JPS63136076A - 薄膜トランジスタアレイ - Google Patents
薄膜トランジスタアレイInfo
- Publication number
- JPS63136076A JPS63136076A JP61284728A JP28472886A JPS63136076A JP S63136076 A JPS63136076 A JP S63136076A JP 61284728 A JP61284728 A JP 61284728A JP 28472886 A JP28472886 A JP 28472886A JP S63136076 A JPS63136076 A JP S63136076A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- line
- electrode
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
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- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示装置に応用される薄膜トランジスタ（
以下、ＴＰＴと呼ぶ）アレイに関するものである。
以下、ＴＰＴと呼ぶ）アレイに関するものである。
従来の技術
近年、液晶表示装置の表示容量増大に伴って走査線数が
増え、そのため従来から用いられている電極マトリック
ス方式では、液晶表示装置の表示特性向上のためにマト
リックス型液晶表示装置にＴＦＴアレイが利用されつつ
ある。
増え、そのため従来から用いられている電極マトリック
ス方式では、液晶表示装置の表示特性向上のためにマト
リックス型液晶表示装置にＴＦＴアレイが利用されつつ
ある。
以下図面を参照しながら、従来のＴＦＴアレイについて
説明する。
説明する。
第２図は従来のＴＦＴアレイの一部平面構造図を示した
ものである。走査線１と信号線２の交点に、走査線１及
び信号線２に各々ゲート電極３及びソース電極４を接続
し、ドレイン電極５に絵素電極６を接続したＴＰＴを備
えている。走査線１とゲート電極３の接続部と信号線２
及びドレイン電極５と絵素電極６は各々部分的に重なり
合う領域があり、又信号線２の一部がソース電極４とな
るような構成になっている。尚、走査線１と信号線２の
交差する部分は、半導体層９及び節煙層８゜１０によっ
て電気的に分離されている。
ものである。走査線１と信号線２の交点に、走査線１及
び信号線２に各々ゲート電極３及びソース電極４を接続
し、ドレイン電極５に絵素電極６を接続したＴＰＴを備
えている。走査線１とゲート電極３の接続部と信号線２
及びドレイン電極５と絵素電極６は各々部分的に重なり
合う領域があり、又信号線２の一部がソース電極４とな
るような構成になっている。尚、走査線１と信号線２の
交差する部分は、半導体層９及び節煙層８゜１０によっ
て電気的に分離されている。
第３図は第２図のＡ−Ａ’線におけるＴＰＴの断面構造
図である。ガラス基板等の絶縁基板７の表面にゲート電
極３を設け、ゲート電極３を覆うごとく絶縁層８を設け
、その上に半導体層９、保護用絶縁層１０を設け、信号
線２、ドレイン電極５及び絵素電極６を順次設けた構造
となっている。
図である。ガラス基板等の絶縁基板７の表面にゲート電
極３を設け、ゲート電極３を覆うごとく絶縁層８を設け
、その上に半導体層９、保護用絶縁層１０を設け、信号
線２、ドレイン電極５及び絵素電極６を順次設けた構造
となっている。
以上の様な構造では、ゲート電極３とソース電極４及び
ドレイン電極５が絶縁層８と半導体層９を介して積層さ
れているため、ＴＦＴアレイ作成工程のトラブル発生に
よって、ゲート・ソース間で短絡が発生する。ゲート・
ソース間で短絡欠陥が発生すると、この欠陥につながる
走査線及び信号線上に全てのＴＰＴの動作が異常となり
、表示特性における線欠陥となることから、表示品位を
著しく低下させる。
ドレイン電極５が絶縁層８と半導体層９を介して積層さ
れているため、ＴＦＴアレイ作成工程のトラブル発生に
よって、ゲート・ソース間で短絡が発生する。ゲート・
ソース間で短絡欠陥が発生すると、この欠陥につながる
走査線及び信号線上に全てのＴＰＴの動作が異常となり
、表示特性における線欠陥となることから、表示品位を
著しく低下させる。
従来の構成のＴＦＴアレイではゲート・ソース間で短絡
欠陥が発生した場合、短絡欠陥を有するＴＰＴをレーザ
ー・ビーム又は電子ビームを照射することによって消滅
させて、ゲート・ソース間を開放状態にしたり、或いは
走査線及び信号線の少なくとも一方の配線を短絡欠陥を
有するＴＰＴを挾む２箇所で切断することにより、線欠
陥を点欠陥に修正していた。
欠陥が発生した場合、短絡欠陥を有するＴＰＴをレーザ
ー・ビーム又は電子ビームを照射することによって消滅
させて、ゲート・ソース間を開放状態にしたり、或いは
走査線及び信号線の少なくとも一方の配線を短絡欠陥を
有するＴＰＴを挾む２箇所で切断することにより、線欠
陥を点欠陥に修正していた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の様な構成のＴＦＴアレイでは、ゲ
ート・ソース間の短絡欠陥の修正で走査線及び信号線の
少なくとも一方の配線を切断しなければならず、一つの
配線に２つ以上の短絡欠陥が発生した場合には、線欠陥
が残ってしまうと言う問題点を有していた。
ート・ソース間の短絡欠陥の修正で走査線及び信号線の
少なくとも一方の配線を切断しなければならず、一つの
配線に２つ以上の短絡欠陥が発生した場合には、線欠陥
が残ってしまうと言う問題点を有していた。
発明はこの様な従来例の問題点を解消したものであり、
その目的とするところはゲート・ソース間の短絡による
線欠陥を部分的な点欠陥に修正し得るＴＦＴアレイを提
供するものである。
その目的とするところはゲート・ソース間の短絡による
線欠陥を部分的な点欠陥に修正し得るＴＦＴアレイを提
供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明のＴＦＴアレイで
は、走査線とこれに接続する薄膜トランジスタのゲート
電極の接続部及び信号線とこれに接続するソース電極の
接続部の少なくとも一方の接続部とドレイン電極とこれ
に接続する絵素電極の接続部をレーザー・ビーム及び電
子ビームにより切断できるように構成したと言うもので
ある。
は、走査線とこれに接続する薄膜トランジスタのゲート
電極の接続部及び信号線とこれに接続するソース電極の
接続部の少なくとも一方の接続部とドレイン電極とこれ
に接続する絵素電極の接続部をレーザー・ビーム及び電
子ビームにより切断できるように構成したと言うもので
ある。
作用
本発明は上記の様な構造にすることにより、ゲート・ソ
ース間の短絡による線欠陥を配線を切断することなく、
修正することができるものである。
ース間の短絡による線欠陥を配線を切断することなく、
修正することができるものである。
実施例
以下本発明のＴＦＴアレイの一実施例について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例のＴＦＴアレイの一部平面構
造図を示したものである。第２図と同一部分もしくは相
当部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。
造図を示したものである。第２図と同一部分もしくは相
当部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。
走査線１及び信号線２にレーザー・ビーム及び電子ビー
ムを照射することによって切断できるようにした接続部
１１．１２を介して、各々ゲート電極３及びソース電極
４に接続し、ドレイン電極５もレーザー・ビーム及び電
子ビームを照射することによって切断できるようにした
接続部１３を介して絵素電極６に接続している。
ムを照射することによって切断できるようにした接続部
１１．１２を介して、各々ゲート電極３及びソース電極
４に接続し、ドレイン電極５もレーザー・ビーム及び電
子ビームを照射することによって切断できるようにした
接続部１３を介して絵素電極６に接続している。
以上の様な構成のＴＦＴアレイであれば、ゲート・ソー
ス間の短絡による線欠陥を配線を切断することなく、修
正することができる。
ス間の短絡による線欠陥を配線を切断することなく、修
正することができる。
発明の効果
以上の様に本発明は、ＴＰＴアレイの走査線とこれに接
続するＴＰＴのゲート電極の接続部及び信号線とこれに
接続するソース電極の接続部の少なくとも一方の接続部
とドレイン電極とこれに接続する絵素電極の接続部をレ
ーザー・ビーム及び電子ビームにより切断できるように
構成したことで、ゲート・ソース間短絡による線欠陥を
配線を切断することなく、修正することができることか
ら、一つの配線に２箇所以上の短絡欠陥が発生した場合
でも全て点欠陥とすることができることから、ＴＦＴア
レイの歩留りを大幅に改善することができる。
続するＴＰＴのゲート電極の接続部及び信号線とこれに
接続するソース電極の接続部の少なくとも一方の接続部
とドレイン電極とこれに接続する絵素電極の接続部をレ
ーザー・ビーム及び電子ビームにより切断できるように
構成したことで、ゲート・ソース間短絡による線欠陥を
配線を切断することなく、修正することができることか
ら、一つの配線に２箇所以上の短絡欠陥が発生した場合
でも全て点欠陥とすることができることから、ＴＦＴア
レイの歩留りを大幅に改善することができる。
また、ドレイン電極と絵素電極の接続部を切断すること
が可能になったことで、常時非点燈状態にある点欠陥、
すなわち白点欠陥を常時非点燈状態にある黒点欠陥にす
ることができることから、テレビ等の動画を主として表
示する液晶表示装置では、点欠陥が認識され難くなると
言う利点も有する。
が可能になったことで、常時非点燈状態にある点欠陥、
すなわち白点欠陥を常時非点燈状態にある黒点欠陥にす
ることができることから、テレビ等の動画を主として表
示する液晶表示装置では、点欠陥が認識され難くなると
言う利点も有する。
第１図は本発明の一実施例のＴＦＴアレイの一部平面構
造図、第２図は従来のＴＦＴアレイの一部平面構造図、
第３図は第２図のＡ−Ａ’断面構造図である。 １・・・・・・走査線、２・・・・・・信号線、３・・
・・・・ゲート電極、４・・・・・・ソース電極、５・
・・・・・ドレイン電極、６絵素電極、７・・・・・・
絶縁基板、８・・・・・・絶縁層、９・・・・・・半導
体層、１０・・・・・・保護用絶縁層、１１．１２．１
３・・・・・・接続部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／ −一一
走査派 ２−一一侶号檄 ３− ゲート電１致 ４− ソース１＆ Ｓ−−ドレイン化石２ 乙−線索電１翫 第１図 １／、／Ｚ、／３−鞍境邦恢
造図、第２図は従来のＴＦＴアレイの一部平面構造図、
第３図は第２図のＡ−Ａ’断面構造図である。 １・・・・・・走査線、２・・・・・・信号線、３・・
・・・・ゲート電極、４・・・・・・ソース電極、５・
・・・・・ドレイン電極、６絵素電極、７・・・・・・
絶縁基板、８・・・・・・絶縁層、９・・・・・・半導
体層、１０・・・・・・保護用絶縁層、１１．１２．１
３・・・・・・接続部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／ −一一
走査派 ２−一一侶号檄 ３− ゲート電１致 ４− ソース１＆ Ｓ−−ドレイン化石２ 乙−線索電１翫 第１図 １／、／Ｚ、／３−鞍境邦恢
Claims (1)
- 複数本の走査線及びこれらの走査線と直交する複数本の
信号線を備え、その各交点に薄膜トランジスタを設けた
薄膜トランジスタアレイであって、走査線とこれに接続
する薄膜トランジスタのゲート電極の接続部及び信号線
とこれに接続するソース電極の接続部の少なくとも一方
の接続部と、ドレイン電極とこれに接続する絵素電極の
接続部をレーザー・ビーム及び電子ビームにより切断で
きるように構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ
アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284728A JPS63136076A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜トランジスタアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284728A JPS63136076A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜トランジスタアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136076A true JPS63136076A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17682213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284728A Pending JPS63136076A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜トランジスタアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136076A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264594A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法 |
| JPH0324635U (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-14 | ||
| JPH03105324A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Sharp Corp | マトリクス型液晶表示基板の製造方法 |
| JPH0416929A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6822701B1 (en) | 1998-09-04 | 2004-11-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177381A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体表示装置の作製方法 |
| JPS61238082A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | 旭硝子株式会社 | 画像表示装置 |
| JPS61250615A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶セルの製法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284728A patent/JPS63136076A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177381A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体表示装置の作製方法 |
| JPS61238082A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | 旭硝子株式会社 | 画像表示装置 |
| JPS61250615A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶セルの製法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0264594A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法 |
| JPH0324635U (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-14 | ||
| JPH03105324A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Sharp Corp | マトリクス型液晶表示基板の製造方法 |
| JPH0416929A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6822701B1 (en) | 1998-09-04 | 2004-11-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
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