JPH03182723A

JPH03182723A - 回路基板およびアクティブマトリックス基板

Info

Publication number: JPH03182723A
Application number: JP1321540A
Authority: JP
Inventors: Genshirou Kawachi; 玄士朗河内; Yasuhiro Mochizuki; 康弘望月
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-12-13
Filing date: 1989-12-13
Publication date: 1991-08-08
Anticipated expiration: 2014-04-05
Also published as: JP2879157B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、回路基板および表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリックス基板ならびにそれらの修復方法に係り
、特に、配線の多層化によって冗長化を図り、信頼性を
向上させた回路基板およびアクティブマトリックス基板
ならびにそれらの修複方法に関するものである。

（従来の技術）ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＰ
Ｔと略する）をマトリックス状に形成し、これをスイッ
チ素子として用いるアクティブマトリックス基板では、
画像の高精彩化、大型化と共に、信号配線および走査配
線の冗長化による高信頼化が重要な技術課題となってい
る。

各配線の冗長化に関しては種々の構造が提案されており
、例えば特開昭６１−１３４７８５号公報には、信号配
線および走査配線の少なくとも一方を、絶縁膜を介して
上下２層構造とし、予定の間隔をもってこの上下の配線
層を接続し、一方の配線が断線しても、他方の配線によ
って信号を供給できるようにする構造が提案されている
。

第８図はこの従来技術における信号配線と走査配線との
交差部の断面図であり、各配線の交差部分では、上走査
配線８２ａと下走査配線８２ｂとを絶縁膜８４を介して
積層した一方の２層走査配線８２が、他方の２層信号配
線８１を構成する主信号配線８１ａと子信号配線８１ｂ
との間に、絶縁膜８３．８５を介して挾まれる構造とな
っている。

そして、配線８２ａと８２ｂとは、コンタクトホール１
２において相互に接続され、同様に配線８１ａと８１ｂ
とも、図示しないコンタクトホールにおいて相互に接続
されている。

また、特開昭６１−１９３１８５号公報には、信号配線
を絶縁膜を介して上下２層構造とし、予定の間隔をもっ
てこの上下の配線層を接続し、一方の配線層が断線して
も、他方の配線によって信号を供給できるようにする構
造が提案されている。

第７図（ａ）はこの従来技術の平面図、同図（ｂ）はそ
のＥＦ線断面図である。

同図において、ガラス基板１の主表面には、ＴＰＴ７０
の能動領域２を兼ねる多結晶シリコン薄膜配線７１が形
成され、その表面には、ＴＦＴ７０のゲート電極７７を
兼ねる多結晶シリコン走査配線７３が、絶縁膜７８を介
して前記多結晶シリコン薄膜配線７１と交差するように
形成されている。

絶縁膜７８上ないし走査配線７３上には、絶縁膜７９を
介して信号配線７５が積層され、多結晶シリコン薄膜配
線７１と信号配線７５とは、コンタクトホール７４ａ、
７４ｂを介して相互に接続される。能動領域２の一端に
は、画素電極５がコンタクトホール７６を介して接続さ
れている。

また、特開昭６＞１４７２８５号公報には、第９図（ａ
）に示したように、行列配線を構成する信号配線９１、
走査配線９２の少なくとも一方（例えば配線９１）を、
その交差部において平行な２本の配線９１ａ、９１ｂに
分割し、該配線９１ａ、９１ｂの一方の配線が断線して
も、他方の配線によって信号を供給できるようにする構
造が提案されている。

そして、このような構成において、例えば配線９１ｂと
配線９２とに短絡９３が発生した場合には、配線９１ｂ
を、配線９２との交差部分の両端においてレーザで切断
し、残りの１本の配線９１ａのみによる配線とする修復
方法が提案されている。

さらに、特開昭６１−１４５５８４号公報には、第１０
図に示したように、信号配線１０１、走査配線１０２の
少なくとも一方（例えば配線１ｏ２）を梯子状に形成し
て冗長化を図る構造が提案されている。

（発明が解決しようとする課題）上記した従来技術は、次のような問題点をＨしていた。

前記特開昭６１−１３４７８５号公報に記載された従来
技術（第８図）では、行列配線を構成する一方の２層配
線８２が他方の２配線８１ａ、８Ｉｂ間に形成されるた
めに、該交差部分において短絡が発生すると、その短絡
が、配線８１ａと配線８２ａとの間に発生した短絡８６
ａなのが、あるいは配線８１ｂと配線８２ｂとの間に発
生した短絡８６ｂなのかが判別できない。

たとえば、短絡が８６ａであると確定できれば、後に説
明する本発明による修復方法を適用して配線８２ａのみ
を２カ所の矢印部分で切断することによって効率良く修
復できるが、この従来技術のように、短絡箇所か確定で
きないと、このような効率の良い修復方法を適用するこ
とができないという問題がある。

前記特開昭６１−１９３１８５号公報に記載された従来
技術（第７図）では、前記同様、走査配線７３が多結晶
シリコン薄膜配線７１と信号配線７５との間に形成され
るために、交差部分において短絡が発生すると、その短
絡が、配線７１と配線７３との間に発生したのか、ある
いは配線７５と配線７３との間に発生したのかが判別で
きない。

また、この従来技術では、多結晶シリコン走査配線７３
、多結晶シリコン薄膜配線７１、およびゲート電極７７
の下部以外の能動領域２に不純物を導入して活性化をす
る必要がある。

この場合、ゲート電極７７の下部以外の能動領域を活性
化するためにゲート電極７７をマスクとしてイオン打込
み等の活性化処理を行おうとすると、走査配線７３がゲ
ート電極７７を兼ねるため、該活性化処理は走査配線７
３を形成した後に行わなければならないことになる。

ところが、このようにすると多結晶シリコン薄膜配線７
１のうち、走査配線７３と交差する部分７１ａでは、走
査配線７３がマスクとなって多結晶シリコン薄膜配線７
１が活性化されず、その部分が高抵抗のままとなってし
まう。

したがって、このような構成の従来技術では、交差部を
挾んだ２つのコンタクトホール７４ａ、７４ｂ間におい
て信号配線７５が断線すると導通不良が発生してしまう
。

さらに、特開昭６１−１４７２８５号公報（第９図）、
あるいは特開昭６１−１４５５８４号公報（第１０図）
に記載された従来技術では、前記同様、短絡箇所の判別
が難しいという問題と共に、配線を一平面上で並列的に
配置することによって多重化されるため、開口率が低下
してしまうという問題があった。

本発明の目的は、以上に述べた問題点を解決し、開口率
を低下させることなく配線の冗長化によって信頼性を向
上させると共に、短絡が発生した場合には、その修復が
容易なアクティブマトリックス基板および回路基板なら
びにそれらの修復方法を提供することにある。

（課題を解決するための手段）前記の問題点を解決するために、本発明では以下のよう
な手段を講じた点に特徴がある。

（１）互いに交差するように設けられた複数の配線を有
する回路基板において、互いに交差する配線の少なくと
も一方を、絶縁膜を介して積層されるとノ（に該絶縁膜
の２力所以上に設けられたコンタクトホールを介して相
互接続される多層配線構造とし、交差部においては、前
記一方の多層配線を他方の配線の一方の側のみに配置す
るようにした。

（２）また、アクティブマトリックス基板において、行
列配線の少なくとも一方を、絶縁膜を介して積層される
と共に該絶縁膜の２力所以上に設けられたコンタクトホ
ールを介して相互接続される多層配線構造とし、行列に
線の交差部においては、前記一方の多層配線を他方の配
線の一方の側のみに配置するようにした。

り３〉さらに、前記（１）の構成を有する回路基板、ま
たは前記（２）の構成を有するアクティブマトリックス
基板の修復に関して、交差部において一方の配線と他方
の配線とが短絡したときに、前記一方の配線の配線層の
うち前記他方の配線に近い側の配線層を、他方の配線と
交差する部分の両端で切断するようにした。

（作用）上記（１）の構成によれば、回路基板において、その配
線を多重化することができるので、断線に対する冗長化
が達成されて信頼性が向上する。

上記（２）の構成によれば、開口率を低下させることな
く信号配線や走査配線等の行列配線を多重化することが
できるので、断線に対する冗長化が達成されて信頼性が
向上する。

上記（３〉の構成によれば、配線の交差部での短絡を容
易に修復できるようになるので、短絡に対する冗長化が
達成されて信頼性が向上する。

（実施例）以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお
、以下に説明する各実施例では、本発明をアクティブマ
トリックス基板に適用して説明するが、本発明はこれの
みに限定されるものではなく、絶縁基板表面上に、互い
に交差するように多数の配線が形成される回路基板にも
適用するこ、とができる。

第１図（ａ）は本発明の一実施例であるアクティブマト
リックス基板の平面図、同図（ｂ）はそのＡＢ線断面図
、同図（ｃ）はＣＤ線断面図である。

同図において、ガラス基板１の主表面には、多結晶シリ
コンで構成され、ＴＰＴの能動領域２を兼ねるドレイン
電極（以下、子信号配線という）２０が形成され、能動
領域２の表面には、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極
４が形成されている。

子信号配線２０およびゲート電極４の表面には絶縁膜９
が形成され、子信号配線２０上の前記絶縁膜９の表面に
は、ＡＩ配線（以下、主信号配線という）６が形成され
ている。

前記主信号配線６の表面には、層間絶縁膜１０を介して
Ａ１配線（以下、下走査配線という）７が、前記主信号
配線６と交差するよ゛うに形成され、該下走査配線７の
表面には、絶縁膜１１を介してＡＩ配線（以下、上走査
配線という）８が形成されている。

前記子信号配線２０と主信号配線６とは、コンタクトホ
ール１２ａを介して接続され、前記下走査配線７と上走
査配線８とは、コンタクトホール１２ｂを介して接続さ
れ、前記下走査配線７とゲート電極４とは、コンタクト
ホール１２ｃを介して接続されている。能動領域２の一
端には、画素電極５がコンタクトホール１２ｄを介して
接続されている。このように、本実施例では、各配線の
交差部ごとに、該交差部を挟んだ両端にコンタクトホー
ルが設けられる。

このような構成のアクティブマトリックス基板では、上
下信号配線６．２０のいずれか一方、あるいは上下走査
配線８．７のいずれか一方が断線しても、各上下配線の
他方によって信号の供給が可能となるので、断線に対す
る冗長化が達成される。

また、本実施例によれば、交差部分における短絡は主信
号配線６と下走査配線７との間の短絡に限定されるため
、同図（ｂ）に示したように、上部からレーザ光を、絶
縁膜１１、層間絶縁膜１０を介して主信号配線６に照射
し、該主信号配線６を交差部両端の２カ所で切断するか
、あるいは同図（Ｃ）に示したように、下部からレーザ
光を、ガラス基板１、絶縁膜９、層間絶縁膜１０を介し
て下走査配線７に照射し、該下走査配線７を交差部両端
の２カ所で切断するかによって、効率良く修復すること
が可能になる。

その結果、配線の交差部における短絡に関しても冗長化
が達成されるので、従来技術にくらべて格段に信頼性が
向上する。

なお、このような修復方法を採用する場合には、下走査
配線７あるいは主信号配線６のいずれかがレーザビーム
１９を吸収する特性を有する必要がある。換言すれば、
レーザビーム１９に対して不透明でなければ成らない。

すなわち、走査配線を構成する多層の配線層の最下部層
、あるいは信号列配線を構成する多層の配線層の最上部
層が、レーザビームに対して不透明である必要がある。

さらに、本実施例によれば、ゲート電極４が下走査配線
７よりも先に形成されるので、ゲート電極４を形成した
後、主信号配線６を形成する前に活性化処理を行えば、
能動領域２と子信号配線２０とを確実に活性化すること
ができ、前記第７図に関して説明した従来技術のような
問題は発生せず、しかも、各配線の多重化が、上下の多
層化によって達成されるために開口率が低下するといっ
た問題もない。

第２図（ａ）は本発明の第２実施例の平面図、同図（ｂ
）はそのＧＨ断面図であり、第１図と同一の符号は同一
または同等部分を表している。

本実施例では、ガラス基板１上に、多結晶シリコンから
成り能動領域２を兼ねる子信号配線２１を、同図（ｂ）
に示したように、後に形成される上下走査配線２６．４
１と交差しない領域にのみ形成する。

次いで、能動領域２の表面にゲート絶縁膜３を形成した
後、白金シリサイドから成りゲート電極４を兼ねる下走
査配線４１を形成し、さらに絶縁膜９を介して、Ａ１か
ら成る主走査配線２６を前記下走査配線４１上に形成す
る。

前記白金シリサイド下走査配線４１とＡＩ上走査配線２
６とによって構成される走査配線は、同一行のＴＰＴの
ゲート電極を全て接続するように配置される。

次いで、主走査配線２６の表面に、層間絶縁膜１０を介
して主信号配線２７を形成する。主信号配線２７と子信
号配線２１とは、コンタクトホール１２ａを介して接続
される。

このような構成によれば、走査配線の全ての部分が多重
化されると共に、信号配線の大部分も子信号配線２１と
主信号配線２７とによって多重化されるために、断線に
対する信頼性が向上する。

また、信号配線に比べて低い抵抗値が要求される走査配
線が、不純物のドープされた多結晶シリコン電極に比べ
て抵抗値が２桁低い白金シリサイドとＡ１とによって構
成されるので、特性の優れたアクティブマトリックス基
板が得られる。

さらに、本実施例では、交差部分における短絡は主信号
配線２６と主信号配線２７との間に限定されるため、前
記第１図（ａ）に関して説明した場合と同様に、上部か
らレーザ光１９を照射して、主走査配線２６を主信号配
線２７との交差部の両端で切断すれば、効率の良い修復
が可能になって短絡に対する冗長化が達成される。

第３図（ａ）は、本発明の第３実施例の平面図、同図（
ｂ）はそのＩＪ断面図であり、第１図または第２図と同
一の符号は同一または同等部分を表している。

本実施例では、ガラス基板１上に、多結晶シリコンから
成る下走査配線３１を形成し、この表面に絶縁膜９を介
して前記下走査配線３１と略同−形状の主走査配線３６
を形成する。配線３１と３６とは、コンタクトホール１
２ｂを介して接続される。

次いて、ＳｉＮｘから成るゲート絶縁膜３２を形成し、
その表面に能動層として機能するアモルファスＳｉ膜（
以下、ａ−５ｉ膜）３３を形成する。さらにａ−５ｉ膜
３３の表面に、ｎ”−ａ−３ｉ膜から成るソース・ドレ
イン電極３４ａ、３４ｂを形成して逆スタガ構造のＴＦ
Ｔを完成する。

次いで、ソース・ドレイン電極３４ａの引き出し電極を
兼ねるＡＩ下倍信号配線３７よびソース・ドレイン電極
３４ｂの引き出しＡ１電極３５を形成する。次いで、絶
縁膜１１を形成した後、その表面にＡＩ上信号配線３８
を形成する。配線３７と３８とは、コンタクトホール１
２ａを介して接続される。

明らかなように、本実施例においても、信号配線および
走査配線が多層化されるので、断線に対する信頼性が向
上する。しかも、交差部での短絡は主走査配線３６と子
信号配線３７との間にしか発生しないので、前記したレ
ーザ照射による効率の良い修復が可能になって短絡に対
する冗長化が達成される。

第４図（ａ）は、本発明の第４実施例の平面図、同図（
ｂ）はそのＭＮ断面図、同図（ｃ）はそのＫＬ断面図で
あり、第１図ないし第３図と同一のｎ号は同一または同
等部分を表している。

同図において、ガラス基板１上にはＴＰＴのソース・ド
レイン領域および能動領域として機能する多結晶シリコ
ン薄膜４０が形成され、そのうち能動領域２の表面には
、シリサイドから成る下走査配線４１と一体に形成され
たゲート電極７７がゲート絶縁膜３を介して形成される
。

前記下走査配線４１上には、絶縁膜９を介して主走査配
線４６が形成され、該下走査配線４１と主走査配線４６
とは、コンタクトホール４２Ｃを介して相互に接続され
た２層走査配線を構成する。

また、前記主走査配線４６上には層間絶縁膜１０を介し
て子信号配線４７が形成されている。

該子信号配線４７上には、絶縁膜１１を介して上信号配
線４８が形成され、該子信号配線４７と上信号配線４８
とは、コンタクトホール４２ａを介して相互に接続され
た２層信号配線を構成する。

前記多結晶シリコン薄膜４０と子信号配線４７とは、コ
ンタクトホール４２ｂを介して相互に接続される。

明らかなように、本実施例においても、信号配線および
走査配線が多層化されるので、断線に対する信頼性が向
上する。しかも、交差部での短絡は主走査配線４６と子
信号配線４７との間にしか発生しないので、前記したレ
ーザ照射による効率の良い修復が可能になって短絡に対
する冗長化も達成される。

第５図は本発明の第５実施例を説明するための断面図で
あり、ここでは、特に多層構造の信号配線と多層構造の
走査配線との交差部の構造を示しており、前記第８図と
同一の符号は同一または同等部分を表している。

これまでに説明した各実施例では、交差部における各配
線は、一方の多層配線がすべて他方の多層配線の上部（
下部）に配置されていたが、本実施例では、ｉ７０記第
８図に関して説明した従来技術のように、一方の多層配
線８２がすべて他方の多層配線８８間に挟まれるように
構成されている。

ただし、本実施例では従来技術と異なり、配線８２の上
に形成される上絶縁膜８９の膜厚が下に形成される下絶
縁膜８５よりも厚くなっている点に特徴がある。

このような構成によれば、該交差部において短絡が発生
した場合、その短絡の発生場所は、配線８１ａと８２ａ
との間である確率よりも配線８１ｂと８２ｂとの間であ
る確率の方が非常に高い。

したがって、該交差部において短絡が発生した場合には
、配線８１ｂないしは配線８２ｂを前記のように交差部
の両端で切断すれば、非常に高い確率で修復することが
可能になる。

また、本実施例のように、特に上絶縁膜８９を絶縁膜８
７．８３との多層構造とすれば、上絶縁膜８９を単層構
造とした場合に比較してピンホール等の短絡発生要因を
少なくすることができる。

なお、本実施例のような構成を採用すると共に、短絡発
生時には上記した手法によって修復を行なうようになれ
ば、上下絶縁膜の両方を前記上絶縁膜８９と同様の多層
構造とすると共に、短絡発生時には任意の一方の短絡と
推定して修復を行う場合に比べて、同等ないしは同等以
上の最終歩留を達成することができる。

そして、本実施例では下絶縁膜が単層構造であるために
、上下絶縁膜を共に多層構造とする場合に比べて製造工
程を簡素化できるので、上下絶縁膜を共に多層構造とす
る場合と同等以上の歩留を、簡素化された製造工程によ
って達成することができる。なお、このような構成は、
配線８２が単層構造であっても達成することができる。

第６図は、上記した各構成のアクティブマトリックス基
板を利用したカラー岐晶パネルの構成を示した斜視図で
ある。

同図において、ガラス基板１上には、前記した構成の多
層走査配線３０１、多層信号配線３０２、画素電極３０
４、およびＴＦＴ３０３がマトリックス状に構成され、
アクティブマトリックス基板６０を構成している。

アクティブマトリックス基板６０の表面には、液晶層３
０６を介して対向電極３０７が形成され、対向電極３０
７上にはカラーフィルタ３０８が形成され、カラーフィ
ルタ３０８上には絶縁基板３０９が形成されている。

前記ガラス基板１および絶縁基板３０９の外部に露出し
た主表面には偏光板３１０が形成されている。

このような構成のアクティブマトリックス基板では、光
源からの光を画素電極３０４への電圧印加によって調整
することによってカラー表示が可能になる。

なお、上記した各実施例では、信号配線あるいは走査配
線といった画像表示部分の配線の多層化についてのみ説
明したが、このような配線構造は、ガラス基板１上に前
記信号配線等と共に形成され信号配線や走査配線に電圧
を印加する駆動回路を構成する配線、および該駆動回路
からの出力信号を前記信号配線あるいは走査配線に供給
するための電圧供給ライン等にも適用することができる
。

このようにすれば、駆動回路および電圧供給ラインの信
頼性も向上するため、表示装置全体の信頼性を向上させ
ることができる。

また、上記した各実施例では、信号配線および走査配線
のいずれをも多層化するものとして説明したが、いずれ
か一方のみを多層化するようにしても良い。

（発明の効果）以上の説明から明らかなように、本発明によれば、信号
配線や走査配線等の配線が、開口率を低下させることな
く多重化されるので、断線に対する冗長化が達成されて
信頼性を向上させることができる。

しかも、交差部での短絡場所を容易に判断できるので、
レーザ照射による修復確率が向上して短絡に対する冗長
化が達成される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるアクティブマトリック
ス基板の構成を示した図、第２図は本発明の第２実施例
の構成を示した図、第３図は本発明の第３実施例の構成
を示した図、第４図は本発明の第４実施例の構成を示し
た図、第５図は本発明の第５実施例の構成を示した図、
第６図は本発明を適用した液晶パネルの部分断面図、第
７．８．９．１０図は従来技術の構成を示した図である
。】・・・ガラス基板、２・・・能動領域、３．３２・・
・ゲート絶縁膜、４・・・ゲート電極、５・・・画素電
極、６．２７．３８．４８．８１ａ・・・上信号配線、
７．３１．４１．８２ｂ・・・下走査配線、８．２６．
３６．８２ａ・・・上走査配線、９．１１．８３．８４
．８５．７８．７９・・・絶縁膜、１０・・・層間絶縁
膜、１２・・・コンタクトホール、２０．３７．４７．
８１ｂ・・・子信号配線、７０・・・ＰＴ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性基板の主表面に、互いに絶縁して交差する
ように設けられた複数の配線を有する回路基板であって
、互いに交差する配線の少なくとも一方は、絶縁膜を介し
て積層されると共に該絶縁膜の２カ所以上に設けられた
コンタクトホールを介して相互接続される多層配線構造
であり、交差部においては、前記一方の配線は他方の配
線の一方の側のみに配置されることを特徴とする回路基
板。
（２）一方の配線を構成する配線層のうち少なくとも前
記他方の配線に近い側の配線層、および他方の配線を構
成する配線層のうち少なくとも前記一方の配線に近い側
の配線層の、少なくとも前記一方の配線の配線層は、レ
ーザビームを吸収する特性を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の回路基板。
（３）絶縁性基板の主表面に、互いに絶縁して交差する
ように設けられた複数の配線を有する回路基板であって
、互いに交差する配線の少なくとも一方は、絶縁膜を介し
て積層されると共に該絶縁膜の２カ所以上に設けられた
コンタクトホールを介して相互接続される多層配線構造
であり、交差部においては、他方の配線が一方の配線を
構成する多層の配線層間に上絶縁膜および下絶縁膜を介
して形成され、該上絶縁膜および下絶縁膜の一方の膜厚
は、他方の膜厚よりも厚いことを特徴とする回路基板。
（４）前記厚い方の絶縁膜は、多層構造の絶縁膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の回路基板
。
（５）前記コンタクトホールは、各配線の交差部ごとに
、該交差部を挟んでその両端に設けられたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の回路基板。
（６）絶縁性透明基板の主表面に、互いに絶縁して交差
するように設けられた複数の行列配線と、その交差部に
設けられた薄膜トランジスタ素子と、該薄膜トランジス
タ素子によって駆動される画素電極とから成るアクティ
ブマトリックス基板であって、行列配線の少なくとも一方は、絶縁膜を介して積層され
ると共に該絶縁膜の２カ所以上に設けられたコンタクト
ホールを介して相互接続される多層配線構造であり、行
列配線の交差部においては、前記一方の多層配線は他方
の配線の一方の側のみに配置されることを特徴とするア
クティブマトリックス基板。
（７）一方の配線を構成する配線層のうち少なくとも前
記他方の配線に近い側の配線層、および他方の配線を構
成する配線層のうち少なくとも前記一方の配線に近い側
の配線層の、少なくとも前記一方の配線の配線層は、レ
ーザビームを吸収する特性を有することを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載のアクティブマトリックス基板
。
（８）絶縁性透明基板の主表面に、互いに絶縁して交差
するように設けられた複数の行列配線と、その交差部に
設けられた薄膜トランジスタ素子と、該薄膜トランジス
タ素子によって駆動される画素電極とから成るアクティ
ブマトリックス基板であって、行列配線のうち少なくとも一方は、絶縁膜を介して積層
されると共に該絶縁膜の２カ所以上に設けられたコンタ
クトホールを介して相互接続される多層配線構造であり
、行列配線の交差部においては、他方の配線が一方の配
線を構成する多層の配線層間に上絶縁膜および下絶縁膜
を介して形成され、該上絶縁膜および下絶縁膜の一方の
膜厚は、他方の膜厚よりも厚いことを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板。
（９）前記厚い方の絶縁膜は、多層構造の絶縁膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のアクティ
ブマトリックス基板。
（１０）前記コンタクトホールは、行列配線の交差部ご
とに、該交差部を挟んでその両端に設けられたことを特
徴とする特許請求の範囲第６項ないし第９項のいずれか
に記載のアクティブマトリックス基板。
（１１）前記行列配線に電圧を印加するための駆動回路
、および該駆動回路と行列配線とを結ぶ電圧供給ライン
を前記絶縁性透明基板の主表面にさらに有し、該駆動回
路を構成する配線および前記電圧供給ラインの少なくと
も一方は、絶縁膜を介して積層されると共に該絶縁膜の
２カ所以上に設けられたコンタクトホールを介して相互
接続される多層配線構造であることを特徴とする特許請
求の範囲第６項ないし第１０項のいずれかに記載のアク
ティブマトリックス基板。
（１２）特許請求の範囲第１項または第２項記載の回路
基板、あるいは第６項または第７項記載のアクティブマ
トリックス基板の修復方法であって、行列配線線の交差
部において、前記一方の配線の配線層のうち前記他方の
配線に近い側の配線層、または前記他方の配線の配線層
のうち前記一方の配線に近い側の配線層を、前記交差部
の両端で切断することを特徴とする回路基板およびアク
ティブマトリックス基板の修復方法。
（１３）前記一方の配線の配線層の切断は、前記絶縁性
透明基板の主表面側からのレーザビーム照射によって行
われ、前記他方の配線の配線層の切断は、前記絶縁性透
明基板の裏面側からのレーザビーム照射によって行われ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の回路
基板およびアクティブマトリックス基板の修復方法。
（１４）特許請求の範囲第３項または第４項記載の回路
基板、あるいは第８項または第９項記載のアクティブマ
トリックス基板の修復方法であって、行列配線の交差部
において、一方の配線および他方の配線のうち多層配線
構造を有する配線の、前記厚くない方の絶縁膜に近い配
線層を、交差部の両端で切断することを特徴とする回路
基板およびアクティブマトリックス基板の修復方法。