CN105244343A

CN105244343A - 具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法

Info

Publication number: CN105244343A
Application number: CN201510685785.5A
Authority: CN
Inventors: 张鹏举; 李鑫; 李健; 于刚; 刘汉青
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2015-10-19
Filing date: 2015-10-19
Publication date: 2016-01-13
Anticipated expiration: 2035-10-19
Also published as: CN105244343B

Abstract

本发明实施例涉及具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法。根据本发明实施例的基板包括：绝缘基底；位于绝缘基底上的第一布线层；位于所述第一布线层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二布线层；位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，其中，在所述基板周边，在所述第一绝缘层的沟槽中填充有由所述第二布线层的最外侧布线形成的第一静电屏蔽部，且在所述第二绝缘层的沟槽中填充有由所述顶部布线层的最外侧布线形成的第二静电屏蔽部，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成所述静电屏蔽结构。

Description

具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法

技术领域

本发明实施例一般地涉及基板和面板技术领域，尤其涉及一种具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法。

背景技术

在半导体基板和面板领域中，静电是导致基板和面板工作实效降低的主要因素之一，静电的屏蔽和防护工作是基板和面板设计需要考虑的因素之一，抗静电能力也是基板和面板的主要性能和信赖性评价指标之一。

但是目前基板和面板的设计仍不能避免静电问题，抗静电能力低。举例而言，目前的TFT(薄膜晶体管)面板设计主要是在TFT基板周围设置与栅极同层的接地线，用于引导走静电。

以液晶面板中的TFT基板为例，如图1所示，常规TFT基板100包括：TFT玻璃基底1；位于玻璃基底1上的第一布线层2，其包括栅极布线、其他信号线、面板接地线等；位于第一布线层2上的第一绝缘层3；位于第一绝缘层3上的像素电极层4、半导体层8、以及包括源漏极布线与其他信号线的第二布线层5；位于像素电极层4、半导体层8以及第二布线层5上的第二绝缘层6；位于第二绝缘层6上的公共电极层(一般由ITO(铟锡氧化物)形成)。

在这样的常规TFT基板中，接地线12由第一布线层2中的最外侧布线形成，其沿TFT面板一周，与FPC(柔性印刷电路)连接。然而，虽然使用了接地线12，这种常规TFT基板的静电屏蔽效果仍不够理想。

发明内容

本发明实施例提供一种具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法，通过增加基板和面板周围的屏蔽设计，对基板和面板形成包覆屏蔽圈，可以有效屏蔽外界静电，提高基板和面板的抗静电能力。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种具有静电屏蔽结构的基板，所述基板可包括：

绝缘基底；

位于绝缘基底上的第一布线层；

位于所述第一布线层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的第二布线层；

位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，

其中，在所述基板周边，在所述第一绝缘层的沟槽中填充有由所述第二布线层的最外侧布线形成的第一静电屏蔽部，且在所述第二绝缘层的沟槽中填充有由所述顶部布线层的最外侧布线形成的第二静电屏蔽部，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成所述静电屏蔽结构。

根据本发明的示例性实施例，所述绝缘基底可以为透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述基板可以为薄膜晶体管基板。

根据本发明的示例性实施例，所述绝缘基底可以为不透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述基板可以还包括由所述第一布线层的最外侧布线形成的接地线，所述接地线位于所述第一静电屏蔽部下方且与所述第一静电屏蔽部相连。

根据本发明的示例性实施例，在所述基板的至少一个拐角处，所述第一和第二静电屏蔽部可以使用圆倒角。

根据本发明的示例性实施例，所述基板可以还包括位于所述第一与第二静电屏蔽部之间的至少一个另外的静电屏蔽部，所述至少一个另外的静电屏蔽部可以填充所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的至少一个另外的绝缘层中的沟槽，并且，所述至少一个另外的静电屏蔽部可以与所述第一和第二静电屏蔽部相连。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种具有静电屏蔽结构的面板，其可包括根据本发明实施例第一方面的上述基板，可以还包括具有一个或多个静电屏蔽层的上盖板，所述上盖板与所述基板可以通过其间的封框胶而接合在一起，所述一个或多个静电屏蔽层可以填充所述上盖板的绝缘层中的沟槽且位于所述上盖板的与所述第一和第二静电屏蔽部相对的位置处，所述封框胶可以连接所述第二静电屏蔽部和所述静电屏蔽层，并且所述封框胶可以包含各向异性导电粒子。

根据本发明的示例性实施例，所述上盖板可以为彩膜，并且所述静电屏蔽层可以为透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述各向异性导电粒子可以为各向异性导电金球。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种制造具有静电屏蔽结构的基板的方法，可以包括以下步骤：

在绝缘基底上形成图案化的第一布线层；

在所述第一布线层上形成第一绝缘层；

在所述基板周边，在所述第一绝缘层中开第一沟槽；

在所述第一绝缘层上形成图案化的第二布线层；

在所述第二布线层上形成第二绝缘层；

在所述基板周边，在所述第二绝缘层中开第二沟槽；以及

在所述第二绝缘层上形成图案化的顶部布线层，

其中，所述第二布线层的最外侧布线填充所述第一沟槽而形成第一静电屏蔽部，且所述顶部布线层的最外侧布线填充所述第二沟槽而形成第二静电屏蔽部，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成所述静电屏蔽结构。

根据本发明的示例性实施例，所述绝缘基底可以为透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述第一布线层的最外侧布线形成接地线，所述接地线位于所述第一静电屏蔽部下方且与所述第一静电屏蔽部相连。

根据本发明的示例性实施例，该基板制造方法可以还包括在所述第一与第二静电屏蔽部之间形成至少一个另外的静电屏蔽部，所述至少一个另外的静电屏蔽部可以填充所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的至少一个另外的绝缘层中的沟槽，并且，所述至少一个另外的静电屏蔽部可以与所述第一和第二静电屏蔽部相连。

根据本发明实施例的第四方面，提供一种制造具有静电屏蔽结构的面板的方法，其可包括根据本发明实施例第三方面的上述基板制造方法中的步骤，并且可以还包括以下步骤：

在上盖板的与所述第一和第二静电屏蔽部相对的位置处可以形成填充上盖板的绝缘层中的沟槽的一个或多个静电屏蔽层；以及

用包含各向异性导电粒子的封框胶接合所述上盖板与所述基板，其中所述封框胶连接所述上盖板的所述静电屏蔽层与所述基板的所述第二静电屏蔽部。

由上述技术方案可知，本发明实施例通过在基板或面板的周边增加包覆式屏蔽结构，有效地将基板或面板各层中否则可能累积的静电荷引导走，能够防止外部静电穿过静电屏蔽结构损伤基板和面板内部走线和元器件，提高基板和面板的抗静电能力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是常规TFT基板的一般结构的截面示意图；

图2是根据本发明实施例的一个实例的带有静电屏蔽结构的TFT基板结构的截面示意图；

图3A是带有接地线的TFT结构的示意图；

图3B是根据本发明实施例的一个实例的带有静电屏蔽结构的TFT结构的示意图；

图4是根据本发明实施例的另一个实例的带有静电屏蔽结构的TFT基板结构的截面示意图；

图5是根据本发明实施例的具有静电屏蔽结构的防静电面板的截面示意图；

图6是根据本发明实施例制造具有静电屏蔽结构的基板的方法的流程图；以及

图7是根据本发明实施例制造具有静电屏蔽结构的面板的方法的流程图。

附图仅仅示出了本发明的示例性实施例，因此不应当被认为是限制本发明的范围，因为本发明容许有其它等效实施例。图中示出的元件和特征不一定按比例绘制，相反地，重点放在了清楚地图示示例性实施例的原理。在附图中，附图标记标出了相似或对应但并不一定相同的元件。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。当诸如层、区域或衬底的要素被称为在另一要素“上”或“上方”时，它可以直接在该另一要素上，或者也可以存在中间要素。相反，当一个要素被称为“直接在”另一要素“上”或者“上方”时，不存在中间要素。还应当理解，当一个要素被称为在另一要素“下”或“下方”时，它可以直接在该另一要素下或下方，或者也可以存在中间要素。相反，当一个要素被称为“直接在”另一要素“下”或者“下方”时，不存在中间要素。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种具有静电屏蔽结构的基板，其中基板周边的静电屏蔽结构为填充绝缘层中的沟槽的包覆式屏蔽结构，能够有效地屏蔽外界静电，提高基板的抗静电能力。

根据本发明实施例的所述基板可以包括：

绝缘基底；

位于绝缘基底上的第一布线层；

位于所述第一布线层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的第二布线层；

位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，

仍以液晶显示器中使用的TFT基板为例，说明根据本发明实施例的具有静电屏蔽结构的基板的具体结构。然而，本领域技术人员将理解，本发明实施例的基板不限于TFT基板，其可以为半导体领域的任何需要进行有效静电屏蔽的基板，例如，半导体存储器基板、LED(发光二极管)显示器基板等等。

参考图2，其示出了根据本发明实施例的一个实例的带有静电屏蔽结构的TFT基板结构的截面示意图。并且参考图3，其中图3A是带有接地线的TFT结构的示意图，图3B是根据本发明实施例的一个实例的带有静电屏蔽结构的TFT结构的示意图。

如图2所示，带有静电屏蔽结构的TFT基板200包括：绝缘基底1；位于绝缘基底1上的第一布线层2，其可以包括栅极布线、其他信号线等；位于第一布线层2上的第一绝缘层3；位于第一绝缘层3上的第二布线层5，其可以包括源漏极布线与其他信号线；位于所述第二布线层5上的第二绝缘层6；以及位于所述第二绝缘层6上的顶部布线层7，其中，在基板200周边，在第一绝缘层3的沟槽中填充有由第二布线层5的最外侧布线形成的第一静电屏蔽部13，且在第二绝缘层6的沟槽中填充有由顶部布线层7的最外侧布线形成的第二静电屏蔽部14，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成TFT静电屏蔽结构。

与使用接地线12的常规基板100(图3A)中相比，在根据本发明实施例设计的基板(图3B)中，在基板200的周边形成的导电静电屏蔽部13和14填充在基底上的绝缘层(为清楚起见，绝缘层未在图3A和3B中示出)中形成的沟槽而完整包覆基板，这使得在基板中否则可能累积的静电荷被静电屏蔽结构导走，防止外部静电传过屏蔽结构而损伤基板内部走线及元器件。因此根据本发明实施例的使用这种包覆式静电屏蔽结构的基板，可以保护基板中的内部走线及元器件免受静电的影响，提高基板的静电屏蔽效果。

在图2所示的TFT基板中，还包括与常规TFT基板相同的其他部件，例如位于第一绝缘层3上的像素电极层4、第二绝缘层6上的公共电极层7、第一绝缘层3上的半导体层8等。并且，图2所示的TFT基板中，第一布线层包括栅极布线、其他信号线等，第二布线层包括源漏极布线与其他信号线，顶部电极层7为公共电极层。然而，本领域技术人员将理解，本发明实施例的构思也适用于其他半导体应用的基板，其中基板的各部件的种类、结构、数量、位置等不限于图2所示出的那些。在其他半导体应用中，例如，上述像素电极层、位于顶部布线层的公共电极层、位于第一绝缘层上的半导体层等不是必需的，或者可以存在于与图2所示例的位置不同的位置处，或者可以包括图2中没有示出的其他部件。

绝缘基底可以由单层或多层的绝缘材料形成，也可以是在导电材料上覆有绝缘材料的复合绝缘基底。只要具有绝缘特性，所述绝缘材料可以为本领域可用的任何绝缘材料，例如，诸如玻璃等的无机材料、诸如聚酰亚胺、聚醚醚酮等的有机材料及其组合等等。

根据具体需要，绝缘基底可以是透明的或不透明的。在需要透光的应用(例如显示器等)中，绝缘基底可以为透明的。特别地，在用于液晶显示器中时，所述基板可以为TFT基板，且所述绝缘基底可以为透明的。在其他不需要基底透光的应用(例如半导体存储器等)中，绝缘基底可以为不透明的。

第一布线层、第二布线层和顶部布线层的每一者的构成材料可以是任何具有导电性的材料，例如，金属、合金、金属性材料、或它们的组合等。此外，第一布线层、第二布线层和顶部布线层中的每一者可以是单层或多层。

对第一绝缘层和第二绝缘层的每一者的构成材料和层数没有任何限制，其可以是任何具有绝缘性的材料。

可选地，根据本发明实施例的另一实例，如图4所示，第一布线层2的最外侧布线可以形成接地线12，接地线12位于第一静电屏蔽部13下方且与第一静电屏蔽部13相连。也就是，根据本发明实施例的该另一实例，可以保留常规基板设计中的接地线部分，在接地线的基础上增加静电屏蔽结构，这同样可以实现提高基板静电屏蔽能力的效果。

可选地，第一静电屏蔽部13和第二静电屏蔽部14以及可选的接地线12可以在基板的至少一个拐角处使用圆倒角，如图3B所示。需要注意的是，图3B为示意图，虽然在图3B中示出了在基板的一个拐角处使用圆倒角，但其仅仅是示例性的。第一静电屏蔽部13和第二静电屏蔽部14以及可选的接地线12可以在基板的一个或多个拐角处使用圆倒角，也可以在基板的每个拐角处使用圆倒角。

通过使第一静电屏蔽部13和第二静电屏蔽部14以及可选的接地线12在基板的至少一个拐角处具有圆倒角，可以进一步增加基板的静电屏蔽能力。

根据本发明实施例的基板中的静电屏蔽结构的构成层数不限于上面示例的两层(第一静电屏蔽部和第二静电屏蔽部)，可以根据实际基板中的绝缘层的层数来改变静电屏蔽结构的层数。例如，在第一与第二静电屏蔽部之间还可以形成至少一个另外的静电屏蔽部，其填充第一绝缘层与第二绝缘层之间的至少一个另外的绝缘层中的沟槽且与所述第一和第二静电屏蔽部相连。

此外，需要注意的是，图2、图4所示的第一静电屏蔽部13和第二静电屏蔽部14以及图4所示的接地线12的形状仅仅是示例性的，而非限制性的。对各静电屏蔽部的形状没有具体限制。

另外，在本发明实施例中，各布线层以及各半导体层等其他基板构成要素的具体图案和布置不限于图2和图4所示的情况，而是取决于具体的基板内元器件设计。

根据本发明的示例性实施例，提供一种具有静电屏蔽结构的面板，其可包括根据本发明示例性实施例的上述基板，并且可以还包括具有一个或多个静电屏蔽层的上盖板，所述上盖板与所述基板通过其间的封框胶而接合在一起，所述一个或多个静电屏蔽层填充所述上盖板的绝缘层中的沟槽且位于所述上盖板的外周侧与所述第一和第二屏蔽部相对的位置处，所述封框胶接触所述第二屏蔽部和所述静电屏蔽层，并且所述封框胶包含各向异性导电粒子。

仍以液晶显示器中使用的包含TFT基板的面板为例，说明根据本发明实施例的具有静电屏蔽结构的面板的具体结构。然而，如上所述，根据本发明实施例的基板不限于TFT基板，相应地，根据本发明实施例的面板也不限于液晶面板，而可以是半导体领域的任何需要进行有效静电屏蔽的面板。

图5是根据本发明实施例的一个实例的具有静电屏蔽结构的面板的截面示意图。如图5所示，面板500包括如图2所示的基板200，并且还包括具有静电屏蔽层10的上盖板11，上盖板11与基板200通过其间的封框胶9而接合在一起，静电屏蔽层10填充上盖板11的绝缘层中的沟槽且位于上盖板11的与所述第一和第二屏蔽部13、14相对的位置处，封框胶9连接第二屏蔽部14和静电屏蔽层10并且包含各向异性导电粒子。

通过包含各向异性导电粒子的封框胶9，基板200的第二屏蔽部14和上盖板11的静电屏蔽层10相连，从而，在面板的周边，由静电屏蔽部13和14、各向异性导电封框胶9和静电屏蔽层10构成的静电屏蔽结构以及可选的接地线完整包覆面板500，这使得在面板500中否则可能累积的静电荷被静电屏蔽结构导走，防止外部静电传过屏蔽结构而损伤面板内部走线及元器件。因此根据本发明实施例的使用这种包覆式静电屏蔽结构的面板，可以屏蔽外部静电对面板的影响，也可以屏蔽外部电场对面板造成的干扰。

在将图5所示的面板500应用于液晶面板时，具体地，上盖板11可以为彩膜，并且静电屏蔽层10可以为透明的，例如可以使用铟锡氧化物、铟锌氧化物等材料制作。

对封框胶中的各向异性导电粒子不做具体限制，可以使用本领域公知的各向异性导电粒子。可选地，所示各向异性导电粒子为各向异性导电金球。

根据本发明的示例性实施例，提供一种制造具有静电屏蔽结构的基板的方法，可包括以下步骤：

在绝缘基底上形成图案化的第一布线层；

在所述第一布线层上形成第一绝缘层；

在所述基板周边，在所述第一绝缘层中开第一沟槽；

在所述第一绝缘层上形成图案化的第二布线层；

在所述第二布线层上形成第二绝缘层；

在所述基板周边，在所述第二绝缘层中开第二沟槽；以及

在所述第二绝缘层上形成图案化的顶部布线层，

下面根据图2中所示例的结构，参考图6对本发明实施例提供的基板制造方法进行详细的描述。

如图6所示，在步骤S602，在绝缘基底1上形成第一布线材料，并对该第一布线材料进行图案化而形成第一布线层2。

在步骤S604，在第一布线层2上沉积第一绝缘材料以完全覆盖第一布线层2，并对第一绝缘材料进行平面化而形成第一绝缘层3。

在步骤S606，在基板周边的与稍后形成的第二布线层的最外侧布线对应的区域，对第一绝缘层3开第一沟槽。

在步骤S608，在具有第一沟槽的第一绝缘层3上形成第二布线材料，并对该第二布线材料进行图案化而形成第二布线层5。在该步骤中，第一沟槽被第二布线材料填充而形成第一静电屏蔽部13。与稍后形成的第二静电屏蔽部14相连的第一静电屏蔽部13的形状不限于图2中所示的形状。第一静电屏蔽部13可以在第一沟槽上口两侧的第一绝缘层3上保留一定宽度(如图2所示)以更方便地与稍后形成的第二静电屏蔽部14相连，但本发明实施例并不限于此，例如，第一静电屏蔽部13可以与第一沟槽的上口同宽。

在步骤S610，在第二布线层5上沉积第二绝缘材料以完全覆盖第二布线层5，并对第二绝缘材料进行平面化而形成第二绝缘层6。

在步骤S612，在基板周边的与第一静电屏蔽部13相对应的区域，对第二绝缘层6开第二沟槽。

在步骤S614，在具有第二沟槽的第二绝缘层6上形成顶部布线材料，并对该顶部布线材料进行图案化而形成顶部布线层7。在该步骤中，第二沟槽被顶部布线材料填充而形成与第一静电屏蔽部13相连的第二静电屏蔽部14。能够与第一静电屏蔽部13相连的第二静电屏蔽部14的形状不限于图2中所示的形状。第二静电屏蔽部14可以在第二沟槽上口两侧的第二绝缘层6上保留一定宽度(如图2所示)以更方便地与可能存在的其他静电屏蔽部相连，但本发明实施例并不限于此，例如，第二静电屏蔽部14可以与第二沟槽的上口同宽。

由此，完成根据本发明实施例的具有静电屏蔽结构的基板200的制造。

可选地，如图4所示，第一布线层2的最外侧布线可以形成接地线12，接地线12位于第一静电屏蔽部13下方且与第一静电屏蔽部13相连。也就是，根据本发明实施例的该另一实例，可以保留常规基板设计中的接地线部分，在接地线的基础上增加静电屏蔽结构，这同样可以实现提高面板静电屏蔽能力的效果。

可选地，可以在形成第二布线层5之后且在形成第二绝缘层6和顶部布线层7之前，在第二布线层5上形成至少一个另外的绝缘层，并且在与第一和第二静电屏蔽部对应的位置处，对所述至少一个另外的绝缘层开出至少一个另外的沟槽，该沟槽在后续的至少一个另外的布线材料沉积过程中被该另外的布线材料填充而形成至少一个另外的静电屏蔽部，所述至少一个另外的静电屏蔽部与所述第一和第二静电屏蔽部相连。也就是，根据本发明实施例的方法制造的基板中的静电屏蔽结构的构成层数不限于上面示例的两层(第一静电屏蔽部和第二静电屏蔽部)，可以根据实际基板中的绝缘层的层数来改变静电屏蔽结构的层数。

基板200的各层的配置已经在针对图2进行的详细描述中进行了说明，在此不再进行赘述。

在上述基板制造方法中，各步骤中所使用的工艺为半导体领域中常规的工艺，对此不进行具体限制。

通过上述基板制造方法，制造出具有静电屏蔽结构的基板，其中基板周边的静电屏蔽结构为包覆式屏蔽结构，能够有效地屏蔽外界静电，提高基板的抗静电能力。

根据本发明的示例性实施例，提供一种制造具有静电屏蔽结构的面板的方法，其可包括根据上述基板制造方法中的步骤，并且可以还包括以下步骤：

在上盖板的与所述第一和第二静电屏蔽部相对的位置处形成填充上盖板的绝缘层中的沟槽的一个或多个静电屏蔽层；以及

下面根据图5中所示例的结构，参考图7对本发明实施例提供的面板制造方法700进行详细的描述。

如图7所示，在面板制造方法700中，除了包括基板制造方法600的步骤S602-S614之外，可以还包括步骤S702和S704。

在步骤S702，在上盖板11的绝缘基底上形成并图案化上盖板布线层，在上盖板布线层上沉积上盖板绝缘材料并进行平面化而形成上盖板绝缘层，在上盖板绝缘层中的与所述基板的静电屏蔽结构对应的位置处对上盖板绝缘层开沟槽，在沟槽中沉积静电屏蔽材料而形成填充上盖板绝缘层中的沟槽的静电屏蔽层。

在步骤S704，用包含各向异性导电粒子的封框胶9接合上盖板与根据上述基板制造方法制造的基板200，其中所述封框胶连接上盖板的静电屏蔽层和基板的第二静电屏蔽部。封框胶9、上盖板的静电屏蔽层10和基板的静电屏蔽结构13、14共同构成面板的静电屏蔽结构。

由此，完成根据本发明实施例的具有静电屏蔽结构的面板500的制造。

面板500的各层的配置已经在针对图5进行的详细描述中进行了说明，在此不再进行赘述。

在上述面板制造方法中，各步骤中所使用的工艺为半导体领域中常规的工艺，对此不进行具体限制。

通过上述面板制造方法，制造出具有静电屏蔽结构的面板，其中面板周边的静电屏蔽结构为包覆式屏蔽结构，能够有效地屏蔽外界静电，提高面板的抗静电能力，也可以屏蔽外部电场对面板造成的干扰。

本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种具有静电屏蔽结构的基板，包括：

绝缘基底；

位于绝缘基底上的第一布线层；

位于所述第一布线层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的第二布线层；

位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，

2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述绝缘基底为透明的。

3.根据权利要求2所述的基板，其中，所述基板为薄膜晶体管基板。

4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述绝缘基底为不透明的。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板，还包括由所述第一布线层的最外侧布线形成的接地线，所述接地线位于第一静电屏蔽部下方且与所述第一静电屏蔽部相连。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的基板，其中，在所述基板的至少一个拐角处，所述第一和第二静电屏蔽部使用圆倒角。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的基板，还包括位于所述第一与第二静电屏蔽部之间的至少一个另外的静电屏蔽部，所述至少一个另外的静电屏蔽部填充所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的至少一个另外的绝缘层中的沟槽，并且，所述至少一个另外的静电屏蔽部与所述第一和第二静电屏蔽部相连。

8.一种具有静电屏蔽结构的面板，其包括根据权利要求1-7中任一项所述的基板，还包括具有一个或多个静电屏蔽层的上盖板，所述上盖板与所述基板通过其间的封框胶而接合在一起，所述一个或多个静电屏蔽层填充所述上盖板的绝缘层中的沟槽且位于所述上盖板的与所述第一和第二静电屏蔽部相对的位置处，所述封框胶连接所述第二静电屏蔽部和所述静电屏蔽层，并且所述封框胶包含各向异性导电粒子。

9.根据权利要求8所述的面板，其中，所述上盖板为彩膜，并且所述静电屏蔽层为透明的。

10.根据权利要求8或9所述的面板，其中，所述各向异性导电粒子为各向异性导电金球。

11.一种制造具有静电屏蔽结构的基板的方法，包括以下步骤：

在绝缘基底上形成图案化的第一布线层；

在所述第一布线层上形成第一绝缘层；

在所述基板周边，在所述第一绝缘层中开第一沟槽；

在所述第一绝缘层上形成图案化的第二布线层；

在所述第二布线层上形成第二绝缘层；

在所述基板周边，在所述第二绝缘层中开第二沟槽；以及

在所述第二绝缘层上形成图案化的顶部布线层，

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述绝缘基底为透明的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述基板为薄膜晶体管基板。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述绝缘基底为不透明的。

15.根据权利要求11-14中任一项所述的方法，其中，所述第一布线层的最外侧布线形成接地线，所述接地线位于第一静电屏蔽部下方且与所述第一静电屏蔽部相连。

16.根据权利要求11-14中任一项所述的方法，其中，在所述基板的至少一个拐角处，所述第一和第二静电屏蔽部使用圆倒角。

17.根据权利要求11-14中任一项所述的方法，还包括在所述第一与第二静电屏蔽部之间形成至少一个另外的静电屏蔽部，所述至少一个另外的静电屏蔽部填充所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的至少一个另外的绝缘层中的沟槽，并且，所述至少一个另外的静电屏蔽部与所述第一和第二静电屏蔽部相连。

18.一种制造具有静电屏蔽结构的面板的方法，其包括根据权利要求11-17中任一项所述的方法中的步骤，并且还包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述上盖板为彩膜，并且所述静电屏蔽层为透明的。

20.根据权利要求18或19所述的方法，其中，所述各向异性导电粒子为各向异性导电金球。