JP2020521169A - アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

アレイ基板及びその製造方法が提供される。複数群のボンディング端子が基板上に形成され、第1静電保護ワイヤがその基板の周縁領域上に形成され、且つボンディング端子及び第1静電保護ワイヤを接続するよう第2静電保護ワイヤが形成されるため、ボンディング端子上の静電気が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤへと案内されて電荷が平衡し消費され、ひいてはアレイ基板を効果的に保護するという目的が達成される。

Description

本願はパネルディスプレイの分野、具体的にはアレイ基板及びその製造方法に関する。
昨今ではパネルディスプレイテクノロジがますます成熟し、それにつれ消費者が徐々にパネルディスプレイの外見及び多角的機能に対する注意を払うようになっている。そのため、現在の市場では、狭額(ナローベゼル)設計を採るパネルディスプレイが非常に一般化している。狭額設計を採るパネルディスプレイは、小型化が可能であるのと同時に、より広い視認エリアを人々に対し効果的に提供することができる。そのため、狭額設計が、将来のパネルディスプレイに向けた開発トレンド及び方向となっている。
しかしながら、額(ベゼル)の設計が狭まると周縁ワイヤエリアも同様に狭まり、帯電防止能が弱まる。生産プロセスにおいては、器具又はオペレータが製品に接触した際に静電気が不可避的に発生するので、製品が損傷して製品歩留まりに影響が及ぶこととなりやすい。
従来技術では、静電気により引き起こされる損傷が、一般的に以下の方法を通じ防止されている。例えば、設計時に周縁接地ワイヤの幅を広げる方法である。しかしながら、狭縁機構なる制限故に、ワイヤの幅を広げるのは割合に難しい。また例えば、オペレータに帯電防止リストストラップの着用を求める操作技術仕様を定める方法、帯電防止器具例えばイオンファンを付加する方法、良好な帯電防止性能を有する機械を購入及び確保して完全な接地により帯電防止能の改善を図る方法がある。しかしながら、これらの方法のいずれでも、静電気により引き起こされる損傷を効果的に避けることができなかった。
従って、静電損傷を防止することが、本件技術分野に習熟した者(いわゆる当業者)により解決されるべき喫緊の技術的問題である。
本願の目的は、静電損傷を避けアレイ基板を守ることができるよう、アレイ基板及びその製造方法を提供することにある。
上掲の目的を達成するため、本願では、基板と、その基板上に所在する複数群のボンディング端子と、その基板の周縁領域上に所在する第1静電保護ワイヤと、その基板上に所在する第2静電保護ワイヤと、を有し、各群のボンディング端子が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤに電気的に接続されたアレイ基板を提供する。
付随的には、その基板が、複数個の有効領域及びそれら複数個の有効領域を囲む周辺領域を有し、第1静電保護ワイヤがその周辺領域内に所在し、且つ上記複数群のボンディング端子が当該複数個の有効領域内にそれぞれ所在する。
付随的には、その有効領域が、表示領域及びその表示領域を囲む非表示領域を有し、ボンディング端子がその非表示領域内に所在する。
付随的には、各有効領域が、その周辺に配置されている第1静電保護ワイヤ及び/又は第2静電保護ワイヤに電気的に接続される。
付随的には、第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤを共に金属ワイヤとする。
付随的には、第1静電保護ワイヤが閉じた形状の楕円、円又は多角形をなす。
対応するが如く、本願では更に、
基板を準備するステップと、
その基板上に複数群のボンディング端子を形成し且つその基板の周縁領域内に第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤを形成するステップと、
を有し、各群のボンディング端子が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤに接続されるアレイ基板製造方法が提供される。
付随的には、その基板が、複数個の有効領域及びそれら複数個の有効領域を囲む周辺領域を有し、第1静電保護ワイヤがその周辺領域内に形成され、且つ上記複数群のボンディング端子が当該複数個の有効領域内にそれぞれ形成される。
付随的には、各有効領域が、その周辺に配置されている第1静電保護ワイヤ及び/又は第2静電保護ワイヤに電気的に接続される。
付随的には、複数群のボンディング端子の形成と、第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤの形成とが、同時に処理される。
従来技術に比し、本願にて提供されるアレイ基板及びその製造方法では、複数群のボンディング端子が基板上に形成され、第1静電保護ワイヤがその基板の周縁エリア上に形成され、ボンディング端子と第1静電保護ワイヤを接続するよう第2静電保護ワイヤが形成されるので、ボンディング端子上の静電気を第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤへと案内して電荷を平衡させ消費することができ、ひいてはアレイ基板を効果的に保護するという目的を達成することができる。
更に、第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤの形成と複数群のボンディング端子の形成とを同時に処理すれば、処理工程や処理コストが追加されない。
本願の実施形態に係るアレイ基板の模式的構造図である。 本願の実施形態に係る図1中の点Aの拡大図である。 本願の他の実施形態に係る図1中の点Aの拡大図である。 本願の実施形態に係る他のアレイ基板の模式的構造図である。
背景技術欄で述べたように、周縁ワイヤ用のエリアが狭いと帯電防止能が弱い。生産プロセスでは、器具やオペレータが製品に接触した際に静電気が不可避的に発生するので、製品が損傷して製品歩留まりに影響が及ぶこととなりやすい。
静電損傷を避けるため、本願では、基板と、その基板上に所在する複数群のボンディング端子と、その基板の周縁エリア上に所在する第1静電保護ワイヤと、その基板上に所在する第2静電保護ワイヤと、を有し、ボンディング端子が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤに接続されたアレイ基板を提供する。
本願により提供されるアレイ基板では、複数群のボンディング端子が基板上に形成され、第1静電保護ワイヤがその基板の周縁領域上に形成され、ボンディング端子と第1静電保護ワイヤを接続するよう第2静電保護ワイヤが形成されるので、ボンディング端子上の静電気を第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤへと案内して電荷を平衡させ消費することで、アレイ基板を効果的に保護するという目的を達成することができる。
本願の内容をよりわかりやすくするため、以下、添付図面を参照して本願の内容を更に述べることにする。確かなことに、本願はそれら具体的実施形態に限定されず、いわゆる当業者にとり周知な一般的置換物もまた本願の保護範囲内に収まる。
その際、模式図を用い本願を詳細に描出する。本願の実施形態を詳細に描出するに当たり、それら模式図は、記述を容易化する目的で以て部分的に拡大されていて、一般的な寸法比率に従っておらず、本願はそうしたものに限定されない。
図1に示されているのは、本願の実施形態に係るアレイ基板の模式的構造図である。図1に示すように、本願では、基板10と、基板10上に所在する複数群のボンディング端子20と、基板10の周縁領域上に所在する第1静電保護ワイヤ30と、基板10上に所在する第2静電保護ワイヤ40とを有し、ボンディング端子20が第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30に接続されたアレイ基板が提供されている。
好ましいことに、基板10は、複数個の有効領域11と、それら有効領域11を囲む周辺領域12とを有している。有効領域11は、表示スクリーンが追々形成されるエリアであって、好ましくも長方形であり、周辺領域12は後の切断後に廃棄されるエリアである。即ち、最終的に基板10は切断されて、有効領域11は表示スクリーンを形成すべく留置され、また周辺領域12は切断後に廃材となる。第1静電保護ワイヤ30は周辺領域12内に所在しており、複数群のボンディング端子20は複数個の有効領域11内にそれぞれ所在している。
有効領域11は、表示領域110と、表示領域110を囲む非表示領域112(図1にはある一辺上の非表示領域のみが示されている)とを有している。複数個の画素が表示領域110内に作成され、それにより画素アレイが形成されている。複数個の金属層が非表示領域112内に配置され、それにより周辺回路が形成されている。総じて、各画素は、少なくとも1個の薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有している。各画素は、2本の近隣スキャンライン及び2本の近隣データラインにより囲まれている。それらスキャンライン及びデータラインが表示領域110から非表示領域112へと延び、非表示領域112の周辺回路を介し駆動チップに接続されているので、その表示スクリーンの通常動作を実現することができる。ボンディング端子20は非表示領域112のボンディングエリア内に所在しており、駆動チップにボンディングされるべく用いられている。
至便性なる目的を踏まえ、図1にはボンディング端子20を9群しか示していないが、他の諸実施形態でのボンディング端子20の群数は限定されない。基板上に形成されるボンディング端子20の群数は、アレイ基板切断後に形成される表示スクリーンと同数である。即ち、1個の表示スクリーンが1群のボンディング端子20を必要とする。加えて、ボンディング端子20の1群内のボンディング端子の個数も、表示スクリーンの条件/要請に従い決まるのであり、本願では限定されない。
第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40は共に導電素材製のワイヤであり、金属ワイヤであるのが望ましい。第1静電保護ワイヤ30は周辺領域12内に所在している。不要になる周辺領域12内に周縁ワイヤが配置されるため、第1静電保護ワイヤ30の幅は広ければ広いほどよい。第1静電保護ワイヤ30の幅は0.1mm超であるのが望ましい。第2静電保護ワイヤ40は、ボンディング端子20と第1静電保護ワイヤ30とを接続するのに用いられている。同様に、第2静電保護ワイヤ40の幅は0.1mm超であるのが望ましい。
図1及び図2に示すように、各ボンディング端子20は、第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30に接続されている。図2に示されているのは、本願の実施形態に係る図1中の点Aの拡大図である。ボンディング端子20の各群内の各ボンディング端子は水平方向(横方向)に沿い規則的に配列されており、垂直方向(縦方向)沿いに延びる第2静電保護ワイヤを介し、水平方向沿いに延びる第2静電保護ワイヤに接続されている。即ち、静電保護ワイヤ40は垂直方向に沿い配置された複数本の第2静電保護ブランチ41を有しており、その第2静電保護ブランチ41の本数が各群内のボンディング端子20と同数とされている。第2静電保護ブランチ41はボンディング端子20と1対1に対応し、それに電気的に接続されている。その上、第2静電保護ワイヤ40は、水平方向に沿い配置された第2静電保護ブランチ42をも有している。第2静電保護ブランチ41は第2静電保護ブランチ42に接続されており、最終的には第1静電保護ワイヤ30に接続されている。複数本ある第2静電保護ブランチ41は、同じライン幅及び長さを有し平行に配列されている。
図2では、ボンディング端子20の各群内の各ボンディング端子が長方形であり、それらボンディング端子が水平方向に沿い規則的に配列されている。更に、ボンディング端子の短辺が水平方向に沿っており、またその長辺が垂直方向に沿っている。しかしながら、他の諸実施形態では、ボンディング端子が別の形状及び配列を呈することがある。図3に示されているのは、本願の他の実施形態に係る図1中の点Aの拡大図である。図3に示すように、ボンディング端子20の各群内の各ボンディング端子は長方形であり、それらボンディング端子が概ね扇形をなし配列されている。更に、各ボンディング端子の長辺方向に沿った仮想延長線21(好ましくは中心軸を通るもの)が、ベースライン(基線)22(垂直方向)に対しある傾斜角をなし、且つ同一点Pにてベースライン22と交差している。確かなことに、ボンディング端子が外寄りで収束していて、従って点Pが表示領域から離れた側に所在するのでもよいし(図3に示すそれ)、ボンディング端子が外寄りで発散していて、従って点Pが表示領域寄りの側に所在するのでもよい。ボンディング端子の同一群内では、ベースライン22からより遠く離れているボンディング端子の仮想延長線21が、ベースライン22に対し、より大きな角度をなしている。
本実施形態では、各ボンディング端子が占める面積を同じにすること、即ち各ボンディング端子を同じ形状及びサイズにすることや、ベースライン30の方向に沿った各ボンディング端子の長さを同じにすることができる。好ましいことに、各ボンディング端子の二端を、三角形、楔形、台形等の形状を呈するものとすることができる。即ち、ボンディング端子のうち駆動チップにボンディングされるべき部分を長方形に保つことで、圧着面積を確保する一方、ボンディング端子の二端を先細りにすることで、近隣ボンディング端子間ギャップを広げて近隣ボンディング端子間回路短絡を効果的に防止することができる。
図3に示すように、ボンディング端子20の各群内の各ボンディング端子は、仮想延長線21の方向沿いに延びる第2静電保護ワイヤを介し、水平方向沿いに延びる第2静電保護ワイヤに接続されている。即ち、静電保護ワイヤ40はボンディング端子20の仮想延長線21の方向に沿い配置された複数本の第2静電保護ブランチ41を有しており、それら第2静電保護ブランチ41の本数が各群内のボンディング端子20と同数とされている。第2静電保護ブランチ41は、ボンディング端子20と1対1に対応しそれに電気的に接続されている。更に、第2静電保護ワイヤ40は、水平方向に沿い配置された第2静電保護ブランチ42をも有している。第2静電保護ブランチ41は第2静電保護ブランチ42に接続されており、最終的には第1静電保護ワイヤ30に接続されている。複数本ある第2静電保護ブランチ41を同じ幅にすることができる。
本実施形態では、各ボンディング端子の長辺方向に沿った仮想延長線21が、ベースライン22と、ある同じ点Pにて、即ち外寄り収束点であり表示領域から離れた側に所在する点にて交差している。更に、点Pは、第2静電保護ブランチ42の片側、表示領域から遠い方に所在している。他の諸実施形態では、点Pが第2静電保護ブランチ42上に所在していることもあり得、この場合には仮想延長線21が第2静電保護ブランチ41と厳密に一致する。確かなことに、点Pが表示領域・第2静電保護ブランチ42間に所在していることもあり得、これは本願にて限定されるものではない。
確かなことに、図2及び図3は図1中の点Aの模式的拡大図であり、中庸位置に所在するボンディング端子の接続状況を示している。そのボンディング端子20(ひいては最終的に形成される表示スクリーン)が基板10の下縁に所在しているのなら、第2静電保護ブランチ42は必要なく、第2静電保護ブランチ41が直に第1静電保護ワイヤ30に接続される。
ボンディング端子20は、第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30に接続される。その後、後続の製造プロセスにて、ボンディング端子20により生じた(或いは有効領域11内で生じた)静電気を、第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30へと案内して電荷を平衡させ消費することができるので、静電気により引き起こされる損傷を防いで、アレイ基板を効果的に保護するという目的を達成することができる。
ご理解頂けるように、静電気を第1静電保護ワイヤ30を介し排出することもできる。例えば、第1静電保護ワイヤ30がゼロ電位に接続される。或いは、第1静電保護ワイヤ30上にテーパ部を形成すること、即ち第1静電保護ワイヤの一区画を狭めていくことで、静電気をそのテーパ部から容易に逃がすことができ、またその静電荷の解放速度を高めることもできる。
本実施形態では、第1静電保護ワイヤ30が閉じた形状、例えば閉じた楕円、円又は多角形或いはいわゆる当業者にとり既知な他形状を呈している。その多角形は三角形、四角形、五角形等でありうる。長方形をなす第1静電保護ワイヤ30が図1にて例として用いられているが、本願はそれに限定されない。確かなことに、他の諸実施形態では、第1静電保護ワイヤ30が閉じていない形状を呈することもありうる。
図4に示されているのは、本願の実施形態に係る他のアレイ基板の模式的構造図である。図4に示すように、本願では、基板10と、基板10上に所在する複数群のボンディング端子20と、基板10の周縁領域上に所在する第1静電保護ワイヤ30と、基板10上に所在する第2静電保護ワイヤ40とを有し、ボンディング端子20が第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30に接続されたアレイ基板を提供している。このアレイ基板では、各有効領域11が、その周辺に配置された第1静電保護ワイヤ30及び/又は第2静電保護ワイヤ40に電気的に接続されている。図4に示すように、本実施形態では、第2静電保護ワイヤ40が垂直方向に沿い有効領域11間にも配置されており、その第2静電保護ワイヤを、第1静電保護ワイヤ30と、水平方向に沿う第2静電保護ワイヤとに接続することで、静電保護ワイヤの総面積又は全長を改善して静電気を更に平衡させ消費している。
ご理解頂けるように、本願における水平方向及び垂直方向は、共に、図示内容を本願描出用の参照基準として捉えるものであり、実際の製品における水平方向及び垂直方向を示すものではない。例えば、本願における「垂直方向」は、図中の垂直方向であることも、図中の垂直方向に対し垂直な水平方向を指すこともあるし、「水平方向」は、図中の水平方向であることも、図中の水平方向に対し垂直な垂直方向を指すこともある。即ち、本願における「水平方向」及び「垂直方向」の意味合いは、従来的な感覚での「水平方向」及び「垂直方向」に限定されない。
対応するが如く、本願では更に、先に述べた2個の実施形態のアレイ基板を形成するのに用いられるアレイ基板製造方法を提供している。図1〜図4に示すように、本アレイ基板製造方法は、
基板10を準備するステップと、
基板10上に複数群のボンディング端子20を且つ基板10の周縁領域上に第1静電保護ワイヤ30を形成するステップと、
基板10上に第2静電保護ワイヤ40を形成するステップと、を有し、ボンディング端子20が第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30に接続されるものである。
具体的には基板10が準備される。基板10は透明素材、例えばガラス、石英、シリコンウェハ、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、金属箔等で作成することができる。基板10はリジッド基板でもフレキシブル基板でもよい。基板10の選択及び前処理は、いわゆる当業者にとりなじみ深いので詳細には再述しない。
基板10は、複数個の有効領域11と、有効領域11を囲む周辺領域12とを有している。有効領域11は表示スクリーンが追々形成されるエリアである。周辺領域12は切断後に廃棄されるエリアである。有効領域11は、表示領域110と、表示領域110を囲む非表示領域112とを有している。表示領域110は、基板10上にスキャンライン、データライン、トランジスタスイッチ、画素電極等を形成するのに追々用いられる。非表示領域112は、基板10上に周辺ワイヤを形成することで表示領域110上のスキャンライン、データライン等を駆動チップに接続するのに、追々用いられる。
次いで、スキャンライン、データライン、トランジスタスイッチ、画素電極等が表示領域110内に形成される。複数個の金属層が非表示領域112内に形成され、それにより周辺回路が形成される。更に、ボンディング端子20が非表示領域112内に形成される際に、第1静電保護ワイヤ30が基板10の周縁領域(即ち周辺領域12)上に形成され、第2静電保護ワイヤ40が基板10上に形成される。第1静電保護ワイヤ30は第2静電保護ワイヤ40を介しボンディング端子20に接続される。
第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40の形成と、ボンディング端子20の形成は、同時に処理することができる。確かなことに、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40を、表示領域110内のスキャンライン、データライン、トランジスタスイッチ又は画素電極と、或いは非表示領域112内の複数個の金属層のうち一つと、同じ処理工程にて形成することもできる。即ち、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40の形成では処理工程又は処理コストが何も付加されないであろう。
ボンディング端子20を例として用いると、まず、金属層が基板10上に形成され、パターン化フォトレジスト層がその金属層上に形成される。パターン化フォトレジスト層により、ボンディング端子、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40用のエリアが露出される。その上で、そのパターン化フォトレジスト層をマスクとして用い金属スパッタリングを実行することで、ボンディング端子20、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40を形成することができる。従って、形成された第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40では処理工程が何も付加されないであろう。
ご理解頂けるように、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40を非表示領域112内の複数個の金属層と同じ処理工程にて形成する際には、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40をも複数層を有するものとし、ひいては保護ワイヤの断面積を増やして静電気を更に平衡させ消費することができる。即ち、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40が単一層を有するのでも複数層を有するのでもよい。確かなことに、第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40を相独立に形成してもよい。
第1静電保護ワイヤ30及び第2静電保護ワイヤ40は導電素材製のワイヤ、好ましくは金属ワイヤとされ、或いは同じ処理工程にて形成されたボンディング端子20、画素電極又は複数個の金属層のそれと同じ素材で作成される。
スキャンライン及びデータラインが、表示領域110から非表示領域112へと延び、非表示領域112の周辺回路を介し駆動チップに電気的に接続されるので、その駆動チップにより、非表示領域112にボンディングされている端子20の駆動が実現される。従って、有効領域11内で生じた静電気を駆動端子20へと転送し、次いで第2静電保護ワイヤ40を介し第1静電保護ワイヤ30へと案内することができるので、その電気を平衡させ消費して、アレイを効果的に保護するという目的を達成することができる。
結論として、本願にて提供されるアレイ基板及びその製造方法では、複数群のボンディング端子が基板上に形成され、第1静電保護ワイヤがその基板の周縁領域上に形成され、ボンディング端子と第1静電保護ワイヤを接続するよう第2静電保護ワイヤが形成されるので、ボンディング端子上の静電気を第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤへと案内して電荷を平衡させ消費することができ、ひいてはアレイ基板を効果的に保護するという目的を達成することができる。
更に、第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤの形成とボンディング端子の形成とが同時に処理されるので、処理工程や処理コストが追加されない。
上掲の記述は本願の単なる好適諸実施形態であり、本願の技術的範囲を限定する意図のものではない。上掲の開示に従いいわゆる当業者がなす全ての改変及び修正は、別項の諸請求項の技術的範囲内に収まろう。

Claims (10)

  1. 基板と、
    上記基板上に所在する複数群のボンディング端子と、
    上記基板の周縁領域上に所在する第1静電保護ワイヤと、
    上記基板上に所在する第2静電保護ワイヤと、
    を備え、各群のボンディング端子が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤに電気的に接続されたアレイ基板。
  2. 上記基板が、複数個の有効領域及びそれら複数個の有効領域を囲む周辺領域を有し、第1静電保護ワイヤがその周辺領域内に所在し、且つ上記複数群のボンディング端子が当該複数個の有効領域内にそれぞれ所在することを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
  3. 上記有効領域が、表示領域及びその表示領域を囲む非表示領域を有し、上記ボンディング端子がその非表示領域内に所在することを特徴とする請求項2記載のアレイ基板。
  4. 各有効領域が、その周辺に配置されている第1静電保護ワイヤ及び/又は第2静電保護ワイヤに電気的に接続されたことを特徴とする請求項2記載のアレイ基板。
  5. 第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤが共に導電素材製であることを特徴とする請求項4記載のアレイ基板。
  6. 第1静電保護ワイヤが閉じた形状の楕円、円又は多角形をなすことを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか記載のアレイ基板。
  7. 基板を準備するステップと、
    上記基板上に複数群のボンディング端子を形成し且つその基板の周縁領域上に第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤを形成するステップと、
    を有し、各群のボンディング端子が第2静電保護ワイヤを介し第1静電保護ワイヤに接続されるアレイ基板製造方法。
  8. 上記基板が、複数個の有効領域及びそれら複数個の有効領域を囲む周辺領域を有し、第1静電保護ワイヤがその周辺領域内に形成され、且つ上記複数群のボンディング端子が当該複数個の有効領域内にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項7記載のアレイ基板製造方法。
  9. 各有効領域が、その周辺に配置されている第1静電保護ワイヤ及び/又は第2静電保護ワイヤに電気的に接続されることを特徴とする請求項8記載のアレイ基板製造方法。
  10. 複数群のボンディング端子の形成と、第1静電保護ワイヤ及び第2静電保護ワイヤの形成とが、同時に処理されることを特徴とする請求項7記載のアレイ基板製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706402B (zh) * 2019-06-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
US20230145250A1 (en) * 2020-07-30 2023-05-11 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Substrate structure, on-chip structure, and method for manufacturing on-chip structure
CN114167655A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 Oppo广东移动通信有限公司 电致变色模组、盖板组件及电子设备
CN112991941B (zh) * 2021-02-01 2022-09-06 深圳英伦科技股份有限公司 ePanel个性化尺寸的阵列基板及加工方法
CN114188381B (zh) * 2021-12-03 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168969A (ja) * 1992-12-01 1994-06-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその基板
JPH11282386A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル
US6013923A (en) * 1995-07-31 2000-01-11 1294339 Ontario, Inc. Semiconductor switch array with electrostatic discharge protection and method of fabricating
JP2000347206A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001166338A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2002334736A (ja) * 2001-05-07 2002-11-22 Advanced Display Inc 高密度基板の端子部
JP2005517300A (ja) * 2002-02-08 2005-06-09 キネティック リミテッド 光検出器回路
CN101145565A (zh) * 2006-09-15 2008-03-19 龙腾光电(控股)有限公司 多倒角薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置
US20080204618A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Min-Kyung Jung Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
JP2009205084A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Displays Ltd ガラス基板を用いた画像表示装置およびその製造方法
US20100163284A1 (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Mitsubishi Electric Corporation Array, substrate, and display device and its manufacturing method
JP2014186085A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法
JP2015021843A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社島津製作所 放射線検出器、放射線検出装置及び放射線分析装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW440736B (en) * 1997-10-14 2001-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP3883720B2 (ja) 1998-12-18 2007-02-21 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
CN1228669C (zh) * 2003-10-17 2005-11-23 友达光电股份有限公司 静电放电防护结构
JP4583052B2 (ja) * 2004-03-03 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリクス型表示装置
KR100977978B1 (ko) * 2006-05-25 2010-08-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR20080078089A (ko) * 2007-02-22 2008-08-27 삼성전자주식회사 표시기판 및 이의 제조 방법, 표시장치
KR101383964B1 (ko) * 2007-03-15 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
TW200937069A (en) 2008-02-25 2009-09-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active device array substrate and liquid crystal display panel
CN201174016Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-31 上海广电光电子有限公司 液晶显示装置的tft完成基板
CN101998754A (zh) * 2009-08-26 2011-03-30 金宝电子工业股份有限公司 静电放电防护结构与使用其的电子装置
CN102023408B (zh) * 2009-09-11 2013-04-03 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
TWI401492B (zh) 2010-05-17 2013-07-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板及其修補方法
CN101923256B (zh) * 2010-07-30 2012-01-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶显示器的制造方法
JP2012195432A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Toshiba Corp 半導体集積回路
TW201327312A (zh) * 2011-12-19 2013-07-01 Wintek Corp 具有靜電防護結構之觸控面板
CN103186307B (zh) * 2013-03-26 2015-10-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
US10015916B1 (en) * 2013-05-21 2018-07-03 Xilinx, Inc. Removal of electrostatic charges from an interposer via a ground pad thereof for die attach for formation of a stacked die
CN104298380B (zh) 2013-07-16 2017-05-24 宏达国际电子股份有限公司 触控面板
CN203616554U (zh) * 2013-12-25 2014-05-28 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104297967B (zh) * 2014-10-16 2018-04-20 昆山龙腾光电有限公司 阵列母基板及其加热装置
TWM502189U (zh) 2014-12-22 2015-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示母基板及顯示基板
DE102015104409B4 (de) * 2015-03-24 2019-12-12 Tdk-Micronas Gmbh Halbleiter-Anordnung mit ESD-Schutzschaltung
CN205193390U (zh) * 2015-12-08 2016-04-27 上海中航光电子有限公司 显示面板、显示装置及基板
CN205334003U (zh) 2015-12-30 2016-06-22 深圳秋田微电子有限公司 一种具有静电防护条的液晶显示屏
CN106842691A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 成都京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及制作方法、显示装置
KR102321868B1 (ko) * 2017-04-03 2021-11-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168969A (ja) * 1992-12-01 1994-06-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその基板
US6013923A (en) * 1995-07-31 2000-01-11 1294339 Ontario, Inc. Semiconductor switch array with electrostatic discharge protection and method of fabricating
JPH11282386A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル
JP2000347206A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001166338A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2002334736A (ja) * 2001-05-07 2002-11-22 Advanced Display Inc 高密度基板の端子部
JP2005517300A (ja) * 2002-02-08 2005-06-09 キネティック リミテッド 光検出器回路
CN101145565A (zh) * 2006-09-15 2008-03-19 龙腾光电(控股)有限公司 多倒角薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置
US20080204618A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Min-Kyung Jung Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
JP2008203856A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板、及びその製造方法、表示装置
JP2009205084A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Displays Ltd ガラス基板を用いた画像表示装置およびその製造方法
US20100163284A1 (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Mitsubishi Electric Corporation Array, substrate, and display device and its manufacturing method
JP2010152091A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Mitsubishi Electric Corp アレイ基板及び表示装置
JP2014186085A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法
JP2015021843A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社島津製作所 放射線検出器、放射線検出装置及び放射線分析装置

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