JP2001281688A - 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその欠陥修復方法Info
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造工程において発生した断線欠陥を従来より
も高い成功率で容易に修復して良品化することができる
液晶表示装置及びその欠陥修復方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】透明絶縁基板６上に形成される最下層バス
ライン１に引出部が設けられ、引出部の上に絶縁層２、
４を介して画素電極層３が形成される液晶表示装置にお
いて、引出部と前記画素電極層３との間に、独立した中
間導電層５を形成するように構成する。
も高い成功率で容易に修復して良品化することができる
液晶表示装置及びその欠陥修復方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】透明絶縁基板６上に形成される最下層バス
ライン１に引出部が設けられ、引出部の上に絶縁層２、
４を介して画素電極層３が形成される液晶表示装置にお
いて、引出部と前記画素電極層３との間に、独立した中
間導電層５を形成するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その欠陥修復方法に係り、特に液晶表示装置の製造工程
において発生した断線欠陥を従来よりも高い成功率で容
易に修復（リペア）して良品化可能な液晶表示装置及び
その欠陥修復方法に関する。
その欠陥修復方法に係り、特に液晶表示装置の製造工程
において発生した断線欠陥を従来よりも高い成功率で容
易に修復（リペア）して良品化可能な液晶表示装置及び
その欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータを含むＯＡ機器等で表示装
置として用いられるアクティブマトリクス型の液晶表示
装置は、高画質のフラットパネル・ディスプレイとして
注目されている。この液晶表示装置では、製造歩留まり
を向上させるために、製造工程において発生した断線欠
陥を修復できる冗長構成を有して製造されている。以
下、従来の液晶表示装置の概要を図２７乃至図２９を用
いて説明する。
置として用いられるアクティブマトリクス型の液晶表示
装置は、高画質のフラットパネル・ディスプレイとして
注目されている。この液晶表示装置では、製造歩留まり
を向上させるために、製造工程において発生した断線欠
陥を修復できる冗長構成を有して製造されている。以
下、従来の液晶表示装置の概要を図２７乃至図２９を用
いて説明する。
【０００３】図２７は、従来の液晶表示装置の液晶表示
パネルのアレイ基板を液晶層側から見た基板面を示して
いる。図２７に示すように、基板上には図中上下方向に
延びる複数のデータバスライン（ドレインバスライン）
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・が形成されている。また基
板上には、図中左右方向に延びる破線で示した複数のゲ
ートバスライン１３ａ、１３ｂ・・が形成されている。
これらデータバスライン１１ａ、１１ｂ、１１ｃとゲー
トバスライン１３ａ、１３ｂとで画定される領域に画素
が形成される。そして、各データバスライン１１ａ、１
１ｂ、１１ｃとゲートバスライン１３ａ、１３ｂとの交
差位置近傍にＴＦＴ１５ａ、１５ｂ・・が形成されてい
る。
パネルのアレイ基板を液晶層側から見た基板面を示して
いる。図２７に示すように、基板上には図中上下方向に
延びる複数のデータバスライン（ドレインバスライン）
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・が形成されている。また基
板上には、図中左右方向に延びる破線で示した複数のゲ
ートバスライン１３ａ、１３ｂ・・が形成されている。
これらデータバスライン１１ａ、１１ｂ、１１ｃとゲー
トバスライン１３ａ、１３ｂとで画定される領域に画素
が形成される。そして、各データバスライン１１ａ、１
１ｂ、１１ｃとゲートバスライン１３ａ、１３ｂとの交
差位置近傍にＴＦＴ１５ａ、１５ｂ・・が形成されてい
る。
【０００４】図中上側に示すＴＦＴ１５ａ、１５ｂを例
に取ると、ドレイン電極１７ａ、１７ｂは、ＴＦＴ１５
ａ、１５ｂの左側に示されたデータバスライン１１ａ、
１１ｂから引き出されて、その端部がゲートバスライン
１３ａ上に形成されたチャネル保護膜１９ａ、１９ｂ上
の一端辺側に位置するように形成されている。
に取ると、ドレイン電極１７ａ、１７ｂは、ＴＦＴ１５
ａ、１５ｂの左側に示されたデータバスライン１１ａ、
１１ｂから引き出されて、その端部がゲートバスライン
１３ａ上に形成されたチャネル保護膜１９ａ、１９ｂ上
の一端辺側に位置するように形成されている。
【０００５】一方、ソース電極２１ａ、２１ｂはチャネ
ル保護膜１９ａ、１９ｂ上の他端辺側に位置するように
形成されている。このような構成においてチャネル保護
膜１９ａ、１９ｂ直下のゲートバスライン１３ａ領域が
当該ＴＦＴ１５ａ、１５ｂのゲート電極として機能する
ようになっている。図示は省略しているが、ゲートバス
ライン１３ａ、１３ｂ上にはゲート絶縁膜が形成され、
その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されて
いる。このように図２７に示すＴＦＴ構造は、ゲート電
極がゲートバスライン１３ａ、１３ｂから引き出されて
形成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライ
ン１３ａ、１３ｂの一部をゲート電極として用いる構成
になっている。
ル保護膜１９ａ、１９ｂ上の他端辺側に位置するように
形成されている。このような構成においてチャネル保護
膜１９ａ、１９ｂ直下のゲートバスライン１３ａ領域が
当該ＴＦＴ１５ａ、１５ｂのゲート電極として機能する
ようになっている。図示は省略しているが、ゲートバス
ライン１３ａ、１３ｂ上にはゲート絶縁膜が形成され、
その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されて
いる。このように図２７に示すＴＦＴ構造は、ゲート電
極がゲートバスライン１３ａ、１３ｂから引き出されて
形成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライ
ン１３ａ、１３ｂの一部をゲート電極として用いる構成
になっている。
【０００６】また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる破
線で示された領域に蓄積容量バスライン２３が形成され
ている。蓄積容量バスライン２３の上層には絶縁膜を介
して各画素毎に蓄積容量電極２５ａ、２５ｂが形成され
ている。ソース電極２１ａ、２１ｂおよび蓄積容量電極
２５ａ、２５ｂの上層には保護膜を介して透明電極材料
からなる画素電極２７ａ、２７ｂが形成されている。画
素電極２７ａ、２７ｂは、その下層に形成された保護膜
に設けられたコンタクトホール２９ａ、２９ｂを介して
ソース電極２１ａ、２１ｂと電気的に接続されている。
また画素電極２７ａ、２７ｂは、コンタクトホール３１
ａ、３１ｂを介して蓄積容量電極２５ａ、２５ｂと電気
的に接続されている。
線で示された領域に蓄積容量バスライン２３が形成され
ている。蓄積容量バスライン２３の上層には絶縁膜を介
して各画素毎に蓄積容量電極２５ａ、２５ｂが形成され
ている。ソース電極２１ａ、２１ｂおよび蓄積容量電極
２５ａ、２５ｂの上層には保護膜を介して透明電極材料
からなる画素電極２７ａ、２７ｂが形成されている。画
素電極２７ａ、２７ｂは、その下層に形成された保護膜
に設けられたコンタクトホール２９ａ、２９ｂを介して
ソース電極２１ａ、２１ｂと電気的に接続されている。
また画素電極２７ａ、２７ｂは、コンタクトホール３１
ａ、３１ｂを介して蓄積容量電極２５ａ、２５ｂと電気
的に接続されている。
【０００７】以上説明したＴＦＴ構造は逆スタガ型であ
るが、例えば最下層にドレイン電極が形成され、ゲート
電極がその上層に形成されたＴＦＴ構造を有するスタガ
型やプレーナ型の薄膜トランジスタもある。いずれの構
造にせよ、各メタル層が絶縁膜を介して積層されてい
る。
るが、例えば最下層にドレイン電極が形成され、ゲート
電極がその上層に形成されたＴＦＴ構造を有するスタガ
型やプレーナ型の薄膜トランジスタもある。いずれの構
造にせよ、各メタル層が絶縁膜を介して積層されてい
る。
【０００８】各ゲートバスライン１３には、バスライン
の延びる方向に直交して画素内に引き出される引出部３
３ａ、３３ｂ・・が形成されている。例えば引出部３３
ｂは、パネル面の法線方向から見た場合に画素右上で画
素電極２７ｂと重なり合う領域を有している。図２８
は、引出部３３ａを図２７のＥ−Ｅ’線で切断した断面
を示している。図２８に示すように、ガラス基板３５上
にはゲートバスライン１３ａが形成される。このゲート
バスライン１３ａの側部に引出部３３ｂが引き出されて
形成されている。ゲートバスライン１３ａの直上には、
ゲート絶縁膜３７が形成され、引出部３３ｂ上に保護膜
３９を介して画素電極２７ｂが形成されている。
の延びる方向に直交して画素内に引き出される引出部３
３ａ、３３ｂ・・が形成されている。例えば引出部３３
ｂは、パネル面の法線方向から見た場合に画素右上で画
素電極２７ｂと重なり合う領域を有している。図２８
は、引出部３３ａを図２７のＥ−Ｅ’線で切断した断面
を示している。図２８に示すように、ガラス基板３５上
にはゲートバスライン１３ａが形成される。このゲート
バスライン１３ａの側部に引出部３３ｂが引き出されて
形成されている。ゲートバスライン１３ａの直上には、
ゲート絶縁膜３７が形成され、引出部３３ｂ上に保護膜
３９を介して画素電極２７ｂが形成されている。
【０００９】例えば、図２７の上方右側に示すように、
ゲートバスライン１３ａが断線部４１で断線した場合、
次のようにして修復が行われる。すなわち、断線部４１
は、ＴＦＴ１５ｂとデータバスライン１１ｃとの間にあ
るので、画素電極２７ｂの右上角に示すレーザ照射位置
４３にレーザ光を照射する。レーザ光の照射エネルギに
より画素電極２７ｂとその直下にある引出部３３ｂの形
成金属を溶融させて接続し短絡させる。これにより、ゲ
ートバスライン１３ａの断線部４１の右端が引出部３３
ｂを介して画素電極２７ｂと電気的に接続される。
ゲートバスライン１３ａが断線部４１で断線した場合、
次のようにして修復が行われる。すなわち、断線部４１
は、ＴＦＴ１５ｂとデータバスライン１１ｃとの間にあ
るので、画素電極２７ｂの右上角に示すレーザ照射位置
４３にレーザ光を照射する。レーザ光の照射エネルギに
より画素電極２７ｂとその直下にある引出部３３ｂの形
成金属を溶融させて接続し短絡させる。これにより、ゲ
ートバスライン１３ａの断線部４１の右端が引出部３３
ｂを介して画素電極２７ｂと電気的に接続される。
【００１０】同様にして、ＴＦＴ１５ｂのソース電極２
１ｂ側のレーザ照射位置４５にレーザ光を照射してソー
ス電極２１ｂとゲートバスライン１３ａの断線部４１の
左端とを短絡させる。また、データバスライン１１ｂの
基部側に示すレーザ照射位置４７にレーザ光を照射して
ドレイン電極１７ｂをデータバスライン１１ｂから電気
的に切り離す。これにより、ゲートバスライン１３ａの
断線部４１は画素電極２７ｂにより短絡され、断線欠陥
が修復される。
１ｂ側のレーザ照射位置４５にレーザ光を照射してソー
ス電極２１ｂとゲートバスライン１３ａの断線部４１の
左端とを短絡させる。また、データバスライン１１ｂの
基部側に示すレーザ照射位置４７にレーザ光を照射して
ドレイン電極１７ｂをデータバスライン１１ｂから電気
的に切り離す。これにより、ゲートバスライン１３ａの
断線部４１は画素電極２７ｂにより短絡され、断線欠陥
が修復される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
欠陥修復方法は、修復の成功率を高めることが困難であ
るという問題を有している。図２９は、図２７に示すレ
ーザ照射位置４３でレーザ光を照射した場合の断面図で
ある。図２９に示すように、下層のゲートバスライン１
３ａと上層の画素電極２７ｂとの間隔ｄが、例えば８０
０ｎｍと厚いために、レーザ光４９の照射によって例え
ば膜厚１００ｎｍの下層のゲートバスライン１３ａの形
成金属が溶融しても上層の画素電極２７ｂと短絡する部
分は僅かで、殆ど短絡しない状態となる場合がある。製
造コスト低減のためには、製造歩留りの向上が強く望ま
れる。その一環として、欠陥部の救済としてのリペアに
よる修復の成功率を上げることが強く望まれている。
欠陥修復方法は、修復の成功率を高めることが困難であ
るという問題を有している。図２９は、図２７に示すレ
ーザ照射位置４３でレーザ光を照射した場合の断面図で
ある。図２９に示すように、下層のゲートバスライン１
３ａと上層の画素電極２７ｂとの間隔ｄが、例えば８０
０ｎｍと厚いために、レーザ光４９の照射によって例え
ば膜厚１００ｎｍの下層のゲートバスライン１３ａの形
成金属が溶融しても上層の画素電極２７ｂと短絡する部
分は僅かで、殆ど短絡しない状態となる場合がある。製
造コスト低減のためには、製造歩留りの向上が強く望ま
れる。その一環として、欠陥部の救済としてのリペアに
よる修復の成功率を上げることが強く望まれている。
【００１２】本発明の目的は、製造工程において発生し
た断線欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良
品化することができる液晶表示装置及びその欠陥修復方
法を提供することにある。
た断線欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良
品化することができる液晶表示装置及びその欠陥修復方
法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に形
成されたバスラインから引き出され絶縁膜を介して画素
電極下層に延びる引出部と、前記引出部と前記画素電極
との間の前記絶縁膜中に形成された、孤立した中間導電
層とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達
成される。
成されたバスラインから引き出され絶縁膜を介して画素
電極下層に延びる引出部と、前記引出部と前記画素電極
との間の前記絶縁膜中に形成された、孤立した中間導電
層とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達
成される。
【００１４】本発明によれば、バスラインと画素電極と
の間の絶縁膜の厚さを中間導電層で分割するので、レー
ザ光の照射による短絡間隔が従来よりも狭くなるので、
修復率を向上させることができるようになる。
の間の絶縁膜の厚さを中間導電層で分割するので、レー
ザ光の照射による短絡間隔が従来よりも狭くなるので、
修復率を向上させることができるようになる。
【００１５】また、上記本発明の液晶表示装置におい
て、前記中間導電層は、直上の絶縁層に形成されたコン
タクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続され
ていることを特徴とする。本発明によれば、１回のレー
ザ光の照射によりバスラインと中間導電層と画素電極と
を同時に接続することができ、修復率をさらに向上させ
ることができるようになる。
て、前記中間導電層は、直上の絶縁層に形成されたコン
タクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続され
ていることを特徴とする。本発明によれば、１回のレー
ザ光の照射によりバスラインと中間導電層と画素電極と
を同時に接続することができ、修復率をさらに向上させ
ることができるようになる。
【００１６】また、上記本発明の液晶表示装置におい
て、前記中間導電層は、単層あるいは多層構成の薄膜よ
りなり、少なくとも金属膜又は金属酸化膜を含んで形成
されていることを特徴とする。金属膜による場合は製造
工程を増加させないようにでき、また金属酸化膜による
場合でも製造工程の増加を少なくすることができる。
て、前記中間導電層は、単層あるいは多層構成の薄膜よ
りなり、少なくとも金属膜又は金属酸化膜を含んで形成
されていることを特徴とする。金属膜による場合は製造
工程を増加させないようにでき、また金属酸化膜による
場合でも製造工程の増加を少なくすることができる。
【００１７】上記目的は、基板上に形成されたバスライ
ンに生じた断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復
方法において、画素電極と、前記画素電極下層の絶縁膜
中に形成された中間導電層とに対してレーザ光を照射し
て、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続す
る第１工程と、前記中間導電層と、前記バスラインから
引き出され絶縁膜を介して前記中間導電層の下層に延び
る引出部とに対してレーザ光を照射して、前記中間導電
層と前記引出部とを電気的に接続する第２工程とを含む
ことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法によって
達成される。
ンに生じた断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復
方法において、画素電極と、前記画素電極下層の絶縁膜
中に形成された中間導電層とに対してレーザ光を照射し
て、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続す
る第１工程と、前記中間導電層と、前記バスラインから
引き出され絶縁膜を介して前記中間導電層の下層に延び
る引出部とに対してレーザ光を照射して、前記中間導電
層と前記引出部とを電気的に接続する第２工程とを含む
ことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法によって
達成される。
【００１８】本発明よれば、中間導電層と画素電極を接
続し、中間導電層と最下層バスラインとを接続するの
で、従来よりも修復率が向上するようになる。
続し、中間導電層と最下層バスラインとを接続するの
で、従来よりも修復率が向上するようになる。
【００１９】また、上記本発明の液晶表示装置の欠陥修
復方法において、 前記第２工程は、前記第１工程のレ
ーザ光照射で形成されるスリットより狭い幅のスリット
を形成することを特徴とする。本発明によれば、中間導
電層と最下層バスラインとを接続するのに用いるレーザ
光スリット幅を、中間導電層と画素電極とを接続する場
合よりも狭いので、さらに修復率の向上が期待できるよ
うになる。
復方法において、 前記第２工程は、前記第１工程のレ
ーザ光照射で形成されるスリットより狭い幅のスリット
を形成することを特徴とする。本発明によれば、中間導
電層と最下層バスラインとを接続するのに用いるレーザ
光スリット幅を、中間導電層と画素電極とを接続する場
合よりも狭いので、さらに修復率の向上が期待できるよ
うになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の第１乃至第３の実施の形
態による液晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図２
７を用いて説明する。なお、従来の技術で説明した図２
７乃至図２９に示した構成と同一の機能作用を有する構
成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
態による液晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図２
７を用いて説明する。なお、従来の技術で説明した図２
７乃至図２９に示した構成と同一の機能作用を有する構
成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００２１】まず、本発明の第１の実施の形態による液
晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図１８を用いて
説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の
欠陥修復方法を説明する断面図である。前述したよう
に、ＴＦＴの構造には、逆スタガ型の他に、スタガ型や
プレーナ型がある。スタガ型やプレーナ型では最下層に
ドレイン電極があり、ゲート電極はその上部にあるとい
う逆の構造になっている。
晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図１８を用いて
説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の
欠陥修復方法を説明する断面図である。前述したよう
に、ＴＦＴの構造には、逆スタガ型の他に、スタガ型や
プレーナ型がある。スタガ型やプレーナ型では最下層に
ドレイン電極があり、ゲート電極はその上部にあるとい
う逆の構造になっている。
【００２２】したがって、図１において、透明絶縁基板
（ガラス基板）６に最初に形成される最下層バスライン
１は、逆スタガ型のＴＦＴ構造では、ゲートバスライン
（及び蓄積容量バスライン）であり、スタガ型やプレー
ナ型では、ドレインバスライン（データバスライン）で
ある。
（ガラス基板）６に最初に形成される最下層バスライン
１は、逆スタガ型のＴＦＴ構造では、ゲートバスライン
（及び蓄積容量バスライン）であり、スタガ型やプレー
ナ型では、ドレインバスライン（データバスライン）で
ある。
【００２３】この最下層バスライン１には、側部に図２
７で示した引出部（３３ａ、３３ｂ）が引き出されて形
成されている。この引出部の形成位置がレーザ照射位置
である。最下層バスライン１の側部に引き出された引出
部の上部には、絶縁層２、４を介して画素電極３が形成
される。本実施の形態では、絶縁層２、４の間であって
引出部の直上位置に中間層として孤立した中間導電層５
が設けられている。中間導電層５は、金属膜または金属
酸化膜を成膜して形成される。膜厚は、５０ｎｍ〜２０
０ｎｍである。
７で示した引出部（３３ａ、３３ｂ）が引き出されて形
成されている。この引出部の形成位置がレーザ照射位置
である。最下層バスライン１の側部に引き出された引出
部の上部には、絶縁層２、４を介して画素電極３が形成
される。本実施の形態では、絶縁層２、４の間であって
引出部の直上位置に中間層として孤立した中間導電層５
が設けられている。中間導電層５は、金属膜または金属
酸化膜を成膜して形成される。膜厚は、５０ｎｍ〜２０
０ｎｍである。
【００２４】このような中間導電層５を設けることによ
り、レーザ照射時に考慮すべき絶縁膜２、４の深さが、
従来では最下層バスライン１と画素電極３との間であっ
たのを、最下層バスライン１と中間導電層５との間、及
び中間導電層５と画素電極３との間の２段階にすること
ができ従来よりも浅くすることができる。したがって、
照射エネルギをそれほど強くしなくても容易に確実に短
絡させることができ、従来よりも修復率を上げることが
できるようになる。
り、レーザ照射時に考慮すべき絶縁膜２、４の深さが、
従来では最下層バスライン１と画素電極３との間であっ
たのを、最下層バスライン１と中間導電層５との間、及
び中間導電層５と画素電極３との間の２段階にすること
ができ従来よりも浅くすることができる。したがって、
照射エネルギをそれほど強くしなくても容易に確実に短
絡させることができ、従来よりも修復率を上げることが
できるようになる。
【００２５】具体的な短絡方法は、図２や図３に示すよ
うに、２通りの方法が考えられる。図２、図３は、本実
施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法で用いるレ
ーザ照射の第１、第２の方法を説明する断面図である。
うに、２通りの方法が考えられる。図２、図３は、本実
施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法で用いるレ
ーザ照射の第１、第２の方法を説明する断面図である。
【００２６】図２において、（ａ）示すように、まず、
レーザ光５０を照射して上層の画素電極３と中間導電層
５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すように、同じスリ
ット幅を形成するレーザ光５０を照射して、画素電極３
と短絡した中間導電層５を最下層バスライン１と短絡さ
せる。
レーザ光５０を照射して上層の画素電極３と中間導電層
５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すように、同じスリ
ット幅を形成するレーザ光５０を照射して、画素電極３
と短絡した中間導電層５を最下層バスライン１と短絡さ
せる。
【００２７】また、図３において、（ａ）に示すよう
に、まず、レーザ光５１を照射して上層の画素電極３と
中間導電層５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すよう
に、スリット幅を狭く形成したレーザ光５２を照射し、
最下層バスライン１と中間導電層５とを短絡させる。こ
のように、画素電極３と中間導電層５との間と、最下層
バスライン１と中間導電層５との間を分割して接続す
る。これによれば、修復率をさらに向上させることがで
きる。なお、レーザ光５０やレーザ光５１の照射により
形成するスリット幅は、パターン寸法等を考慮して２〜
１３μｍが適当である。
に、まず、レーザ光５１を照射して上層の画素電極３と
中間導電層５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すよう
に、スリット幅を狭く形成したレーザ光５２を照射し、
最下層バスライン１と中間導電層５とを短絡させる。こ
のように、画素電極３と中間導電層５との間と、最下層
バスライン１と中間導電層５との間を分割して接続す
る。これによれば、修復率をさらに向上させることがで
きる。なお、レーザ光５０やレーザ光５１の照射により
形成するスリット幅は、パターン寸法等を考慮して２〜
１３μｍが適当である。
【００２８】以下、本実施の形態による逆スタガ型ＴＦ
Ｔ構造の液晶表示装置及び製造方法を図４乃至図１８を
用いた実施例で説明する。なお、図４乃至図１０は実施
例１に関し、図１１乃至図１７は実施例２に関し、図１
８は実施例３に関する。
Ｔ構造の液晶表示装置及び製造方法を図４乃至図１８を
用いた実施例で説明する。なお、図４乃至図１０は実施
例１に関し、図１１乃至図１７は実施例２に関し、図１
８は実施例３に関する。
【００２９】（実施例１）図４は、実施例１による液晶
表示装置を説明する平面図である。図４は、アレイ基板
を液晶層側から見た基板面を示している。図４に示すよ
うに、引出部３３ａ、３３ｂと画素電極２７ａ、２７ｂ
とがそれぞれ重なり合う領域に中間導電層９ａ、９ｂが
設けられている。中間導電層９ａ、９ｂは、図５乃至図
１０に示すようにして形成される。
表示装置を説明する平面図である。図４は、アレイ基板
を液晶層側から見た基板面を示している。図４に示すよ
うに、引出部３３ａ、３３ｂと画素電極２７ａ、２７ｂ
とがそれぞれ重なり合う領域に中間導電層９ａ、９ｂが
設けられている。中間導電層９ａ、９ｂは、図５乃至図
１０に示すようにして形成される。
【００３０】図５乃至図１０は、本実施例による液晶表
示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図５乃至
図１０において、図４に示した構成要素と同一の構成要
素については同一の符号を付している。また、図５乃至
図１０における（ａ）は、図４のＡ−Ａ’線で切断した
ＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は図４のＢ−Ｂ’線
で切断した中間導電層９ｂを含む領域の断面を示してい
る。
示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図５乃至
図１０において、図４に示した構成要素と同一の構成要
素については同一の符号を付している。また、図５乃至
図１０における（ａ）は、図４のＡ−Ａ’線で切断した
ＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は図４のＢ−Ｂ’線
で切断した中間導電層９ｂを含む領域の断面を示してい
る。
【００３１】まず、図５に示すように、透明ガラス基板
３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３
ａ（図５（ａ）参照）及び引出部３３ｂを形成する（図
５（ｂ）参照）。次に、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲー
ト絶縁膜３７を形成する。次に、動作半導体膜を形成す
るための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１
０１をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さ
らに、チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン
窒化膜（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面
に形成する。
３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３
ａ（図５（ａ）参照）及び引出部３３ｂを形成する（図
５（ｂ）参照）。次に、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲー
ト絶縁膜３７を形成する。次に、動作半導体膜を形成す
るための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１
０１をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さ
らに、チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン
窒化膜（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面
に形成する。
【００３２】次に、ゲートバスライン１３ａ及び引出部
３３ｂをマスクとして、透明ガラス基板３５に対して背
面露光を行い、第２のマスクを用いて、ゲートバスライ
ン１３ｂ上に自己整合的にレジストパターン（図示せ
ず）を形成し、ゲートバスライン１３ａ上に形成された
シリコン窒化膜１０３をエッチングして、ＴＦＴ１５ｂ
形成領域のゲートバスライン１３ａ上にチャネル保護膜
１９ｂを形成する（図６（ａ）、（ｂ）参照）。
３３ｂをマスクとして、透明ガラス基板３５に対して背
面露光を行い、第２のマスクを用いて、ゲートバスライ
ン１３ｂ上に自己整合的にレジストパターン（図示せ
ず）を形成し、ゲートバスライン１３ａ上に形成された
シリコン窒化膜１０３をエッチングして、ＴＦＴ１５ｂ
形成領域のゲートバスライン１３ａ上にチャネル保護膜
１９ｂを形成する（図６（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３３】次に、図７に示すように、オーミックコン
タクト層を形成するためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラ
ズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイン
電極１７ｂ、ソース電極２１ｂ、蓄積容量電極２５ｂ、
データバスライン１１ｂ及び中間導電層９ｂを形成する
ための金属（例えばＣｒ）層１０７をスパッタリングに
より成膜する。
タクト層を形成するためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラ
ズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイン
電極１７ｂ、ソース電極２１ｂ、蓄積容量電極２５ｂ、
データバスライン１１ｂ及び中間導電層９ｂを形成する
ための金属（例えばＣｒ）層１０７をスパッタリングに
より成膜する。
【００３４】次に第３のマスクを用いて、図８に示すよ
うに、金属層１０７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルフ
ァスシリコン層１０１をパターニングし、データバスラ
イン１１ｂ（図８では図示せず）、ドレイン電極１７
ｂ、ソース電極２１ｂ、中間導電層９ｂ、及び動作半導
体層１０９を形成する。このパターニングにおけるエッ
チング処理において、チャネル保護膜１９ｂはエッチン
グストッパーとして機能し、その下層のアモルファスシ
リコン層１０１はエッチングされずに残存する。
うに、金属層１０７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルフ
ァスシリコン層１０１をパターニングし、データバスラ
イン１１ｂ（図８では図示せず）、ドレイン電極１７
ｂ、ソース電極２１ｂ、中間導電層９ｂ、及び動作半導
体層１０９を形成する。このパターニングにおけるエッ
チング処理において、チャネル保護膜１９ｂはエッチン
グストッパーとして機能し、その下層のアモルファスシ
リコン層１０１はエッチングされずに残存する。
【００３５】次に、図９に示すように例えばシリコン窒
化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成す
る。次いで、第４のマスクを用いて保護膜３９をパター
ニングし、ソース電極２１ｂ上の保護膜３９を開口し
て、ソース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形
成する。
化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成す
る。次いで、第４のマスクを用いて保護膜３９をパター
ニングし、ソース電極２１ｂ上の保護膜３９を開口し
て、ソース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形
成する。
【００３６】次に、図１０に示すように、透明ガラス基
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極材１
１１をパターニングし、図４に示すような所定形状の画
素電極２７ｂを形成する。また、画素電極２７ｂはコン
タクトホール２９ｂを介してソース電極２１ｂと電気的
に接続される。また、詳細な説明は後述するが画素電極
２７と蓄積容量電極２５も保護膜３９を開口したコンタ
クトホール３１を介して電気的に接続される。以上説明
した工程を経て図４に示したような液晶表示装置が完成
する。
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極材１
１１をパターニングし、図４に示すような所定形状の画
素電極２７ｂを形成する。また、画素電極２７ｂはコン
タクトホール２９ｂを介してソース電極２１ｂと電気的
に接続される。また、詳細な説明は後述するが画素電極
２７と蓄積容量電極２５も保護膜３９を開口したコンタ
クトホール３１を介して電気的に接続される。以上説明
した工程を経て図４に示したような液晶表示装置が完成
する。
【００３７】（実施例２）図１１は、本実施の形態によ
る液晶表示装置の実施例２を説明する平面図である。図
１１は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示して
いる。図４に示すように、本実施例は、実施例１（図
４）において、さらに蓄積容量バスライン２３に引出部
５５が形成される場合の適用例である。引出部５５は、
画素電極２７ａ、２７ｂの左右の側辺側において、蓄積
容量バスライン２３の両側端から大きく引き出されて形
成されている。したがって、引出部５５は、各画素領域
に４つ形成されているが、それぞれの引出部５５のほぼ
全領域上に中間導電層１０が設けられている。この中間
導電層１０は、図１２乃至図１７に示すようにして形成
される。これにより、ゲートバスライン１３ａ、１３
ｂ、・・に発生する断線部に加え、蓄積容量バスライン
に発生する断線部も高い成功率で修復できるようにな
る。
る液晶表示装置の実施例２を説明する平面図である。図
１１は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示して
いる。図４に示すように、本実施例は、実施例１（図
４）において、さらに蓄積容量バスライン２３に引出部
５５が形成される場合の適用例である。引出部５５は、
画素電極２７ａ、２７ｂの左右の側辺側において、蓄積
容量バスライン２３の両側端から大きく引き出されて形
成されている。したがって、引出部５５は、各画素領域
に４つ形成されているが、それぞれの引出部５５のほぼ
全領域上に中間導電層１０が設けられている。この中間
導電層１０は、図１２乃至図１７に示すようにして形成
される。これにより、ゲートバスライン１３ａ、１３
ｂ、・・に発生する断線部に加え、蓄積容量バスライン
に発生する断線部も高い成功率で修復できるようにな
る。
【００３８】図１２乃至図１７は、本実施例による液晶
表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図１２
乃至図１７において、図１１に示した構成要素と同一の
構成要素については同一の符号を付している。また、図
１２乃至図１７における（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ’線
で切断した蓄積容量バスライン２３の断面を示し、
（ｂ）は図１１のＤ−Ｄ’線で切断した中間導電層１０
を含む領域の断面を示している。
表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図１２
乃至図１７において、図１１に示した構成要素と同一の
構成要素については同一の符号を付している。また、図
１２乃至図１７における（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ’線
で切断した蓄積容量バスライン２３の断面を示し、
（ｂ）は図１１のＤ−Ｄ’線で切断した中間導電層１０
を含む領域の断面を示している。
【００３９】まず図１２に示すように、透明ガラス基板
３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３
の形成と同時に蓄積容量バスライン２３（図１２（ａ）
参照）及び引出部５５（図１２（ｂ）参照）を形成す
る。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマ
ＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲート絶縁膜３７を
形成する。次に、ＴＦＴの動作半導体膜を形成するため
の例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１０１を
プラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、
チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面に形成
する。
３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して
厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１の
マスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３
の形成と同時に蓄積容量バスライン２３（図１２（ａ）
参照）及び引出部５５（図１２（ｂ）参照）を形成す
る。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマ
ＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲート絶縁膜３７を
形成する。次に、ＴＦＴの動作半導体膜を形成するため
の例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１０１を
プラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、
チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面に形成
する。
【００４０】次に、蓄積容量バスライン２３及び引出部
５５上に形成されたシリコン窒化膜１０３をエッチング
して除去する（図１３（ａ）、（ｂ）参照）。
５５上に形成されたシリコン窒化膜１０３をエッチング
して除去する（図１３（ａ）、（ｂ）参照）。
【００４１】次に、図１４に示すように、ＴＦＴのソー
ス／ドレイン電極のオーミックコンタクト層を形成する
ためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラズマＣＶＤ法により
全面に形成する。次いで、蓄積容量電極２５ｂ及び中間
導電層１０を形成するための金属（例えばＣｒ）層１０
７をスパッタリングにより成膜する。
ス／ドレイン電極のオーミックコンタクト層を形成する
ためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラズマＣＶＤ法により
全面に形成する。次いで、蓄積容量電極２５ｂ及び中間
導電層１０を形成するための金属（例えばＣｒ）層１０
７をスパッタリングにより成膜する。
【００４２】次に、図１５に示すように、金属層１０
７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルファスシリコン層１
０１をパターニングし、蓄積容量電極２５ｂ及び中間導
電層１０を形成する。
７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルファスシリコン層１
０１をパターニングし、蓄積容量電極２５ｂ及び中間導
電層１０を形成する。
【００４３】次に、図１６に示すように例えばシリコン
窒化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成
する。次いで保護膜３９をパターニングし、蓄積容量電
極２５ｂ上の保護膜３９を開口して、蓄積容量電極２５
ｂ上にコンタクトホール３１ｂを形成する。
窒化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成
する。次いで保護膜３９をパターニングし、蓄積容量電
極２５ｂ上の保護膜３９を開口して、蓄積容量電極２５
ｂ上にコンタクトホール３１ｂを形成する。
【００４４】次に、図１７に示すように、透明ガラス基
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、
図１１に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成す
る。画素電極２７ｂはコンタクトホール３１ｂを介して
蓄積容量電極２５ｂと電気的に接続される。以上説明し
た工程を経て図１１に示したような液晶表示装置が完成
する。
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、
図１１に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成す
る。画素電極２７ｂはコンタクトホール３１ｂを介して
蓄積容量電極２５ｂと電気的に接続される。以上説明し
た工程を経て図１１に示したような液晶表示装置が完成
する。
【００４５】（実施例３）次に、図１８を用いて実施例
３による液晶表示装置について説明する。図１８は、ア
レイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１
８に示すように、本実施例は、実施例２と同様に、実施
例１（図４）においてさらに蓄積容量バスライン２３に
引出部５５が形成される場合の適用例である。引出部５
５は、実施例２と同様にして形成されている。本実施例
では、この引出部５５の全領域上に中間導電層１０がア
イランド状に点在して形成されている。この中間導電層
１０は、実施例２で説明した図１２乃至図１７に示す工
程を経て形成される。これにより、実施例２と同様に、
ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線
部に加え、蓄積容量バスライン２３に発生する断線部も
高い成功率で修復できるようになる。
３による液晶表示装置について説明する。図１８は、ア
レイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１
８に示すように、本実施例は、実施例２と同様に、実施
例１（図４）においてさらに蓄積容量バスライン２３に
引出部５５が形成される場合の適用例である。引出部５
５は、実施例２と同様にして形成されている。本実施例
では、この引出部５５の全領域上に中間導電層１０がア
イランド状に点在して形成されている。この中間導電層
１０は、実施例２で説明した図１２乃至図１７に示す工
程を経て形成される。これにより、実施例２と同様に、
ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線
部に加え、蓄積容量バスライン２３に発生する断線部も
高い成功率で修復できるようになる。
【００４６】次に、上記第１の実施の形態による液晶表
示装置及びその欠陥修復方法の変形例について説明す
る。上記第１の実施の形態では、画素毎に１つのＴＦＴ
１５が形成される構成であるが、例えば１画素に２個の
ＴＦＴを配置した冗長構成を取ることも可能である。そ
の場合において、引出部３３も１画素に２個形成しても
よい。
示装置及びその欠陥修復方法の変形例について説明す
る。上記第１の実施の形態では、画素毎に１つのＴＦＴ
１５が形成される構成であるが、例えば１画素に２個の
ＴＦＴを配置した冗長構成を取ることも可能である。そ
の場合において、引出部３３も１画素に２個形成しても
よい。
【００４７】まず、一方のＴＦＴ１５及び引出部３３を
利用してゲートバスライン１３の断線を修復する。次い
でレーザ照射により、これら一方のＴＦＴ１５及び引出
部３３を取り囲む領域と、他方のＴＦＴ１５を含む領域
とに画素電極２７を分離する。他方のＴＦＴ１５をスイ
ッチング素子として用いて画素電極２７を駆動するよう
にすれば、欠陥修復に供した画素を点欠陥とせずに画像
表示に利用させることができるようになる。
利用してゲートバスライン１３の断線を修復する。次い
でレーザ照射により、これら一方のＴＦＴ１５及び引出
部３３を取り囲む領域と、他方のＴＦＴ１５を含む領域
とに画素電極２７を分離する。他方のＴＦＴ１５をスイ
ッチング素子として用いて画素電極２７を駆動するよう
にすれば、欠陥修復に供した画素を点欠陥とせずに画像
表示に利用させることができるようになる。
【００４８】次に、本発明の第２実施の形態による液晶
表示装置及びその欠陥修復方法を図１９乃至図２６を用
いて説明する。図１９は、本実施の形態による液晶表示
装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。図１９
（ａ）に示すように、本実施の形態による液晶表示装置
は、予め保護膜４にコンタクトホール７が形成され、中
間導電層５がコンタクトホール７を介して画素電極３に
電気的に接続されている。
表示装置及びその欠陥修復方法を図１９乃至図２６を用
いて説明する。図１９は、本実施の形態による液晶表示
装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。図１９
（ａ）に示すように、本実施の形態による液晶表示装置
は、予め保護膜４にコンタクトホール７が形成され、中
間導電層５がコンタクトホール７を介して画素電極３に
電気的に接続されている。
【００４９】図１９（ｂ）に示すように、コンタクトホ
ール７の中心部または中心部近傍にレーザ光５３を照射
することにより、中間導電層５と最下層バスライン１と
を接続する。このように、上層の画素電極３は孤立した
中間導電層５に予め電気的に接続させてあるので、コン
タクトホール７を照射することで一度に接続することが
できるようになる。
ール７の中心部または中心部近傍にレーザ光５３を照射
することにより、中間導電層５と最下層バスライン１と
を接続する。このように、上層の画素電極３は孤立した
中間導電層５に予め電気的に接続させてあるので、コン
タクトホール７を照射することで一度に接続することが
できるようになる。
【００５０】以下、本実施の形態による逆スタガ型ＴＦ
Ｔ構造の液晶表示装置及び製造方法を図２０乃至図２６
を用いて説明する。図２０は、本実施の形態による液晶
表示装置を説明する平面図である。図２０は、アレイ基
板を液晶層側から見た基板面を示している。本実施の形
態は、上記第１の実施の形態における実施例１（図４参
照）への適用例である。すなわち、図２０に示すよう
に、パネル面の法線方向から見て、引出部３３ａ、３３
ｂと画素電極２７ａ、２７ｂとがそれぞれ重なり合う領
域に設けられている中間導電層９ａ、９ｂに、コンタク
トホール８ａ、８ｂが形成されている。この中間導電層
９ａ、９ｂ及びコンタクトホール８ａ、８ｂは、図２１
乃至図２６に示すようにして形成される。これにより、
ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線
部を高い成功率で修復することができるようになる。
Ｔ構造の液晶表示装置及び製造方法を図２０乃至図２６
を用いて説明する。図２０は、本実施の形態による液晶
表示装置を説明する平面図である。図２０は、アレイ基
板を液晶層側から見た基板面を示している。本実施の形
態は、上記第１の実施の形態における実施例１（図４参
照）への適用例である。すなわち、図２０に示すよう
に、パネル面の法線方向から見て、引出部３３ａ、３３
ｂと画素電極２７ａ、２７ｂとがそれぞれ重なり合う領
域に設けられている中間導電層９ａ、９ｂに、コンタク
トホール８ａ、８ｂが形成されている。この中間導電層
９ａ、９ｂ及びコンタクトホール８ａ、８ｂは、図２１
乃至図２６に示すようにして形成される。これにより、
ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線
部を高い成功率で修復することができるようになる。
【００５１】図２１乃至図２６は、本実施の形態による
液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図
２１乃至図２６において、図２０に示した構成要素と同
一の構成要素については同一の符号を付している。ま
た、図２１乃至図２６における（ａ）は、図２０のＥ−
Ｅ’線で切断したＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は
図４のＦ−Ｆ’線で切断した中間導電層９ｂ及びコンタ
クトホール８ｂの断面を示している。
液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図
２１乃至図２６において、図２０に示した構成要素と同
一の構成要素については同一の符号を付している。ま
た、図２１乃至図２６における（ａ）は、図２０のＥ−
Ｅ’線で切断したＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は
図４のＦ−Ｆ’線で切断した中間導電層９ｂ及びコンタ
クトホール８ｂの断面を示している。
【００５２】図２１乃至図２６における（ａ）に示した
ＴＦＴの製造方法は、図５乃至図１０の（ａ）に示した
ものと同一である。また、図２１乃至図２６における
（ｂ）に示す中間導電層の製造方法は、図２１乃至図２
４が図５乃至図８（ｂ）に示したものと同一である。従
って、これら既に説明した製造方法と同一の製造方法の
説明は省略し、以下、図２５、図２６を参照して説明す
る。
ＴＦＴの製造方法は、図５乃至図１０の（ａ）に示した
ものと同一である。また、図２１乃至図２６における
（ｂ）に示す中間導電層の製造方法は、図２１乃至図２
４が図５乃至図８（ｂ）に示したものと同一である。従
って、これら既に説明した製造方法と同一の製造方法の
説明は省略し、以下、図２５、図２６を参照して説明す
る。
【００５３】図２５に示すように、例えばシリコン窒化
膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成す
る。次いで保護膜３９をパターニングし、ソース電極２
１ｂ及び中間導電層９ｂ上の保護膜３９を開口して、ソ
ース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形成し、
中間導電層９ｂ上にコンタクトホール８ｂを形成する。
膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成す
る。次いで保護膜３９をパターニングし、ソース電極２
１ｂ及び中間導電層９ｂ上の保護膜３９を開口して、ソ
ース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形成し、
中間導電層９ｂ上にコンタクトホール８ｂを形成する。
【００５４】次に、図２６に示すように、透明ガラス基
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、
図２０に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成す
る。また、画素電極２７ｂはコンタクトホール２９ｂを
介してソース電極２１ｂと電気的に接続され、またコン
タクトホール８ｂを介して中間導電層９ｂと電気的に接
続される。以上説明した工程を経て図２０に示したよう
な液晶表示装置が完成する。
板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を
成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、
図２０に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成す
る。また、画素電極２７ｂはコンタクトホール２９ｂを
介してソース電極２１ｂと電気的に接続され、またコン
タクトホール８ｂを介して中間導電層９ｂと電気的に接
続される。以上説明した工程を経て図２０に示したよう
な液晶表示装置が完成する。
【００５５】なお、本実施の形態は、上記第１の実施の
形態における実施例２、３についても同様に適用できる
ことは言うまでもない。また、中間導電層９ａ、９ｂ、
１０は、ドレイン電極１７ａ、１７ｂやソース電極２１
ａ、２１ｂなどを形成する金属層１０７を用いて形成し
た。この方法では、中間導電層の積層工程を追加する必
要をなくすことができる。しかし、このことは、中間導
電層を別途金属酸化膜で成膜して形成することを排除す
るものではない。
形態における実施例２、３についても同様に適用できる
ことは言うまでもない。また、中間導電層９ａ、９ｂ、
１０は、ドレイン電極１７ａ、１７ｂやソース電極２１
ａ、２１ｂなどを形成する金属層１０７を用いて形成し
た。この方法では、中間導電層の積層工程を追加する必
要をなくすことができる。しかし、このことは、中間導
電層を別途金属酸化膜で成膜して形成することを排除す
るものではない。
【００５６】次に、本発明の第３の実施の形態による液
晶表示装置の欠陥修復方法を説明する。例えば、図２７
に示す断線部４１で断線が発生した場合、レーザ照射位
置４３にレーザ光を照射して開口を設け、次いで開口部
近傍に金属粒子を分散したコロイド溶液を塗布し、再
度、当該開口部分にレーザ光を照射して金属を析出させ
る。析出した金属により画素電極２７ｂと引出部３３ｂ
とが接続させられるので、断線が修復される。この方法
によれば、従来の製造工程に変更を加えることなく、実
施することができる。
晶表示装置の欠陥修復方法を説明する。例えば、図２７
に示す断線部４１で断線が発生した場合、レーザ照射位
置４３にレーザ光を照射して開口を設け、次いで開口部
近傍に金属粒子を分散したコロイド溶液を塗布し、再
度、当該開口部分にレーザ光を照射して金属を析出させ
る。析出した金属により画素電極２７ｂと引出部３３ｂ
とが接続させられるので、断線が修復される。この方法
によれば、従来の製造工程に変更を加えることなく、実
施することができる。
【００５７】本発明は、以上説明した実施の形態に限ら
ず種々の変形が可能である。例えば以上の実施の形態で
は、中間導電層を表示部の画素部に設けた場合を示した
が、端子部等の表示部外にも適用することができる。
ず種々の変形が可能である。例えば以上の実施の形態で
は、中間導電層を表示部の画素部に設けた場合を示した
が、端子部等の表示部外にも適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、液晶表示
装置の製造工程において発生した断線欠陥を従来よりも
高い成功率で容易に修復して良品化することができる表
示装置及びその欠陥修復方法を実現できる。
装置の製造工程において発生した断線欠陥を従来よりも
高い成功率で容易に修復して良品化することができる表
示装置及びその欠陥修復方法を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の欠陥修復方法を説明する断面図である。
の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第１の方法を説明
する断面図である。
の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第１の方法を説明
する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第２の方法を説明
する断面図である。
の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第２の方法を説明
する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）を説明する平面図である。
（実施例１）を説明する平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）を説明する平面図である。
置（実施例２）を説明する平面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置（実施例３）を説明する平面図である。
置（実施例３）を説明する平面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置を説明する平面図である。
置を説明する平面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の製造方法の工程断面図である。
置の製造方法の工程断面図である。
【図２７】従来の液晶表示装置の構成を説明する平面図
である。
である。
【図２８】図２７中のＥ−Ｅ’線の断面図である。
【図２９】従来の欠陥修復方法におけるレーザ照射の様
子を説明する断面図である。
子を説明する断面図である。
１ 引出部が設けられる最下層バスライン ２ 絶縁層 ３ 画素電極 ４ 絶縁層 ５ 中間導電層 ６ 透明絶縁性基板（ガラス基板） ７、８ コンタクトホール ９ａ、９ｂ、１０ 中間導電層 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ データバスライン １３ａ、１３ｂ ゲートバスライン １５ａ、１５ｂ ＴＦＴ １７ａ、１７ｂ ドレイン電極 １９ チャネル保護膜 ２１ａ、２１ｂ ソース電極 ２３ 蓄積容量バスライン ２５ａ、２５ｂ 蓄積容量電極 ２７ａ、２７ｂ 画素電極 ２９ａ、２９ｂ、３１ａ、３１ｂ コンタクトホール ３３ａ、３３ｂ、５５ 引出部 ３５ ガラス基板 ３７ デート絶縁膜 ３９ 保護膜 ４１ 断線部 ４３、４５、４７ レーザ照射位置 ４９、５０、５１、５２、５３ レーザ光 １０１ アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層） １０３ シリコン窒化膜 １０５ ｎ+ａ−Ｓｉ層 １０７ 金属層 １０９ 動作半導体層 １１１ 画素電極材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川井 悟 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 Ｆターム(参考） 2H092 JB73 KA05 KA07 MA08 MA52 NA25 NA29 5F033 GG04 HH05 HH07 HH08 HH38 PP12 PP15 QQ09 QQ53 RR06 SS15 XX36 5F110 AA27 CC05 CC07 DD02 EE03 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK04 HK09 HK16 HK21 HK33 HK35 HL07 NN02 NN12 NN24 NN35 NN72 NN73 QQ01 QQ12 QQ30 5G435 AA00 AA17 BB12 EE12 KK05 KK10 LL08
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成されたバスラインから引き出
され絶縁膜を介して画素電極下層に延びる引出部と、 前記引出部と前記画素電極との間の前記絶縁膜中に形成
された、孤立した中間導電層とを有することを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置において、 前記中間導電層は、直上の絶縁層に形成されたコンタク
トホールを介して前記画素電極と電気的に接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記中間導電層は、単層あるいは多層構成の薄膜よりな
り、少なくとも金属膜又は金属酸化膜を含んで形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】基板上に形成されたバスラインに生じた断
線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法におい
て、 画素電極と、前記画素電極下層の絶縁膜中に形成された
中間導電層とに対してレーザ光を照射して、前記画素電
極と前記中間導電層とを電気的に接続する第１工程と、 前記中間導電層と、前記バスラインから引き出され絶縁
膜を介して前記中間導電層の下層に延びる引出部とに対
してレーザ光を照射して、前記中間導電層と前記引出部
とを電気的に接続する第２工程とを含むことを特徴とす
る液晶表示装置の欠陥修復方法。 - 【請求項５】請求項４記載の液晶表示装置の欠陥修復方
法において、 前記第２工程は、前記第１工程のレーザ光照射で形成さ
れるスリットより狭い幅のスリットを形成することを特
徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000092347A JP4497641B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000092347A JP4497641B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
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|---|---|
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