CN115542593A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，彩膜基板和阵列基板对盒设置，阵列基板包括衬底基板、走线区和GND走线，走线区位于显示面板的非显示区，走线区内设置有至少一个过孔转接层；GND走线设置在在衬底基板上，位于走线区远离显示面板的显示区的一侧，且围绕显示面板的非显示区设置；彩膜基板对应GND走线的位置设置引导结构，且引导结构与相应的过孔转接层对应设置，引导结构远离彩膜基板的表面距衬底基板表面的高度小于或等于过孔转接层垂直于衬底基板表面的高度。本申请通过以上方式，设置引导结构阻止显示面板边缘的静电入侵，提高显示面板的静电防护等级。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
随着显示技术的高速发展，越来越多的显示产品已广泛使用在手机、车载、智能家居、智能办公、手表、手环等领域，比如显示面板进行图像显示，然而，在显示面板的制作工艺中，静电防护是整个工艺的关键部分。由于从显示面板边缘进入到面板内部的静电会优先攻击位于阵列基板侧的金属层，为了避免静电对显示面板质量的影响，现有技术中通常会围绕有效的显示区设置一圈接地线(GND走线)以导出静电电荷，避免静电进入显示面板内部，从而实现静电防护。但是，通常GND走线的地势一般会低于金属层的地势，金属层依然会受到静电或其他电击伤害，导致显示面板的静电防护效果差，从而不能保证显示面板的质量。因此，一种静电防护等级高的显示面板被人们迫切需要。
发明内容
本申请的目的是提供一种显示面板，通过设置引导结构阻止从显示面板边缘入侵的静电攻击过孔转接层，保护面板内部电路，提高显示面板的静电防护等级。
本申请公开了一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置，所述阵列基板包括衬底基板、走线区和GND走线，所述走线区位于所述显示面板的非显示区，所述走线区内设置有至少一个过孔转接层；所述GND走线设置在在所述衬底基板上，位于所述走线区远离所述显示面板的显示区的一侧，且围绕所述显示面板的非显示区设置；所述彩膜基板对应所述GND走线的位置设置引导结构，且所述引导结构与相应的所述过孔转接层对应设置，所述引导结构远离所述彩膜基板的表面距所述衬底基板表面的高度小于或等于所述过孔转接层垂直于所述衬底基板表面的高度。
可选的，所述引导结构靠近所述阵列基板的一端设置有引导层，所述引导层抵接于所述GND走线远离所述衬底基板的表面。
可选的，所述GND走线远离所述衬底基板的一侧还设置有导电层，所述导电层与所述GND走线连接，且所述引导结构远离所述彩膜基板的一端抵接于所述导电层。
可选的，所述导电层为ITO，所述导电层与所述GND走线的延伸方向相同，且所述导电层与所述GND走线的末端连接。
可选的，所述引导结构包括凹槽，所述凹槽与所述GND走线的延伸方向相同，且所述凹槽的宽度小于所述GND走线的宽度。
可选的，所述引导结构包括隔垫柱，所述隔垫柱远离所述彩膜基板的一端设置所述引导层，所述GND走线上设置有绝缘层，且所述绝缘层对应所述隔垫柱的位置设置镂空，所述引导层直接抵接于所述GND走线；所述显示面板还包括辅隔垫物，所述辅隔垫物设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，且所述隔垫柱在所述阵列基板上的投影面积等于所述辅隔垫物在所述阵列基板上的投影面积。
可选的，所述引导结构包括隔垫柱，所述隔垫柱的一端直接抵接于所述导电层；所述显示面板还包括辅隔垫物，所述辅隔垫物设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，且所述隔垫柱在所述阵列基板上的投影面积等于所述辅隔垫物在所述阵列基板上的投影面积。
可选的，所述引导结构包括隔垫墙，所述隔垫墙远离所述彩膜基板的一端设置所述引导层，所述GND走线上设置有绝缘层，且所述绝缘层对应所述隔垫墙的位置设置镂空，所述引导层直接抵接于所述GND走线；其中，所述隔垫墙沿平行于所述GND走线延伸方向的长度大于等于所述隔垫墙沿垂直于所述GND走线延伸方向的长度的2倍。
可选的，所述引导结构设置有多个，沿所述GND走线的延伸方向，相邻两个引导结构之间的距离为A，所述引导结构距最近的所述过孔转接层之间的距离为B，且A与B满足：A<*B，其中，<0.5。
可选的，所述导电层为沿所述GND走线延伸方向设置的条状结构或网状结构。
相对于仅设置GND走线防静电能力差的方案来说，本申请在阵列基板上除了设置GND走线外，还在彩膜基板对应GND走线的位置设置有引导结构，并且，引导结构远离彩膜基板的表面距衬底基板表面的高度小于或等于过孔转接层垂直于衬底基板表面的高度，在走线区远离显示区的一侧形成静电防火墙，进而阻止显示面板边缘的静电入侵，并将从显示面板边缘进入的静电或受到的其他电击伤害引导至GND走线上，使得静电得以释放，提高显示面板的防静电等级，进而提高显示面板的良品率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请实施例一显示面板的示意图；
图2是本申请实施例一显示面板的截面示意图；
图3是本申请实施例二显示面板的截面示意图；
图4是本申请实施例三显示面板的示意图；
图5是本申请实施例三显示面板的截面示意图；
图6是本申请实施例四显示面板的示意图。
其中，10、显示面板；20、彩膜基板；210、黑矩阵；220、保护层；230、引导结构；231、凹槽；232、隔垫柱；233、隔垫墙；240、引导层；30、阵列基板；310、衬底基板；320、扫描线；330、GOA单元；340、走线区；341、过孔转接层；350、GND走线；360、绝缘层；370、导电层。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。
实施例一：
图1是本申请实施例一显示面板的示意图，图2是本申请实施例一显示面板的截面示意图，参考图1和图2可知，作为本申请的第一实施例，公开了一种显示面板10，包括阵列基板30和彩膜基板20，所述彩膜基板20和所述阵列基板30对盒设置，所述阵列基板30包括衬底基板310、走线区340和GND走线350，所述走线区340位于所述显示面板10的非显示区，所述走线区340内设置有至少一个过孔转接层；所述GND走线350设置在在所述衬底基板310上，位于所述走线区340远离所述显示面板10的显示区的一侧，且围绕所述显示面板10的非显示区设置；所述彩膜基板20对应所述GND走线350的位置设置引导结构230，且所述引导结构230与相应的所述过孔转接层341对应设置，所述引导结构230远离所述彩膜基板20的表面距所述衬底基板310表面的高度小于或等于所述过孔转接层341垂直于所述衬底基板310表面的高度。
相对于仅设置GND线防静电能力差的方案来说，本申请在阵列基板30上除了设置GND走线350外，还在彩膜基板20对应GND走线350的位置设置有引导结构230，并且，引导结构230远离彩膜基板20的表面距衬底基板310表面的高度小于或等于过孔转接层341垂直于衬底基板310表面的高度，在走线区340远离显示区的一侧形成静电防火墙，进而阻止显示面板10边缘的静电入侵，并将从显示面板10边缘进入的静电或受到的其他电击伤害引导至GND走线350上，使得静电得以释放，提高显示面板10的防静电等级，进而提高显示面板10的良品率。
阵列基板30上还设置有多条所述扫描线320和GOA单元330，多条所述扫描线320设置在显示面板10的显示区，GOA单元330设置在显示面板10的非显示区，并且GOA单元330位于走线区340远离GND走线350的一侧，多条所述扫描线320与GOA单元330连接，走线区340的信号通过过孔转接层341与GOA单元330耦接，给GOA单元330传递信号，进而通过GOA单元330给扫描线320信号，以实现扫描线320逐行驱动以画面显示。
由于位于走线区340的过孔转接层341通常是阵列基板30的最上面的膜层，最容易受到从显示面板10边缘进入的静电的攻击，为了保护走线区340域的信号能够稳定安全输入给GOA单元330的器件区，首先就要保证走线区340上的过孔转接层341区域的安全，因此，本申请在走线区340的外侧(外侧指的是走线区340远离显示区的一侧)设置引导结构230，并将引导结构230距衬底基板310表面的高度设置为小于或等于过孔转接层341垂直于衬底基板310表面的高度，使得从外侧入侵的静电首先攻击引导结构230，并及时引导至GND走线350以静电释放，保护过孔转接层341以及显示面板10内部的电路。
进一步地，为了提高引导结构230的静电引导能力，所述引导结构230靠近所述阵列基板的一端设置有引导层240，所述引导层240抵接于所述GND走线350远离所述衬底基板的表面。首先，引导结构230作为静电最先攻击的攻击体，有一定的静电积累能力，为了防止静电积累量过大不能及时释放，而在引导结构230上导致积累的大量静电进一步攻击走线区340的过孔转接层341，在引导结构230靠近阵列基板的一端还设置有引导层240，引导层240抵接于GND走线350上，使得引导结构230上的静电通过导电层传递到GND走线350上以静电释放，提高显示面板的静电防护等级。
具体地，所述引导结构230包括隔垫柱232，所述隔垫柱232远离所述彩膜基板20的一端设置所述引导层240，所述GND走线350上设置有绝缘层360，且所述绝缘层360对应所述隔垫柱232的位置设置镂空，所述引导层240直接抵接于所述GND走线350；所述显示面板10还包括辅隔垫物(图中未示出)，所述辅隔垫物设置在所述阵列基板30和所述彩膜基板20之间，且所述隔垫柱232在所述阵列基板30上的投影面积等于所述辅隔垫物在所述阵列基板30上的投影面积。
本实施方式中，引导结构230为隔垫柱232，隔垫柱232的一端设置在彩膜基板20上，另一端设置有引导层240，GND走线350上还设置有绝缘层360，并且绝缘层360对应隔垫柱232的位置镂空设计，使得隔垫柱232的另一端的引导层240抵接于GND走线350，进而将彩膜基板20侧的静电直接引导至GND走线350上以静电释放。同时，隔垫柱232还可以吸收一部分静电，防止静电进入到过孔转接层341区域，进而保护显示面板内的电路。
其中，隔垫柱232可以采用绝缘树脂材料制作，隔垫柱232本身不导电，除非静电击穿，但是设置隔垫柱232的地方，就会形成绝缘挡墙，在隔垫柱232的外表面与其余材料形成的接触面能够起到静电引导作用，将来自彩膜基板侧的静电沿彩膜基板20上的膜层至隔垫柱232的根部，顺着隔垫柱232外表面引导至隔垫柱232顶端，隔垫柱232顶端与阵列基板30侧对顶，或很近，那对应阵列基板30的GND走线350对引导来的静电捕获能力就更强，从而通过GND走线350疏散。
并且，显示面板10还包括辅隔垫物，当显示面板10收到外力时辅隔垫物起到支撑作用，将隔垫柱232在阵列基板30上的投影面积设置为等于辅隔垫物在阵列基板30上的投影面积，即隔垫柱232的截面面积等于辅隔垫物的截面面积，在制作时，隔垫柱232可以和辅隔垫物同一制程，或采用相同大小的掩膜版进行制作，简化制作工艺。
此外，所述引导结构230设置有多个，沿所述GND走线350的延伸方向，相邻两个引导结构230之间的距离为A，所述引导结构230距最近的所述过孔转接层341之间的距离为B，且A与B满足：A<*B，其中，<0.5。当引导结构230为隔垫柱232时，隔垫柱232可以设置多个，并且沿GND走线350的延伸方向，相邻两个隔垫柱232之间的距离为A，隔垫柱232距最近的过孔转接层341之间的距离为B，将A与B设置为满足：A<*B，其中，<0.5，这样即使静电从相邻隔垫柱232之间穿过，由于该距离A小于B，穿过的静电也不会传递至过孔转接层341，更不会传递至GNA单元处，进而显示面板10的静电防护等级更强。
并且，由于显示面板10不同区域的过孔转接层341距GND走线350的距离B会不相同，因此，相邻两个引导结构230之间的距离A可以设置为相同，距离A也可以设置为不同，当相邻两个引导结构230之间的距离A设置为相同时，距离A可以根据隔垫柱232距最近的过孔转接层341之间的最小距离B设计，满足A<*B(□<0.5)；当相邻两个引导结构230之间的距离A设置为不相同时，即其他相邻两个引导结构230之间的距离可以为A1、A2、A3等，对应的A1、A2、A3处的引导结构230距最近的过孔转接层341之间的距离分别为B1、B2、B3，则A1、A2、A3需分别满足：A1<*B1，A2<*B2，A3<*B3(□<0.5)，距离A的实际距离可根据B1、B2等距离B的变化分段分区域动态调整A距离。
当然，当引导结构230距衬底基板310表面的高度可以是小于或等于过孔转接层341垂直于衬底基板310表面的高度，当引导结构230距衬底基板310表面的高度小于过孔转接层341垂直于衬底基板310表面的高度时，可以通过引导层240抵接于GND走线350以静电释放；当引导结构230距衬底基板310表面的高度等于过孔转接层341垂直于衬底基板310表面的高度时，此时，引导结构230靠近阵列基板30的一端可以悬空设置，此时引导结构230也可积累一部分静电，避免边缘的静电攻击过孔转接层341，起到静电防护的效果。
实施例二：
图3是本申请实施例二显示面板的截面示意图，参考图3可知，本实施例是对实施例一的进一步改进，通常彩膜基板20上设置有黑矩阵210和保护层220，所述引导结构230包括凹槽231，所述凹槽231与所述GND走线350的延伸方向相同，且所述凹槽231的宽度小于所述GND走线350的宽度，将引导结构230设置为凹槽231，可以在彩膜基板20的黑矩阵210上对应GND走线350的位置设置凹槽231，由于黑矩阵210也有一定的介电常数，虽然对应阻值较大，但也有一定导电能力，所以黑矩阵210上挖槽，即设置凹槽231是为了防止彩膜基板侧传入静电，而凹槽231的宽度设置为小于GND走线350的宽度，保护层220嵌入在凹槽231内，进而彩膜基板20侧的静电可以通过该凹槽231两侧的保护层220改变静电路径，将静电引导至阵列基板30侧的GND走线350上，使得静电得以释放，提高显示面板10的静电防护能力。
设置隔垫柱的同时，还设置凹槽，隔垫柱可以设置在对应GND走线350的两端，在GND走线350两端形成阻挡墙，防止显示面板边缘的静电向显示区内入侵，而凹槽设置在GND走线350的中心位置，防止从彩膜基板侧的静电入侵，极大提高显示面板的静电防护能力。当然，凹槽231也可以沿GND走线350的延伸方向设置为间断结构，即引导结构230由多个间断的凹槽231组成，同样可以起到引导静电至GND走线350上的作用，通过在设置隔垫柱232的同时，也设置凹槽231，增强静电传导能力，以及静电释放能力，提高显示面板的静电防护等级。
实施例三：
图4是本申请实施例三显示面板的示意图，图5是本申请实施例三显示面板的截面示意图，参考图4和图5可知，作为本申请的实施例三，为了增强显示面板10的静电防护等级，所述GND走线350远离所述衬底基板310的一侧还设置有导电层370，所述导电层370与所述GND走线350连接，且所述引导结构230远离所述彩膜基板20的一端抵接于所述导电层370。
本实施方式中，以引导结构230为隔垫柱232和凹槽231为例，阵列基板30侧除了设置GND走线350外，在GND走线350远离衬底基板310的一侧还设置有导电层370，并且导电层370与GND走线350连接，当凹槽231将彩膜基板20侧的静电引导至GND走线350，以及隔垫柱232将外界进入的静电引导至GND走线350时，同样也将静电引导至导电层370上，以释放静电，这样阵列基板30侧的静电由导电层370和GND走线350共同释放，接收静电的能力更强，进而显示面板10的静电防护等级更强。本实施方式中，将凹槽231与GND走线350的延伸方向设置为相同，且凹槽231的宽度设置为小于导电层370的宽度，使得彩膜基板20侧通过凹槽231入侵的静电可完全引导至导电层370，以传导至GND走线350得到静电释放。
可选的，所述导电层370为ITO，所述导电层370与所述GND走线350的延伸方向相同，且所述导电层370与所述GND走线350的末端连接。导电层370采用ITO材料制作，由于通常阵列基板30靠近彩膜基板20的最上层设置有公共电极线，公共电极采用ITO材质制作，且位于膜层架构最上层，是裸露在外的可导电膜层，可增强静电接收能力，且ITO是金属氧化物不易腐蚀。并且，导电层370采用与公共电极同材质的材料制作，还可以与公共电极同一制程制作，减小制作成本，提高显示面板10的稳定性。
另外，导电层370与GND走线350通过末端进行连接，等同几股线将其头尾电性连接，最终所得的导电层370与GND走线350就是同一根线，这样不仅可以增强静电接收能力，还可以简化显示面板10的内部走线设计。
进一步的，所述导电层370为沿所述GND走线350延伸方向设置的条状结构或网状结构。如图3示出，本申请以导电层370设置为沿GND走线350延伸方向设置的条状结构为例，导电层370沿GND走线350设置为一条或多条，以导电层370设置两条为例，且两条导电层370间隔设置，两条导电层370的分别通过末端与GND走线350连接。另外，两条导电层370分别设置在GND走线350的两侧边缘处，这样，凹槽231可以对应设置在GND走线350的中心位置，利于静电引导至导电层370处，进而引导至GND走线350上以静电释放。当然，导电层370为一条或多条时，不仅可以通过首尾与GND走线350通过过孔桥接，也可以在中部通过间隔过孔来桥接，同样可以起到将导电层370与GND走线350连接的效果。
此外，当导电层370设置为网状结构时，引导结构230将接收到的静电传递到导电层370时，可以通过网状结构分散，传导至GND走线350以释放，并且，网状结构可以接收更多的静电，显示面板10的静电防护效果更好。
实施例四：
图6是本申请实施例四显示面板的示意图，参考图6可知，作为本申请的实施例四，与实施例三不同的是，所述引导结构230包括隔垫墙233，所述隔垫墙233远离所述彩膜基板20的一端设置所述引导层240，所述GND走线350上设置有绝缘层360，且所述绝缘层360对应所述隔垫墙233的位置设置镂空，所述引导层240直接抵接于所述GND走线350；其中，所述隔垫墙233沿平行于所述GND走线350延伸方向的长度大于等于所述隔垫墙233沿垂直于所述GND走线350延伸方向的长度的2倍。
本实施方式中，引导结构230为隔垫墙233，隔垫墙233远离彩膜基板的一端设置引导层240，隔垫墙233也可以采用绝缘树脂材料制作，相比隔垫柱232，隔垫墙233在GND走线350的延伸方向上的长度大于隔垫柱232的长度，静电传导能力更强，具体地，将隔垫墙233沿平行于GND走线350延伸方向的长度设置为大于等于隔垫墙233沿垂直于GND走线350延伸方向的长度的2倍，即隔垫柱232在截面上的长宽比设置为大于等于2，隔垫墙233直接抵接于GND走线350上，将彩膜基板20侧的静电传导至GND走线350上以释放，进而提高显示面板10的静电防护等级。
并且，当GND走线350上设置有导电层370时，隔垫墙233可以直接抵接于导电层370，以传导静电，当导电层370设置为一条时，隔垫墙233对应设置在导电层370上；当导电层370设置有两条或多条时，隔垫墙233可以对应导电层370错位设置，以将彩膜基板20侧的静电分散到多条导电层370上，进而传导至GND走线350上以释放。
需要说明的是，本申请的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置，其特征在于，
所述阵列基板包括衬底基板、走线区和GND走线，所述走线区位于所述显示面板的非显示区，所述走线区内设置有至少一个过孔转接层；所述GND走线设置在在所述衬底基板上，位于所述走线区远离所述显示面板的显示区的一侧，且围绕所述显示面板的非显示区设置；
所述彩膜基板对应所述GND走线的位置设置引导结构，且所述引导结构与相应的所述过孔转接层对应设置，所述引导结构远离所述彩膜基板的表面距所述衬底基板表面的高度小于或等于所述过孔转接层垂直于所述衬底基板表面的高度。
2.根据如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构靠近所述阵列基板的一端设置有引导层，所述引导层抵接于所述GND走线远离所述衬底基板的表面。
3.根据如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述GND走线远离所述衬底基板的一侧还设置有导电层，所述导电层与所述GND走线连接，且所述引导结构远离所述彩膜基板的一端抵接于所述导电层。
4.根据如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为ITO，所述导电层与所述GND走线的延伸方向相同，且所述导电层与所述GND走线的末端连接。
5.根据如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构包括凹槽，所述凹槽与所述GND走线的延伸方向相同，且所述凹槽的宽度小于所述GND走线的宽度。
6.根据如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构包括隔垫柱，所述隔垫柱远离所述彩膜基板的一端设置所述引导层，所述GND走线上设置有绝缘层，且所述绝缘层对应所述隔垫柱的位置设置镂空，所述引导层直接抵接于所述GND走线；
所述显示面板还包括辅隔垫物，所述辅隔垫物设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，且所述隔垫柱在所述阵列基板上的投影面积等于所述辅隔垫物在所述阵列基板上的投影面积。
7.根据如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构包括隔垫柱，所述隔垫柱的一端直接抵接于所述导电层；
所述显示面板还包括辅隔垫物，所述辅隔垫物设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，且所述隔垫柱在所述阵列基板上的投影面积等于所述辅隔垫物在所述阵列基板上的投影面积。
8.根据如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构包括隔垫墙，所述隔垫墙远离所述彩膜基板的一端设置所述引导层，所述GND走线上设置有绝缘层，且所述绝缘层对应所述隔垫墙的位置设置镂空，所述引导层直接抵接于所述GND走线；
其中，所述隔垫墙沿平行于所述GND走线延伸方向的长度大于等于所述隔垫墙沿垂直于所述GND走线延伸方向的长度的2倍。
9.根据如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引导结构设置有多个，沿所述GND走线的延伸方向，相邻两个引导结构之间的距离为A，所述引导结构距最近的所述过孔转接层之间的距离为B，且A与B满足：A<*B，其中，<0.5。
10.根据如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为沿所述GND走线延伸方向设置的条状结构或网状结构。
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