JPH02135320A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ概要） 画素欠陥の救済構成を有するアクティブマトリクス型の
液晶表示パネルに関し、 常時オン状態或いは常時オフ状態の欠陥があっても、容
易に救済できるようにすることを目的とし、 一方の基板上に、スキャンバスラインと、データバスラ
インと、それらの交点に接続したスイッチング素子と、
該スイッチング素子を介して接続された画素電極とを形
成し、他方の基板上に、前記画素電極に対向する電極を
形成し、前記一方と他方との基板間に液晶を封入した液
晶表示パネルに於いて、前記データバスラインに沿った
方向に隣接する前記画素電極間上に、常時は絶縁状態で
、レーザ照射によって接続される絶縁層を介した接続ラ
インを設けて構成した。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、画素欠陥の救済構成を有するアクティブマト
リクス型の液晶表示パネルに関するものである。

アクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、画素対応
に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を設けた構成
を有するもので、各画素を独立的に制御できるから、ラ
イン数が多い場合でも、単純マトリクス型の液晶表示パ
ネルに於けるようなデユーティ比の低下の問題がないも
のである。しかし、画素対応にスイッチング素子を設け
るものであるから、歩留りが低下することになる。従っ
て、この歩留り低下を防止することが要望されている。

〔従来の技術〕

従来例のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、
例えば、第４図に示すように、スキャンバスライン２１
とデータバスライン２２とを直交して配置し、その交点
に薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと略称する）２３を設
け、このＴＦＴ２３を介して画素電極２４を接続した構
成を、一方のガラス基板上に設け、他方のガラス基板上
に画素電極２４と対向する電極を設けて、一方と他方と
のガラス基板間に液晶を封入したものである。

第５図は従来例の液晶表示パネルの要部の断面図を示し
、２２はデータバスライン、２３はＴＦＴ、２４は画素
電極、２６．２９はガラス基板、２７．３１は配向膜、
２８は液晶、３０は画素電極２４に対向する電極である
。

スキャンバスライン２１を順次選択してスキャンバスラ
インし、選択スキャンバスライン２１にゲートが接続さ
れたＴＦＴ２３をオン状態とし、又それに対応して表示
情報に従ったデータ電圧をデータバスライン２２に印加
する。それによって、オン状態のＴＦＴ２３を介して画
素量ｆｆ１２４にデータ電圧が印加され、そのデータ電
圧は、ＴＦＴ２３が次のフレームまでオフ状態となるこ
とにより、画素電極２４と対向電極３０との間の液晶２
８による静電容量によって保持され、そのデータ電圧に
従った表示内容となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの表示容量を
増大するに伴って、ＴＦＴ２３等のスイッチング素子の
数が多くなる。例えば、５００×４００の画素構成の場
合、２０万個のスイッチング素子を必要とすることにな
る。この２０万個の中の１個のスイッチング素子でも不
良となると、その不良状態に対応して、常にオン状態の
画素或いは常にオフ状態の画素となり、表示品質が劣化
する欠点がある。例えば、ＴＦＴ２３のドレイン断線或
いはゲート断線により、データバスライン２２と画素電
極２４とは遮断された状態となるから、常にオフ状態の
画素となる。又ＴＦＴ２３のドレイン・ソース間の短絡
により、データバスライン２２と画素電極２４とは接続
された状態となるから、常にオン状態の画素となる。

このような欠陥を救済する為に、１画素を複数画素電極
或いは複数スイッチング素子により構成する冗長構成が
提案されている。しかし、冗長構成によりコストアップ
となると共に、解像度を高くすることが困難となる欠点
がある。

本発明は、常時オン状態或いは常時オフ状態の欠陥があ
っても、容易に救済できるようにすることを目的とする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶表示パネルは、接続ラインを付加した簡単
な構成により、欠陥を救済するものであり、第１図に示
すように、一方の基板上に、スキャンバスライン１と、
データバスライン２と、それらの交点のＴＰＴ等のスイ
ッチング素子３と、このスイッチング素子３を介して接
続された画素電極４とを形成し、他方の図示を省略した
基板上に対向電極を形成し、一方と他方との基板間に液
晶を封入した液晶表示パネルに於いて、データバスライ
ン２に沿った方向に隣接する画素電極４間上に、常時は
絶縁状態で、レーザ照射によって接続される絶縁層を介
した接続ライン５を設けたものである。

〔作用〕

接続ライン５は、画素電極４と常時絶縁された状態で形
成されたものであるから、そのままの状態では、従来例
と同様に液晶表示パネルを動作させることができる。そ
して、例えば、データバスライン２とスイッチング素子
３との間のＡ点が断線の場合、常時オフ画素となるが、
ＡＩ、Ａ２点に於いて画素電極４と接続ライン５とを接
続することにより、隣接画素と同一のデータ電圧が印加
されて表示動作を行うことになり、常時オフ欠陥を救済
することができる。

又８点のスイッチング素子３のように短絡することによ
り、常時オン画素が生じた場合は、８３点のスイッチン
グ素子３と画素電極４との間をレーザ等により切断し、
常時オン画素を常時オフ画素とし、前述の常時オフ画素
の場合と同様に、Ｂ１．８２点に於いて画素電極４と接
続ライン５とを接続することにより、隣接画素と同一の
データ電圧が印加されて表示動作を行うことになり、常
時オン画素を救済することができる。

又０点のスキャンバスライン１とスイッチング素子３と
の間が断線して常時オフ画素が生じた場合も、ＣＩ、Ｃ
２点に於いて画素電極４と接続ライン５とを接続するこ
とにより、隣接画素と同一のデータ電圧が印加されて表
示動作を行うことになり、常時オフ画素を救済すること
ができる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。

第１図は本発明の詳細な説明図であり、前述のように、
スキャンバスライン１とデータバスライン２とを直交し
て設け、その交点にスイッチング素子としてのＴＦＴ３
を設けて、ＴＦＴ３のゲートをスキャンバスラインｌに
、ドレインをデータバスライン２に、ソースを画素電極
４にそれぞれ接続する。又データバスライン２の方向に
沿った隣接画素電極４間を接続できるように、接続ライ
ン５を設ける。この接続ライン５は、画素電極４と絶縁
層を介して常時は遮断された状態として設けるものであ
る。

第２図は本発明の実施例の要部断面図であり、第１図の
ｘ−ｘ　’線に沿った断面図である。同図に於いて、１
はスキャンバスライン、４はＩＴＯ等による画素電極、
５はＡｌやＩＴＯ等による接続ライン、６はガラス基板
、７．８はＳｉＮ等による絶縁層、９は配向膜である。

このガラス基板６上には、図示されていないデータバス
ライン２及びＴＦＴ３も形成されているものであり、こ
のガラス基板６に対して、他方のガラス基板にｆＴｏ等
による対向電極と配向膜とを形成し、一方と他方とのガ
ラス基板を対向させて、その間に液晶を封入することに
より、液晶表示パネルが構成される。このような液晶表
示パネルは、接続ライン５が絶縁層７により画素電極４
と絶縁されているから、従来例の構成と同様に表示動作
を行わせる。ことができる。

第３図はレーザビーム照射により画素電極４と接続ライ
ン５とを接続した場合の説明図であり、レーザビームを
単一層の電極或いは絶縁層に挟まれた電極に照射した場
合は、電極或いは絶縁層が溶解、気化して、電極が切断
されることになる。

しかし、接続ライン５と画素電極４のように、絶縁層７
を挟んだ２層構成の電極の場合は、眉間のｗＡ縁層７も
溶解すると共に接続ライン５と画素電極４とが溶解して
、上下の接続ライン５と画素電極４とが接続される。従
って、図示のように、配向膜９側からレーザビームを照
射した場合、配向膜９も溶解するが、接続ライン５と画
素電極４とが接続され、隣接画素電極４が接続ライン５
を介して相互に接続されることになる。

前述のように、ＦＡ　ｉｆｆ画素電極４を接続すること
ができるから、常時オフ画素又は常時オン画素の欠陥が
存在する場合、接続ライン５を用いて欠陥救済を行うこ
とができるものである６例えば、第１図のＡ点のデータ
バスライン２とＴＦＴ３のドレインとの間の断線による
常時オフ画素の欠陥が生じた場合、Ａ１．Ａ２点に於い
て接続ライン５と画素電極４とをレーザビームを照射し
て接続する。それにより隣接する画素電極４と同一のデ
ータ電圧が印加されるから、常時オフ画素は、少なくと
も隣接画素と同一の表示４Ｒ態となり、特に動画の場合
には、隣接画素間の相関が大きいので、隣接画素が同一
の表示状態となっても、画質の劣化はなく、従って、常
時オフ画素を救済することができる。

又８点のように、ＴＰＴ３のドレイン・ソース間が短絡
して、常時オン画素の欠陥が生じた場合は、ＴＰＴ３の
ソースと画素電極４との間の８３点をレーザビームによ
り切断する。即ち、１枚の電極にレーザビームを照射す
ることになるから、その電極を溶解して切断することが
できる。それによって常時オン画素を常時オフ画素とす
ることになり、前述の常時オフ画素の欠陥救済の場合と
同様に、Ｂ１．Ｂ２に於いて接続ライン５と画素電極４
とをレーザビーム照射により接続する。

又スキャンバスラインｌとＴＰＴ３のゲートとの間の０
点の断線による常時オフ画素の欠陥が生じた場合は、前
述の常時オフ画素の欠陥救済の場合と同様に、Ｃ１，Ｃ
２に於いて接続ライン５と画素電極４とを接続すること
になる。

前述のように、予め接続ライン５を画素電極４上に形成
しておき、欠陥の状態に対応して隣接画素電極４間を接
続ライン５を用いて接続することにより、その欠陥を救
済することができる。又接続ライン５と画素電極４との
接続は、前述のようにレーザビームを用いることにより
、比較的容易に行うことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、アクティブマトリクス
型の液晶表示パネルに於いて、データバスライン２に沿
った方向に隣接する画素電極４間上に、絶縁層７を介し
て接続ライン５を設けたものであり、常時オフ画素の欠
陥の場合に、この接続ライン５を用いて隣接画素電極４
間を接続し、隣接画素と同一の表示動作を行わせること
ができる。従って、画素欠陥として識別できないものと
なる。又常時オン画素の欠陥の場合は、レーザビームに
より切断して常時オフ画素とし、前述の常時オフ画素の
救済の場合と同様に、接続ライン５を用いて隣接画素電
極４間を接続し、隣接画素と同一の表示動作を行わせる
ことができるから、画素欠陥として識別できないように
することができる。

従って、接続ライン５を設けた構成が付加されることに
なるが、それによって画素欠陥を容易に救済することが
できるから、歩留りを向上することができる利点がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明図、第２図は本発明の実施
例の要部断面図、第３図は本発明の実施例の画素電極間
接続状態の説明図、第４図は従来例の電極説明図、第５
図は従来例の断面図である。 ■はスキャンバスライン、２はデータバスライン、３は
スイッチング素子（ＴＰＴ）　、４は画素電極、５は接
続ライン、６はガラス基板、７．８は絶縁層、９は配向
膜である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一方の基板上に、スキャンバスライン（１）と、データ
   バスライン（２）と、それらの交点に接続したスイッチ
   ング素子（３）と、該スイッチング素子（３）を介して
   接続された画素電極（４）とを形成し、 他方の基板上に、前記画素電極（４）に対向する電極を
   形成し、 前記一方と他方との基板間に液晶を封入した液晶表示パ
   ネルに於いて、 前記データバスライン（２）に沿った方向に隣接する前
   記画素電極（４）間上に、常時は絶縁状態で、レーザ照
   射によって接続される絶縁層を介した接続ライン（５）
   を設けた ことを特徴とする液晶表示パネル。