CN104698710A - 一种阵列基板以及液晶显示装置 - Google Patents

一种阵列基板以及液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104698710A
CN104698710A CN201510152861.6A CN201510152861A CN104698710A CN 104698710 A CN104698710 A CN 104698710A CN 201510152861 A CN201510152861 A CN 201510152861A CN 104698710 A CN104698710 A CN 104698710A
Authority
CN
China
Prior art keywords
array base
layer
base palte
metal level
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510152861.6A
Other languages
English (en)
Inventor
孙云刚
金慧俊
李谷骏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201510152861.6A priority Critical patent/CN104698710A/zh
Publication of CN104698710A publication Critical patent/CN104698710A/zh
Priority to US14/869,475 priority patent/US20160291430A1/en
Priority to DE102015220154.6A priority patent/DE102015220154A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)

Abstract

本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底，其中，该衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区，并且，在上述衬底表面的引线区设置有走线层，在走线层上设置有绝缘保护层，除此，还在绝缘保护层上设置有静电防护层，本发明提供的阵列基板，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小并有效的解决了器件被静电击穿的问题。

Description

一种阵列基板以及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种阵列基板以及液晶显示装置。
背景技术
液晶显示器因其外型轻薄、省电以及无辐射等优点而被广泛地应用于电脑屏幕、移动电话、平面电视等电子产品上。具体的，液晶显示器包括液晶面板，其液晶面板由阵列基板、彩膜基板以及封装于两基板之间的液晶组成。
起初，阵列基板通常外接有硅片制作的驱动芯片，但目前，通常是将栅极驱动电路(gate driver IC)集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上。具体的，可以是将非晶硅栅极驱动电路(Amorphous Silicon Gate driver,ASG)与有源矩阵显示集成，即直接将栅极驱动电路(gate driver IC)集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上，代替由外接硅片制作的驱动芯片。ASG的这种应用可以有效地使显示屏变轻，增加显示器的可靠性，减少生产工艺程序，降低产品工艺成本，提高液晶显示面板的集成度。
现有的阵列基板如图2所示，在衬底11上的引线区B设置有走线层12，该走线层12上设置有绝缘保护层13，而通常走线层12上设置有地线21以及信号线22。从图中不难发现，该阵列基板的地线21通常为设置在基板外围的单一地线，因此，在器件上电时，会导致放电击穿，损毁器件，而现有通过在地线21两端接入电容减少静电的方式，占用空间大且成本高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板以及液晶显示装置，有效的解决了器件被静电击穿的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种阵列基板，包括：
衬底，所述衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区；
设置在所述衬底表面的所述引线区的引线层；
设置在所述引线层上的绝缘保护层；
位于所述绝缘保护层上的静电防护层。
本发明还提供一种液晶显示装置，包括：
相对设置的阵列基板以及彩膜基板；
设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质；
其中，所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。
从上述技术方案可以看出，本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底，其中，该衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区，并且，在上述衬底表面上的引线区设置有引线层，在引线层上设置有绝缘保护层，除此，还在绝缘保护层上的设置有静电防护层，本发明提供的阵列基板，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小并有效的解决了器件被静电击穿的问题。
本发明还提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置具有上述阵列基板，因此，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小，有效的解决了器件被静电击穿的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图14为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底，其中，该衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区，并且，在上述衬底表面的引线区设置有引线层，在引线层上设置有绝缘保护层，除此，还在绝缘保护层上的设置有静电防护层，可见，本发明提供的阵列基板，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小并有效的解决了器件被静电击穿的问题。
需要说明的是，本实施例中提供的静电防护层可以通过增设走线进行接地，也可以通过过孔与现有的地线相连。当然，无论是采用哪种方式，只要该静电防护层能起到静电防护的作用即可，在此不一一穷举。优选的，本实施例中引线层包括地线，此时，上述静电防护层可以通过过孔与地线电连接，实现静电防护的作用。
具体的，如图1所示，本实施提供的阵列基板，包括衬底11，该衬底11包括显示区A以及引线区B，其中，引线区B可以包围显示区A，也可以位于显示区A的任意一侧。
本实施例提供了一种阵列基板，如图3所示，包括：衬底11、引线层12、绝缘保护层13以及静电防护层14。
具体的，衬底11具有显示区以及包围所述显示区的引线区；引线层12设置在衬底11表面的引线区，绝缘保护层13设置在引线层12上，静电防护层14位于绝缘保护层13的上方。
在本实施例中，在绝缘保护层13上增设有静电防护层14，采用本发明提供的阵列基板，通过静电防护层大大增加了静电屏蔽的作用，解决了现有技术中采用单一地线导致器件首次上电时容易被静电击穿的问题，且相比于现有技术中采用在地线两端接入电容来减少静电的方案，也规避了电容体积大导致整体阵列基板占用空间大的问题。
上述实施例中静电防护层可以通过自身接地的方式使其具备静电防护的功能，但是在其它实施例中，也可以通过将静电防护层与地线连接的方式使其具备静电防护的功能，具体的，请参阅图4，图4所述实施例示出的阵列基板包括衬底11、引线层12、绝缘保护层13、静电防护层14、地线21以及第一过孔15。其中，衬底11具有显示区以及包围所述显示区的引线区；引线层12设置在衬底11表面的引线区，绝缘保护层13设置在引线层12上，静电防护层14位于绝缘保护层13的上方。为了尽可能小的占用引线区的空间，本实施例利用贯穿绝缘保护层13的第一过孔15，将静电防护层14与地线21相连，更大程度的利用了现有阵列的走线层，使得静电防护层14进行静电防护。可见，本发明提供的阵列基板，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小并有效的解决了器件被静电击穿的问题。
在上述实施例的基础上，发明人还提供了一些优选的技术方案，如，上述静电防护层14可以单独由金属层或透明电极层形成，也可以由金属层与透明电极层共同组成。
当静电防护层由金属层和透明电极层共同组成时，根据金属层以及透明电极层的位置与连接关系，可以分为如下技术方案：
如图5所示，金属层17位于透明电极层16的上方，而透明电极层16位于绝缘保护层13的上方，此时，透明电极层16通过第一过孔15与地线21相连。而在本方案中，透明电极层16与金属层17直接接触，因此，金属层17通过透明电极层16以及第一过孔15能与地线21电连接。
与图5不同，图6提供的阵列基板中，透明电极层16与金属层17之间还设置有绝缘层18，而此时第一过孔15需要贯穿绝缘层18、透明电极层16以及绝缘保护层13，使得透明电极层16以及金属层17均能通过第一过孔15与地线21相连，进而实现静电防护的作用。
或者，如图7所示，透明电极层16位于金属层17的上方，金属层17位于绝缘保护层13的上方，此时，金属层17通过第一过孔15与地线21相连。同样，在本方案中，透明电极层16与金属层17直接接触，因此，透明电极层16通过金属层17以及第一过孔15能与地线21电连接。
同样的，与图7不同，图8提供的阵列基板中，透明电极层16与金属层17之间还设置有绝缘层18，而此时第一过孔15需要贯穿绝缘层18、金属层17以及绝缘保护层13，使得透明电极层16以及金属层17均能通过第一过孔15与地线21相连，进而实现静电防护的作用。
除此，本实施例中提供的阵列基板还可以只包括金属层17，如图9所示，该金属层17位于绝缘保护层13的上方，通过第一过孔15与地线21相连。当然，本实施例提供的阵列基板还可以只包括透明电极层16，如图10所示，透明电极层16位于绝缘保护层13的上方，通过第一过孔15与地线21相连。
优选的，上述金属层17可以为一整面式金属层，也可以按照信号线进行图形化而实现，其中信号线设置在引线区，例如由用第一金属层图案化形成，如图11所示。在本实施例中，将金属层17设置成和信号线22同样图形的形式，可以增加该引线区的透光率，进而有利于后续显示面板的制备过程中框胶的固化。
当然，金属层的形状可以有多样，如，金属层设置成包括至少一条金属引线的形式，其中，金属引线的宽度可以小于或等于所述信号线的宽度，便于透光。
优选的，透明电极层与位于所述显示区的像素电极层同层形成，或与位于所述显示区的公共电极层同层形成。
具体的，所述公共电极层可以仅用于显示控制，当所述公共电极层仅用于显示控制时，所述公共电极层可以为整层结构，或是具有镂空图案且不断开的结构。此时，所述公共电极仅用于显示控制，与所述信号线电连接。此时，所述信号线仅用于为所述公共电极层提供显示驱动数据信号。
所述公共电极层还可以既用于显示控制，又用于触控控制。此时，所述公共电极层包括：多个电极块；所述信号线包括多条触控显示走线，所述电极块与所述触控显示走线一一对应，一个电极块与一条触控显示走线电连接。当所述公共电极层用于显示控制时(在显示时序段)，所述触控显示走线用于为对应电连接的所述电极块提供显示驱动信号；当所述公共电极层用于触控控制时(在触控时序段)，所述触控显示走线用于为对应电连接的所述电极块提供触摸检测信号，通过与手指的自电容检测，实现触摸检测。
在具体制备过程中，金属层可以与位于显示区的数据线同层形成，或与位于所述显示区的触控显示走线同层形成；透明电极层可以与位于显示区的像素电极同层形成，也可以与位于显示区的公共电极同层形成，同时根据阵列基板的结构不同，透明电极层有多种位置排布，具体的，关于数据线、触控显示走线、像素电极与公共电极的结构，请参考图12-图14所示。
如图12所示，该阵列基板设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管设置在衬底40的表面，薄膜晶体管包括：设置在衬底40表面的栅极401以及栅极线(图12中未示出)；覆盖在栅极401以及栅极线上的栅介质层41；设置在栅介质层41表面的有源区402、源极403以及漏极404。与源极403连接的数据线(图12中未示出)设置在栅介质层41表面，数据线与源极403同层。
图12所示阵列基板中，薄膜晶体管设置在衬底40表面；薄膜晶体管表面覆盖有第一绝缘层42；公共电极层405设置在第一绝缘层42表面，公共电极层405表面设置有第二绝缘层43；触控显示走线406与像素电极407设置在第二绝缘层43表面，像素电极407通过过孔与薄膜晶体管的漏极404电连接。触控显示走线406通过过孔与公共电极层406对应的触控显示电极电连接。
图12所示实施方式，将触控显示走线406与像素电极407同层设置，通过一层导电层可以同时制备触控显示走线406以及像素电极407，简化了制备工艺，降低了制作成本。像素电极407以及触控显示走线406还设置有第三绝缘层44。为了避免触控显示走线406受到电磁信号干扰，可以在第三绝缘层44上设置走线屏蔽电极(图12中未示出)，走线屏蔽电极与触控显示走线406只是部分交叠。
阵列基板还可以如图13所示，设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管设置在衬底50的表面，薄膜晶体管包括：设置在衬底50表面的栅极501以及栅极线(图13中未示出)；覆盖在栅极501以及栅极线上的栅介质层51；设置在栅介质层51表面的有源区502、源极503以及漏极504。与源极503连接的数据线(图13中未示出)设置在栅介质层51表面，数据线与源极503同层。
该阵列基板中，薄膜晶体管设置在衬底50表面；薄膜晶体管表面覆盖有第一绝缘层52；触控显示走线505设置在第一绝缘层52表面，触控显示走线505表面覆盖有第二绝缘层53；公共电极层506设置在第二绝缘层53表面，公共电极层506表面设置有第三绝缘层54；像素电极507设置在第三绝缘层54表面，像素电极507通过过孔与薄膜晶体管的漏极504电连接。触控显示走线505通过过孔与公共电极层506对应的触控显示电极电连接。
为了避免触控显示走线505受到电磁信号干扰，可以在触控显示走线505上方设置走线屏蔽电极(图13中未示出)，走线屏蔽电极与触控显示走线505只是部分交叠。具体的，可以设置第二绝缘层53为两层绝缘层结构，将走线屏蔽电极设置在两层绝缘层之间，且位于触控显示走线505上方。
除此，阵列基板还可以如图14所示，设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管设置在衬底60的表面，薄膜晶体管包括：设置在衬底60表面的栅极601以及栅极线(图14中未示出)；覆盖在栅极601以及栅极线上的栅介质层61；设置在栅介质层61表面的有源区602、源极603以及漏极604。与源极603连接的数据线(图14中未示出)设置在栅介质层61表面，数据线与源极603同层。
图14所示阵列基板中，薄膜晶体管设置在衬底60表面；薄膜晶体管表面覆盖有第一绝缘层62；触控显示走线605与像素电极607设置在第一绝缘层62表面，像素电极607通过过孔与薄膜晶体管的漏极604电连接，触控显示走线605与像素电极607表面设置有第二绝缘层63；共用电极层606设置在第二绝缘层63表面。
图14所示实施方式，将触控显示走线605与像素电极607同层设置，通过一层导电层可以同时制备触控显示走线605以及像素电极607，简化了制备工艺，降低了制作成本。为了避免触控显示走线605受到电磁信号干扰，可以在触控显示走线605上方设置走线屏蔽电极(图14中未示出)，走线屏蔽电极与触控显示走线605只是部分交叠。具体的，可以设置第二绝缘层63为两层绝缘层结构，将走线屏蔽电极设置在两层绝缘层之间，且位于触控显示走线605上方。
在上述实施例中，静电防护层可以由单独一层金属层形成，该金属层可以与位于显示区的数据线同层形成；静电防护层也可以由单独一层透明电极层形成，该透明电极层可以与位于显示区的像素电极同层形成，也可以与位于显示区的公共电极同层形成；当然，静电防护层也可以由金属层与透明电极层共同组成，该金属层可以与位于显示区的数据线同层形成，该透明电极层可以与位于显示区的像素电极同层形成，也可以与位于显示区的公共电极同层形成。
优选的，所述绝缘保护层为氮化硅材料或者氧化硅材料。
除此，本实施例还提供了一种液晶显示装置，包括相对设置的阵列基板以及彩膜基板，并且，在所述阵列基板与所述彩膜基板之间设置有显示介质，其中，阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。
综上，本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底，其中，该衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区，并且，在上述衬底表面的引线区设置有引线层，在引线层上设置有绝缘保护层，除此，还在绝缘保护层上的设置有静电防护层，可见，本发明提供的阵列基板，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小并有效的解决了器件被静电击穿的问题。
本发明还提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置具有上述阵列基板，因此，无需在地线两端接入电容来减少静电，占用空间小，有效的解决了器件被静电击穿的问题。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有显示区以及包围所述显示区的引线区；
设置在所述衬底表面的所述引线区的引线层；
设置在所述引线层上的绝缘保护层；
位于所述绝缘保护层上的静电防护层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引线层包括地线，所述静电防护层通过第一过孔与所述地线电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述静电防护层为金属层和/或透明电极层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括所述金属层和所述透明电极层；
所述金属层位于所述透明电极层的上方，所述透明电极层位于所述绝缘保护层的上方，所述透明电极层通过所述第一过孔与所述地线相连；
或，所述透明电极层位于所述金属层的上方，所述金属层位于所述绝缘保护层的上方，所述金属层通过所述第一过孔与所述地线相连。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括所述金属层，所述金属层位于所述绝缘保护层的上方，通过第一过孔与所述地线相连。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括所述透明电极层，所述透明电极层位于所述绝缘保护层的上方，通过所述第一过孔与所述地线相连。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述引线区还包括信号线，所述金属层为按照所述信号线进行图形化而实现。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层至少包括一条金属引线，所述金属引线相对于所述信号线设置，且所述金属引线的宽度小于或等于所述信号线的宽度。
9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极层与位于所述显示区的像素电极同层形成。
10.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极层与位于所述显示区的公共电极同层形成。
11.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层与位于所述显示区的数据线同层形成。
12.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层与位于所述显示区的触控走线同层形成。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘保护层为氮化硅材料或者氧化硅材料。
14.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
相对设置的阵列基板以及彩膜基板；
设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质；
其中，所述阵列基板为权利要求1-13中任一项所述的阵列基板。
CN201510152861.6A 2015-04-01 2015-04-01 一种阵列基板以及液晶显示装置 Pending CN104698710A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510152861.6A CN104698710A (zh) 2015-04-01 2015-04-01 一种阵列基板以及液晶显示装置
US14/869,475 US20160291430A1 (en) 2015-04-01 2015-09-29 Array substrate and liquid crystal display device
DE102015220154.6A DE102015220154A1 (de) 2015-04-01 2015-10-16 Arraysubstrat und Flüssigkristallanzeigevorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510152861.6A CN104698710A (zh) 2015-04-01 2015-04-01 一种阵列基板以及液晶显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104698710A true CN104698710A (zh) 2015-06-10

Family

ID=53345996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510152861.6A Pending CN104698710A (zh) 2015-04-01 2015-04-01 一种阵列基板以及液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160291430A1 (zh)
CN (1) CN104698710A (zh)
DE (1) DE102015220154A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107290900A (zh) * 2017-08-07 2017-10-24 上海中航光电子有限公司 一种母板
CN107807467A (zh) * 2017-11-07 2018-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 防止面板外围走线发生静电击伤的结构
CN108198819A (zh) * 2017-12-21 2018-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN108415198A (zh) * 2018-03-28 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制备方法
CN110993670A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN111667767A (zh) * 2020-06-29 2020-09-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN111999950A (zh) * 2020-08-03 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶面板
CN112259612A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN113342203A (zh) * 2021-06-10 2021-09-03 业成科技（成都）有限公司 触控模组以及触控显示装置
CN115542593A (zh) * 2022-08-30 2022-12-30 惠科股份有限公司 显示面板
WO2023142021A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916648A (zh) * 2015-06-11 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、制备方法及显示装置
KR102381283B1 (ko) * 2015-07-24 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020226369A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode module
CN110673415B (zh) * 2019-11-15 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板、显示装置及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100188592A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-29 Casio Computer Co., Ltd. Method for forming multilayer structure, method for manufacturing display panel, and display panel
CN203117594U (zh) * 2012-12-24 2013-08-07 上海中航光电子有限公司 静电防护环及带有该防护环的液晶显示面板
KR101298610B1 (ko) * 2008-04-30 2013-08-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN103488333A (zh) * 2013-06-11 2014-01-01 友达光电股份有限公司 触控面板及触控显示面板的制造方法
CN103513459A (zh) * 2013-10-14 2014-01-15 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN104167418A (zh) * 2014-06-30 2014-11-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、制造方法及液晶显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014095795A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Japan Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
CN103500741B (zh) * 2013-10-15 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的防静电结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298610B1 (ko) * 2008-04-30 2013-08-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US20100188592A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-29 Casio Computer Co., Ltd. Method for forming multilayer structure, method for manufacturing display panel, and display panel
CN203117594U (zh) * 2012-12-24 2013-08-07 上海中航光电子有限公司 静电防护环及带有该防护环的液晶显示面板
CN103488333A (zh) * 2013-06-11 2014-01-01 友达光电股份有限公司 触控面板及触控显示面板的制造方法
CN103513459A (zh) * 2013-10-14 2014-01-15 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN104167418A (zh) * 2014-06-30 2014-11-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、制造方法及液晶显示面板

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107290900A (zh) * 2017-08-07 2017-10-24 上海中航光电子有限公司 一种母板
CN107290900B (zh) * 2017-08-07 2019-11-12 上海中航光电子有限公司 一种母板
CN107807467A (zh) * 2017-11-07 2018-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 防止面板外围走线发生静电击伤的结构
WO2019090894A1 (zh) * 2017-11-07 2019-05-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 防止面板外围走线发生静电击伤的结构
CN107807467B (zh) * 2017-11-07 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 防止面板外围走线发生静电击伤的结构
CN108198819A (zh) * 2017-12-21 2018-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN108198819B (zh) * 2017-12-21 2020-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN108415198A (zh) * 2018-03-28 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制备方法
US11362040B2 (en) 2018-03-28 2022-06-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same and display device
CN108415198B (zh) * 2018-03-28 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制备方法
CN110993670A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN111667767A (zh) * 2020-06-29 2020-09-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN111667767B (zh) * 2020-06-29 2022-04-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN111999950A (zh) * 2020-08-03 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶面板
CN111999950B (zh) * 2020-08-03 2023-07-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶面板
CN112259612A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN113342203A (zh) * 2021-06-10 2021-09-03 业成科技（成都）有限公司 触控模组以及触控显示装置
WO2023142021A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN115542593A (zh) * 2022-08-30 2022-12-30 惠科股份有限公司 显示面板
CN115542593B (zh) * 2022-08-30 2023-08-25 惠科股份有限公司 显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015220154A1 (de) 2016-10-06
US20160291430A1 (en) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104698710A (zh) 一种阵列基板以及液晶显示装置
KR102627941B1 (ko) 비대칭 블랙 매트릭스 패턴을 갖는 터치 인식 가능 표시 장치
CN102566174B (zh) 液晶显示设备
CN102314254B (zh) 触摸面板
KR101609485B1 (ko) 용량성 인-셀 터치 패널 및 디스플레이 장치
CN106775124B (zh) 一种触控显示面板及显示装置
CN206833100U (zh) 显示面板及显示装置
US20160291753A1 (en) Array substrate, touch panel, touch apparatus, display panel and display apparatus
CN103926732B (zh) 一种tft阵列基板、显示面板和显示装置
CN104698702A (zh) 一种阵列基板、显示装置以及驱动方法
CN203365869U (zh) 阵列基板及显示装置
CN105353921B (zh) 一种集成触控显示面板和一种触控显示设备
KR20170039001A (ko) 인셀 터치 방식 표시장치
CN104699321A (zh) 触控显示基板和触控显示装置
CN104699357A (zh) 一种电子设备、触摸显示面板以及触控显示基板
CN104699320A (zh) 一种阵列基板、彩膜基板以及触摸显示装置
CN108490708B (zh) 阵列基板及显示面板
CN104793828A (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
US10088724B2 (en) Display panel and displaying device
CN104777933A (zh) 一种阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN104698711A (zh) 一种阵列基板、显示面板及电子设备
TWM514052U (zh) 內嵌式互電容觸控面板
TWI657360B (zh) 觸控面板及觸控顯示裝置
CN104536197A (zh) 彩膜基板、阵列基板及显示装置
CN109976056A (zh) 阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150610