JP2016532142A - 配列基板の静電気防止構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、静電気破損を防止して製品品質を向上させる、配列基板の静電気防止構造を提供する。【解決手段】本発明は、配列基板の有効エリアと、前記有効エリアに周設された数本のダミー線とからなる。前記有効エリアには、数本の信号線と、数本の前記信号線とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒が設けられる。前記ダミー線は、有効エリア最外周の短絡棒とそれぞれ隣接して設けられるとともに、前記ダミー線における短絡棒寄りの一側は、鋸歯形を呈して設けられる。本発明は、最外周における各短絡棒の傍にそれぞれ一本のダミー線が加えられ、且つ前記ダミー線における短絡棒に近い一側が鋸歯形を呈して設けられることにより、配列基板の製造過程、特に絶縁保護層と活性化層に対してドライエッチングを行う時に、プラズマ異常放電が短絡棒部分の金属交差経路に与える静電気破損を防止することが出来る。【選択図】図３
Description
本発明は、表示技術に関し、特に、配列基板の静電気防止構造に関する。
液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）は、薄型ボディ・省エネ・放射線が無い等の多くの長所を備えており、幅広く応用されている。現在の市場にある液晶ディスプレイの多くは、バックライト方式の液晶ディスプレイであり、ケース体と、ケース体内に設けられた液晶表示パネルと、ケース体内に設けられ且つ液晶表示パネルと相対して位置するバックライトモジュール（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｍｏｄｕｌｅ）とからなる。液晶表示パネルの動作原理は、平行する二枚のガラス基板の中に液晶分子が入れられるとともに、二枚のガラス基板上に駆動電圧が印加されることで液晶分子の回転を制御し、これによりバックライトモジュールの光線が屈折照射されて画面を生成するというものである。
静電気（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、ＥＳＤ）は、半導体製造業において、常に懸念事項として未解決のままになっている問題であり、静電気は、製品良品率の低下・コスト増加・生産能力低下を招く。液晶ディスプレイの製造工程においても、静電気は、常に液晶ディスプレイの品質に影響を与えており、特に液晶表示パネルの生産工程に影響している。
静電気の主な発生要因は、大きく三つに分けられる。
一つ目は、粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）であり、如何なる種類の粒子も部品の破損を招く可能性があるだけでなく、製品廃棄に至る場合もある。よって、半導体製造工程において、粒子の管理・制御は、非常に重要な作業である。
二つ目は、工程条件と原材料である。液晶表示パネルの製造工程において、積層（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理・露光（ｐｈｏｔｏ）処理・エッチング（ｅｔｃｈ）処理・剥離（ｓｔｒｉｐ）及び洗浄（ｃｌｅａｎ）処理等での処理条件は、いずれも静電気を生じる可能性がある。同時に、これらの前記工程において使用される原材料も、材料の欠陥によって静電気を生じる。
三つ目は、構造的要因である。製品の構造設計の良し悪しが静電気の状況に直接影響する。
製品の品質向上・生産コスト削減のために、液晶表示パネルの生産工程において、静電気防止措置がとられる。前記静電気防止措置には、大きく二種類ある。一つは、液晶表示パネルの内部部品の保護であり、主に、液晶表示パネルの回路（ゲート（Ｇａｔｅ）線とデータ（Ｄａｔａ）線）の先端及び末端に静電気防止リング（ＥＳＤ ｒｉｎｇ）が設けられるものである。もう一つは、液晶表示パネルの周囲回路の保護であり、主に、配列製造工程及び後工程において静電気がパネルの周囲回路を破損しないように保護するものである。現在のＴＦＴ配列基板の構造において、膜層の順序は、第一金属層（Ｇａｔｅ／Ｃｏｍ）-ゲート絶縁層（ＧＩ）-活性化層（Ａｃｔｉｖｅ）-第二金属層（Ｓ／Ｄ）-不動態化層（ＰＶＸ）-透明導電性層（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅｓ、ＩＴＯ）である。製品のコスト管理のために、通常、セル（Ｃｅｌｌ）化工程で切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）後に点灯検査を行うとともに、合格した液晶表示パネル（ｐａｎｅｌ）をモジュールに組入れる。Ｃｅｌｌ工程できちんと点灯可能にすると同時に、モジュール工程での正常な点灯に影響しないように、通常、配列基板の製造過程において、液晶表示パネルの周囲パターン（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）上の回路に、短絡棒（ｓｈｏｒｔｉｎｇ ｂａｒ）１００を設けることにより、静電気放出現象を減少させる（図１参照）。液晶表示パネルは、Ｃｅｌｌ工程での点灯検査の後、レーザー方式によって短絡棒１００とデータ線（Ｄａｔａ線）及びゲート線（Ｇａｔｅ線）の端子が切断される。しかし、以上の技術は、液晶表示パネルの絶縁保護層と活性化層のドライエッチング工程において、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）が異常放電することで、短絡棒１００部分の金属交差経路に静電気破損を生じさせて、製品の品質に影響を与えてしまう。
よって、本発明は、配列基板の製造過程、特に絶縁保護層と活性化層に対するドライエッチングを行う際に、プラズマ異常放電が短絡棒部分の金属交差経路に与える静電気破損を防止することにより、製品品質と生産効率の向上・生産コストの削減が可能な、配列基板の静電気防止構造を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の配列基板の静電気防止構造は、配列基板の有効エリアと、前記有効エリアに周設された数本のダミー線（ｄｕｍｍｙ線）とからなる。前記配列基板の有効エリアには、数本の信号線と、前記数本の信号線とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒が設けられる。前記ダミー線は、それぞれ有効エリアの最外周における短絡棒と隣接して設けられるとともに、前記ダミー線における短絡棒寄りの一側は鋸歯形を呈して設けられる。
前記数本の信号線・数本の短絡棒・数本のダミー線は、同一基板上に形成される。
前記ダミー線の個数は、４本であり、４本の前記ダミー線は、口字型を呈して前記有効エリアに周設されるとともに、各前記ダミー線は、それぞれ隣接する最外周の短絡棒と平行する。
前記ダミー線は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた活性化層と、活性化層上に位置する第二金属層と、第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなる。
前記短絡棒は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置する不動態化層と、ゲート絶縁層及び不動態化層に貫設された第一孔部とからなる。前記第一孔部は、第一金属層と相対して設けられることで、第一金属層を露出させる。
前記露出した第一金属層・前記第一孔部内側壁及び第一孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成される。前記透明導電性層を通して、短絡棒と信号線は電気的に接続される。
前記信号線は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた第二金属層と、第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなる。前記不動態化層における短絡棒寄りで且つ第一孔部と対応する位置には、第二孔部が形成される。前記第二孔部は、前記不動態化層を貫通することで、第二金属層を露出させる。
前記露出した第二金属層・前記第二孔部内側壁及び第二孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成される。前記透明導電性層を通して、短絡棒と信号線は電気的に接続される。
前記ゲート絶縁層は、ケイ素によって形成される。前記基板は、ガラス基板である。
前記信号線は、データ線と、ゲート線とからなる。
また、上述の目的を達成するために、本発明のもう一つの配列基板の静電気防止構造は、配列基板の有効エリアと、前記有効エリアに周設された数本のダミー線とからなる。前記配列基板の有効エリアには、数本の信号線と、前記数本の信号線とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒が設けられる。前記ダミー線は、それぞれ有効エリアの最外周における短絡棒と隣接して設けられるとともに、前記ダミー線における短絡棒寄りの一側は鋸歯形を呈して設けられる。
前記数本の信号線・数本の短絡棒・数本のダミー線は、同一基板上に形成される。
前記ダミー線の個数は、４本であり、４本の前記ダミー線は、口字型を呈して前記配列基板の有効エリアに周設されるとともに、各前記ダミー線は、それぞれ隣接する最外周の短絡棒と平行する。
前記ダミー線は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた活性化層と、活性化層上に位置する第二金属層と、第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなる。
前記短絡棒は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置する不動態化層と、ゲート絶縁層及び不動態化層に貫設された第一孔部とからなる。前記第一孔部は、第一金属層と相対して設けられることで、第一金属層を露出させる。
前記露出した第一金属層・前記第一孔部内側壁及び第一孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成される。前記透明導電性層を通して、短絡棒と信号線は電気的に接続される。
前記信号線は、基板上に形成された第一金属層と、第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた第二金属層と、第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなる。前記不動態化層における短絡棒寄りで且つ第一孔部と対応する位置には、第二孔部が形成される。前記第二孔部は、前記不動態化層を貫通することで、第二金属層を露出させる。
前記露出した第二金属層・前記第二孔部内側壁及び第二孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成される。前記透明導電性層を通して、短絡棒と信号線は電気的に接続される。
前記ゲート絶縁層は、ケイ素によって形成される。前記基板は、ガラス基板である。
前記信号線は、データ線と、ゲート線とからなる。
以上の構造によってなる本発明は、以下の有益な効果を備える。即ち、本発明の配列基板の静電気防止構造は、最外周における各短絡棒の傍にそれぞれ一本のダミー線が加えられ、且つ前記ダミー線における短絡棒寄りの一側が鋸歯形を呈して設けられ、これにより、配列基板の製造過程、特に絶縁保護層と活性化層に対してドライエッチングを行う時に、尖端放電原理を利用して、プラズマ異常放電が短絡棒部分の金属交差経路に与える静電気破損を防止することが出来る。よって、製品品質と生産効率の向上・生産コストの削減が可能である。
本発明の特徴と技術内容の詳細については、以下の詳説と図を参照されたい。尚、図はあくまで参考及び説明用であり、これにより本発明を制限するものではない。
下記の図を合わせて本発明の具体的実施形態について詳細に説明することで、本発明の技術手法及びその他の有益な効果を詳らかにする。
従来技術における配列基板の静電防止構造の概略図である。
本発明においてダミー線が口字型を呈して設けられた構造を示した概略図である。
本発明の配列基板の静電防止構造を示した概略図である。
図３におけるＡ−Ａの断面図である。
図３におけるＢ−Ｂの断面図である。
図３におけるＣ−Ｃの断面図である。
本発明の技術手法とその効果について詳述するために、以下で本発明の実施例と図を参照しつつ説明する。
本発明は、ＶＡ型表示モードによって説明を行う。ただし、本発明はＶＡ型表示モードに限らない。
本発明の配列基板の製作において、短絡棒の傍のパターンには、短絡棒と平行するダミー線が設けられる。図２及び図３を参照する。本発明が提供する配列基板の静電気防止構造は、具体的には、配列基板の有効エリア６０と、有効エリア６０に周設された数本のダミー線２６とからなる。配列基板の有効エリア６０には、数本の信号線２２と、数本の信号線２２とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒２４が設けられる。ダミー線２６は、それぞれ有効エリア６０の最外周における短絡棒２４と隣接して設けられるとともに、ダミー線２６における短絡棒２４寄りの一側２８は、鋸歯形を呈して設けられる。よって、尖端放電原理を利用するとともに、ダミー線２６が持ち上げられ且つその一側（内側）２８が鋸歯形をなすことを通して、尖端放電が行われる。これにより、短絡棒２４を保護して、内部の静電気破損を防止する。また本実施例において、信号線２２は、データ線（Ｄａｔａ線）と、ゲート線（Ｇａｔｅ線）とからなる。
本実施例において、数本の信号線２２・数本の短絡棒２４・数本のダミー線２６は、同一基板４２上に形成される。図４を参照する。ダミー線２６は、基板４２上に形成された第一金属層４４と、第一金属層４４及び基板４２上に覆設されたゲート絶縁層４３と、ゲート絶縁層４３上に位置し且つ第一金属層４４と対応して設けられた活性化層（半導体材料層）４５と、活性化層４５上に位置する第二金属層４６と、第二金属層４６及びゲート絶縁層４３上に覆設された不動態化層４７とからなる。図５を参照する。短絡棒２４は、基板４２上に形成された第一金属層４４と、第一金属層４４及び基板４２上に覆設されたゲート絶縁層４３と、ゲート絶縁層４３上に位置する不動態化層４７と、ゲート絶縁層４３及び不動態化層４７に貫設された第一孔部３２とからなる。第一孔部３２は、第一金属層４４と相対して設けられることで、第一金属層４４を露出させる。図６を参照する。信号線２２は、基板４２上に形成された第一金属層４４と、第一金属層４４及び基板４２上に覆設されたゲート絶縁層４３と、ゲート絶縁層４３上に位置し且つ第一金属層４４と対応して設けられた第二金属層４６と、第二金属層４６及びゲート絶縁層４３上に覆設された不動態化層４７とからなる。不動態化層４７における短絡棒２４寄りで且つ第一孔部３２と対応する位置には、第二孔部３４が形成される（図３参照）。第二孔部３４は、不動態化層４７を貫通することで、第二金属層４６を露出させる。また、ゲート絶縁層４３はケイ素によって形成されることが望ましく、基板４２はガラス基板であることが望ましい。
露出した第一金属層４４・第一孔部３２内側壁及び第一孔部３２周囲部分の不動態化層４７上には、透明導電性層４８が形成される。同様に、露出した第二金属層４６・第二孔部３４内側壁及び第二孔部３４周囲部分の不動態化層４７上には、透明導電性層４８が形成される。透明導電性層４８を通して、短絡棒２４と信号線２２は電気的に接続される。更に、ダミー線２６の鋸歯形構造による尖端放電が組合されることにより、絶縁保護層と活性化層に対してドライエッチングを行う時、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）異常放電が短絡棒２４部分の金属交差経路に与える静電気破損を防止出来る。
本実施例において、透明導電性層４８は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）によってなる。
本実施例において、数本のダミー線２６は、有効エリア６０に周設される。更に、ダミー線２６の個数は４本であるとともに、４本のダミー線２６は口字型を呈して配列基板の有効エリア６０に周設され、且つ各ダミー線２６はそれぞれ隣接する最外周における短絡棒２４と平行することが望ましい（図２参照）。
上述を総じて言えば、本発明の配列基板の静電気防止構造は、最外周における各短絡棒の傍にそれぞれ一本のダミー線が加えられ、且つ前記ダミー線における短絡棒寄りの一側が鋸歯形を呈して設けられ、これにより、配列基板の製造過程、特に絶縁保護層と活性化層に対してドライエッチングを行う時に、尖端放電原理を利用して、プラズマ異常放電が短絡棒部分の金属交差経路に与える静電気破損を防止することが出来る。よって、製品品質と生産効率の向上・生産コストの削減が可能である。
以上の記述により、関連領域の一般的な技術員は、本発明の技術手法と構想に基づいて各種の変更と変形を加えることが可能であり、これらの変更と変形は、いずれも本発明の権利要求の保護範囲に属する。
（従来技術）
１００ 短絡棒
（本発明）
２２ 信号線
２４ 短絡棒
２６ ダミー線
２８ ダミー線における短絡棒寄りの一側
３２ 第一孔部
３４ 第二孔部
４２ 基板
４３ ゲート絶縁層
４４ 第一金属層
４５ 活性化層
４６ 第二金属層
４７ 不動態化層
４８ 透明導電性層
６０ 有効エリア
１００ 短絡棒
（本発明）
２２ 信号線
２４ 短絡棒
２６ ダミー線
２８ ダミー線における短絡棒寄りの一側
３２ 第一孔部
３４ 第二孔部
４２ 基板
４３ ゲート絶縁層
４４ 第一金属層
４５ 活性化層
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４７ 不動態化層
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Claims (15)
- 配列基板の有効エリアと、前記有効エリアに周設された数本のダミー線とからなる、配列基板の静電気防止構造であって、
前記配列基板の有効エリアには、数本の信号線と、前記数本の信号線とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒が設けられ、
前記ダミー線は、それぞれ前記有効エリアの最外周における短絡棒と隣接して設けられるとともに、
前記ダミー線における前記短絡棒寄りの一側は、鋸歯形を呈して設けられることを特徴とする、配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記数本の信号線・数本の短絡棒・数本のダミー線は、同一基板上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の配列基板の静電気防止構造。
- 更に、前記ダミー線の個数は、４本であり、
４本の前記ダミー線は、口字型を呈して前記配列基板の有効エリアに周設されるとともに、
各前記ダミー線は、それぞれ隣接する最外周の前記短絡棒と平行することを特徴とする、請求項１に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記ダミー線は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた活性化層と、前記活性化層上に位置する第二金属層と、前記第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなることを特徴とする、請求項３に記載の配列基板の静電気防止構造。
- 更に、前記短絡棒は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置する不動態化層と、前記ゲート絶縁層及び不動態化層に貫設された第一孔部とからなり、
前記第一孔部は、前記第一金属層を露出させるように、前記第一金属層と相対して設けられることを特徴とする、請求項３に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記露出した第一金属層・前記第一孔部内側壁及び第一孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成され、
前記透明導電性層を通して、前記短絡棒と前記信号線は、電気的に接続されることを特徴とする、請求項５に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記信号線は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた第二金属層と、前記第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなり、
前記不動態化層における短絡棒寄りで且つ第一孔部と対応する位置には、第二孔部が形成され、
前記第二孔部は、前記第二金属層を露出させるように、前記不動態化層を貫通することを特徴とする、請求項６に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記露出した第二金属層・前記第二孔部内側壁及び第二孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成され、
前記透明導電性層を通して、前記短絡棒と前記信号線は、電気的に接続されることを特徴とする、請求項７に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記ゲート絶縁層は、ケイ素によって形成され、
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする、請求項７に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記信号線は、データ線と、ゲート線とからなることを特徴とする、請求項１に記載の配列基板の静電気防止構造。
- 配列基板の有効エリアと、前記有効エリアに周設された数本のダミー線とからなる、配列基板の静電気防止構造であって、
前記配列基板の有効エリアには、数本の信号線と、前記数本の信号線とそれぞれ電気的に接続された数本の短絡棒が設けられ、
前記ダミー線は、それぞれ前記有効エリアの最外周における短絡棒と隣接して設けられるとともに、
前記ダミー線における前記短絡棒寄りの一側は、鋸歯形を呈して設けられ、
更に、前記数本の信号線・数本の短絡棒・数本のダミー線は、同一基板上に形成され、
更に、前記ダミー線の個数は、４本であり、
４本の前記ダミー線は、口字型を呈して前記配列基板の有効エリアに周設されるとともに、
各前記ダミー線は、それぞれ隣接する最外周の前記短絡棒と平行し、
更に、前記ダミー線は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた活性化層と、前記活性化層上に位置する第二金属層と、前記第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなり、
更に、前記短絡棒は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置する不動態化層と、前記ゲート絶縁層及び不動態化層に貫設された第一孔部とからなり、
前記第一孔部は、前記第一金属層を露出させるように、前記第一金属層と相対して設けられ、
更に、前記露出した第一金属層・前記第一孔部内側壁及び第一孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成され、
前記透明導電性層を通して、前記短絡棒と前記信号線は、電気的に接続されることを特徴とする、配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記信号線は、基板上に形成された第一金属層と、前記第一金属層及び基板上に覆設されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に位置し且つ第一金属層と対応して設けられた第二金属層と、前記第二金属層及びゲート絶縁層上に覆設された不動態化層とからなり、
前記不動態化層における短絡棒寄りで且つ第一孔部と対応する位置には、第二孔部が形成され、
前記第二孔部は、前記第二金属層を露出させるように、前記不動態化層を貫通することを特徴とする、請求項１１に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記露出した第二金属層・前記第二孔部内側壁及び第二孔部周囲部分の不動態化層上には、透明導電性層が形成され、
前記透明導電性層を通して、前記短絡棒と前記信号線は、電気的に接続されることを特徴とする、請求項１２に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記ゲート絶縁層は、ケイ素によって形成され、
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする、請求項１２に記載の配列基板の静電気防止構造。 - 更に、前記信号線は、データ線と、ゲート線とからなることを特徴とする、請求項１１に記載の配列基板の静電気防止構造。
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