JPH11119250A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法Info
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- JPH11119250A JPH11119250A JP28000997A JP28000997A JPH11119250A JP H11119250 A JPH11119250 A JP H11119250A JP 28000997 A JP28000997 A JP 28000997A JP 28000997 A JP28000997 A JP 28000997A JP H11119250 A JPH11119250 A JP H11119250A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極４の中央を予備配線５が通る構造に
おいて、コンタクトホール１７ａおよび１７ｂが接続不
良の場合、接続電極７が断線した場合、ＴＦＴ６が欠陥
の場合の欠陥を修正できる構造およびその修正方法を提
供する。 【解決手段】 走査配線１、信号配線２、付加容量配線
３、予備配線５、ＴＦＴ６、画素電極４が設けられ、予
備配線５を挟んで、付加容量配線３の上部に設けられた
コンタクトホール１７ａおよび１７ｂ、ＴＦＴ６とコン
タクトホール１７ａの間に接続電極７が設けられたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、予備配線５
から分岐した枝状部分５１を設け、その枝状部分５１に
隣接する位置に修正用パッド８および９を設け、接続電
極７をコンタクトホール１７ａから修正用パッド８まで
延長させた接続電極７１、修正用パッド９からコンタク
トホール１７ｂまで延長させた接続電極７２を設ける。
おいて、コンタクトホール１７ａおよび１７ｂが接続不
良の場合、接続電極７が断線した場合、ＴＦＴ６が欠陥
の場合の欠陥を修正できる構造およびその修正方法を提
供する。 【解決手段】 走査配線１、信号配線２、付加容量配線
３、予備配線５、ＴＦＴ６、画素電極４が設けられ、予
備配線５を挟んで、付加容量配線３の上部に設けられた
コンタクトホール１７ａおよび１７ｂ、ＴＦＴ６とコン
タクトホール１７ａの間に接続電極７が設けられたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、予備配線５
から分岐した枝状部分５１を設け、その枝状部分５１に
隣接する位置に修正用パッド８および９を設け、接続電
極７をコンタクトホール１７ａから修正用パッド８まで
延長させた接続電極７１、修正用パッド９からコンタク
トホール１７ｂまで延長させた接続電極７２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用の画素電極
にスイッチング素子を介して駆動信号を印加することに
より、表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関するものである。
にスイッチング素子を介して駆動信号を印加することに
より、表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置では、マトリクス状
に複数の画素電極とこれらの画素電極と対向して配され
る対向電極とを備え、両電極間に液晶が介在されてい
る。上記の液晶表示装置は、画素電極に選択的に電圧を
印加することにより、画面上に表示パターンを形成し、
さらに、選択された画素電極と対向電極との間に印加さ
れる電圧により、液晶が表示データを光学的に変調して
上記の表示パターンを可視化する。
に複数の画素電極とこれらの画素電極と対向して配され
る対向電極とを備え、両電極間に液晶が介在されてい
る。上記の液晶表示装置は、画素電極に選択的に電圧を
印加することにより、画面上に表示パターンを形成し、
さらに、選択された画素電極と対向電極との間に印加さ
れる電圧により、液晶が表示データを光学的に変調して
上記の表示パターンを可視化する。
【０００３】画素電極の駆動方法としては、マトリクス
状に配された画素電極のそれぞれにスイッチング素子を
接続し、画素電極個々をスイッチング素子により駆動す
る、いわゆるアクティブマトリクス駆動方法が知られて
いる。また、スイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等
が知られている。
状に配された画素電極のそれぞれにスイッチング素子を
接続し、画素電極個々をスイッチング素子により駆動す
る、いわゆるアクティブマトリクス駆動方法が知られて
いる。また、スイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等
が知られている。
【０００４】アクティブマトリクス駆動方法で駆動され
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示装置
は、基板上に複数の走査配線、その走査配線と直交する
ように形成された複数の信号配線、隣り合う走査配線と
信号配線とで囲まれた領域に配置された画素電極、走査
配線からの走査信号によりＯＮ・ＯＦＦして画素電極へ
信号配線を介して表示信号の入力をスイッチングするス
イッチング素子を有するアクティブマトリクス基板を備
えている。
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示装置
は、基板上に複数の走査配線、その走査配線と直交する
ように形成された複数の信号配線、隣り合う走査配線と
信号配線とで囲まれた領域に配置された画素電極、走査
配線からの走査信号によりＯＮ・ＯＦＦして画素電極へ
信号配線を介して表示信号の入力をスイッチングするス
イッチング素子を有するアクティブマトリクス基板を備
えている。
【０００５】上記の液晶表示装置は、このアクティブマ
トリクス基板と、対向電極を備えた対向基板とが、数μ
ｍの空間を介して貼り合わされ、その間隙に液晶が封入
された構成である。
トリクス基板と、対向電極を備えた対向基板とが、数μ
ｍの空間を介して貼り合わされ、その間隙に液晶が封入
された構成である。
【０００６】図８に、スイッチング素子としてＴＦＴを
備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回路
図を示す。ＴＦＴ３６の走査電極であるゲート電極は走
査配線３１に、信号電極であるソース電極は信号配線３
２にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ３６のドレイン電
極は、対向基板側の対向電極とその間に狭持された液晶
とで液晶容量３４を構成する画素電極と、付加容量３５
の一方の端子に接続されている。この付加容量３５は、
保持動作を改善し高画質化するために液晶容量３４と並
列に付加されるものであり、付加容量３５のもう一方の
端子は、付加容量配線（以下、Ｃｓ配線と称する）３３
に接続され、対向基板側の対向電極と接続されている。
備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回路
図を示す。ＴＦＴ３６の走査電極であるゲート電極は走
査配線３１に、信号電極であるソース電極は信号配線３
２にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ３６のドレイン電
極は、対向基板側の対向電極とその間に狭持された液晶
とで液晶容量３４を構成する画素電極と、付加容量３５
の一方の端子に接続されている。この付加容量３５は、
保持動作を改善し高画質化するために液晶容量３４と並
列に付加されるものであり、付加容量３５のもう一方の
端子は、付加容量配線（以下、Ｃｓ配線と称する）３３
に接続され、対向基板側の対向電極と接続されている。
【０００７】上記構成において、走査配線３１からの走
査信号によりゲート電極が選択状態になると、ＴＦＴ３
６はＯＮし、信号配線３２からの表示信号を液晶容量３
４と付加容量３５とに書き込む。一方、ゲート電極が走
査信号により非選択状態になると、ＴＦＴ３６はＯＦＦ
し、不要な表示信号の入力を防ぎ、液晶容量３４および
付加容量３５に書き込まれた表示信号が保持される。こ
の動作は一般に保持動作と呼ばれている。
査信号によりゲート電極が選択状態になると、ＴＦＴ３
６はＯＮし、信号配線３２からの表示信号を液晶容量３
４と付加容量３５とに書き込む。一方、ゲート電極が走
査信号により非選択状態になると、ＴＦＴ３６はＯＦＦ
し、不要な表示信号の入力を防ぎ、液晶容量３４および
付加容量３５に書き込まれた表示信号が保持される。こ
の動作は一般に保持動作と呼ばれている。
【０００８】アクティブマトリクス基板において、画素
電極は基板上で信号配線または走査配線と同じ平面上に
形成されることが多く、信号配線または走査配線と接触
しないように配置されている。その一方、例えば図９に
示すように、層間絶縁膜４８を介在させて、画素電極４
９を、信号配線４７および走査配線（ＴＦＴ４０のゲー
ト電極４２と同層）とは厚み方向に異なる別表面に形成
することも提案されている（特開昭５８−１７２６８５
号公報等）。
電極は基板上で信号配線または走査配線と同じ平面上に
形成されることが多く、信号配線または走査配線と接触
しないように配置されている。その一方、例えば図９に
示すように、層間絶縁膜４８を介在させて、画素電極４
９を、信号配線４７および走査配線（ＴＦＴ４０のゲー
ト電極４２と同層）とは厚み方向に異なる別表面に形成
することも提案されている（特開昭５８−１７２６８５
号公報等）。
【０００９】図９のようなアクティブマトリクス基板に
ついて説明する。基板４１上に、ゲート電極４２、ゲー
ト絶縁膜４３、半導体層４４、チャネル保護層４５、ｎ
+−Ｓｉ層からなるソース電極４６ａおよびドレイン電
極４６ｂが順に積層されて、ＴＦＴ４０が構成される。
ソース電極４６ａと金属層からなる信号配線４７とが接
続され、ドレイン電極４６ｂと金属層からなる接続電極
５０とが接続されている。
ついて説明する。基板４１上に、ゲート電極４２、ゲー
ト絶縁膜４３、半導体層４４、チャネル保護層４５、ｎ
+−Ｓｉ層からなるソース電極４６ａおよびドレイン電
極４６ｂが順に積層されて、ＴＦＴ４０が構成される。
ソース電極４６ａと金属層からなる信号配線４７とが接
続され、ドレイン電極４６ｂと金属層からなる接続電極
５０とが接続されている。
【００１０】そして、ＴＦＴ４０および信号配線４７な
どを覆うように、層間絶縁膜４８が設けられ、この上に
透明導電膜からなる画素電極４９が形成されている。画
素電極４９とＴＦＴ４０との接続は、接続電極５０と画
素電極４９とを層間絶縁膜４８に設けたコンタクトホー
ル４８ａを介して接続されている。
どを覆うように、層間絶縁膜４８が設けられ、この上に
透明導電膜からなる画素電極４９が形成されている。画
素電極４９とＴＦＴ４０との接続は、接続電極５０と画
素電極４９とを層間絶縁膜４８に設けたコンタクトホー
ル４８ａを介して接続されている。
【００１１】このような層間絶縁膜４８を介在させる構
成では、信号配線４７および走査配線に対して画素電極
４９をオーバーラップさせることが可能であるので、画
素電極４９の面積を大きくすることができ、開口率の向
上が図れる。
成では、信号配線４７および走査配線に対して画素電極
４９をオーバーラップさせることが可能であるので、画
素電極４９の面積を大きくすることができ、開口率の向
上が図れる。
【００１２】また、信号配線４７に対して、画素電極４
９をオーバーラップさせた構成では、画素電極４９と信
号配線４７との隔たりに起因した液晶に電界が印加され
ない領域が形成されず、かつ、隣接する画素電極４９間
での液晶に電界が印加されないことによる光漏れが信号
配線４７によって遮断されることとなるので、対向電極
側に貼り合わせズレを見込んでブラックマトリクスを形
成していた従来の構成に比べ、開口率の向上が図れる。
また、信号配線４７や走査配線に起因する電界をシール
ドすることによる液晶の配向不良の抑制といった効果も
ある。
９をオーバーラップさせた構成では、画素電極４９と信
号配線４７との隔たりに起因した液晶に電界が印加され
ない領域が形成されず、かつ、隣接する画素電極４９間
での液晶に電界が印加されないことによる光漏れが信号
配線４７によって遮断されることとなるので、対向電極
側に貼り合わせズレを見込んでブラックマトリクスを形
成していた従来の構成に比べ、開口率の向上が図れる。
また、信号配線４７や走査配線に起因する電界をシール
ドすることによる液晶の配向不良の抑制といった効果も
ある。
【００１３】さらに、現在では図１０に示すように、１
つの画素電極４に一本であった信号配線２に予備配線５
を設け、信号配線２の断線等の不良発生時に予備配線５
を介して表示信号が伝達される構造を、出願人は特開平
９−９０３１８号公報に提案している。この構造によ
り、配線欠陥不良の減少が見込まれ、良品率向上に寄与
することが期待される。
つの画素電極４に一本であった信号配線２に予備配線５
を設け、信号配線２の断線等の不良発生時に予備配線５
を介して表示信号が伝達される構造を、出願人は特開平
９−９０３１８号公報に提案している。この構造によ
り、配線欠陥不良の減少が見込まれ、良品率向上に寄与
することが期待される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示すように、
予備配線５を採用した場合、画素電極４の中央を予備配
線５が通るため、接続電極７と画素電極４との接続のた
め付加容量電極（以下、Ｃｓ電極と称する）７ａ、７ｂ
を２つ設け、直列に接続する必要があった。このため、
ＴＦＴ６に直接接続されている側のＣｓ電極７ａで接続
不良が生じると、液晶に電圧が印加されず、表示時に輝
点として見えるという問題がある。
予備配線５を採用した場合、画素電極４の中央を予備配
線５が通るため、接続電極７と画素電極４との接続のた
め付加容量電極（以下、Ｃｓ電極と称する）７ａ、７ｂ
を２つ設け、直列に接続する必要があった。このため、
ＴＦＴ６に直接接続されている側のＣｓ電極７ａで接続
不良が生じると、液晶に電圧が印加されず、表示時に輝
点として見えるという問題がある。
【００１５】ＴＦＴ６とは直接接続されていない側のＣ
ｓ電極７ｂで接続不良が生じると、付加容量が充分に得
られず、他の画素電極との間で対向ズレを起こし、輝点
となって見える場合もある。
ｓ電極７ｂで接続不良が生じると、付加容量が充分に得
られず、他の画素電極との間で対向ズレを起こし、輝点
となって見える場合もある。
【００１６】また、接続電極７が断線されている場合、
液晶に電圧が印加されず、輝点となり、修正も不可能で
あった。
液晶に電圧が印加されず、輝点となり、修正も不可能で
あった。
【００１７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、接続不良による輝点を正常な表示に、
あるいは接続電極の断線による輝点を黒点化し、表示上
の問題を緩和するものである。
れたものであり、接続不良による輝点を正常な表示に、
あるいは接続電極の断線による輝点を黒点化し、表示上
の問題を緩和するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に設けられた複数の走査配線および付加容量配線
と、前記走査配線と直交するように構成された複数の信
号配線と、前記信号配線と接続されている複数の予備配
線と、前記走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッ
チング素子とが設けられ、前記走査配線と信号配線とス
イッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、前記層
間絶縁膜の上に画素電極が設けられ、前記予備配線を挟
んで、前記付加容量配線の上部で前記スイッチング素子
側に設けられた第１のコンタクトホールと、前記付加容
量配線の上部で非スイッチング素子側に設けられた第２
のコンタクトホールを設け、前記スイッチング素子と前
記第１のコンタクトホールの間に接続電極が設けられた
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記予
備配線から分岐した枝状部分を設け、前記枝状部分の前
記第１のコンタクトホール側に第１の修正用パッドを設
け、前記枝状部分の前記第２のコンタクトホール側に第
２の修正用パッドを設け、前記第１のコンタクトホール
から前記第１の修正用パッド、前記予備配線の枝状部
分、前記第２の修正用パッド、前記第２のコンタクトホ
ールを結ぶように、前記接続電極を延長したことを特徴
とする。
基板上に設けられた複数の走査配線および付加容量配線
と、前記走査配線と直交するように構成された複数の信
号配線と、前記信号配線と接続されている複数の予備配
線と、前記走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッ
チング素子とが設けられ、前記走査配線と信号配線とス
イッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、前記層
間絶縁膜の上に画素電極が設けられ、前記予備配線を挟
んで、前記付加容量配線の上部で前記スイッチング素子
側に設けられた第１のコンタクトホールと、前記付加容
量配線の上部で非スイッチング素子側に設けられた第２
のコンタクトホールを設け、前記スイッチング素子と前
記第１のコンタクトホールの間に接続電極が設けられた
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記予
備配線から分岐した枝状部分を設け、前記枝状部分の前
記第１のコンタクトホール側に第１の修正用パッドを設
け、前記枝状部分の前記第２のコンタクトホール側に第
２の修正用パッドを設け、前記第１のコンタクトホール
から前記第１の修正用パッド、前記予備配線の枝状部
分、前記第２の修正用パッド、前記第２のコンタクトホ
ールを結ぶように、前記接続電極を延長したことを特徴
とする。
【００１９】請求項２記載の発明の前記修正用パッド
は、前記走査配線と前記付加容量配線と同じ層であるこ
とを特徴とする。
は、前記走査配線と前記付加容量配線と同じ層であるこ
とを特徴とする。
【００２０】請求項３記載の発明の前記修正用パッドと
延長された前記接続電極とは、絶縁膜を介して絶縁され
ていることを特徴とする。
延長された前記接続電極とは、絶縁膜を介して絶縁され
ていることを特徴とする。
【００２１】請求項４記載の発明の前記修正用パッドと
前記予備配線および前記予備配線の枝状部分とは、絶縁
膜を介して絶縁されていることを特徴とする。
前記予備配線および前記予備配線の枝状部分とは、絶縁
膜を介して絶縁されていることを特徴とする。
【００２２】請求項５記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第１のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第１のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。
【００２３】請求項６記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第２のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第２のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。
【００２４】請求項７記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記スイッチング素子側と前記第１のコンタク
トホールとの間に設けられた前記接続電極に断線が生じ
たとき、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パ
ッドを介して、延長された前記接続電極と前記予備配線
の枝状部分とを導通させることを特徴とする。
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記スイッチング素子側と前記第１のコンタク
トホールとの間に設けられた前記接続電極に断線が生じ
たとき、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パ
ッドを介して、延長された前記接続電極と前記予備配線
の枝状部分とを導通させることを特徴とする。
【００２５】請求項８記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、スイッチング素子に欠陥が生じたとき、前記第
１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介して、
延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部分とを
導通させることを特徴とする。
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、スイッチング素子に欠陥が生じたとき、前記第
１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介して、
延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部分とを
導通させることを特徴とする。
【００２６】上記構成による作用を説明する。請求項１
記載の構成によれば、表示不良が生じた場合、修正用パ
ッドをレーザ照射により、予備配線と延長された接続電
極とを接続することにより、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。
記載の構成によれば、表示不良が生じた場合、修正用パ
ッドをレーザ照射により、予備配線と延長された接続電
極とを接続することにより、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。
【００２７】請求項２記載の構成によれば、修正用パッ
ドは、走査配線と付加容量配線と同じ層であるため、走
査配線と付加容量配線を形成する際、同時に形成するこ
とができ、マスクは変更する必要があるが、製造工程の
増加はない。
ドは、走査配線と付加容量配線と同じ層であるため、走
査配線と付加容量配線を形成する際、同時に形成するこ
とができ、マスクは変更する必要があるが、製造工程の
増加はない。
【００２８】請求項３記載の構成によれば、表示不良が
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と延長された接続電
極とを接続することができ、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。また、表示が正常
である場合、絶縁膜を介しているため、修正用パッドと
延長された接続電極とは、絶縁されているため、表示に
影響を与えない。
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と延長された接続電
極とを接続することができ、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。また、表示が正常
である場合、絶縁膜を介しているため、修正用パッドと
延長された接続電極とは、絶縁されているため、表示に
影響を与えない。
【００２９】請求項４記載の構成によれば、表示不良が
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と予備配線の枝状部
分と延長された接続電極とを接続することができ、欠陥
を修正することができ、良品率を向上することができ
る。また、表示が正常である場合、絶縁膜を介している
ため、修正用パッドと予備配線および予備配線の枝状部
分とは、絶縁されているため、表示に影響を与えない。
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と予備配線の枝状部
分と延長された接続電極とを接続することができ、欠陥
を修正することができ、良品率を向上することができ
る。また、表示が正常である場合、絶縁膜を介している
ため、修正用パッドと予備配線および予備配線の枝状部
分とは、絶縁されているため、表示に影響を与えない。
【００３０】請求項５の欠陥修正方法によれば、接続不
良による輝点を正常な画素電極として機能させることが
可能となり、良品率を向上させることができる。
良による輝点を正常な画素電極として機能させることが
可能となり、良品率を向上させることができる。
【００３１】請求項６の欠陥修正方法によれば、充分な
付加容量が確保でき、正常な画素電極として機能させる
ことが可能となり、良品率を向上させることができる。
付加容量が確保でき、正常な画素電極として機能させる
ことが可能となり、良品率を向上させることができる。
【００３２】請求項７の欠陥修正方法によれば、予備配
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。
【００３３】請求項８の欠陥修正方法によれば、予備配
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。 （実施形態１）実施形態１のアクティブマトリクス基板
の平面図を図１に、図１のＡ−Ａ断面図を図２に、図１
のＢ−Ｂ断面図を図３に示す。アクティブマトリクス型
液晶表示装置（以下、液晶表示装置と呼ぶ）は、図１か
ら図３において、１画素電極４毎にスイッチング素子と
してのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６を有するアクティ
ブマトリクス基板２１を備えている。液晶表示装置は、
このアクティブマトリクス基板２１と、対向電極を有す
る対向基板（図示せず）とが、数μｍの空間を介して貼
り合わされ、その間隙に液晶が封入された構造である。
いて説明する。 （実施形態１）実施形態１のアクティブマトリクス基板
の平面図を図１に、図１のＡ−Ａ断面図を図２に、図１
のＢ−Ｂ断面図を図３に示す。アクティブマトリクス型
液晶表示装置（以下、液晶表示装置と呼ぶ）は、図１か
ら図３において、１画素電極４毎にスイッチング素子と
してのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６を有するアクティ
ブマトリクス基板２１を備えている。液晶表示装置は、
このアクティブマトリクス基板２１と、対向電極を有す
る対向基板（図示せず）とが、数μｍの空間を介して貼
り合わされ、その間隙に液晶が封入された構造である。
【００３５】アクティブマトリクス基板２１では、ガラ
ス等からなる透明な絶縁性の基板１１上に、互いに交差
するように複数の信号配線２と複数の走査配線１とが配
置され、これらの走査配線１と信号配線２の交差部に、
ＴＦＴ６が設けられている。また、信号配線２は画素電
極４内を通る予備配線５と接続されている。この予備配
線５はいわば信号配線２のバイパスであり、信号配線２
が断線されたとき、予備配線５を介して信号入力が行わ
れ、正常な表示を可能にするという利点がある。
ス等からなる透明な絶縁性の基板１１上に、互いに交差
するように複数の信号配線２と複数の走査配線１とが配
置され、これらの走査配線１と信号配線２の交差部に、
ＴＦＴ６が設けられている。また、信号配線２は画素電
極４内を通る予備配線５と接続されている。この予備配
線５はいわば信号配線２のバイパスであり、信号配線２
が断線されたとき、予備配線５を介して信号入力が行わ
れ、正常な表示を可能にするという利点がある。
【００３６】ＴＦＴ６は、基板１１上に、ゲート電極１
ａ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層
１５およびソース電極１６ａ、ドレイン電極１６ｂとな
るｎ+−Ｓｉ層がこの順に積層されている構造を有して
いる。なお、チャネル保護層１５は本発明では形成され
ているが、場合によっては設けなくても良い。
ａ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層
１５およびソース電極１６ａ、ドレイン電極１６ｂとな
るｎ+−Ｓｉ層がこの順に積層されている構造を有して
いる。なお、チャネル保護層１５は本発明では形成され
ているが、場合によっては設けなくても良い。
【００３７】ＴＦＴ６のゲート電極１ａは走査配線１と
接続され、ソース電極１６ａは信号配線２と接続されて
いる。また、ＴＦＴ６のドレイン電極１６ｂは、下記に
示すように接続電極７と接続されており、この接続電極
７を介して画素電極４と接続されている。
接続され、ソース電極１６ａは信号配線２と接続されて
いる。また、ＴＦＴ６のドレイン電極１６ｂは、下記に
示すように接続電極７と接続されており、この接続電極
７を介して画素電極４と接続されている。
【００３８】画素電極４は、隣り合う信号配線２と隣り
合う走査配線１とで囲まれた領域に配置されている。こ
の画素電極４は、ＴＦＴ６、走査配線１、信号配線２が
形成されている面との間に層間絶縁膜１７を介在させる
ことにより、画素電極４の周端部は信号配線２と走査配
線１とオーバーラップされている。そして、この画素電
極４と接続電極７とが、層間絶縁膜１７に形成されたコ
ンタクトホール１７ａを介して接続されている。
合う走査配線１とで囲まれた領域に配置されている。こ
の画素電極４は、ＴＦＴ６、走査配線１、信号配線２が
形成されている面との間に層間絶縁膜１７を介在させる
ことにより、画素電極４の周端部は信号配線２と走査配
線１とオーバーラップされている。そして、この画素電
極４と接続電極７とが、層間絶縁膜１７に形成されたコ
ンタクトホール１７ａを介して接続されている。
【００３９】さらに、上記の基板１１の上には、互いに
平行なＣｓ配線３が、走査配線１と平行に、隣り合う走
査配線１の間に配置されている。このＣｓ配線３は、全
画素電極に共通して設けられている。そして、予備配線
５が画素電極４の中央を通っているので、予備配線５の
両側でこのＣｓ配線３の上部に、Ｃｓ電極７ａ、７ｂお
よびコンタクトホール１７ａ、１７ｂを設ける。
平行なＣｓ配線３が、走査配線１と平行に、隣り合う走
査配線１の間に配置されている。このＣｓ配線３は、全
画素電極に共通して設けられている。そして、予備配線
５が画素電極４の中央を通っているので、予備配線５の
両側でこのＣｓ配線３の上部に、Ｃｓ電極７ａ、７ｂお
よびコンタクトホール１７ａ、１７ｂを設ける。
【００４０】図１および図３に示すように、このＣｓ電
極７ａおよび７ｂとＣｓ配線３との間には、ゲート絶縁
膜１３が狭持されており、これらＣｓ配線３、Ｃｓ電極
７ａと７ｂ、ゲート絶縁膜１３との間で、いわゆるＣｓ
ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎ構造の付加容量が形成されてい
る。また、層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホー
ル１７ａおよび１７ｂは、このＣｓ配線３上に形成され
ている。
極７ａおよび７ｂとＣｓ配線３との間には、ゲート絶縁
膜１３が狭持されており、これらＣｓ配線３、Ｃｓ電極
７ａと７ｂ、ゲート絶縁膜１３との間で、いわゆるＣｓ
ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎ構造の付加容量が形成されてい
る。また、層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホー
ル１７ａおよび１７ｂは、このＣｓ配線３上に形成され
ている。
【００４１】このような構成のアクティブマトリクス基
板２１からなる液晶表示装置では、走査配線１からの走
査信号によりそれぞれの走査配線１上にあるＴＦＴ６の
ＯＮ・ＯＦＦが制御される。そして、ＴＦＴ６がＯＮ状
態のとき、信号配線２より入力される表示信号が画素電
極４およびＣｓ電極７ａに入力し、画素電極４と対向基
板側の対向電極とそれらの間に狭持される液晶とからな
る液晶容量に表示信号が書き込まれると共に、付加容量
にも表示信号が書き込まれる。一方、ＴＦＴ６がＯＦＦ
状態のとき、信号配線２からの表示信号の画素電極４お
よびＣｓ電極７ａへの入力が阻止され、液晶容量と付加
容量に書き込まれた表示信号が保持される。
板２１からなる液晶表示装置では、走査配線１からの走
査信号によりそれぞれの走査配線１上にあるＴＦＴ６の
ＯＮ・ＯＦＦが制御される。そして、ＴＦＴ６がＯＮ状
態のとき、信号配線２より入力される表示信号が画素電
極４およびＣｓ電極７ａに入力し、画素電極４と対向基
板側の対向電極とそれらの間に狭持される液晶とからな
る液晶容量に表示信号が書き込まれると共に、付加容量
にも表示信号が書き込まれる。一方、ＴＦＴ６がＯＦＦ
状態のとき、信号配線２からの表示信号の画素電極４お
よびＣｓ電極７ａへの入力が阻止され、液晶容量と付加
容量に書き込まれた表示信号が保持される。
【００４２】そこで、本発明の構造について説明する。
図１に示すように、予備配線５から分岐した枝状部分５
１を設け、枝状部分５１に隣接するように修正用パッド
８および９を設け、ＴＦＴ６からＣｓ電極７ａに設けら
れた接続電極７をＣｓ電極７ａから修正用パッド８まで
延長し、さらに、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間
にも接続電極７を設ける。Ｃｓ電極７ａから修正用パッ
ド８間を接続電極７１、修正用パッド９からＣｓ電極７
ｂ間を接続電極７２とする。枝状部分５１の位置は画素
電極４の領域内の予備配線５の配線上であればどこでも
良い。修正用パッド８と９は接続電極７１、７２や予備
配線５との間にゲート絶縁膜１３を介しており、通常は
電気的に絶縁されている。
図１に示すように、予備配線５から分岐した枝状部分５
１を設け、枝状部分５１に隣接するように修正用パッド
８および９を設け、ＴＦＴ６からＣｓ電極７ａに設けら
れた接続電極７をＣｓ電極７ａから修正用パッド８まで
延長し、さらに、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間
にも接続電極７を設ける。Ｃｓ電極７ａから修正用パッ
ド８間を接続電極７１、修正用パッド９からＣｓ電極７
ｂ間を接続電極７２とする。枝状部分５１の位置は画素
電極４の領域内の予備配線５の配線上であればどこでも
良い。修正用パッド８と９は接続電極７１、７２や予備
配線５との間にゲート絶縁膜１３を介しており、通常は
電気的に絶縁されている。
【００４３】本発明の製造方法について説明する。修正
用パッド８と９を基板１１上にパターニングする。修正
用パッド８、９の形成は走査配線２、ゲート電極１ａ、
Ｃｓ配線３の形成と同時に行い、走査配線１、ゲート電
極１ａ、Ｃｓ配線３と同じ材料を用いて行うことができ
る。
用パッド８と９を基板１１上にパターニングする。修正
用パッド８、９の形成は走査配線２、ゲート電極１ａ、
Ｃｓ配線３の形成と同時に行い、走査配線１、ゲート電
極１ａ、Ｃｓ配線３と同じ材料を用いて行うことができ
る。
【００４４】次に、図２に示すように、枝状部分５１を
設けた予備配線５を、ゲート絶縁膜１３の上にパターニ
ングする。予備配線５の形成は、信号配線２の形成と同
時に行うことができ、マスクパターンを変更するだけで
あり、製造工程の増加はない。図２と図３に示すよう
に、信号配線２は導電層１８、１９の２層からなってい
るので、予備配線５も２層である。なお、予備配線は２
層に限らず、１層であっても良い。
設けた予備配線５を、ゲート絶縁膜１３の上にパターニ
ングする。予備配線５の形成は、信号配線２の形成と同
時に行うことができ、マスクパターンを変更するだけで
あり、製造工程の増加はない。図２と図３に示すよう
に、信号配線２は導電層１８、１９の２層からなってい
るので、予備配線５も２層である。なお、予備配線は２
層に限らず、１層であっても良い。
【００４５】また、ＴＦＴ６からＣｓ電極７ａに形成す
る接続電極７の作製の際、同時に接続電極７を延長する
ようにＣｓ電極７ａから修正用パッド８の間に接続電極
７１と、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間に接続電
極７２をパターニングする。接続電極７１、７２の形成
はマスクパターンを変更するだけであり、製造工程の増
加はない。修正用パッド８と９、枝状部分５１、接続電
極７１、７２以外の製造方法は従来と同様である。
る接続電極７の作製の際、同時に接続電極７を延長する
ようにＣｓ電極７ａから修正用パッド８の間に接続電極
７１と、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間に接続電
極７２をパターニングする。接続電極７１、７２の形成
はマスクパターンを変更するだけであり、製造工程の増
加はない。修正用パッド８と９、枝状部分５１、接続電
極７１、７２以外の製造方法は従来と同様である。
【００４６】（実施形態２）このアクティブマトリクス
基板２１において、コンタクトホール１７ａおよび１７
ｂに接続不良が生じた場合、接続電極７が断線した場
合、ＴＦＴ６に欠陥が生じた場合の修正方法について説
明する。実施形態２ではコンタクトホール１７ａに接続
不良が生じた場合の修正方法について、図４を用いて説
明する。まず、予備配線５の枝状部分５１の上下の位置
Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次に、修正用パッド８
および９において、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１
３を破って接続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分
５１とをメルト接続する。レーザ照射の位置は修正用パ
ッド８および９に黒四角で示している。
基板２１において、コンタクトホール１７ａおよび１７
ｂに接続不良が生じた場合、接続電極７が断線した場
合、ＴＦＴ６に欠陥が生じた場合の修正方法について説
明する。実施形態２ではコンタクトホール１７ａに接続
不良が生じた場合の修正方法について、図４を用いて説
明する。まず、予備配線５の枝状部分５１の上下の位置
Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次に、修正用パッド８
および９において、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１
３を破って接続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分
５１とをメルト接続する。レーザ照射の位置は修正用パ
ッド８および９に黒四角で示している。
【００４７】この修正方法により、線Ｌ１に示すよう
に、信号はＴＦＴ６から接続電極７を通って、接続電極
７１、修正用パッド８、予備配線５の枝状部分５１、修
正用パッド９、接続電極７２を経由して、Ｃｓ電極７ｂ
上に形成されたコンタクトホール１７ｂによって、画素
電極４と接続され、正常な信号が液晶に印加される。コ
ンタクトホール１７ａでの接続不良による輝点を正常な
画素電極として機能させることが可能となり、良品率を
向上させることができる。
に、信号はＴＦＴ６から接続電極７を通って、接続電極
７１、修正用パッド８、予備配線５の枝状部分５１、修
正用パッド９、接続電極７２を経由して、Ｃｓ電極７ｂ
上に形成されたコンタクトホール１７ｂによって、画素
電極４と接続され、正常な信号が液晶に印加される。コ
ンタクトホール１７ａでの接続不良による輝点を正常な
画素電極として機能させることが可能となり、良品率を
向上させることができる。
【００４８】（実施形態３）実施形態３ではコンタクト
ホール１７ｂに接続不良が生じた場合の修正方法につい
て、図５を用いて説明する。まず、予備配線５の枝状部
分５１の上下の位置Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次
に、修正用パッド８および９において、レーザ照射によ
り、ゲート絶縁膜１３を破って接続電極７１、７２と予
備配線５の枝状部分５１とをメルト接続する。レーザ照
射の位置は修正用パッド８および９に黒四角で示してい
る。
ホール１７ｂに接続不良が生じた場合の修正方法につい
て、図５を用いて説明する。まず、予備配線５の枝状部
分５１の上下の位置Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次
に、修正用パッド８および９において、レーザ照射によ
り、ゲート絶縁膜１３を破って接続電極７１、７２と予
備配線５の枝状部分５１とをメルト接続する。レーザ照
射の位置は修正用パッド８および９に黒四角で示してい
る。
【００４９】この修正方法により、修正用パッド８およ
び９により充分な付加容量が得られ、対向ズレによる輝
点が正常な画素電極４として機能することができ、良品
率を向上させることができる。
び９により充分な付加容量が得られ、対向ズレによる輝
点が正常な画素電極４として機能することができ、良品
率を向上させることができる。
【００５０】（実施形態４）実施形態４では、接続電極
７がＴＦＴ６とＣｓ電極７ａとの間（例えばＧの位置）
で断線した場合の修正方法について、図６を用いて説明
する。Ｇの位置で接続電極７が断線した場合、信号はＣ
ｓ電極７ａに届かないため、画素電極４に信号が入力さ
れない。このことにより、画素電極４は輝点として表示
される。
７がＴＦＴ６とＣｓ電極７ａとの間（例えばＧの位置）
で断線した場合の修正方法について、図６を用いて説明
する。Ｇの位置で接続電極７が断線した場合、信号はＣ
ｓ電極７ａに届かないため、画素電極４に信号が入力さ
れない。このことにより、画素電極４は輝点として表示
される。
【００５１】修正方法は、修正用パッド８および９にお
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ２
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。その結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ２
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。その結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。
【００５２】（実施形態５）実施形態５では、ＴＦＴ６
が欠陥の場合の修正方法について、図７を用いて説明す
る。ＴＦＴ６が欠陥であるため、信号はＣｓ電極７ａに
届かない。このため、画素電極４に信号が入力されず、
画素電極４は輝点として表示される。
が欠陥の場合の修正方法について、図７を用いて説明す
る。ＴＦＴ６が欠陥であるため、信号はＣｓ電極７ａに
届かない。このため、画素電極４に信号が入力されず、
画素電極４は輝点として表示される。
【００５３】修正方法は、修正用パッド８および９にお
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ３
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。この結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ３
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。この結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の構成によれば、表示不良が生じ
た場合、修正用パッドをレーザ照射により、予備配線と
延長された接続電極とを接続することにより、欠陥を修
正することができ、良品率を向上することができる。
た場合、修正用パッドをレーザ照射により、予備配線と
延長された接続電極とを接続することにより、欠陥を修
正することができ、良品率を向上することができる。
【００５５】修正用パッドは、走査配線と付加容量配線
と同じ層であるため、走査配線と付加容量配線を形成す
る際、同時に形成することができ、マスクは変更する必
要があるが、製造工程の増加はない。
と同じ層であるため、走査配線と付加容量配線を形成す
る際、同時に形成することができ、マスクは変更する必
要があるが、製造工程の増加はない。
【００５６】表示不良が生じた場合、修正用パッドをレ
ーザ照射することにより、絶縁膜を取り除いて、予備配
線と予備配線の枝状部分と延長された接続電極とを接続
することができ、欠陥を修正することができ、良品率を
向上することができる。また、表示が正常である場合、
絶縁膜を介しているため、修正用パッドと予備配線と予
備配線の枝状部分と延長された接続電極とは、絶縁され
ているため、表示に影響を与えない。
ーザ照射することにより、絶縁膜を取り除いて、予備配
線と予備配線の枝状部分と延長された接続電極とを接続
することができ、欠陥を修正することができ、良品率を
向上することができる。また、表示が正常である場合、
絶縁膜を介しているため、修正用パッドと予備配線と予
備配線の枝状部分と延長された接続電極とは、絶縁され
ているため、表示に影響を与えない。
【００５７】コンタクトホール１７ａに接続不良が生じ
た場合の修正方法では、接続不良による輝点を正常な画
素電極として機能させることが可能となり、良品率を向
上させることができる。コンタクトホール１７ｂに接続
不良が生じた場合の修正方法では、充分な付加容量が確
保でき、正常な画素電極として機能させることが可能と
なり、良品率を向上させることができる。
た場合の修正方法では、接続不良による輝点を正常な画
素電極として機能させることが可能となり、良品率を向
上させることができる。コンタクトホール１７ｂに接続
不良が生じた場合の修正方法では、充分な付加容量が確
保でき、正常な画素電極として機能させることが可能と
なり、良品率を向上させることができる。
【００５８】接続電極７がＴＦＴ６とＣｓ電極７ａとの
間（例えばＧの位置）で断線した場合と、ＴＦＴ６が欠
陥の場合の修正方法では、予備配線から信号を直接画素
電極に入力することができるため、その画素電極にはそ
の信号配線を介する全ての信号が入力され、結果として
その画素電極に印加される信号は時間平均化され、常時
周辺画素電極と類似の電荷がかかるため、明るい輝点と
して見えることがなくなり、表示上の問題を大幅に緩和
することとなり、良品率を向上させることができる。
間（例えばＧの位置）で断線した場合と、ＴＦＴ６が欠
陥の場合の修正方法では、予備配線から信号を直接画素
電極に入力することができるため、その画素電極にはそ
の信号配線を介する全ての信号が入力され、結果として
その画素電極に印加される信号は時間平均化され、常時
周辺画素電極と類似の電荷がかかるため、明るい輝点と
して見えることがなくなり、表示上の問題を大幅に緩和
することとなり、良品率を向上させることができる。
【図１】実施形態１のアクティブマトリクス基板の一画
素電極の平面図である。
素電極の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】実施形態２の修正方法を示す図である。
【図５】実施形態３の修正方法を示す図である。
【図６】実施形態４の修正方法を示す図である。
【図７】実施形態５の修正方法を示す図である。
【図８】アクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回
路図を示す。
路図を示す。
【図９】従来のアクティブマトリクス基板の断面図であ
る。
る。
【図１０】従来の予備配線を設けたアクティブマトリク
ス基板の一画素電極の平面図である。
ス基板の一画素電極の平面図である。
１ 走査配線 １ａ ゲート電極 ２ 信号配線 ３ Ｃｓ配線（付加容量配線） ４ 画素電極 ５ 予備配線 ６ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ７ ７１ ７２ 接続電極 ７ａ ７ｂ Ｃｓ電極（付加容量電極） ８ ９ 修正用パッド １１ 基板 １３ ゲート絶縁膜 １７ 層間絶縁膜 １７ａ １７ｂ コンタクトホール ２１ アクティブマトリクス基板 ５１ 枝状部分
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に設けられた複数の走査配線およ
び付加容量配線と、前記走査配線と直交するように構成
された複数の信号配線と、前記信号配線と接続されてい
る複数の予備配線と、前記走査配線と信号配線との交差
部近傍にスイッチング素子とが設けられ、前記走査配線
と信号配線とスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設
けられ、前記層間絶縁膜の上に画素電極が設けられ、前
記予備配線を挟んで、前記付加容量配線の上部で前記ス
イッチング素子側に設けられた第１のコンタクトホール
と、前記付加容量配線の上部で非スイッチング素子側に
設けられた第２のコンタクトホールを設け、前記スイッ
チング素子と前記第１のコンタクトホールの間に接続電
極が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、 前記予備配線から分岐した枝状部分を設け、 前記枝状部分の前記第１のコンタクトホール側に第１の
修正用パッドを設け、 前記枝状部分の前記第２のコンタクトホール側に第２の
修正用パッドを設け、 前記第１のコンタクトホールから前記第１の修正用パッ
ド、前記予備配線の枝状部分、前記第２の修正用パッ
ド、前記第２のコンタクトホールを結ぶように、前記接
続電極を延長したことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記修正用パッドは、前記走査配線と前
記付加容量配線と同じ層であることを特徴とする請求項
１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記修正用パッドと延長された前記接続
電極とは、絶縁膜を介して絶縁されていることを特徴と
する請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】 前記修正用パッドと前記予備配線および
前記予備配線の枝状部分とは、絶縁膜を介して絶縁され
ていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記第１のコ
ンタクトホールで欠陥が生じたとき、前記予備配線の枝
状部分の上下で予備配線を切断し、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記第２のコ
ンタクトホールで欠陥が生じたとき、前記予備配線の枝
状部分の上下で予備配線を切断し、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記スイッチ
ング素子側と前記第１のコンタクトホールとの間に設け
られた前記接続電極に断線が生じたとき、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、スイッチング
素子に欠陥が生じたとき、前記第１の修正用パッドと前
記第２の修正用パッドを介して、延長された前記接続電
極と前記予備配線の枝状部分とを導通させることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥修正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28000997A JP3310600B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28000997A JP3310600B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119250A true JPH11119250A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3310600B2 JP3310600B2 (ja) | 2002-08-05 |
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|---|---|---|---|
| JP28000997A Expired - Fee Related JP3310600B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3310600B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001159872A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Toshiba Corp | 平面表示装置およびその製造方法 |
| KR100628258B1 (ko) * | 2000-10-28 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 신호지연 효과를 보상한 엠아이엠 액정 표시소자 |
| WO2008111268A1 (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示パネルおよび表示装置 |
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| EP2725415A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of repairing the same |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28000997A patent/JP3310600B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9257453B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including first to sixth transistors and light-emitting element |
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| US10573705B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixel correction |
| US10700156B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11362165B2 (en) | 2005-01-31 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11910676B2 (en) | 2005-01-31 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8446539B2 (en) | 2007-03-13 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel and display apparatus |
| WO2008111268A1 (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示パネルおよび表示装置 |
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| US9167663B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of repairing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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