JPH11282386A - アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライバ内蔵型の液晶パネル等用のアクティ
ブマトリクス基板装置の製造において、導電性の保護パ
ターンを用いて基板上の各種配線、素子等の静電破壊を
防止する。 【解決手段】 画像表示領域に、複数の画素部をマトリ
クス状に形成する画素部形成工程と、複数の配線を形成
する配線形成工程と、画像表示領域の周囲に、複数の配
線に駆動信号を供給するドライバ回路を形成するドライ
バ形成工程と、複数の配線を相互に接続すると共に画像
表示領域からドライバ回路の上方を経由して基板の縁側
に至る連絡部分を含む静電破壊防止用の導電性の保護パ
ターンを形成する保護パターン形成工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板等の基
板上に各種配線、駆動素子、ドライバ回路等を形成する
ことにより、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学
パネル用のアクティブマトリクス基板装置を製造する方
法の技術分野に属し、特に、製造中や製造後にこれらの
各種配線、駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊
を防止可能に製造する方法の技術分野に属する。本発明
は更に、このように製造されたアクティブマトリクス基
板装置及びこれを備えたドライバ内蔵型の電気光学パネ
ルの技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アク
ティブマトリクス駆動型の液晶パネル、ＴＦＤ（薄膜ダ
イオード）アクティブマトリクス駆動型の液晶パネル、
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルなどの電気光
学パネルを構成するアクティブマトリクス基板装置は、
ガラス基板や石英基板上に、各種配線、駆動素子、絶縁
膜等が形成されてなる。この場合、アクティブマトリク
ス基板装置の製造中には、静電気が発生する。高電圧の
静電気が発生すると、例えば液晶パネル用のＴＦＴアク
ティブマトリクス基板装置の場合であれば、ゲート配線
（走査線）、ソース配線（データ線）、ＴＦＴ、配線や
素子間の層間絶縁膜等が静電破壊される場合がある。こ
こで、ある配線に電荷Ｑの帯電があった場合には、その
電圧はＶ＝Ｑ／Ｃ（但し、Ｃ：容量）であるので、その
配線の容量Ｃを増加すれば電圧は低下する。また相互に
電気的に短絡された配線間では、このような静電気が発
生しても電圧は当然にかからない。

【０００３】そこで従来は、ドライバ内蔵型でないＴＦ
Ｔアクティブマトリクス基板装置の場合には、このよう
な製造中等における静電破壊を防止するために、俗にシ
ョートリング或いはガードリングと称される高電圧がか
かる可能性のある配線間を短絡（ショート）或いは適当
な抵抗で接続すると共に該配線の容量を増加させるため
に、静電破壊防止用の導電性の保護パターン配線（本願
明細書では、単に“保護パターン”と呼ぶことにする）
が設けられる。

【０００４】このような保護パターンの基本的な構成
は、特開昭５８−１１６５７３号公報、特開昭６３−１
０６７８８号公報等に開示されているように、画像表示
領域の周囲に沿って、全てのデータ線及び走査線を短絡
する配線である。この保護パターンによれば、データ線
及び走査線は全て短絡されており、且つ配線容量も増加
しているので、静電破壊を防止できる。

【０００５】しかしながら、実際の製造中に静電破壊を
防ぐためには、なるべく早い製造段階で、このような保
護パターンを設けねばならないという基本的要請があ
り、更に、製造途中の電気的検査の段階や、一般には遅
くとも製造後には液晶パネルが正常に動作するように、
このような保護パターンを切断除去せねばならないとい
う基本的要請もある。例えば、逆スタガ型のＴＦＴを各
画素に備えたＴＦＴアクティブマトリクス基板装置の場
合には、保護パターンは、製造初期に形成される比較的
下層に位置する走査線（ゲート配線）を構成する金属又
は半導体からなる膜から形成され、当該ＴＦＴアクティ
ブマトリクス基板装置を駆動用回路に接続する前まで
に、好ましくは駆動素子及び各種配線の電気的検査を行
う前に切断除去される。

【０００６】ここで、このような二つの基本的要請に沿
うように提案された３つの形式の保護パターンについて
説明する。

【０００７】先ず、第１の形式の保護パターンは、特開
平２−２４２２９号公報、特開平７−１８１５１６号公
報、特開平７−１７５０８６号公報等に開示されている
ように、実装端子よりも外側の基板の縁に沿って、全て
のデータ線及び走査線を実装端子を介して短絡するよう
に構成されている。そして、基板上より個別のアクティ
ブマトリクス基板装置を、スクライブラインと称される
切り離し線に沿って切り離す（本願明細書では、単に
“基板切断”と呼ぶことにする）時、或いは切り離した
後におけるパネル端面の研磨処理（本願明細書では、単
に“パネル面取り”と呼ぶことにする）時に、各配線
は、この保護パターンから切り離される。このように保
護パターンの切断除去を各配線が保護パターンより切り
離される時まで遅らせることができるので、後半の組立
工程における静電破壊を防止できる。更に、第１の形式
の応用として、特開平４−３０１６１９号公報、特開平
８−１０１３９７号公報等に開示されているように、大
基板上に設けられた相隣接するＴＦＴアクティブマトリ
クス基板装置間の一本の基板切断ライン（即ち、スクラ
イブライン）によりカットすることで、保護パターンの
短絡が無くなるように基板切断ラインを跨いでジグザグ
に配線された保護パターンもある。

【０００８】第２の形式の保護パターンは、特開昭６３
−０８５５８６号公報、特開平２−０６１６１８号公
報、特開平６−２７３７８３号公報、特開平８−１７９
３６０号公報等に開示されているように、データ線及び
走査線を介して電圧を掛けた際に、画素の点灯が可能で
ある程度若しくは当該データ線、走査線、ＴＦＴ等の電
気的検査が可能である程度に高抵抗の材料、例えば、Ｓ
ｉ（シリコン）、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサ
イド）など高抵抗材料から構成されていたり、主に低抵
抗材料から構成されていてもデータ線、走査線等との間
に別途高抵抗材料が挟まれた形で構成されている。この
第２の形式の保護パターンによれば、製造途中の電気的
検査工程の前に保護パターンを切断除去しないで済むた
め静電破壊が電気的検査工程以降で起こることを防止で
きたり、更に、最終的に製品にまで保護パターンを残す
ことにより、その切断除去工程を省略することが可能と
なると共に製品段階における静電破壊を防止することが
可能となる。

【０００９】最後に、第３の形式の保護パターンは、特
開平８−１７９３６０号公報、特開平８−１７９３５９
号公報、特開平７−０９２４４８号公報等に開示されて
いるように、データ線及び走査線を介して電圧を掛けた
際に、画素の点灯が可能である程度若しくは当該データ
線、走査線、ＴＦＴ等の電気的検査が可能である程度に
高抵抗の非線形素子、例えば、ダイオードやＴＦＴを組
み合わせたものが、データ線、走査線等と保護パターン
との間に挟まれた形で構成されている。この第３の形式
の保護パターンによれば、製造途中の電気的検査工程の
前に保護パターンを除去しないで済むため静電破壊が製
造工程の後半で起こることを防止しできたり、更に、最
終的に製品にまで保護パターンを残すことにより、その
切断除去工程を省略することが可能となると共に製品段
階における静電破壊を防止することが可能となる。

【００１０】以上説明したように、ドライバ内蔵型でな
い液晶パネル用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置
であれば、各種形式の保護パターンにより、静電破壊を
防止できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ドライ
バ内蔵型の液晶パネル等用のＴＦＴアクティブマトリク
ス基板装置について考えると、この場合には、ドライバ
部分を構成する多数のＴＦＴや配線等が、走査線（ゲー
ト配線）と同じ金属又は半導体からなる膜等、データ線
（ソース配線）と同じＡｌ（アルミニウム）などの金属
膜等、層間絶縁膜などから、画像表示領域の周囲に形成
される。このため、例えば、走査線と同じ金属又は半導
体からなる膜等や、データ線と同じ金属膜等から、前述
したような第１の保護パターンを基板のドライバ部分よ
り縁側にかけて形成することは事実上不可能である。即
ち、前述の第１の形式のいずれによっても、２次元的に
見て基板の中央側にある画像表示領域に設けられた走査
線やデータ線に接続されており、しかも走査線駆動回路
やデータ線駆動回路などの周辺領域に設けられたドライ
バ部分を越えて基板の縁に至るような保護パターン用の
配線を引き回すことは出来ないのである。

【００１２】また、前述の第２の形式の保護パターンで
は、十分な静電対策を行おうとすれば、配線間の抵抗を
下げざるを得ず、電気的検査の信頼性の低下や画質の劣
化を招いてしまう。即ち、保護パターンの静電破壊防止
機能を高めれば高めるほど、このような電気的検査の信
頼性が低下したり、画質の劣化も顕著になってしまうと
いう問題点がある。

【００１３】更に、第３の形式の保護パターンでは、限
度以上の大電流の静電気が流れた場合には静電防止機能
が不十分であることや、非線形素子を形成する分だけ回
路構成が複雑化し、更に非線形素子自体に製造上の不良
があった場合に装置全体として欠陥品となってしまう可
能性があるという問題点がある。

【００１４】以上の結果、特にドライバ内蔵型の液晶パ
ネル等用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置におい
ては、ドライバ内蔵型でない液晶パネル等用のＴＦＴア
クティブマトリクス基板装置における第１の形式の保護
パターンを採用することは基本的に不可能であり、十分
な能力を備えた静電破壊防止方法がないという大きな問
題点がある。

【００１５】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学パ
ネル用のアクティブマトリクス基板装置を、各種配線、
駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊を防止しつ
つ製造可能なアクティブマトリクス基板装置の製造方
法、及び該製造方法により製造されたアクティブマトリ
クス基板装置、並びにこれを備えた電気光学パネルを提
供することを課題とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のアクテ
ィブマトリクス基板装置の製造方法は上記課題を解決す
るために、基板の中央側に位置する画像表示領域に、複
数の画素部をマトリクス状に形成する画素部形成工程
と、該複数の画素部に夫々接続された複数の配線を形成
する配線形成工程と、前記画像表示領域の周囲に、前記
複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路を形成す
るドライバ形成工程と、前記複数の配線を相互に接続す
ると共に前記画像表示領域から前記ドライバ回路の上方
を経由して前記基板の縁側に至る連絡部分を含む静電破
壊防止用の導電性の保護パターンを形成する保護パター
ン形成工程とを備えたことを特徴とする。

【００１７】請求項１に記載の製造方法によれば、画素
部形成工程により、基板の中央側に位置する画像表示領
域に、複数の画素部がマトリクス状に形成される。この
工程と並行して或いは相前後して、配線形成工程によ
り、複数の画素部に夫々接続された複数の配線が形成さ
れる。他方、これらの工程と並行して或いは相前後し
て、ドライバ形成工程により、画像表示領域の周囲に、
前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路が形
成される。ここで特に、保護パターン形成工程により、
複数の配線を相互に接続すると共に画像表示領域からド
ライバ回路の上方を経由して基板の縁側に至る連絡部分
を含む導電性の保護パターンが形成される。従って、こ
の連絡部分を除く、複数の配線を相互に接続する保護パ
ターン部分については、画素部形成工程、配線形成工程
及びドライバ形成工程の開始前や途中に、基板上におけ
るドライバ回路よりも中央側或いは縁側に形成可能であ
る。そして、この保護パターン部分を形成した以降は、
静電荷に対する容量が増加し且つ複数の配線間が短絡或
いは所定抵抗で接続されるので、配線、画素部、ドライ
バ回路における静電破壊を防止できる。よって、このよ
うな連絡部分を除く保護パターン部分を形成する時点に
応じて、配線、画素部及びドライバ回路が静電破壊の危
険に曝される期間を短く出来る。

【００１８】他方で、保護パターンの連絡部分について
は、ドライバ形成工程の後に、ドライバ回路上に形成さ
れる。従って、この連絡部分を介して、基板上における
ドライバ回路よりも縁側にまで、保護パターンを引き出
すことが可能となる。この結果、連絡部分の形成以前又
は以後に、ドライバ回路よりも縁側に、連絡部分を介し
て複数の配線を相互に接続する保護パターン部分を形成
し且つ連絡部分を形成した以降は、このドライバ回路よ
りも縁側にある保護パターン部分により静電荷に対する
容量が増加し且つ複数の配線間が短絡或いは所定抵抗で
接続されるので、配線、画素部、ドライバ回路における
静電破壊を防止できる。

【００１９】請求項２に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項１に記載の製造方
法において、前記画素部形成工程では、前記複数の画素
部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極を
前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を形成し、前記
保護パターン形成工程では、前記連絡部分を、前記画素
電極を形成するのと同じ層から形成し、前記ドライバ形
成工程では、前記ドライバ回路を少なくとも部分的に前
記駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成するこ
とを特徴とする。

【００２０】請求項２に記載の製造方法によれば、積層
構造を持つ画素電極及び駆動素子が複数の画素部の夫々
に形成されるが、連絡部分が画素電極を形成するのと同
じ層から形成され、ドライバ回路は少なくとも部分的に
駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成される。
従って、画素部形成工程における画素電極の形成と、保
護パターン形成工程における連絡部分の形成とを同一工
程で同時に行うことが可能となる。更に、画素部形成工
程における駆動素子の形成と、ドライバ形成工程におけ
るドライバ回路の少なくとも部分的な形成とを同一工程
で同時に行うことが可能となる。これらの結果、製造工
程の簡略化及び低コスト化が図られる。

【００２１】請求項３に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項２に記載の製造方
法において、前記画素部形成工程では、前記画素電極を
ＩＴＯ膜から形成し、前記駆動素子を薄膜トランジスタ
から形成することを特徴とする。

【００２２】請求項３に記載の製造方法によれば、画素
電極及び連絡部分はＩＴＯ膜から形成され、駆動素子及
びドライバ回路の少なくとも一部は、薄膜トランジスタ
から形成される。従って、比較的簡単な構成を有するア
クティブマトリクス基板装置の製造工程の簡略化及び低
コスト化が図られる。

【００２３】請求項４に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項１から３のいずれ
か一項に記載の製造方法において、前記保護パターン形
成工程では、前記ドライバ回路よりも中央側において前
記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に
接続する第1保護パターン部分を前記画素部形成工程以
前に形成し、前記画素部形成工程の途中で或いは完了後
に該第1保護パターン部分を切断除去することを特徴と
する。

【００２４】請求項４に記載の製造方法によれば、画素
部形成工程以前に、保護パターン形成工程により、ドラ
イバ回路よりも中央側において画像表示領域の周囲に沿
って複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分
が形成される。その後、この第1保護パターンは、画素
部形成工程の途中で或いは完了後に切断除去される。従
って、第1保護パターン部分により、画素部形成工程以
前から、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊
を防止できる。このため、一般には、このような連絡部
分を除く保護パターン部分は、製造初期に形成する程有
効である。そして、ドライバ回路よりも縁側にある保護
パターン部分よりも切断除去が困難であり、より早い段
階での切断除去が望まれる第1保護パターン部分を、画
素部形成工程途中に切断除去するので、余分な工程数の
増加を避けつつ第1保護パターン部分が完成後における
当該アクティブマトリクス基板装置の本来の機能の障害
となる事態を防げる。

【００２５】請求項５に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項４に記載の製造方
法において、前記保護パターン形成工程では、前記第１
保護パターン部分を、前記複数の配線のうち最も前記基
板に近い層から形成された配線と同じ層から形成するこ
とを特徴とする。

【００２６】請求項５に記載の製造方法によれば、第１
保護パターン部分は、例えば、ポリシリコン膜からなり
最下層に位置するゲート配線（走査線）など、最も基板
に近い層から形成された配線と同じ層から形成される。
従って、配線形成工程の比較的初期から、第１保護パタ
ーンにより配線における静電破壊を防止できる。しか
も、配線形成工程における最下層の形成と、保護パター
ン形成工程における第１保護パターン部分の形成とを同
時に行うことが可能となる。これらの結果、静電破壊防
止を有効に行いつつ製造工程の簡略化及び低コスト化が
図られる。

【００２７】請求項６に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項４又は５に記載の
製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前
記第1保護パターン部分を切断除去する前に、前記連絡
部分を形成し且つ前記基板上の前記ドライバ回路よりも
縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相
互に接続する第２保護パターン部分を更に形成すること
を特徴とする。

【００２８】請求項６に記載の製造方法によれば、第1
保護パターン部分を切断除去する前に、連絡部分が形成
され、且つ、該連絡部分の形成の以前又は以後に、ドラ
イバ回路よりも縁側において連絡部分を介して複数の配
線を相互に接続する第２保護パターン部分が更に形成さ
れる。従って、第２保護パターン部分及び連絡部分を形
成した以降は、静電荷に対する容量が増加し且つ複数の
配線間が短絡或いは所定抵抗で接続されるので、配線、
画素部、ドライバ回路における静電破壊を防止できる。
よって、このように第２保護パターン部分により複数の
配線を相互に接続した後には、第１保護パターン部分を
切断除去しても、配線等における静電破壊を防止でき
る。このため、静電破壊が起こり得る期間を安易に発生
させることなく、第１保護パターン部分を、画素部形成
工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の途中に切断
除去することも可能となる。このように切断除去すれ
ば、第１保護パターン部分が、完成後における当該アク
ティブマトリクス基板装置の本来の機能の障害となる事
態を防げる。

【００２９】請求項７に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項１から３に記載の
製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前
記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域
の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第1保
護パターン部分を前記画素部形成工程以前に形成した後
に前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続す
る第２保護パターン部分を更に形成する。さらに該第１
保護パターンは該前記アクティブマトリクス基板装置が
前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に高抵抗
な部分を有し、該前記画素部形成工程、前記配線形成工
程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すこと
を特徴とする。

【００３０】請求項７に記載の製造方法によれば、画素
部形成工程以前に、保護パターン形成工程により、ドラ
イバ回路よりも中央側において画像表示領域の周囲に沿
って複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分
が形成される。この第１保護パターンは少なくとも部分
的に高抵抗な部分を有しているため、切断除去せずとも
電気的検査あるいは正常な駆動表示が可能である。この
第1保護パターン部分により、画素部形成工程以前から
当該アクティブマトリクス基板装置完成後まで、配線、
画素部、ドライバ回路における静電破壊による不良品率
をある程度低減できる。一方、画素部形成工程において
より低抵抗のドライバ部上方を経由する第２保護パター
ンが形成される。この第２保護パターンにより画素部形
成工程以降では静電気による破壊はより完全に防止でき
る。

【００３１】請求項８に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項６又は７に記載の
製造方法において、前記ドライバ回路に電気信号を供給
するための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程
を更に備えており、前記保護パターン形成工程では、前
記複数の実装端子にも接続されるように前記第２保護パ
ターン部分を形成することを特徴とする。

【００３２】請求項８に記載の製造方法によれば、実装
端子形成工程により、ドライバ回路に電気信号を供給す
るための複数の実装端子が形成される。そして、保護パ
ターン形成工程により、複数の実装端子にも接続される
ように、第２保護パターン部分が形成される。従って、
実装端子に接続された配線や素子を含むドライバ回路内
における静電破壊を、第２保護パターン部分により防止
できる。

【００３３】請求項９に記載のアクティブマトリクス基
板装置の製造方法は、上述した請求項１から３のいずれ
か一項に記載の製造方法において、前記ドライバ回路に
電気信号を供給するための複数の実装端子を形成する実
装端子形成工程を更に備えており、前記保護パターン形
成工程では、前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側
において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に
接続すると共に前記複数の実装端子を相互に接続する第
２保護パターン部分を更に形成することを特徴とする。

【００３４】請求項９に記載の製造方法によれば、実装
端子形成工程により、ドライバ回路に電気信号を供給す
るための複数の実装端子が形成される。そして、保護パ
ターン形成工程により、基板上のドライバ回路よりも縁
側において連絡部分を介して複数の配線を相互に接続す
ると共に複数の実装端子を相互に接続する第２保護パタ
ーン部分が更に形成される。従って、連絡部分を介して
実装端子に接続された配線や素子を含むドライバ回路内
における静電破壊を、第２保護パターン部分により防止
できる。

【００３５】請求項１０に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項８又は９に記載
の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、
当該アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又はパ
ネル面取り時に切り離されると前記第２保護パターン部
分による前記複数の配線及び前記複数の実装端子の相互
接続状態が解消されるように、前記第２保護パターン部
分を、該基板切断時又はパネル面取り時に切り離される
位置に少なくとも部分的に形成することを特徴とする。

【００３６】請求項１０に記載の製造方法によれば、保
護パターン形成工程により、第２保護パターン部分は、
該基板切断時又はパネル面取り時に切り離される位置に
少なくとも部分的に形成される。その後、基板切断時又
はパネル面取り時に、当該アクティブマトリクス基板装
置が切り離されると、第２保護パターン部分による複数
の配線及び複数の実装端子の相互接続状態が解消され
る。従って、基板切断工程やパネル面取り工程により、
工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターン
の切断除去を行うことが出来る。

【００３７】請求項１１に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１０に記載の製
造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記
基板切断時に当該アクティブマトリクス基板装置から切
り離される当該アクティブマトリクス基板装置に隣接す
る他のアクティブマトリクス基板装置との間の一本の基
板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むよう
に前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とす
る。

【００３８】請求項１１に記載の製造方法によれば、保
護パターン形成工程により、一本の基板切断ラインに沿
ってジグザグに延びる部分を含むように、第２保護パタ
ーン部分は、形成される。その後、基板切断時に、当該
アクティブマトリクス基板装置が切り離されると、第２
保護パターンによる複数の配線及び複数の実装端子の相
互接続状態が解消される。従って、相互に隣接するアク
ティブマトリクス基板装置間に対しては、一本の基板切
断ラインに沿った基板切断処理のみで足りるようにしな
がら、基板切断工程により工程数を増加させることなく
比較的容易に保護パターンの切断除去を行うことが出来
る。

【００３９】請求項１２に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１から１１のい
ずれか一項に記載の製造方法において、前記保護パター
ン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置に
おける前記複数の配線を介して供給される電気信号によ
る電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンに
より接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるように
前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成す
ることを特徴とする。

【００４０】請求項１２の製造方法によれば、保護パタ
ーン形成工程により、保護パターンは少なくとも部分的
に高抵抗に（例えば、線幅の狭いＩＴＯ配線などから）
形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められて
いる。この結果、複数の配線を介して供給される電気信
号による電気的検査が可能とされる。

【００４１】請求項１３に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１から１１のい
ずれか一項に記載の製造方法において、当該アクティブ
マトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供
給される電気信号による電気的検査を可能とする程度
に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の
電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パター
ンの一部に形成する素子形成工程を更に備えたことを特
徴とする。

【００４２】請求項１３に記載の製造方法によれば、素
子形成工程により、高抵抗の非線形素子が保護パターン
の一部に形成され、複数の配線間における電気抵抗が高
められている。この結果、複数の配線を介して供給され
る電気信号による電気的検査が可能とされる。

【００４３】請求項１４に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１から１１のい
ずれか一項に記載の製造方法において、前記保護パター
ン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置に
おける前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号
による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターン
により接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるよう
に前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成
し、前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線
形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残
すことを特徴とする。

【００４４】請求項１４の製造方法によれば、保護パタ
ーン形成工程により、保護パターンは少なくとも部分的
に高抵抗に（例えば、線幅の狭いＩＴＯ配線などから）
形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められて
いる。この結果、保護パターンを切断除去せずとも、当
該アクティブマトリクス基板装置の完成後に、複数の配
線を介して供給される駆動信号により画素部は駆動さ
れ、通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの
切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における
静電破壊を防止することもできる。

【００４５】請求項１５に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１から１１のい
ずれか一項に記載の製造方法において、当該アクティブ
マトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供
給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度
に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の
電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パター
ンの一部に形成する素子形成工程を更に備えており、前
記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成工
程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すこと
を特徴とする。

【００４６】請求項１５の製造方法によれば、素子形成
工程により、高抵抗の非線形素子が保護パターンの一部
に形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められ
ている。この結果、保護パターンを切断除去せずとも、
当該アクティブマトリクス基板装置の完成後に、複数の
配線を介して供給される駆動信号により画素部は駆動さ
れ、通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの
切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における
静電破壊を防止することもできる。

【００４７】請求項１６に記載のアクティブマトリクス
基板装置の製造方法は、上述した請求項１から１５のい
ずれか一項に記載の製造方法において、前記ドライバ形
成工程では、積層構造を持つように前記ドライバ回路を
形成し、前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分
を前記ドライバ回路内にある上層の配線に完全に重なら
ないように形成することを特徴とする。

【００４８】請求項１６に記載の製造方法によれば、ド
ライバ回路は、積層構造を持つように形成される。そし
て、ドライバ回路上に形成される連絡部分は、ドライバ
回路内にある上層の配線に完全に重ならないように形成
される。従って、仮に連絡部分がドライバ回路内にある
上層の配線に完全に重なってしまった場合と比較して、
ドライバ回路内にある上層の配線と連絡部分との間に形
成される容量を低減できる。この結果、保護パターンが
ドライバ回路の動作に及ぼす悪影響を低減できる。

【００４９】請求項１７に記載のアクティブマトリクス
基板装置は、上述した請求項１から１６のいずれか一項
に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする。

【００５０】請求項１７に記載のアクティブマトリクス
基板装置は、上述した本発明の製造方法により製造され
ているので、静電破壊による不良品率が格段に低い。し
かも、電気的検査を精度良く行うことも可能であり、保
護パターンの存在によりアクティブマトリクス基板装置
の本来の機能が害されていることも殆ど又は全く無く、
しかも低コスト化が図られている。

【００５１】請求項１８に記載の電気光学パネルは、上
述した請求項１７に記載のアクティブマトリクス基板装
置と、該アクティブマトリクス基板装置に対向配置され
た対向基板とを備えたことを特徴とする。

【００５２】請求項１８に記載の電気光学パネルは、ア
クティブマトリクス基板装置と対向基板とを備えている
ので、静電破壊による不良品率が格段に低い。しかも、
電気的検査が精度良く行われており信頼性も高い。ま
た、保護パターンの存在により電子光学パネルの本来の
機能が害されていることも殆ど又は全く無く、しかも低
コスト化が図られている。

【００５３】請求項１９に記載の電気光学パネルは、上
述した請求項１８に記載の電気光学パネルにおいて、前
記アクティブマトリクス基板装置と前記対向基板とを前
記画像表示領域の輪郭に沿って相接着するシール材と、
該シール材により前記アクティブマトリクス基板装置と
前記対向基板との間に封入された液晶とを更に備えてお
り、前記保護パターンは、前記画像表示領域から見て前
記シール材よりも外側又はシール材の下に形成されてい
ることを特徴とする。

【００５４】請求項１９に記載の電気光学パネルによれ
ば、アクティブマトリクス基板装置と対向基板とは、画
像表示領域の輪郭に沿ってシール材により相接着されて
いる。このシール材によりアクティブマトリクス基板装
置と対向基板との間には、液晶が封入されており、当該
電気光学パネルは、液晶パネルとして構成されている。
そして、保護パターンは、画像表示領域から見てシール
材よりも外側に形成されているので、保護パターンは、
液晶に面することはない。従って、ドライバ回路上の連
絡部分とドライバ回路内の上層の配線等との間に形成さ
れる容量の増大を防ぐことが出来る。加えて、ドライバ
回路上の連絡部分を含む保護パターンの直流電圧が液晶
に印加されることにより液晶が劣化する事態を未然に防
ぐことが出来る。このため、当該電気光学パネルは、高
精度の動作を長期に亘って行うことが可能である。

【００５５】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされよう。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００５７】（アクティブマトリクス基板装置の実施の
形態）先ず、本発明のアクティブマトリクス基板装置の
一実施の形態として、液晶パネル用のアクティブマトリ
クス基板装置の構成及び製造方法について説明する。

【００５８】先ず、図１を参照して、アクティブマトリ
クス基板装置の全体構成について説明する。図１は、実
施の形態のアクティブマトリクス基板装置１が、一枚の
大型ガラス基板上にマトリクス状に複数形成された状態
を示している。この状態にあるアクティブマトリクス基
板装置１に対して、図中点線で示された基板切断ライン
に沿って切り離す基板切断工程が施され、更に必要に応
じてパネル面取り工程が施されて、個々のアクティブマ
トリクス基板装置とされる。

【００５９】図１において、アクティブマトリクス基板
装置１は、ガラス基板、石英基板等からなる基板１０を
備えており、基板１０上において中央側に位置する画像
表示領域１１に、液晶駆動用の画素電極及びＴＦＴを夫
々含む複数の画素部がマトリクス状に形成されている。
アクティブマトリクス基板装置１は、複数の画素部にお
けるＴＦＴのゲートに接続された複数の走査線（ゲート
配線）１２と各ＴＦＴのソースに接続された複数のデー
タ線（ソース配線）１３とを備える。アクティブマトリ
クス基板装置１は更に、画像表示領域１１の周囲に、走
査線１２に駆動信号の一例たる走査信号を供給するドラ
イバ回路の一例を構成する走査線駆動回路１４と、デー
タ線１３に駆動信号の一例たるデータ信号を供給するド
ライバ回路の一例を構成するデータ線駆動回路１５とを
備える。走査線駆動回路１４は、画像表示領域１１の両
側に設けられている。尚、ここでは、アクティブマトリ
クス基板装置１を組み込んで完成させた液晶パネルの通
常動作時にデータ信号を直接供給する回路の他に、デー
タ線１３をデータ信号供給前に所定電位まで昇圧させる
ためのプリチャージ信号を供給するプリチャージ回路、
アナログ画像信号をサンプリングしてデータ線１３に供
給するサンプリング回路、回路や配線の電気的検査の際
にデータ線１３に所定の電気信号を供給するための検査
回路など、データ線に電気信号を供給する動作に関連す
る回路をデータ線駆動回路１５として総称することにす
る。

【００６０】本実施の形態では、アクティブマトリクス
基板装置１は更に、製造工程の所定期間に亘って複数の
走査線１２及びデータ線１３を相互に接続すると共に画
像表示領域１１から走査線駆動回路１４及びデータ線駆
動回路１５の上方を経由して基板１０の縁側に至る連絡
部分を含む保護パターンの一部である第２保護パターン
部１６ｂを備えている。第２保護パターン部１６ｂは、
アクティブマトリクス基板装置１の完成前（画素部のＴ
ＦＴの形成中）に切断除去された第１保護パターン部１
６ａ（図中点線で示す）と共に、走査線１２及びデータ
線１３を短絡或いは所低抵抗で相互に接続して、アクテ
ィブマトリクス基板装置１の製造中における保護パター
ンとして機能する。

【００６１】以下、図２から図５を参照して、保護パタ
ーンの構成及び製造方法をアクティブマトリクス基板装
置１の製造方法と共に説明する。

【００６２】図２において、保護パターンは、第１保護
パターン部１６ａ、第２保護パターン部１６ｂ及び画像
表示領域１１から走査線駆動回路１４及びデータ線駆動
回路１５の上方を経由して基板１０の縁側に至る連絡部
１６ｃを含んで構成されている。これらのうち、第１保
護パターン部１６ａは、例えば、アクティブマトリクス
基板装置１の製造初期に走査線１２と同じポリシリコン
膜から形成されるものであり、各アクティブマトリクス
基板装置１における走査線駆動回路１４及びデータ線駆
動回路１５よりも中央側（即ち、画像表示領域に近い
側）において、画像表示領域の周囲に沿って配線され
て、走査線１２及びデータ線１３を相互に短絡或いは所
低抵抗で接続するように構成されている。第２保護パタ
ーン部１６ｂは、例えば、アクティブマトリクス基板装
置１の製造の比較的初期に走査線１２と同じポリシリコ
ン膜から形成されるか或いは製造の比較的後期に画素電
極と同じＩＴＯ膜から形成されるものであり、各アクテ
ィブマトリクス基板装置１における走査線駆動回路１４
及びデータ線駆動回路１５よりも縁側（即ち、画像表示
領域から遠い側）において、基板１０の縁に沿って配線
されて、連絡部１６ｃを介して走査線１２及びデータ線
１３を相互に短絡或いは低抵抗で接続するように構成さ
れている。連絡部１６Ｃは、例えば、製造の比較的後期
に画素電極と同じＩＴＯ膜から形成されるものであり、
走査線１２及びデータ線１３と第２保護パターン部１６
ｂとを走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の
上方を経由して接続（連絡）するように構成されてい
る。

【００６３】ここで、図３の断面図を参照して、この連
絡部１６ｃが走査線駆動回路１３の上方を経由して接続
する部分の詳細な構成を説明する。

【００６４】図３において、画像表示領域１１（図１参
照）内にある各画素部に設けられたＴＦＴ３０は、正ス
タガ型のＴＦＴとして構成されており、基板１０上に
は、チャネルが形成される半導体膜３１及びゲート絶縁
膜３３が積層されており、ゲート絶縁膜３３上には、例
えば、ポリシリコン膜等からなる走査線１２（ゲート配
線）が配置されている。半導体膜３１のソース領域に
は、例えば、Ａｌなどの金属膜等からなるデータ線１３
（ソース配線）がコンタクトホールを介して接続されて
おり、半導体膜３１のドレイン領域には、例えば、Ａｌ
などの金属膜等からなる中継膜２５を中継して、例えば
ＩＴＯ膜等からなる画素電極２６がコンタクトホールを
介して接続されている。そして、各膜は、第１層間絶縁
膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３に
より、相互に電気的に絶縁されている。

【００６５】データ線駆動回路１５内に設けられたＴＦ
Ｔ３０’は、画素部のＴＦＴ３０と同様に構成されてお
り、同じ工程で同時に形成されるものである。即ち、Ｔ
ＦＴ３０’は、正スタガ型のＴＦＴとして構成されてお
り、基板１０上には、チャネルが形成される半導体膜３
１’及びゲート絶縁膜３３’が積層されており、ゲート
絶縁膜３３’上には、例えば、ポリシリコン膜等からな
るゲート配線１２’が配置されている。半導体膜３１’
のソース領域には、例えば、Ａｌなどの金属膜等からな
る配線１３’がコンタクトホールを介して接続されてお
り、半導体膜３１’のドレイン領域には、データ線１３
がコンタクトホールを介して接続されている。

【００６６】本実施の形態では特に、画素部のＴＦＴ３
０における走査線１２及びデータ線１３には、画素電極
２６と同じＩＴＯ膜から形成された保護パターンの連絡
部１６ｃがコンタクトホールを介して接続されており、
連絡部分は１６ｃは、データ線駆動回路１５の上方を経
由して基板１０の縁側（図２における上下の縁側）に引
き出されている。

【００６７】尚、走査線駆動回路内に設けられるＴＦＴ
についても、データ線駆動回路１５内に設けられたＴＦ
Ｔ３０’と同様に構成されており、即ち、画素部のＴＦ
Ｔ３０と同時に形成されるものである。また、連絡部分
は１６ｃについても、走査線駆動回路１４の上方を経由
して基板１０の縁側（図２における左右の縁側）に引き
出されている。

【００６８】次に、図２及び図３を参照して、アクティ
ブマトリクス基板装置１の製造方法において主に保護パ
ターンの形成と関連する工程について説明する。

【００６９】図２及び図３において、画素部形成工程に
より、画像表示領域１１に、ＴＦＴ３０及び画素電極２
６を含む画素部がマトリクス状に形成される。この工程
と並行して或いは相前後して、配線形成工程により、Ｔ
ＦＴ３０のゲートに夫々接続された複数の走査線１２及
びＴＦＴ３０のソースにそれぞれ接続された複数のデー
タ線１３が形成される。他方、これらの工程と並行して
或いは相前後して、ドライバ形成工程により、画像表示
領域の周囲に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回
路１５が形成される。ここで特に、保護パターン形成工
程により、複数の走査線１２及びデータ線１３を相互に
接続すると共に画像表示領域１１から走査線駆動回路１
４及びデータ線駆動回路１５の上方を経由して基板１０
の縁側に至る連絡部１６ｃを含む保護パターンが形成さ
れる。

【００７０】従って、この製造方法によれば、連絡部１
６ｃを除く、走査線１２及びデータ線１３を相互に接続
する第１保護パターン部１６ａについては、画素部形成
工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の開始前や途
中に形成可能である。そして、この第１保護パターン部
１６ａを形成した以降は、静電荷に対する容量が増加し
（従って、前述のように電圧Ｖ＝Ｑ／Ｃが低下し）且つ
複数の走査線１２及びデータ線１３間が短絡或いは所定
抵抗で接続されるので、走査線１２、データ線１３、画
素部のＴＦＴ３０や画素電極２６、走査線駆動回路１４
内のＴＦＴ３０’や各種配線、データ線駆動回路１５内
のＴＦＴや各種配線、層間絶縁膜４１〜４３等における
静電破壊を防止できる。

【００７１】よって、この第１保護パターン部１６ａを
形成する時点に応じて、これらの配線やＴＦＴ等が静電
破壊の危険に曝される期間を短く出来る。このため、好
ましくは、第１保護パターン部１６ａは、比較的製造初
期であり、静電破壊されるような素子や配線が形成され
る以前に形成するのが好ましい。従って、本実施の形態
では、走査線１２（ゲート配線）と同じ膜から同時に構
成するので、この走査線１２の形成後に形成される配線
や素子についての静電破壊を防止できる。この意味で
は、画素部に逆スタガ型のＴＦＴを夫々設けた液晶パネ
ル用のアクティブマトリクス基板装置の場合に、走査線
１２（ゲート配線）と同じ膜から第１保護パターン部を
形成するようにすれば、走査線１２がより基板近くに成
膜される分だけより効果的である。

【００７２】尚、第２保護パターン部１６ｂについて
は、第１保護パターン部１６ａと同じ膜から同時に形成
してもよい。このように形成し、図２に示したように、
第１保護パターン部１６ａと第２保護パターン部１６ｂ
とを連絡部１６ｃを介することなく接続する配線１６ｄ
を更に同じ膜から形成しておけば、連絡部１６ｃを形成
する前にも、第２保護パターン部を保護パターンの一部
として機能させることができる。但し、第２保護パター
ン部１６ｂについては、第１保護パターン部１６ａより
も後に形成してもよい。このように形成しても、連絡部
１６ｃを介して接続した後に、保護パターンの一部とし
て機能させることができる。更に、第１保護パターン部
１６ａを、例えば前述したＩＴＯ膜などの連絡部分と同
じ層から形成することも可能である。

【００７３】他方で、連絡部１６ｃについては、ドライ
バ形成工程の後に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆
動回路１５の層間絶縁膜４３上に形成される。従って、
この連絡部１６ｃを介して、基板１０上の縁にまで、保
護パターンを引き出すことが可能となる。この結果、連
絡部１６ｃの形成以前又は以後に、基板１０の縁側に、
連絡部１６ｃを介して走査線１２及びデータ線１３を相
互に接続する第２保護パターン部１６ｂを形成し且つ連
絡部１６ｃを形成した以降は、第２保護パターン部１６
ｂにより静電荷に対する容量が増加し且つ走査線１２及
びデータ線１３間が短絡或いは所定抵抗で接続される。

【００７４】これらの結果、走査線１２、データ線１
３、画素部のＴＦＴ３０や画素電極２６、走査線駆動回
路１４内のＴＦＴ３０’や各種配線、データ線駆動回路
１５内のＴＦＴや各種配線、層間絶縁膜４１〜４３等に
おける静電破壊を防止できる。

【００７５】従って、連絡部１６ｃを介して第２の保護
パターン部１６ｂにより走査線１２及びデータ線１３を
相互に接続した後には、第１保護パターン部１６ａを切
断除去しても、このような静電破壊を防止できることに
なる。このため、静電破壊が起こり得る期間を安易に発
生させることなく、基板１０の縁側にある第１保護パタ
ーン部１６ｂよりも切断除去が困難であり、より早い段
階での切断除去が望まれる中央側にある第１保護パター
ン部１６ａを、画素部形成工程、配線形成工程及びドラ
イバ形成工程の途中に、より具体的にはＴＦＴ３０の薄
膜形成工程のエッチング工程を利用して（余分な工程数
の増加を避けつつ）切断除去する。これにより、中央側
にある第１保護パターン部分が、完成後及び電気的検査
時におけるアクティブマトリクス基板装置１の本来の機
能の障害となる事態を防げる。そして、基板１０の縁側
にある第２保護パターン部分については、画素部形成工
程、配線形成工程及びドライバ形成工程の終盤や完了後
に、例えば基板切断時やパネル面取り時に、切断除去す
ることも可能となる。この場合の切断除去は、第２保護
パターン部１６ｂが基板１０の縁側にあるが故に容易で
ある。

【００７６】本実施の形態では特に、画素部形成工程で
は、複数の画素部の夫々に、積層構造を持つＩＴＯ膜か
らなる画素電極２６及びＴＦＴ３０を形成し、保護パタ
ーン形成工程では、連絡部１６ｃを、画素電極２６を形
成するのと同じ膜から形成し、ドライバ形成工程では、
走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５のＴＦＴ
３０’を画素部のＴＦＴ３０を形成するのと同じ複数の
膜から形成する。従って、画素部形成工程における画素
電極の形成と、保護パターン形成工程における連絡部分
の形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。更
に、画素部形成工程における駆動素子の形成と、ドライ
バ形成工程におけるドライバ回路の少なくとも部分的な
形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。これ
らの結果、製造工程の簡略化及び低コスト化が図られ
る。

【００７７】本実施の形態では特に、基板１０の縁側
に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５に電
気信号を供給するための複数の実装端子１９が形成され
ており、保護パターン形成工程では、これらの実装端子
１９にも接続されるように第２保護パターン部１６ｂを
形成する。ここに“実装端子”とは、例えば、基板上の
縁に沿って設けられるＴＡＢ（テープ・オートメイテッ
ド・ボンディング）用のパッドなどであり、実装端子を
介して、外部ＩＣ回路等から各種のデータ信号、制御信
号、クロック信号、電源信号等がアクティブマトリクス
基板装置１に入力される。従って、実装端子１９に接続
された配線や素子を含む走査線駆動回路１４やデータ線
駆動回路１５内における静電破壊を、第２保護パターン
部１６ｂにより防止できる。

【００７８】本実施の形態では特に、図２に示すよう
に、保護パターン形成工程では、アクティブマトリクス
基板装置１の基板切断時又はパネル面取り時に切り離さ
れると第２保護パターン部による走査線１２、データ線
１３及び実装端子の相互接続状態が解消されるように、
第２保護パターン部１６ｂを、基板切断時又はパネル面
取り時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成す
る。従って、基板切断工程やパネル面取り工程により、
工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターン
の切断除去を行うことが出来る。更に、本実施の形態で
は、保護パターン形成工程では、基板切断時にアクティ
ブマトリクス基板装置１から切り離されるアクティブマ
トリクス基板装置１に隣接する他のアクティブマトリク
ス基板装置１との間の一本の基板切断ラインに沿ってジ
グザグに延びる部分を含むように（図１及び図２参
照）、第２保護パターン部１６ｂを形成する。従って、
相互に隣接するアクティブマトリクス基板装置１間に対
しては、一本の基板切断ラインに沿った基板切断処理の
みで足りるようにしながら、基板切断工程により工程数
を増加させることなく比較的容易に保護パターンの切断
除去を行うことが出来る。

【００７９】このように本発明のアクティブマトリクス
基板装置１は、大基板上に複数形成されるのが一般的で
あり、製造工程の終了間際に、このような大基板を基板
切断して切り離すようにする。そして、連絡部１６ｃの
形状や線幅を調整することにより、電気的検査を可能に
することもできる。

【００８０】また本実施の形態では特に、保護パターン
形成工程では、基板１０に垂直な方向から見て、連絡部
１６ｃを走査線駆動回路１４やデータ線駆動回路１５内
にある上層の配線に完全に重ならないように形成する。
このように形成すると、仮に連絡部１６ｃが走査線駆動
回路１４等内にある上層の配線に完全に重なってしまっ
た場合と比較して、この上層の配線と連絡部１６ｃとの
間に形成される容量を低減できる。この結果、保護パタ
ーンがドライバ回路の動作に及ぼす悪影響を低減でき
る。

【００８１】（変形形態）次に、アクティブマトリクス
基板装置１の変形形態について図４を参照して、説明す
る。

【００８２】本変形形態におけるアクティブマトリクス
基板装置１の製造方法は、走査線１２及びでデータ線１
３を介して供給される電気信号による電気的検査を可能
とする程度に、第１保護パターン部１６ａ、第２保護パ
ターン部１６ｂ及び連絡部１６ｃからなる保護パターン
により接続された走査線１２及びデータ線１３間の電気
抵抗を高める高抵抗の非線形素子の一例としての静電破
壊防止回路１８を、図４に示すように保護パターンの一
部に形成する素子形成工程を更に備える。

【００８３】図４において、静電破壊防止回路１８は、
二つのダイオード接続されたＴＦＴからなり、高電圧で
ある降伏電圧がかかった場合にのみ電流を長すように構
成されている。このように保護パターンを介して相互に
接続された走査線１２やデータ線１３間における電気抵
抗が高められているので、複数の配線を介して供給され
る電気信号による電気的検査が可能とされる。更に、ア
クティブマトリクス基板装置１における走査線１２やデ
ータ線１３を介して供給される走査信号やデータ信号に
よる通常動作を可能とする程度に、この静電破壊防止回
路１８を高抵抗に構成すれば、アクティブマトリクス基
板装置１の完成時に保護パターンが切断除去されていな
くても、アクティブマトリクス基板装置１の完成後に、
通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの切断
除去工程を省くことができ、しかも完成後における静電
破壊を防止することもできる。

【００８４】尚、このように静電破壊防止回路１８を挿
入するに、この保護パターン部分を高抵抗に形成しても
よい。例えば、ＩＴＯ膜からなる連絡部１６ｃにおける
線幅を狭くすることにより、抵抗を高めることができ
る。そして、アクティブマトリクス基板装置１における
走査線１２及びデータ線１３を介して供給される電気信
号による電気的検査を可能とする程度に、この連絡部１
６ｃを高抵抗に形成すれば、第１保護パターン１６ａを
切断除去した後には、複数の配線を介して供給される電
気信号による電気的検査が可能とされる。更に、アクテ
ィブマトリクス基板装置１における走査線１２及びデー
タ線１３を介して供給される走査信号やデータ信号によ
る通常動作を可能とする程度に、この連絡部１６ｃを高
抵抗に形成すれば、アクティブマトリクス基板装置１の
完成時に保護パターンが切断除去されていなくても、ア
クティブマトリクス基板装置１の完成後に、通常動作が
可能とされる。従って、第２保護パターン１６ｂや連絡
部１６ｃの切断除去工程を省くことができ、しかも完成
後における静電破壊を防止することもできる。

【００８５】（液晶パネルの実施の形態）次に、本発明
の電気光学パネルの一例としての液晶パネルの実施の形
態について図５及び図６を参照して説明する。尚、図５
は、液晶パネルの対向基板の側から見た平面図であり、
図６は、そのＨ−Ｈ’断面図である。

【００８６】図５及び図６に示すように、液晶パネル
は、基板１０上に各種配線や素子等が形成されてなる上
述のアクティブマトリクス基板装置１と、基板１０に対
向配置されたガラス基板等からなる対向基板２０と、基
板１０と対向基板２０とを画像表示領域１１の輪郭に沿
って相接着するシール材５２と、シール材５２により基
板１０と対向基板２０との間に封入された液晶５０と備
えて構成されている。

【００８７】シール材５２の外側の領域には、走査線駆
動回路１４、データ線駆動回路１５及び実装端子１９並
びにこれらを接続するための複数の配線１０５が設けら
れている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくと
も一個所において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０との間で電気的導通をとるための上下導通材（銀点）
１０６が設けられている。

【００８８】図６において、液晶層５０は、例えば一種
又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からな
る。シール材５２は、二つの基板１０及び２０をそれら
の周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離（基
板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入
されている。

【００８９】このように構成された液晶パネルは、上述
したアクティブマトリクス基板装置１を備えているの
で、静電破壊による不良品率が格段に低い。しかも、電
気的検査が精度良く行われており信頼性も高い。

【００９０】本実施の形態では特に図中破線で示す保護
パターン１６（第１保護パターン部１６ａ、第２保護パ
ターン部１６ｂ及び連絡部１６ｃ）は、画像表示領域１
１から見てシール材５２よりも外側に又はシール材５２
の直下に形成されている。前述のように、第１保護パタ
ーン１６ａについては、画素部におけるＴＦＴ工程中に
切断除去されるが、液晶パネルにアクティブマトリクス
基板装置１が組み込まれた状態においても、部分的に残
る場合もある。また、変形形態で説明したように完成後
にも積極的に保護パターンを静電破壊防止用に残す場合
もある。更に、第２保護パターン１６ｂ或いは連絡部１
６ｃについては、基板切断時まで切断除去されなかった
り、液晶パネルにアクティブマトリクス基板装置１が組
み込まれた状態においても、全部又は部分的に残る場合
もある。ここで、本実施の形態の場合、保護パターン１
６が画像表示領域１１から見てシール材５２よりも外側
又はシール材５２の直下に形成されているので、保護パ
ターン１６は、液晶５０に面することはない。従って、
走査線駆動回路１４やデータ線駆動回路１５上の連絡部
１６ｃと、これらの回路内の上層の配線等との間に形成
される容量の増大を防ぐことが出来る。加えて、連絡部
１６ｃを含む保護パターン１６の直流電圧が液晶に印加
されることにより液晶５０が劣化する事態を未然に防ぐ
ことが出来る。

【００９１】以上の結果、本実施の形態の液晶パネル
は、高精度の動作を長期に亘って行うことが可能であ
る。

【００９２】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板装置
の製造方法によれば、画像表示領域からドライバ回路の
上方を経由して基板の縁側にいたる連絡部分を含むよう
に保護パターンを形成するので、配線、画素部及びドラ
イバ回路が静電破壊の危険に曝される期間を短く出来
る。従って、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学
パネル用のアクティブマトリクス基板装置を、各種配
線、駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊を防止
しつつ製造できる。

【００９３】また、本発明のアクティブマトリクス基板
装置や電気光学パネルは、静電破壊による不良品率が格
段に低く、電気的検査を精度良く行うことも可能であ
り、保護パターンの存在によりアクティブマトリクス基
板装置の本来の機能が害されていることも殆ど又は全く
無く、しかも低コスト化が図られている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置
の構成を示す平面図である。

【図２】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置
における保護パターンの構成を示す平面図である。

【図３】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置
における保護パターンの構成を画素部のＴＦＴ及びデー
タ線駆動回路のＴＦＴと共に示す断面図である。

【図４】変形形態のアクティブマトリクス基板装置にお
ける静電破壊防止回路の回路図である。

【図５】本実施の形態の液晶パネルの平面図である。

【図６】図５のＨ−Ｈ’断面図である。

【符号の説明】

１…アクティブマトリクス基板装置 １０…基板 １１…画像表示領域 １２…走査線 １３…データ線 １４…走査線駆動回路 １５…データ線駆動回路 １６…保護パターン １８…静電破壊防止回路 １９…実装端子 ２０…対向基板 ２６…画素電極 ３０…画素部のＴＦＴ ３０’…データ線駆動回路のＴＦＴ ３１…半導体膜 ５０…液晶 ５２…シール材

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の中央側に位置する画像表示領域
   に、複数の画素部をマトリクス状に形成する画素部形成
   工程と、 該複数の画素部に夫々接続された複数の配線を形成する
   配線形成工程と、 前記画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号
   を供給するドライバ回路を形成するドライバ形成工程
   と、 前記複数の配線を相互に接続すると共に前記画像表示領
   域から前記ドライバ回路の上方を経由して前記基板の縁
   側に至る連絡部分を含む静電破壊防止用の導電性の保護
   パターンを形成する保護パターン形成工程とを備えたこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス基板装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記画素部形成工程では、前記複数の画
   素部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極
   を前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を形成し、 前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分を、少な
   くとも部分的に前記画素電極を形成するのと同じ層から
   形成し、 前記ドライバ形成工程では、前記ドライバ回路を少なく
   とも部分的に前記駆動素子を形成するのと同じ複数の層
   から形成することを特徴とする請求項１に記載のアクテ
   ィブマトリクス基板装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記画素部形成工程では、前記画素電極
   をＩＴＯ膜から形成し、前記駆動素子を薄膜トランジス
   タから形成することを特徴とする請求項２に記載のアク
   ティブマトリクス基板装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記保護パターン形成工程では、前記ド
   ライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周
   囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第1保護パ
   ターン部分を前記画素部形成工程以前に形成し、前記画
   素部形成工程の途中で該第1保護パターン部分を切断除
   去することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項
   に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記保護パターン形成工程では、前記第
   １保護パターン部分を、前記複数の配線のうち最も前記
   基板に近い層から形成された配線と同じ層から少なくと
   も部分的には形成することを特徴とする請求項４に記載
   のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記保護パターン形成工程では、前記第
   1保護パターン部分を切断除去する前に、前記連絡部分
   を形成し且つ前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側
   において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に
   接続する第２保護パターン部分を更に形成することを特
   徴とする請求項４又は５に記載のアクティブマトリクス
   基板装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記保護パターン形成工程では、前記画
   素部形成工程以前に前記ドライバ回路よりも中央側にお
   いて前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を
   相互に接続する第1保護パターン部分を当該アクティブ
   マトリクス基板装置における前記複数の配線を通して供
   給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度
   に少なくとも部分的に高抵抗に形成した後に前記連結部
   分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パ
   ターン部分を更に形成し、該第1保護パターン部分は前
   記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成
   工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする請求項
   １から３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス
   基板装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記ドライバ回路に電気信号を供給する
   ための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更
   に備えており、 前記保護パターン形成工程では、前記複数の実装端子に
   も接続されるように前記第２保護パターン部分を形成す
   ることを特徴とする請求項６から７に記載のアクティブ
   マトリクス基板装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記ドライバ回路に電気信号を供給する
   ための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更
   に備えており、 前記保護パターン形成工程では、前記基板上の前記ドラ
   イバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記
   複数の配線を相互に接続すると共に前記複数の実装端子
   を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成する
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載
   のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記保護パターン形成工程では、当該
    アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又は基板切
    断後の端面研磨処理時に切り離されると前記第２保護パ
    ターン部分による前記複数の配線及び前記複数の実装端
    子の相互接続状態が解消されるように、前記第２保護パ
    ターン部分を、該基板切断時又は基板切断後の端面研磨
    処理時時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成
    することを特徴とする請求項８又は９に記載のアクティ
    ブマトリクス基板装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記保護パターン形成工程では、前記
    基板切断時に当該アクティブマトリクス基板装置から切
    り離される当該アクティブマトリクス基板装置に隣接す
    る他のアクティブマトリクス基板装置との間の一本の基
    板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むよう
    に前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とす
    る請求項１０に記載のアクティブマトリクス基板装置の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記保護パターン形成工程では、当該
    アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線
    を介して供給される電気信号による電気的検査を可能と
    する程度に、前記保護パターンにより接続された複数の
    配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを少
    なくとも部分的に高抵抗に形成することを特徴とする請
    求項１から１１のいずれか一項に記載のアクティブマト
    リクス基板装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 当該アクティブマトリクス基板装置に
    おける前記複数の配線を介して供給される電気信号によ
    る電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンに
    より接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵抗
    の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素子
    形成工程を更に備えたことを特徴とする請求項１から１
    １のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装
    置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記保護パターン形成工程では、当該
    アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線
    を介して供給される前記駆動信号による通常動作を可能
    とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数
    の配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを
    少なくとも部分的に高抵抗に形成し、 前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成
    工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すこ
    とを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載
    のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 当該アクティブマトリクス基板装置に
    おける前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号
    による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターン
    により接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵
    抗の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素
    子形成工程を更に備えており、 前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成
    工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すこ
    とを特徴とする上述した請求項１から１１のいずれか一
    項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記ドライバ形成工程では、積層構造
    を持つように前記ドライバ回路を形成し、 前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分を前記ド
    ライバ回路内にある上層の配線に完全に重ならないよう
    に形成することを特徴とする請求項１から１５のいずれ
    か一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方
    法。
17. 【請求項１７】 請求項１から１６のいずれか一項に記
    載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法により製
    造されたことを特徴とするアクティブマトリクス基板装
    置。
18. 【請求項１８】 請求項１７に記載のアクティブマトリ
    クス基板装置と、該アクティブマトリクス基板装置に対
    向配置された対向基板とを備えたことを特徴とする電気
    光学パネル。
19. 【請求項１９】 前記アクティブマトリクス基板装置と
    前記対向基板とを前記画像表示領域の輪郭に沿って相接
    着するシール材と、 該シール材により前記アクティブマトリクス基板装置と
    前記対向基板との間に封入された液晶とを更に備えてお
    り、 前記保護パターンは、前記画像表示領域から見て前記シ
    ール材の外側又はシール材の直下に形成されていること
    を特徴とする請求項１８に記載の電気光学パネル。