JPH01303415A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH01303415A JPH01303415A JP63134979A JP13497988A JPH01303415A JP H01303415 A JPH01303415 A JP H01303415A JP 63134979 A JP63134979 A JP 63134979A JP 13497988 A JP13497988 A JP 13497988A JP H01303415 A JPH01303415 A JP H01303415A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 39
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非線形素子を用いて液晶を駆動する、いわゆる
アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置、特にその
アクティブマｌ−ＩＪクス基板の構造に関するものであ
る。
アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置、特にその
アクティブマｌ−ＩＪクス基板の構造に関するものであ
る。
従来の技術
従来、液晶表示装置（ＬＣＤ）は時計、電卓を中心とし
て利用されてきたが、今後の新規用途分野としては、テ
レビ、ビューファインダー、ビデオモニターといった映
像表示分野やコンピュータ用の端末等、大画面化、高密
度化といった大容量表示素子としての要求が高まってき
ている。
て利用されてきたが、今後の新規用途分野としては、テ
レビ、ビューファインダー、ビデオモニターといった映
像表示分野やコンピュータ用の端末等、大画面化、高密
度化といった大容量表示素子としての要求が高まってき
ている。
しかし、従来の単純マトリクス方式ではクロストークの
問題があり、電圧平均化法による駆動ではコントラスト
が５：１〜１５：１程度で十分な画質が得られていない
。そのため、非線形素子、例えば薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などを液晶駆動素子として画素毎に設け、スイッ
チ素子としてクロストークの問題を改善し、更にはスイ
ッチ素子に映像信号の保持を目的として蓄積コンデンサ
を設けることにより、コントラスト４０：１以上の高画
質を達成している。更に、蓄積コンデンサの一方側の電
極を共通電極で形成することにより、駆動方法の工夫に
より消費電力の低減を達成している。
問題があり、電圧平均化法による駆動ではコントラスト
が５：１〜１５：１程度で十分な画質が得られていない
。そのため、非線形素子、例えば薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などを液晶駆動素子として画素毎に設け、スイッ
チ素子としてクロストークの問題を改善し、更にはスイ
ッチ素子に映像信号の保持を目的として蓄積コンデンサ
を設けることにより、コントラスト４０：１以上の高画
質を達成している。更に、蓄積コンデンサの一方側の電
極を共通電極で形成することにより、駆動方法の工夫に
より消費電力の低減を達成している。
第３図ｊａ）は従来のマトリクス状に配列されたＴＦＴ
と蓄積コンデンサの等価回路を示し、同図（ｂｌは液晶
表示装置の断面図を示している。
と蓄積コンデンサの等価回路を示し、同図（ｂｌは液晶
表示装置の断面図を示している。
図中１は映像信号を供給する信号配線（Ｖｓｌ。
ＶＳ２．・・・ ）、２は走査信号を供給するゲート配
線（ＶＧＩ、ＶＯ２，ＶＯ２・ ）、３はＴＦＴ、４は
蓄積コンデンサ、５は画素電極部の液晶誘電体を示し、
６は対向基板７側に設けられた対抗電極８に印加される
信号ＶＣＯＭの供給端である。更に同図（ｂ）において
９は液晶、１０はアクティブ素子１１の形成されたＴＦ
Ｔアレー基板、１２は信号配線あるいはゲート配線の取
り出し電極、１３は／−ルを示す。
線（ＶＧＩ、ＶＯ２，ＶＯ２・ ）、３はＴＦＴ、４は
蓄積コンデンサ、５は画素電極部の液晶誘電体を示し、
６は対向基板７側に設けられた対抗電極８に印加される
信号ＶＣＯＭの供給端である。更に同図（ｂ）において
９は液晶、１０はアクティブ素子１１の形成されたＴＦ
Ｔアレー基板、１２は信号配線あるいはゲート配線の取
り出し電極、１３は／−ルを示す。
更に第４図（ａ）に従来の１画素部の平面図、同図１′
ａ）のＡ−８線によるＴＦＴ部の断面図を同図ｆｂｌに
、同図（ａｊのＣ−Ｏ線による蓄積コンデンサ部の断面
図を同図ｉｃ）に示している。
ａ）のＡ−８線によるＴＦＴ部の断面図を同図ｆｂｌに
、同図（ａｊのＣ−Ｏ線による蓄積コンデンサ部の断面
図を同図ｉｃ）に示している。
第４図においてアレー基板１０上に蓄積コンデンサの共
通電極となる透明性導電膜（例えばｉ Ｔｏ）２４をバ
タン化し、その上に蓄積コンデンサの誘電体となる絶縁
膜２３を全面形成する。その上にゲート電極１６、画素
電極となる透明性導電膜１５をそれぞれ形成バタン化す
る。その後ＴＦＴのゲート絶縁膜２２、チャネル１８、
チャネル保護膜として絶縁性膜１７を形成し、画素電極
１５へのコンタクトホール１９を形成しドレイン電極２
１と結合する。またリース電極２ｏは信号配線として取
り出し電極へ接続される。以上の様にしてＴＦＴがマト
リクス状に形成されたＴＦＴアレー基板が構成される。
通電極となる透明性導電膜（例えばｉ Ｔｏ）２４をバ
タン化し、その上に蓄積コンデンサの誘電体となる絶縁
膜２３を全面形成する。その上にゲート電極１６、画素
電極となる透明性導電膜１５をそれぞれ形成バタン化す
る。その後ＴＦＴのゲート絶縁膜２２、チャネル１８、
チャネル保護膜として絶縁性膜１７を形成し、画素電極
１５へのコンタクトホール１９を形成しドレイン電極２
１と結合する。またリース電極２ｏは信号配線として取
り出し電極へ接続される。以上の様にしてＴＦＴがマト
リクス状に形成されたＴＦＴアレー基板が構成される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の構造においては、ＴＰＴアレー基板
の構造が複雑であり、各部での絶縁ｊ莫のピンホール、
異物によるショート不良、例えばゲートとリースのクロ
スショート、蓄積コンデンサ部のショート不良が発生す
る。このため画像品質において最も重要な課題である点
欠陥不良率が高＜ＴＦＴによるＬＣＤパネルの歩留りは
低く、製造コストが高くなるという問題点を有していた
。
の構造が複雑であり、各部での絶縁ｊ莫のピンホール、
異物によるショート不良、例えばゲートとリースのクロ
スショート、蓄積コンデンサ部のショート不良が発生す
る。このため画像品質において最も重要な課題である点
欠陥不良率が高＜ＴＦＴによるＬＣＤパネルの歩留りは
低く、製造コストが高くなるという問題点を有していた
。
本発明はかかる点に鑑み、蓄積コンデンサ部のショート
不良を、表示品質に影響しない程度に修復し、ＴＦＴア
レー基板の歩留りを向上させる液晶表示装置の構造を提
供することを目的とする。
不良を、表示品質に影響しない程度に修復し、ＴＦＴア
レー基板の歩留りを向上させる液晶表示装置の構造を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、画素毎のＴＦＴに接続された蓄積コンデンサ
の一方の電極をマスクパタンでリソグラフィー技術を用
いて複数分割した構造に形成するものである。
の一方の電極をマスクパタンでリソグラフィー技術を用
いて複数分割した構造に形成するものである。
作 用
本発明は前記した手段によって得られた構造をもつ液晶
表示装置を提供することにより、蓄積コンデンサ部のシ
ョート不良を複数分割のコンデンサのうちショート不良
を発生させているコンデンサのみを顕微鏡下で選別しく
実際の不良箇所は２〜１０μｍ程度のものがほとんどで
判断可能である。）、そのコンデンサをレーザー等で破
壊し切り離す。蓄積容量は分割数の逆数程度低下するが
、実際の画ゆでは画素密度により異なり、２分割〜４分
割で実用可能な輝度低下の範囲にあり、蓄積コンデンサ
部のショート不良か低減できる。
表示装置を提供することにより、蓄積コンデンサ部のシ
ョート不良を複数分割のコンデンサのうちショート不良
を発生させているコンデンサのみを顕微鏡下で選別しく
実際の不良箇所は２〜１０μｍ程度のものがほとんどで
判断可能である。）、そのコンデンサをレーザー等で破
壊し切り離す。蓄積容量は分割数の逆数程度低下するが
、実際の画ゆでは画素密度により異なり、２分割〜４分
割で実用可能な輝度低下の範囲にあり、蓄積コンデンサ
部のショート不良か低減できる。
実施例
第１図は本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
ＴＦＴアレー基板上に形成される１画素の平面図ａと、
同図１：ａ）のＥ−Ｆ線にょる蓄積コンデンサ部の断面
図すを示すものである。従来の第４図ｊ＝）、 （ｅ）
と異なるのは、蓄積コンデンサの共通電極１４と画素電
極１５の形状だけであり、第１図（ａＬ （ｂ）に示す
様に、画素電極１５と共通電極１４の重なり合う部分の
共通電極１４側が２分割されており、蓄積コンデンサが
１画素で２個の並列接続の形でドレイン電極２１に結合
される。しかるに、この２つに分割された共通電極１４
をもつ蓄積コンデンサの誘電体となる絶縁膜２３がどち
らかでショート不良を発生した場合、第１図！ａ）のａ
−ｂとｄ−ｅあるいはｂ −ｃとｅ −ｆの共通電極
１４を２箇所レーザー等で破壊分離させることによりシ
ョート不良が修復できる。
ＴＦＴアレー基板上に形成される１画素の平面図ａと、
同図１：ａ）のＥ−Ｆ線にょる蓄積コンデンサ部の断面
図すを示すものである。従来の第４図ｊ＝）、 （ｅ）
と異なるのは、蓄積コンデンサの共通電極１４と画素電
極１５の形状だけであり、第１図（ａＬ （ｂ）に示す
様に、画素電極１５と共通電極１４の重なり合う部分の
共通電極１４側が２分割されており、蓄積コンデンサが
１画素で２個の並列接続の形でドレイン電極２１に結合
される。しかるに、この２つに分割された共通電極１４
をもつ蓄積コンデンサの誘電体となる絶縁膜２３がどち
らかでショート不良を発生した場合、第１図！ａ）のａ
−ｂとｄ−ｅあるいはｂ −ｃとｅ −ｆの共通電極
１４を２箇所レーザー等で破壊分離させることによりシ
ョート不良が修復できる。
以上の様に本実施例によれば、蓄積コンテンサの共通電
極１４を２分割することにより、蓄積コンデンサ部のシ
ョート不良を低減することができる。
極１４を２分割することにより、蓄積コンデンサ部のシ
ョート不良を低減することができる。
第２図は本発明の第２の実施例における液晶表示装置の
ＴＦ丁アレー基板上に形成される１画素の平面図１と、
同図（ａｔのＥ−Ｆ線による蓄積コンデンサ部の断面図
すを示すものである。従来の第４図ｆａＬ （ｃ）と異
なるのは蓄積コンデンサの共通電極１４と画素電極１５
の形状だけであり、第２図（ａ）。
ＴＦ丁アレー基板上に形成される１画素の平面図１と、
同図（ａｔのＥ−Ｆ線による蓄積コンデンサ部の断面図
すを示すものである。従来の第４図ｆａＬ （ｃ）と異
なるのは蓄積コンデンサの共通電極１４と画素電極１５
の形状だけであり、第２図（ａ）。
（ｂ）に示す様に、画素電極１５と共通電極１４の重な
りあう部分の共通電極１４側が２分割されており、蓄積
コンデンサが１画素で２個の並列接続の形でドレイン電
極２１に結合される。しかるに、この２つに分割された
共通電極１４をもつコンデンサの誘電体となる絶縁膜２
３がどちらか一方でショート不良を発生した場合、第２
図（ａ）のｇ−ｈ部の共通電極１４を１箇所レーザー等
で破壊分離させることによりショート不良が修復できる
。
りあう部分の共通電極１４側が２分割されており、蓄積
コンデンサが１画素で２個の並列接続の形でドレイン電
極２１に結合される。しかるに、この２つに分割された
共通電極１４をもつコンデンサの誘電体となる絶縁膜２
３がどちらか一方でショート不良を発生した場合、第２
図（ａ）のｇ−ｈ部の共通電極１４を１箇所レーザー等
で破壊分離させることによりショート不良が修復できる
。
以上の様に本実施例によれば、蓄積コンデンサの共通電
極を２分割することにより、一箇所の破壊分離のみで蓄
積コンデンサ部のショート不良を低減することができる
。
極を２分割することにより、一箇所の破壊分離のみで蓄
積コンデンサ部のショート不良を低減することができる
。
尚、第１の実施例、第２の実施例において共通電極１４
の分割数は、ショート不良、修復後の画像品質への影響
度に関係しており、画素密度、画素配列、画素サイズ、
画素形状等により３以上としても良い。
の分割数は、ショート不良、修復後の画像品質への影響
度に関係しており、画素密度、画素配列、画素サイズ、
画素形状等により３以上としても良い。
発明の詳細
な説明した様に、本発明によれば、アクティブ方式の液
晶表示装置において、蓄積コンデンサ部のショート不良
が修復可能であり、その実用的効果は大きいものである
。
晶表示装置において、蓄積コンデンサ部のショート不良
が修復可能であり、その実用的効果は大きいものである
。
第１図（ａＬ （ｂ）は本発明による第１の実施例の液
晶表示装置のＴＦＴアレー基板側の１画素の平面図と蓄
積コンデンサ部の断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本
発明による第２の実施例の液晶表示装置のＴＦＴアレー
基板側の１画素の平面図と蓄積コンデンサ部の断面図、
第３図ｔり、 ｆｂ）は従来のアクティブ方式液晶表示
装置のＴＦＴアレー基板側のマｌクス等価回路図とパネ
ル断面図、第４図（ａＬ （ｂ）、 ＦＣ）は従来のア
クティブ方式液晶表示装置のＴＦＴアレー基板側の１画
素の平面図とＴＦＴ部の断面図および蓄積コンデンサ部
の断面図である。 １０・・・・ＴＦＴアレー基板、１４・・・・・共通電
極、１５ ・・・・画素電極、２３・・・・・・蓄積コ
ンデンサ用絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第３
図 （Ｄノ オ （ｂ） 第４図 （αう □ ／７ ／８ ｃ 第４図 （ｂ） （Ｃ） ２２ イ５ ／ ／
晶表示装置のＴＦＴアレー基板側の１画素の平面図と蓄
積コンデンサ部の断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本
発明による第２の実施例の液晶表示装置のＴＦＴアレー
基板側の１画素の平面図と蓄積コンデンサ部の断面図、
第３図ｔり、 ｆｂ）は従来のアクティブ方式液晶表示
装置のＴＦＴアレー基板側のマｌクス等価回路図とパネ
ル断面図、第４図（ａＬ （ｂ）、 ＦＣ）は従来のア
クティブ方式液晶表示装置のＴＦＴアレー基板側の１画
素の平面図とＴＦＴ部の断面図および蓄積コンデンサ部
の断面図である。 １０・・・・ＴＦＴアレー基板、１４・・・・・共通電
極、１５ ・・・・画素電極、２３・・・・・・蓄積コ
ンデンサ用絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第３
図 （Ｄノ オ （ｂ） 第４図 （αう □ ／７ ／８ ｃ 第４図 （ｂ） （Ｃ） ２２ イ５ ／ ／
Claims (1)
- 一対の基板間に封入された液晶と、前記基板の一方の
基板上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタと
、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続されてなる
信号配線と、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続
されてなるゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレ
イン電極に接続されてなる画素電極と、前記画素電極に
対して形成される蓄積コンデンサのもう一方の電極を有
した液晶表示装置において、前記蓄積コンデンサを形成
する前記画素電極に対するもう一方の電極が前記画素電
極パタンの占める領域において複数に分割されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13497988A JPH0750278B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13497988A JPH0750278B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303415A true JPH01303415A (ja) | 1989-12-07 |
| JPH0750278B2 JPH0750278B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15141081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13497988A Expired - Fee Related JPH0750278B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750278B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329929U (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-25 | ||
| EP0514029A2 (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-19 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display apparatus |
| JPH08893U (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-31 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| WO2006064832A1 (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置およびテレビジョン装置 |
| US7430024B2 (en) | 2004-01-28 | 2008-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267520A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13497988A patent/JPH0750278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267520A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
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| EP0514029A3 (en) * | 1991-05-15 | 1993-02-24 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display apparatus |
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| WO2006064832A1 (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置およびテレビジョン装置 |
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