CN108415198B - 阵列基板、显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种阵列基板、显示装置及其制备方法，涉及显示技术领域，主要解决的技术问题是降低显示面板周边GOA电路向外辐射的电场。主要采用的技术方案为：阵列基板，包括：显示区、周边线路区；所述周边线路区包括设置于衬底基板上的周边电路；静电屏蔽层，所述静电屏蔽层设置于所述周边电路远离所述衬底基板的一侧，现对于现有技术，能够降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。

Description

阵列基板、显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及其制备方法。
背景技术
阵列栅极驱动(Gate driver On Array，简称GOA)技术是一种将液晶显示器栅极驱动集成电路(Gate Driver Integrated Circuit)集成在阵列基板上的技术。
发明人发现：GOA电路布置在显示面板显示区域的侧边，其具有多个级联的GOA单元，由于GOA电路布线密度较高，较显示区域具有较高的容值，GOA电路区域较显示区域产生的电场较大，从而导致显示面板周边GOA电路区域容值与显示区域内部容值均一性差，使得显示面板的成品率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示装置及其制备方法，主要解决的技术问题是降低显示面板周边GOA电路向外辐射的电场。
为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：
一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区、周边线路区，包括：
在衬底基板周边线路区制备周边电路；
在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
可选的，前述的阵列基板的制备方法，其中在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层，包括：
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二导电层，其中，所述第二导电层包括连接部，使所述连接部与所述第一导电层电连接，所述连接部在所述衬底基板上的正投影为环状。
可选的，前述的阵列基板的制备方法，其中在所述绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层包括连接部，使所述连接部与所述第一导电层电连接，包括：
在绝缘层上开设贯通至所述第一导电层的沟槽；
在开设沟槽的绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层的至少部分连接部形成于所述沟槽内，与所述第一导电层电连接。
可选的，前述的阵列基板的制备方法，其中在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层，具体为：
采用同一第一构图工艺下，在所述显示区域形成显示电路的第一功能电极，在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层；
和/或
在所述绝缘层上形成第二导电层，具体为：
采用同一第二构图工艺下，在所述显示区域形成显示电路的第二功能电极，在所述绝缘层上形成第二导电层。
可选的，前述的阵列基板的制备方法，其中所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；或
所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
另一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括：显示区、周边线路区；
所述周边线路区包括设置于衬底基板上的周边电路；
静电屏蔽层，所述静电屏蔽层设置于所述周边电路远离所述衬底基板的一侧。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
可选的，前述的阵列基板，其中所述静电屏蔽层包括：
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧的第一导电层；
在所述第一导电层上的绝缘层；
位于所述绝缘层上的第二导电层，所述第二导电层包括连接部，所述连接部与所述第一导电层电连接，所述连接部在所述衬底基板上的正投影为环状。
可选的，前述的阵列基板，其中所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间，至少部分绝缘层填充至所述封闭空间。
可选的，前述的阵列基板，其中所述绝缘层上设置有贯通至所述第一导电层的沟槽，所述连接部的至少部分位于所述沟槽内，与所述第一导电层电连接。
可选的，前述的阵列基板，其中所述第一导电层与所述显示区显示电路的第一功能电极同层；和/或
所述第二导电层与所述显示区显示电路的第二功能电极同层。
可选的，前述的阵列基板，其中所述第二导电层与所述第二功能电极之间隔离，所述第二功能电极包括间隔分布的多个电极。
可选的，前述的阵列基板，其中所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；或
所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
可选的，前述的阵列基板，其中还包括：
静电释放电路，所述静电释放电路与所述静电屏蔽层电连接。
可选的，前述的阵列基板，其中所述静电释放电路包括间隔分布的第一静电释放点、第二静电释放点；
所述第一静电释放点、所述第二静电释放点、所述连接部在所述衬底基板上的正投影为闭合的环状。
再一方面，本发明的实施例提供一种显示装置，包括：上述的阵列基板。
借由上述技术方案，本发明技术方案提供的阵列基板、显示装置及其制备方法至少具有下列优点：
本发明实施例提供的技术方案中，在周边电路远离衬底基板的一侧形成静电屏蔽层，现对于现有技术，能够降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图2是本发明的实施例提供的一种具体的阵列基板的制备方法的流程示意图；
图3是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的一些步骤中的结构示意图；
图4是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的一些步骤中的结构示意图；
图5是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的一些步骤中的结构示意图；
图6是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的一些步骤中的结构示意图；
图7是本发明的实施例提供的一种阵列基板的制备方法的一些步骤中的结构示意图；
图8是本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图9是本发明的实施例提供的一种具体的阵列基板的结构示意图；
图10是本发明的实施例提供的另一种具体的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的阵列基板、显示装置及其制备方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
本实施例提供的一种阵列基板的制备方法，在周边电路一侧形成静电屏蔽层，可降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。
图1为本发明提供的阵列基板的制备方法一实施例，请参阅图1，本发明的一个实施例提出的阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区、周边线路区，制备方法包括：
A10、在衬底基板周边线路区制备周边电路；
显示区、周边线路区相邻，周边线路区位于显示区的周边，例如，形成半包围的区域。
A20、在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层。
静电屏蔽层、周边电路、衬底基板可依次层叠，具体的，静电屏蔽层布满于周边电路的顶面，周边电路的顶面背向于衬底基板。
在周边电路远离衬底基板的一侧形成静电屏蔽层，现对于现有技术，能够降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。
周边线路区可以为通电后产生电磁场的电子器件区，例如阵列栅极驱动区，对应的周边电路可包括阵列栅极驱动电路。
图2至图7为本发明提供的阵列基板的制备方法一实施例，请参阅图2至图7，具体实施当中，步骤A20可包括：
A21、在所述周边线路区A周边电路10远离所述衬底基板一侧形成第一导电层20a；
A22、在所述第一导电层20a上形成绝缘层30；
绝缘层的材料的示例包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(S iOx)、氧化铝(Ab03)、氮化铝(AIN)或其他合适的材料，例如有机树脂材料。例如，绝缘层可以为由氮化硅或者氧化硅构成的单层结构，或者由氮化硅和氧化硅构成的双层结构。
A23、在所述绝缘层30上形成第二导电层40a，其中，所述第二导电层包括连接部41a，使所述连接部41a与所述第一导电层20a电连接，所述连接部40a在所述衬底基板上的正投影为环状。
其中环状的连接部可为封闭环或开环，环状的连接部环绕于显示区外周。
形成第一导电层、绝缘层、第二导电层的具体工艺可采用沉积等方式，实施中，在所述绝缘层上形成第二导电层，其中，所述第二导电层包括连接部，使所述连接部与所述第一导电层电连接，包括：
在绝缘层30上开设贯通至所述第一导电层20a的沟槽31；
沟槽31可开设于周边电路10外边缘。
在开设沟槽31的绝缘层上形成第二导电层40a，所述第二导电层40a的至少部分连接部41a形成于所述沟槽内，与所述第一导电层20a电连接。
本实施例提供的一种阵列基板的制备方法，基于上述实施例所述的制备方法，在形成静电屏蔽层的过程中，可同时制备形成显示区的显示电路，简化阵列基板的制备工艺。
本发明的一个实施例提出的阵列基板的制备方法，基于上述实施例所述的阵列基板的制备方法，上述实施例所述的制备方法中，
在一些实施例中，步骤在所述周边电路10远离所述衬底基板(图中未示出)一侧形成第一导电层20a，具体为：
采用同一第一构图工艺下，在所述显示区域B形成显示电路的第一功能电极20b，在所述周边电路10远离所述衬底基板一侧形成第一导电层20a；
第一功能电极20b、第一导电层20a可由相同材质，通过沉积形成在同一层上，例如，当第一功能电极20b作为显示电路的像素电极，第一功能电极20b、第一导电层20a的材质可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，缩写ITO)，如C-ITO。第一导电层20a可覆盖于周边电路10。
在一些实施例中，步骤在所述绝缘层30上形成第二导电层40a，具体为：
采用同一第二构图工艺下，在所述显示区域B形成显示电路的第二功能电极40b，在所述绝缘层30上形成第二导电层40a。
第二功能电极、第二导电层可由相同材质，例如，当第二功能电极作为显示电路的公共电极，第二功能电极、第二导电层的材质可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，缩写ITO)或石墨烯导体，如第二材质导电层的材质为P-ITO。形成第二导电层的具体工艺可采用沉积等工艺，本发明不做具体限定。第二功能电极、第二导电层可以为同一导电层，该导电层同时可作为显示电路的第二功能电极和静电屏蔽层的一部分。
在一些实施例中，其中，采用同一第二构图工艺下，在所述显示区域形成显示电路的第二功能电极，在所述绝缘层上形成第二导电层，具体可包括：
在周边线路区A的绝缘层30上开设贯通至所述第一导电层20a的沟槽31；
在开设沟槽的绝缘层上形成待处理导电层32，所述待处理导电层32的至少部分连接部形成于所述沟槽内，与所述第一导电层20a电连接；
在显示区的待处理导电层32上开设沟槽41，将待处理导电层32分割形成位于显示区域显示电路B的第二功能电极40b和在周边线路区A绝缘层上的第二导电层40a。
待处理导电层32上开设的沟槽的个数可为多个，使得待处理导电层分割形成位于显示区域显示电路的第二功能电极40b为多个。
上述实施例中，采用了同一构图工艺，便可同时进行静电屏蔽层和显示电路的制备，较为节省工艺时间，简化了阵列基板的制备工艺步骤，阵列基板的生产成本较低。
在其它的一些实施例中，不局限于所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；也可以是所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
本实施例提供的一种阵列基板，在周边电路一侧设置静电屏蔽层，可降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。
图8为本发明提供的阵列基板一实施例，请参阅图8，本发明的一个实施例提出的阵列基板，包括：显示区C、周边线路区D；所述周边线路区包括置于衬底基板上的周边电路100；静电屏蔽层200，所述静电屏蔽层200设置于所述周边电路100远离所述衬底基板300的一侧。
在周边电路远离衬底基板的一侧形成静电屏蔽层，现对于现有技术，能够降低周边电路对外辐射的电场，使显示区、周边线路区容值测试均一化，提高阵列基板产品合格率。具体实施中。显示区C、周边线路区D相邻，周边线路区C位于显示区D的周边。静电屏蔽层、周边电路、衬底基板可依次层叠，具体的，静电屏蔽层布满于周边电路的顶面，周边电路的顶面背向于衬底基板。
在一些实施例中，所述静电屏蔽层200包括：在所述周边电路100远离所述衬底基板300一侧的第一导电层201；在所述第一导电层201上的绝缘层202；位于所述绝缘层202上的第二导电层203，所述第二导电层203包括连接部，所述连接部与所述第一导电层201电连接，所述连接部在所述衬底基板300上的正投影为环状。即，连接部环形布置在显示区外周，环状的连接部具体可为开环，如U形环，也可为闭环。所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间，至少部分绝缘层填充至所述封闭空间，在第一导电层和第二导电层之间形成支撑。封闭空间可形成静电屏蔽空间，可阻挡周边电路背向衬底基板方向的电磁辐射。
连接部通过至少部分绝缘层的外周和第一导电层连接，在具体实施中，所述绝缘层上设置有贯通至所述第一导电层的沟槽，所述连接部的至少部分位于所述沟槽内，与所述第一导电层电连接，沟槽的布置形状可与连接部的形状匹配，在所述衬底基板上的正投影为环状。
所述第一导电层与所述显示区显示电路的第一功能电极可同层，整体位于显示区C以及周边线路区D，第一导电层与显示区显示电路的第一功能电极可以通过同一第一构图工艺下制备形成，可为一整体导电层，如，第一功能电极、第一导电层可由相同材质，通过沉积形成在同一层上，例如，当第一功能电极作为显示电路的像素电极，第一功能电极、第一导电层的材质可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，缩写ITO)，如C-ITO，第一导电层可覆盖于周边电路。
所述第二导电层与所述显示区显示电路的第二功能电极同层，整体位于显示区C以及周边线路区D，第二导电层与第二功能电极电隔离，使得在所述第一导电层与所述显示区显示电路的第一功能电极可同层，为一整体导电层情况下，第二功能电极与第一功能电极实现电隔离，能够实现各自功能。例如，具体的，第二功能电极可包括间隔分布的多个，第二功能电极可作为显示电路的公共电极，第二导电层与显示区显示电路的第二功能电极材质可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，缩写ITO)或石墨烯导体，如P-ITO。形成所述第二导电层与所述显示区显示电路的第二功能电极的具体工艺可采用溅射等工艺，本发明不做具体限定。
在其它的一些实施例中，不局限于所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；也可以是所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
本实施例提供的一种阵列基板，在基于上述实施例的阵列基板，并将静电屏蔽层和静电释放电路电连接，提高了阵列基板的静电释放能力。
图9为本发明提供的阵列基板一实施例，请参阅图9，基于上述实施例提出的阵列基板，还包括：静电释放电路400，所述静电释放电路400与所述静电屏蔽层200电连接。
将静电屏蔽层和静电释放电路电连接，提高了阵列基板的静电释放能力。
本发明提供的实施例中，周边线路区环绕布置在显示区的第一侧、底侧以及第二侧。静电释放电路的静电释放点可通过柔性线路板等引至显示区的顶侧，静电屏蔽层的金属线路可与显示区的顶侧的静电释放点电连接。
在一些实施例中，所述静电释放电路400包括间隔分布的第一静电释放点401、第二静电释放点402；所述第一静电释放点401、所述第二静电释放点402、所述连接部在所述衬底基板上的正投影为开环的环状。
静电屏蔽层的静电会从第一静电释放点、第二静电释放点中距离较近点较为快速的释放静电，同时，当第一静电释放点或第二静电释放点接触不良时候，阵列基板仍然可具有抗静电能力。
如图10所示，进一步的，上述实施例所述的阵列基板中，所述静电释放电路500包括间隔分布的第一静电释放点501、第二静电释放点502；所述第一静电释放点501、所述第二静电释放点502、所述连接部在所述衬底基板上的正投影为闭环的环状。当第一静电释放点接触不良时候，闭环上的静电会选择与接触良好的第二静电释放点距离较近的方向从第二静电释放点释放静电。容易理解的是，从而使得，在第一静电释放点或第二静电释放点接触不良时候，阵列基板仍然具有较好的抗静电能力。
本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中任一种阵列基板。该显示装置可以为：显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置，相对于现有技术，显示区、周边线路区容值测试均一化，提高了显示装置产品合格率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
可以理解的是，上述装置中的相关特征可以相互参考。另外，上述实施例中的“第一”、“第二”等是用于区分各实施例，而并不代表各实施例的优劣。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的装置解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的装置中的部件进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个装置中。可以把实施例中的部件组合成一个部件，以及此外可以把它们分成多个子部件。除了这样的特征中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何装置的所有部件进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以它们的组合实现。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或组件。位于部件或组件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件或组件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的装置来实现。在列举了若干部件的权利要求中，这些部件中的若干个可以是通过同一个部件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括：显示区、周边线路区；其特征在于，
所述周边线路区包括设置于衬底基板上的周边电路；
静电屏蔽层，所述静电屏蔽层设置于所述周边电路远离所述衬底基板的一侧；
所述静电屏蔽层包括：
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧的第一导电层；
在所述第一导电层上的绝缘层；
位于所述绝缘层上的第二导电层，所述第二导电层包括连接部，所述连接部与所述第一导电层电连接；
其中，所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间，至少部分绝缘层填充至所述封闭空间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘层上设置有贯通至所述第一导电层的沟槽，所述连接部的至少部分位于所述沟槽内，与所述第一导电层电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层与所述显示区的显示电路的第一功能电极同层；和/或
所述第二导电层与所述显示区的显示电路的第二功能电极同层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二导电层与所述第二功能电极之间隔离，所述第二功能电极包括间隔分布的多个电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；或
所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
静电释放电路，所述静电释放电路与所述静电屏蔽层电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述静电释放电路包括间隔分布的第一静电释放点、第二静电释放点；
所述第一静电释放点、所述第二静电释放点、所述连接部在所述衬底基板上的正投影为闭合的环状。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：上述权利要求1-7中任一所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法，应用于上述权利要求1-7中任一所述的阵列基板，阵列基板包括显示区、周边线路区，其特征在于，包括：
在衬底基板周边线路区制备周边电路；
在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层；
其中，在所述周边电路远离所述衬底基板的一侧形成静电屏蔽层，包括：
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层包括连接部，使所述连接部与所述第一导电层电连接；
其中，所述第一导电层和第二导电层之间包括静电屏蔽的封闭空间，至少部分绝缘层填充至所述封闭空间。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述第一导电层与所述显示区的显示电路的第一功能电极同层；和/或所述第二导电层与所述显示区的显示电路的第二功能电极同层。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，
在所述绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层包括连接部，使所述连接部与所述第一导电层电连接，包括：
在绝缘层上开设贯通至所述第一导电层的沟槽；
在开设沟槽的绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层的至少部分连接部形成于所述沟槽内，与所述第一导电层电连接。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，
在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层，具体为：
采用同一第一构图工艺下，在所述显示区形成显示电路的第一功能电极，在所述周边电路远离所述衬底基板一侧形成第一导电层；
和/或
在所述绝缘层上形成第二导电层，具体为：
采用同一第二构图工艺下，在所述显示区形成显示电路的第二功能电极，在所述绝缘层上形成第二导电层。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，
所述第一功能电极为像素电极，所述第二功能电极为公用电极；或
所述第一功能电极为公用电极，所述第二功能电极为像素电极。
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