kurinikoi

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5683781A (en) * 1979-12-10 1981-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Image display unit and production thereof
JPS56130787A (en) * 1980-03-18 1981-10-13 Tokyo Shibaura Electric Co Liquid crystal display element
JPS6141223B2 (ja) * 1981-03-18 1986-09-13 Mosuko* Nauchino Isusuredo* Lab Ekusuperimentarunoii Kurinichesukoi Hirurugii Guraza Esu Kurinikoi
JPS6145221A (ja) * 1984-08-09 1986-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示用装置及びその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02211428A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Nec Corp 液晶表示装置用アクティブマトリクス基板
US6052162A (en) * 1995-08-11 2000-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission type liquid crystal display device with connecting electrode and pixel electrode connected via contact hole through interlayer insulating film and method for fabricating
US6433851B2 (en) 1995-08-11 2002-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission type liquid crystal display having a transparent colorless organic interlayer insulating film between pixel electrodes and switching
US5953084A (en) * 1995-08-11 1999-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less
US6195138B1 (en) 1995-08-11 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching
US6097452A (en) * 1995-08-11 2000-08-01 Sharp Kabushiki Kaishi Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching
US6204907B1 (en) * 1995-09-27 2001-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US6034747A (en) * 1995-09-27 2000-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device incorporating the same
US6441879B2 (en) 1995-09-27 2002-08-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6175393B1 (en) 1995-09-28 2001-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix type liquid crystal display device and method of compensating for defective pixel
US5831708A (en) * 1995-09-28 1998-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with a scanning line having a ring shaped redundant section and method for fabricating the same
US6462792B1 (en) 1995-09-28 2002-10-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix liquid crystal display device and method for compensating for defective display lines
US5995178A (en) * 1995-10-16 1999-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein
US5771083A (en) * 1995-10-16 1998-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and liquid crystal display device
US6072559A (en) * 1996-03-12 2000-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel
US6191832B1 (en) 1996-07-19 2001-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device and methods for correcting defect thereof

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