TWI662331B - 陣列基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種陣列基板及其製造方法，在襯底基板上形成多組接合端子，在襯底基板的邊緣區域上形成第一靜電防護線，並形成第二靜電防護線連接該接合端子與該第一靜電防護線，從而藉由第二靜電防護線將接合端子上的靜電導引至第一靜電防護線來平衡消耗電荷量，達到有效保護陣列基板的目的。

Description

陣列基板及其製造方法
本發明係關於平板顯示領域，特別有關於一種陣列基板及其製造方法。
目前，隨著平面顯示技術的不斷成熟，消費者逐漸將目光投向平面顯示器的外觀以及其多樣化的功能，所以，現在市場中採用窄邊框設計的平面顯示器已經屢見不鮮。採用窄邊框設計的平面顯示器，其體積能够得到最大限度的壓縮，於此同時，也有效地使人覺得可視面積更為開闊，因此，窄邊框設計是未來平面顯示器的發展潮流與發展方向。
但是由於邊框設計越來越窄，邊緣走線區也隨之變窄，導致抗靜電能力減弱。在生產作業過程中，由於設備或人員接觸產品時難免會產生靜電，產生的靜電容易造成產品損傷，影響產品的良率。
現有技術中一般藉由以下幾種方式來避免靜電造成的損傷，例如：在設計時，增加邊緣地線的線寬，但是由於窄邊框機構的限制，增加線寬較難實現；再例如：規範作業手法，要求作業人員佩戴靜電手環；增加離子風扇等防靜電設備；購買防靜電較好的設備機台，並保證設備接地良好，提高設備防靜電能力，但是這些方法均無法有效的避免靜電的損傷。
因此，如何防止靜電損傷是本領域技術人員極需解决的技術問題。
本發明的目的在於提供一種陣列基板及其製造方法，避免靜電損傷，達到保護陣列基板的效果。
為實現上述目的，本發明提供一種陣列基板，包括：襯底基板，位於該襯底基板上的多組接合端子，位於該襯底基板的邊緣區域上的第一靜電防護線，以及位於該襯底基板上的第二靜電防護線，其中，每組接合端子藉由該第二靜電防護線連接至該第一靜電防護線。
可選的，該襯底基板包括多個有效區以及包圍多個有效區的週邊區，該第一靜電防護線位於該週邊區內，多組接合端子分別位於多個有效區內。
可選的，多個有效區包括顯示區與包圍該顯示區的非顯示區，接合端子位於該非顯示區內。
可選的，每個有效區的周邊設置有電連接的該第一靜電防護線和/或第二靜電防護線。
可選的，該第一靜電防護線與第二靜電防護線均為金屬導線。
可選的，該第一靜電防護線呈閉合的橢圓形、圓形或多邊形。
相應的，本發明還提供一種陣列基板的製造方法，包括：提供一襯底基板； 在該襯底基板上形成多組接合端子，在該襯底基板的邊緣區域上形成第一靜電防護線與第二靜電防護線，其中，該第二靜電防護線連接每組接合端子與該第一靜電防護線。
可選的，該襯底基板包括多個有效區以及包圍多個有效區的週邊區，該第一靜電防護線形成於該週邊區內，多組接合端子分別形成於多個有效區內。
可選的，每個有效區的四周形成有電連接的該第一靜電防護線和/或第二靜電防護線。
可選的，接合端子、第一靜電防護線與第二靜電防護線在同一工藝步驟中形成。
與現有技術相比，本發明提供的陣列基板及其製造方法中，在襯底基板上形成多組接合端子，在襯底基板的邊緣區域上形成第一靜電防護線，並形成第二靜電防護線連接接合端子與該第一靜電防護線，從而藉由第二靜電防護線將接合端子上的靜電導引至第一靜電防護線來平衡消耗電荷量，達到有效保護陣列基板的目的。
進一步的，第一靜電保護線、第二靜電保護線與接合端子在同一工藝步驟中形成，不會增加工藝步驟及工藝成本。
10‧‧‧襯底基板
11‧‧‧有效區
12‧‧‧週邊區
20‧‧‧接合端子
21‧‧‧虛擬延長線
22‧‧‧基準線
30‧‧‧第一靜電防護線
40‧‧‧第二靜電防護線
41‧‧‧第二靜電防護支線
42‧‧‧第二靜電防護支線
110‧‧‧顯示區
112‧‧‧非顯示區
P‧‧‧交匯點
圖1為本發明實施例所提供的一種陣列基板的結構示意圖；圖2為本發明一實施例中圖1在A處的放大圖；圖3為本發明另一實施例中圖1在A處的放大圖；圖4為本發明實施例所提供的另一種陣列基板的結構示意圖。
如背景技術所述，由於邊緣走線區較窄，導致抗靜電能力減弱。在生產作業過程中，由於設備或人員接觸產品時難免會產生靜電，產生的靜電容易造成產品損傷，影響產品的良率。
為了避免靜電損傷，本發明提供一種陣列基板，包括：襯底基板，位於該襯底基板上的多組接合端子，位於該襯底基板的邊緣區域上的第一靜電防護線，以及位於該襯底基板上的第二靜電防護線，其中，多組接合端子藉由該第二靜電防護線連接至該第一靜電防護線。
本發明提供的陣列基板中，在襯底基板上形成多組接合端子，在襯底基板的邊緣區域上形成第一靜電防護線，並形成第二靜電防護線連接多組接合端子與該第一靜電防護線，從而藉由第二靜電防護線將接合端子上的靜電導引至第一靜電防護線來平衡消耗電荷量，達到有效保護陣列基板的目的。
為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容做進一步說明。當然本發明並不侷限於該具體實施例，本領域的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。
其次，本發明利用示意圖進行詳細的表述，在詳述本發明實例時，為了便於說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應對此作為本發明的限定。
請參考圖1所示，其為本發明實施例所提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖1所示，本發明提出一種陣列基板，包括：襯底基板10，位於該襯底基板10上的多組接合端子20，位於 該襯底基板10的邊緣區域上的第一靜電防護線30，以及位於該襯底基板10上的第二靜電防護線40，其中，多組接合端子20藉由該第二靜電防護線40連接至該第一靜電防護線30。
較佳的，該襯底基板10包括多個有效區11以及包圍多個有效區11的週邊區12，多個有效區11為後續形成顯示幕的區域，較佳為長方形，該週邊區12為後續將被切割之後廢棄的區域，即最終對襯底基板10進行切割，保留多個有效區11形成顯示幕，該週邊區12成為切割之後的廢棄料。該第一靜電防護線30位於該週邊區12內，多組接合端子20分別位於多個有效區11內。
多個有效區11包括顯示區110與包圍該顯示區110的非顯示區112(在圖1中僅示出了一側的非顯示區)，該顯示區110內配置有多個像素以形成像素陣列，該非顯示區112則設置有多層金屬層以構成周邊線路，每個像素一般至少包括薄膜電晶體以及與該薄膜電晶體連接的像素電極，且每個像素都被兩條相鄰的掃描線以及兩條相鄰的資料線包圍。這些掃描線以及資料線從該顯示區110延伸至該非顯示區112，並藉由該非顯示區112的周邊線路與驅動晶片電連接，進而實現顯示幕的正常工作。多組接合端子20位於該非顯示區112內的接合區內，用於接合驅動晶片。
在圖1中為了方便僅顯示出9組接合端子20，在其他實施例中，接合端子20的組數並不受限定，一個陣列基板切割之後形成多少個顯示幕，則在該襯底基板上形成相同組數的接合端子20，即一個顯示幕需要一組接合端子20。另外，一組接合端子20內接合端子的個數也根據顯示幕的需求來確定，本發明對比並不做限定。
該第一靜電防護線30與第二靜電防護線40均為由導電材料製作而成的導線，較佳為金屬線。該第一靜電防護線30位於該週邊區12內，在該週邊區12內不需要設置邊緣走線，因此，該第一靜電防護線30的線寬越寬越好，較佳的，該第一靜電防護線30的線寬大於0.1mm。該第二靜電防護線40用於連接接合端子20與該第一靜電防護線30。同樣的，該第二靜電防護線40的線寬較佳為大於0.1mm。
請參照圖1與圖2所示，每個接合端子20均藉由該第二靜電防護線40連接到該第一靜電防護線30。如圖2所示，其為本發明一實施例中圖1在A處的放大圖，每一組接合端子20內的每個接合端子沿水平方向規則排列，藉由在垂直方向上延伸的第二靜電防護線連接到沿水平方向延伸的第二靜電防護線上，即該第二靜電防護線40包括多個沿垂直方向排列的第二靜電防護支線41，第二靜電防護支線41的數量與每組中接合端子20的數量相等，該第二靜電防護支線41與接合端子20一一對應並電連接，並且該第二靜電防護線40還包括沿水平方向排列的第二靜電防護支線42，該第二靜電防護支線42用於連接該第二靜電防護支線41，並最終連接至該第一靜電防護線30。其中，多個第二靜電防護支線41的線寬和長度均相等，且相互平行排列。
在圖2中，每一組接合端子20內的每個接合端子均呈長方形，沿水平方向規則排列，且其短邊方向為水平方向，長邊方向為垂直方向，但是在其他實施例中，接合端子可以具有不同的形狀以及不同的排列方式，請參考圖3所示，其為本發明另一實施例中圖1在A處的放大圖，如圖3所示，每一組接合端子20內的 每個接合端子均呈長方形，大致排列成扇形，且每個接合端子長邊方向的虛擬延長線21(較佳經過中軸線)與基準線22(垂直方向)具有一定的傾斜角度，且相交於基準線22上的同一交匯點P。當然，各接合端子可以向外收斂，即交匯點P位於遠離該顯示區的一側(如圖3所示)，也可以向外發散，即交匯點P位於靠近該顯示區的一側。在同一組的接合端子內，與基準線22距離越遠的接合端子的虛擬延長線21與基準線22的夾角越大。
本實施例中，各接合端子的所占面積可以設置為相同，即各接合端子的形狀一致大小相同，或者，各接合端子在基準線30方向的長度設置為相同。較佳的，各接合端子的兩端的形狀可以設置為三角線、鍥形、側梯形等形狀，即在接合端子需要與驅動晶片接合的部位形狀保持矩形，以保證壓接面積，而在接合端子的兩端的形狀為尖形，以增加相鄰兩個接合端子之間的間隙，進而有效的避免相鄰兩個接合端子之間短路的情況。
請參考圖3所示，每一組接合端子20內的每個接合端子均藉由在虛擬延長線21所在方向上延伸的第二靜電防護線連接到沿水平方向延伸的第二靜電防護線上，即該第二靜電防護線40包括多個沿接合端子20的虛擬延長線21所在方向排列的第二靜電防護支線41，第二靜電防護支線41的數量與每組中接合端子20的數量相等，該第二靜電防護支線41與接合端子20一一對應並電連接，並且該第二靜電防護線40還包括沿水平方向排列的第二靜電防護支線42，該第二靜電防護支線42用於連接該第二靜電防護支線41，並最終連接至該第一靜電防護線30。其中，多個第二靜電防護支線41的線寬可相等。
在本實施例中，每個接合端子長邊方向的虛擬延長線21相交於基準線22上的同一交匯點P，該交匯點P向外收斂，遠離該顯示區的一側，並且該交匯點P位於該第二靜電防護支線42遠離該顯示區的一側。在其他實施例中，該交匯點P也可以正好位於該第二靜電防護支線42上，則該虛擬延長線21與該第二靜電防護支線41完全重合。當然，該交匯點P也可以位於該顯示區與該第二靜電防護支線42之間。本發明對此不做限定。
當然，由於圖2與圖3是圖1在A處的放大示意圖，顯示的是位於中間位置處的接合端子的連接情況，若該接合端子20(即最終形成的顯示幕)位於該襯底基板10的下邊緣，則無需該第二靜電防護支線42，該第二靜電防護支線41直接連接至該第一靜電防護線30即可。
該接合端子20藉由該第二靜電防護線40連接至該第一靜電防護線30，則在後續製作過程中，該接合端子20(或者有效區11內)產生的靜電均可以藉由該第二靜電防護線40導引至該第一靜電防護線30上，從而平衡消耗電荷量，避免由於靜電造成的損傷，達到有效保護陣列基板的目的。
可以理解的是，也可以藉由該第一靜電防護線30將靜電匯出，例如將該第一靜電防護線30連接至零電位，或者，可以在該第一靜電防護線30上製作錐形部，即其中一段該第一靜電防護線由寬變窄，靜電容易從該錐形部釋放，還可以提高靜電荷的釋放速度。
本實施例中，該第一靜電防護線30呈閉合形狀，例如呈閉合的橢圓形、圓形或多邊形，或本領域技術人員已知的其他 形狀，該多邊形可以為三角形、四邊形、五邊形等，在圖1中以該第一靜電防護線30為矩形為例進行說明，本發明對此並不做限定。當然，在其他實施例中，該第一靜電防護線30也可以是不閉合形狀。
請參考圖4所示，其為本發明實施例所提供的另一種陣列基板的結構示意圖，如圖4所示，本發明提出一種陣列基板，包括：襯底基板10，位於該襯底基板10上的多組接合端子20，位於該襯底基板10的邊緣區域上的第一靜電防護線30，以及位於該襯底基板10上的第二靜電防護線40，其中，多組接合端子20藉由該第二靜電防護線40連接至該第一靜電防護線30。該陣列基板中，每個有效區11的四周設置有電連接的該第一靜電防護線30和/或第二靜電防護線40。如圖4所示，在本實施例中，在垂直方向上，有效區11之間也設置有第二靜電防護線40，該第二靜電防護線與該第一靜電防護線30以及水平方向上的第二靜電防護線均電連接，以此來提高全部的靜電防護線的面積或長度，進一步的平衡消耗靜電。
可以理解的是，本發明中所述的水平方向和垂直方向均是為說明本發明而以圖中所示為參考標準的，並非指實際產品中的水平方向和垂直方向。如：本發明中的「垂直方向」可以是圖中的垂直方向，也可以是指與圖中垂直方向垂直的水平方向，「水平方向」可以是圖中的水平方向，也可以是指與圖中水平方向垂直的垂直方向，即本發明的「水平方向」和「垂直方向」的含義並不僅僅限定於常規意義上的「水平方向」和「垂直方向」。
相應的，本發明還提供一種陣列基板的製造方法，用 於形成上述兩個實施例所述的陣列基板。請參考圖1至圖4所示，該陣列基板的製作方法包括：提供一襯底基板10；在該襯底基板10上形成多組接合端子20，在該襯底基板10的邊緣區域上形成第一靜電防護線30；以及在該襯底基板10上形成第二靜電防護線40，該第二靜電防護線40連接多組接合端子20與該第一靜電防護線30。
具體的，提供一襯底基板10。該襯底基板10可以由透明材料製成，例如可以是玻璃、石英、矽晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或者金屬箔等。該襯底基板10可以為剛性基板，也可以為柔性基板。該襯底基板10的選擇及預處理為本領域技術人員所熟悉，故不再詳述。
該襯底基板10包括多個有效區11以及包圍該多個有效區11的週邊區12，有效區11為後續形成顯示幕的區域，該週邊區12為被切割之後廢棄的區域。有效區11包括顯示區110與包圍該顯示區110的非顯示區112。該顯示區110後續用於在襯底基板10上形成掃描線、資料線、電晶體開關或像素電極等，該非顯示區112後續用於在襯底基板10上形成周邊走線，用於連接該顯示區110的掃描線、資料線等至驅動晶片。
接著，在該顯示區110內形成掃描線、資料線、電晶體開關或像素電極等，在該非顯示區112內形成多層金屬層以構成周邊線路，並在該非顯示區112內形成接合端子20，同時在該襯底基板10的邊緣區域(即週邊區12)上形成第一靜電防護線30，同時在該襯底基板10上形成第二靜電防護線40，該第二靜電防護線 40連接該第一靜電防護線30與接合端子20。
該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40可以與接合端子20在同一工藝步驟中形成，當然，該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40也可以與該顯示區110內的掃描線、資料線、電晶體開關或像素電極，或者該非顯示區112內的多層金屬層中的某一層在同一工藝步驟中形成，即該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40不會增加工藝步驟與工藝成本。
以接合端子20為例，首先，在該襯底基板10上形成金屬層，在該金屬層上形成圖形化的光蝕刻膠層，該圖形化的光蝕刻膠層暴露出接合端子區域以及第一靜電防護線30與第二靜電防護線40的區域。然後，藉由圖形化的光蝕刻膠層為遮罩進行金屬濺射，以形成接合端子20、第一靜電防護線30與第二靜電防護線40。因此，形成該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40並不會增加工藝步驟。
可以理解的是，當該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40與該非顯示區112內的多層金屬層在同一步驟中形成時，該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40也可以是多層，以此增加防護線的截面積，從而進一步平衡消耗靜電。即該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40可以是單層也可以是多層。當然，也可以單獨形成該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40。
該第一靜電防護線30與該第二靜電防護線40為由導電材料製作而成的導線，較佳為金屬線，或者其材料與在同一工藝步驟中形成的接合端子20、像素電極或者多層金屬層相同。
由於掃描線以及資料線從該顯示區110延伸至該非 顯示區112，並藉由該非顯示區112的周邊線路與驅動晶片電連接，而驅動晶片提供驅動端子20接合在該非顯示區112，因此，在有效區11內產生的靜電可以傳遞至該驅動端子20，在藉由第二靜電防護線40導引至第一靜電防護線30來平衡消耗電荷量，達到有效保護陣列基板的目的。
綜上所述，本發明提供的陣列基板及其製造方法中，在襯底基板上形成多組接合端子，在襯底基板的邊緣區域上形成第一靜電防護線，並形成第二靜電防護線連接多組接合端子與該第一靜電防護線，從而藉由第二靜電防護線將接合端子上的靜電導引至第一靜電防護線來平衡消耗電荷量，達到有效保護陣列基板的目的。
進一步的，該第一靜電保護線、第二靜電保護線與多組接合端子在同一工藝步驟中形成，不會增加工藝步驟及工藝成本。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於請求項的保護範圍。

Claims (10)

  1. 一種陣列基板，其包括：一襯底基板，位於該襯底基板上的多組接合端子，位於該襯底基板的邊緣區域上的一第一靜電防護線，以及位於該襯底基板上的一第二靜電防護線，其中，該多組接合端子之每組藉由該第二靜電防護線電連接至該第一靜電防護線，該第一靜電防護線上具有錐形部，該第一靜電防護線與該第二靜電防護線是多層的。
  2. 如請求項1之陣列基板，其中，該襯底基板包括多個有效區以及包圍該多個有效區的一週邊區，該第一靜電防護線位於該週邊區內，該多組接合端子分別位於該多個有效區內。
  3. 如請求項2之陣列基板，其中，該多個有效區包括一顯示區與包圍該顯示區的一非顯示區，該多組接合端子位於該非顯示區內。
  4. 如請求項2之陣列基板，其中，該多個有效區之每個的周邊設置有電連接的該第一靜電防護線和/或該第二靜電防護線。
  5. 如請求項4之陣列基板，其中，該第一靜電防護線與該第二靜電防護線均為導電材料。
  6. 如請求項1至5中任一項之陣列基板，其中，該第一靜電防護線呈閉合的橢圓形、圓形或多邊形。
  7. 一種陣列基板的製造方法，其包括下列步驟：提供一襯底基板；在該襯底基板上形成多組接合端子，在該襯底基板的邊緣區域上形成一第一靜電防護線與一第二靜電防護線，其中，該第二靜電防護線連接該多組接合端子之每組與該第一靜電防護線，該第一靜電防護線上具有錐形部，該第一靜電防護線與該第二靜電防護線是多層的。
  8. 如請求項7之陣列基板的製造方法，其中，該襯底基板包括多個有效區以及包圍該多個有效區的一週邊區，該第一靜電防護線形成於該週邊區內，該多組接合端子分別形成於該多個有效區內。
  9. 如請求項8之陣列基板的製造方法，其中，該多個有效區之每個的四周形成有電連接的該第一靜電防護線和/或該第二靜電防護線。
  10. 如請求項7之陣列基板的製造方法，其中，該多組接合端子、該第一靜電防護線與該第二靜電防護線在同一工藝步驟中形成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706402B (zh) * 2019-06-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230145250A1 (en) * 2020-07-30 2023-05-11 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Substrate structure, on-chip structure, and method for manufacturing on-chip structure
CN114167655A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 Oppo广东移动通信有限公司 电致变色模组、盖板组件及电子设备
CN112991941B (zh) * 2021-02-01 2022-09-06 深圳英伦科技股份有限公司 ePanel个性化尺寸的阵列基板及加工方法
CN114188381B (zh) * 2021-12-03 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180886A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
US20080204618A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Min-Kyung Jung Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
TWM502189U (zh) * 2014-12-22 2015-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示母基板及顯示基板

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168969A (ja) 1992-12-01 1994-06-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその基板
JPH11509938A (ja) 1995-07-31 1999-08-31 リットン システムズ カナダ リミテッド 静電放電防止回路付き半導体スイッチアレイおよび製造方法
TW440736B (en) * 1997-10-14 2001-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP3752824B2 (ja) 1998-03-27 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル
JP2000347206A (ja) 1999-06-02 2000-12-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN1195243C (zh) 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2002334736A (ja) 2001-05-07 2002-11-22 Advanced Display Inc 高密度基板の端子部
EP1472739A1 (en) * 2002-02-08 2004-11-03 Qinetiq Limited Photodetector circuit
CN1228669C (zh) * 2003-10-17 2005-11-23 友达光电股份有限公司 静电放电防护结构
JP4583052B2 (ja) * 2004-03-03 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリクス型表示装置
KR100977978B1 (ko) * 2006-05-25 2010-08-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP4976089B2 (ja) 2006-09-15 2012-07-18 インフォビジョン オプトエレクトロニクス ホールデングズ リミティッド 多面取り薄膜トランジスタアレイ基板および液晶表示装置
KR20080078089A (ko) * 2007-02-22 2008-08-27 삼성전자주식회사 표시기판 및 이의 제조 방법, 표시장치
KR101383964B1 (ko) * 2007-03-15 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
TW200937069A (en) 2008-02-25 2009-09-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active device array substrate and liquid crystal display panel
JP2009205084A (ja) 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Displays Ltd ガラス基板を用いた画像表示装置およびその製造方法
CN201174016Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-31 上海广电光电子有限公司 液晶显示装置的tft完成基板
JP4911169B2 (ja) * 2008-12-25 2012-04-04 三菱電機株式会社 アレイ基板及び表示装置
CN101998754A (zh) * 2009-08-26 2011-03-30 金宝电子工业股份有限公司 静电放电防护结构与使用其的电子装置
CN102023408B (zh) * 2009-09-11 2013-04-03 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
TWI401492B (zh) 2010-05-17 2013-07-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板及其修補方法
CN101923256B (zh) * 2010-07-30 2012-01-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶显示器的制造方法
JP2012195432A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Toshiba Corp 半導体集積回路
TW201327312A (zh) * 2011-12-19 2013-07-01 Wintek Corp 具有靜電防護結構之觸控面板
JP2014186085A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法
CN103186307B (zh) * 2013-03-26 2015-10-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
US10015916B1 (en) * 2013-05-21 2018-07-03 Xilinx, Inc. Removal of electrostatic charges from an interposer via a ground pad thereof for die attach for formation of a stacked die
CN104298380B (zh) 2013-07-16 2017-05-24 宏达国际电子股份有限公司 触控面板
JP2015021843A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 株式会社島津製作所 放射線検出器、放射線検出装置及び放射線分析装置
CN203616554U (zh) * 2013-12-25 2014-05-28 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104297967B (zh) * 2014-10-16 2018-04-20 昆山龙腾光电有限公司 阵列母基板及其加热装置
DE102015104409B4 (de) * 2015-03-24 2019-12-12 Tdk-Micronas Gmbh Halbleiter-Anordnung mit ESD-Schutzschaltung
CN205193390U (zh) * 2015-12-08 2016-04-27 上海中航光电子有限公司 显示面板、显示装置及基板
CN205334003U (zh) 2015-12-30 2016-06-22 深圳秋田微电子有限公司 一种具有静电防护条的液晶显示屏
CN106842691A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 成都京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及制作方法、显示装置
KR102321868B1 (ko) * 2017-04-03 2021-11-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180886A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
US20080204618A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Min-Kyung Jung Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
TWM502189U (zh) * 2014-12-22 2015-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示母基板及顯示基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706402B (zh) * 2019-06-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3690943A1 (en) 2020-08-05
US11462491B2 (en) 2022-10-04
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