JPH08146459A

JPH08146459A - マトリックス型液晶表示装置

Info

Publication number: JPH08146459A
Application number: JP31241794A
Authority: JP
Inventors: Hidetsugu Kojima; 英嗣小島
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1994-11-24
Filing date: 1994-11-24
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】高開口率を維持して、補助容量電極と画素電
極及び信号ラインとの重なり部を小さくする。【構成】ガラス基板１の上面の画素電極５の上辺部に
対応する位置には、補助容量ライン２１が走査ライン２
と平行して設けられている。また、相隣接する２本の走
査ライン２間における信号ライン３及び該信号ライン３
の左右近傍における２つの画素電極５の辺部と対応する
位置であって補助容量ライン２１を除く領域におけるガ
ラス基板１の上面には、遮光膜２２が設けられている。
この場合、補助容量ライン２１及び遮光膜２２は、走査
ライン２と同一の金属材料（例えばクロム）によって該
走査ライン２の形成と同時に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はマトリックス型液晶表
示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マトリックス型液晶表示装置には、画素
電極と信号ライン（ドレインライン）間の寄生容量の減
少を図るとともに、開口率を高くするために、シールド
型の補助容量電極を備えたものがある。図３（Ａ）及び
（Ｂ）は従来のこのようなマトリックス型液晶表示装置
の一部を示したものである。このマトリックス型液晶表
示装置はガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上
面側には走査ライン（ゲートライン）２と信号ライン３
がマトリックス状に設けられ、その各交点近傍にはスイ
ッチング素子としての薄膜トランジスタ４、画素電極５
及び補助容量電極６が設けられている。

【０００３】すなわち、ガラス基板１の上面の所定の個
所にはゲート電極７を含む走査ライン２が形成され、他
の所定の個所には補助容量電極６が形成され、その上面
全体にはゲート絶縁膜８が形成されている。ゲート絶縁
膜８の上面の所定の個所にはアモルファスシリコンから
なる半導体薄膜９が形成され、半導体薄膜９の上面の中
央部にはチャネル保護膜１０が形成されている。半導体
薄膜９及びチャネル保護膜１０の上面の両側にはｎ＋シ
リコンからなるコンタクト層１１、１２が形成され、コ
ンタクト層１１、１２の上面にはドレイン電極１３及び
ソース電極１４が形成され、またこれら電極１３、１４
の形成と同時に信号ライン３が形成されている。ゲート
絶縁膜８の上面の所定の個所にはＩＴＯからなる画素電
極５がソース電極１４に接続されて形成されている。

【０００４】補助容量電極６は、画素電極５の上辺部に
対応する位置において走査ライン２と平行して設けられ
た共通直線部６ａと、この共通直線部６ａから信号ライ
ン３に沿って引き出された引出部６ｂとからなってい
る。引出部６ｂは、信号ライン３及び該信号ライン３の
左右近傍における２つの画素電極５の各辺部と重ね合わ
されて設けられている。したがって、補助容量電極６は
画素電極５の上辺部及び左右辺部と重ね合わされ、この
重ね合わされた部分によって補助容量部が形成されてい
る。また、補助容量電極６の画素電極５と重ね合わされ
た部分のほぼコ字状の所定の３辺は画素開口部の一部の
エッジを形成し、これにより開口率を高くしている。す
なわち、図示していないが、ガラス基板１と液晶を挾ん
で対向配置されたもう１つのガラス基板に、画素開口部
の全体を形成する遮光膜を設けた場合、両ガラス基板を
シール材を介して貼り合わせるときの位置ずれを考慮す
ると、遮光膜を必要以上に大きくしなければならない
が、そうするとその分だけ開口率が低下することにな
る。これに対して、補助容量電極６の画素電極５と重ね
合わされた部分のほぼコ字状の所定の３辺によって画素
開口部の一部のエッジを形成するようにすると、この部
分の遮光については、両ガラス基板をシール材を介して
貼り合わせるときの位置ずれを考慮する必要がなく、こ
れにより開口率を高くすることができることになる。さ
らに、動作時には信号ライン３と画素電極５間の横方向
の電界を補助容量電極６の引出部６ｂによって緩和し、
これにより信号ライン３と画素電極５間の寄生容量の減
少を図っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のこ
のようなマトリックス型液晶表示装置では、補助容量電
極６の共通直線部６ａとこの共通直線部６ａから引き出
された一対の引出部６ｂを画素電極５と重ね合わせたほ
ぼコ字状の３辺によって画素開口部の一部のエッジを形
成しており、この重ね合わされた部分による容量がある
程度大きいものとなっている。このため、信号ライン３
から画素電極５に供給される画素信号及び補助容量電極
６に供給される共通信号に遅延が生じ、ひいては表示特
性が劣るという問題があった。特に、補助容量電極６の
抵抗値は信号ライン３の抵抗値に対して、通常、４倍程
度と大きいので、補助容量電極６への共通信号の遅延が
大きくなり、表示特性への影響が大きい。この発明の目
的は、高開口率を維持して、補助容量電極と画素電極及
び信号ラインとの重なり部を小さくすることができるマ
トリックス型液晶表示装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、マトリック
ス状に設けられた走査ライン及び信号ラインと、前記走
査ラインと前記信号ラインの各交点近傍に設けられた薄
膜トランジスタ及び画素電極と、前記信号ラインと交差
し且つ前記画素電極の一部と重ね合わされて設けられた
補助容量ラインと、前記補助容量ラインとは電気的に絶
縁された状態で前記画素電極の辺部と重ね合わされて設
けられた遮光膜とを同一の基板上に設けたものである。

【０００７】

【作用】この発明によれば、信号ラインと交差し且つ画
素電極の一部と重なるように補助容量ラインを設けてい
るので、補助容量ラインつまり補助容量電極と画素電極
及び信号ラインとの重なり部を小さくすることができ
る。しかも、補助容量ラインとは電気的に絶縁された状
態で画素電極の辺部と重なるように遮光膜を同一の基板
上に設けているので、高開口率を維持することができ
る。

【０００８】

【実施例】図１（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の一実施例
を適用したマトリックス型液晶表示装置の要部を示した
ものである。なお、これらの図において、図３（Ａ）及
び（Ｂ）と同一部分には同一の符号を付し、その説明を
適宜省略する。このマトリックス型液晶表示装置では、
ガラス基板１の上面の画素電極５の上辺部に対応する位
置に、補助容量ライン２１が走査ライン２と平行して設
けられている。補助容量ライン２１には、通常、接地電
位である共通信号が供給され、走査ライン２にはゲート
信号が供給される。また、相隣接する２本の走査ライン
２間における信号ライン３及び該信号ライン３の左右近
傍における２つの画素電極５の各辺部と対応する位置で
あって補助容量ライン２１を除く領域におけるガラス基
板１の上面には、遮光膜２２が設けられている。この遮
光膜２２は補助容量ライン２１とは電気的に切り離され
ており、フローティング状態にある。この場合、補助容
量ライン２１及び遮光膜２２は、走査ライン２と同一の
金属材料（例えばクロム）によって該走査ライン２の形
成と同時に形成されている。

【０００９】つまり、補助容量ライン２１は、その共通
直線部２１ａのみが画素電極５の上辺部と重ね合わさ
れ、従来技術における補助容量ライン６の引出部６ｂが
画素電極５と重なり合う面積は、フローティング状態の
遮光膜２２を対応させている。したがって、補助容量ラ
イン２１の抵抗値が低減され、また補助容量ライン２１
と画素電極５との重なり部が小さくなり、この重ね合わ
された部分の容量も低減され、しかも補助容量を不足さ
せることはない。この結果、補助容量ライン２１への共
通信号及び信号ライン３から画素電極５への画素信号の
供給に際し、その遅延を小さくすることができ、ひいて
は表示特性の向上を図ることができる。

【００１０】また、補助容量ライン２１の下辺と画素電
極５の左右両側の遮光膜２２の右辺及び左辺は画素開口
部の一部のエッジを形成している。この場合、補助容量
ライン２１及び遮光膜２２を画素電極５等が形成された
ガラス基板１上に形成しているので、この部分の遮光に
ついては、両ガラス基板をシール材を介して貼り合わせ
るときの位置ずれを考慮する必要がなく、これにより高
開口率を維持することができる。

【００１１】次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の
他の実施例を適用したマトリックス型液晶表示装置の要
部を示したものである。なお、これらの図において、図
１（Ａ）及び（Ｂ）と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。この実施例においては、
補助容量ライン２１は、相隣接する２本の走査ライン２
のほぼ中央部におけるガラス基板１の上面に、走査ライ
ン２と平行して設けられている。また、遮光膜２２は、
相隣接する２本の走査ライン２と補助容量ライン２１と
の各間における信号ライン３及び該信号ライン３の左右
近傍における２つの画素電極５の各辺部と対応する位置
におけるガラス基板１の上面に設けられている。この場
合、遮光膜２２は、走査ライン２と同一の金属材料（例
えばクロム）によって該走査ライン２の形成と同時に形
成されている。一方、補助容量ライン２１は、走査ライ
ン２とは別の金属材料（例えばＩＴＯ）によって走査ラ
イン２の形成とは別に形成されている。

【００１２】この実施例の場合、画素電極５の左右両側
の遮光膜２２の右辺及び左辺が画素開口部の一部のエッ
ジを形成することになるが、遮光膜２２を画素電極５等
が形成されたガラス基板１上に形成しているので、この
部分の遮光については、両ガラス基板をシール材を介し
て貼り合わせるときの位置ずれを考慮する必要がなく、
これにより高開口率を維持することができる。なお、そ
の他の効果は、上記一実施例の場合と同様であるので、
その説明を省略する。

【００１３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、信号ラインと交差し且つ画素電極の一部と重なるよ
うに補助容量ラインを設けているので、補助容量ライン
つまり補助容量電極と画素電極及び信号ラインとの重な
り部を小さくすることができ、この結果所定の電圧の印
加の遅延を小さくすることができ、ひいては表示特性の
向上を図ることとができる。しかも、補助容量ラインと
は電気的に絶縁した状態で画素電極の辺部と重なるよう
に遮光膜を同一の基板上に設けているので、高開口率を
維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例におけるマトリッ
クス型液晶表示装置の要部の平面図、（Ｂ）はそのＢ−
Ｂ線に沿う断面図。

【図２】（Ａ）はこの発明の他の実施例におけるマトリ
ックス型液晶表示装置の要部の平面図、（Ｂ）はそのＢ
−Ｂ線に沿う断面図。

【図３】（Ａ）は従来のマトリックス型液晶表示装置の
一部の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【符号の説明】

１ガラス基板２走査ライン３信号ライン４薄膜トランジスタ（スイッチング素子）５画素電極２１補助容量ライン２２遮光膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリックス状に設けられた走査ライン
及び信号ラインと、前記走査ラインと前記信号ラインの各交点近傍に設けら
れたスイッチング素子及び画素電極と、前記信号ラインと交差し且つ前記画素電極の一部と重ね
合わされて設けられた補助容量ラインと、前記補助容量ラインとは電気的に絶縁された状態で前記
画素電極の辺部と重ね合わされて設けられた遮光膜と、を同一の基板上に設けたことを特徴とするマトリックス
型液晶表示装置。
【請求項２】前記補助容量ラインは前記画素電極の前
記走査ラインと平行する所定の１つの辺部と重ね合わさ
れていることを特徴とする請求項１記載のマトリックス
型液晶表示装置。
【請求項３】前記補助容量ラインと前記遮光膜は同一
の金属材料によって同時に形成されていることを特徴と
する請求項２記載のマトリックス型液晶表示装置。
【請求項４】前記補助容量ライン及び前記遮光膜は前
記走査ラインと同一の金属材料によって該走査ラインの
形成と同時に形成されていることを特徴とする請求項３
記載のマトリックス型液晶表示装置。