JP3059783B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3059783B2 JP3059783B2 JP18886091A JP18886091A JP3059783B2 JP 3059783 B2 JP3059783 B2 JP 3059783B2 JP 18886091 A JP18886091 A JP 18886091A JP 18886091 A JP18886091 A JP 18886091A JP 3059783 B2 JP3059783 B2 JP 3059783B2
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- gate insulating
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に補助容量を小さな面積で従来のものと同等に構成でき
る液晶表示装置に関するものである。
に補助容量を小さな面積で従来のものと同等に構成でき
る液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、カラーＴＶを
中心に開発が活発に進められている。これらの中には、
例えば特開平３−１１４０２８号公報に示された構成
（図３）がある。これは、透明な絶縁性基板（５０）上
に、例えばゲート（５１）と補助容量電極（５２）が設
けられ、ゲート絶縁膜（５３）を介してＩＴＯより成る
表示電極（５４）が設けられている。更に全面には、第
２のゲート絶縁膜（５５）が設けられ、ＴＦＴが形成さ
れる第２のゲート絶縁膜（５５）上には、順次ａ−Ｓｉ
層（５６）、ＳｉＮXより成る半導体保護膜（５７）お
よびＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）が積層されている。一方、
ソース領域に対応するＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）から前記
表示電極（５４）表面が露出しているコンタクト孔まで
を延在しているソース電極（５９）と、ドレイン領域に
対応するＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）表面から延在されるド
レイン電極（６０）およびドレインラインがある。
中心に開発が活発に進められている。これらの中には、
例えば特開平３−１１４０２８号公報に示された構成
（図３）がある。これは、透明な絶縁性基板（５０）上
に、例えばゲート（５１）と補助容量電極（５２）が設
けられ、ゲート絶縁膜（５３）を介してＩＴＯより成る
表示電極（５４）が設けられている。更に全面には、第
２のゲート絶縁膜（５５）が設けられ、ＴＦＴが形成さ
れる第２のゲート絶縁膜（５５）上には、順次ａ−Ｓｉ
層（５６）、ＳｉＮXより成る半導体保護膜（５７）お
よびＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）が積層されている。一方、
ソース領域に対応するＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）から前記
表示電極（５４）表面が露出しているコンタクト孔まで
を延在しているソース電極（５９）と、ドレイン領域に
対応するＮ+ａ−Ｓｉ層（５８）表面から延在されるド
レイン電極（６０）およびドレインラインがある。
【０００３】更には、図示していないが、全面にパシベ
ーション膜や配向膜が設けられる。一方、前述のＴＦＴ
基板と対向する位置には、対向基板が設けられ例えば遮
光膜が設けられ、絶縁層を介して対向電極が設けられ、
更に配向膜が設けられている。そしてこのＴＦＴ基板と
対向基板は一定の間隙でシールを用いて貼り合わされて
あり、中に液晶が注入されている。
ーション膜や配向膜が設けられる。一方、前述のＴＦＴ
基板と対向する位置には、対向基板が設けられ例えば遮
光膜が設けられ、絶縁層を介して対向電極が設けられ、
更に配向膜が設けられている。そしてこのＴＦＴ基板と
対向基板は一定の間隙でシールを用いて貼り合わされて
あり、中に液晶が注入されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述の構成に於いて、
補助容量電極（５２）と表示電極（５４）で成る補助容
量は、液晶比抵抗の影響を緩和し、液晶の駆動を安定化
させるために重要な役割を果す。しかし誘電体として本
装置を構成する中では比較的膜厚の有るゲート絶縁膜を
用いているので、その分補助容量電極（５２）の面積を
広く形成する必要があり、その分表示電極（５４）の開
口率を小さくしていた。
補助容量電極（５２）と表示電極（５４）で成る補助容
量は、液晶比抵抗の影響を緩和し、液晶の駆動を安定化
させるために重要な役割を果す。しかし誘電体として本
装置を構成する中では比較的膜厚の有るゲート絶縁膜を
用いているので、その分補助容量電極（５２）の面積を
広く形成する必要があり、その分表示電極（５４）の開
口率を小さくしていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、表示電極Ｈ上に形成された第１のゲート絶
縁膜（１３）よりも薄い第２のゲート絶縁膜（１４）を
補助容量の誘電体として使用することで解決するもので
ある。
みて成され、表示電極Ｈ上に形成された第１のゲート絶
縁膜（１３）よりも薄い第２のゲート絶縁膜（１４）を
補助容量の誘電体として使用することで解決するもので
ある。
【０００６】
【作用】ゲート絶縁膜は、ＴＦＴの特性を決定付ける上
で、ゲート（１１）とａ−Ｓｉ層（１５）の間に挿入さ
れるもので、現在では４〜５０００Å程度必要である。
しかし図１の如く、このゲート絶縁膜の一構成となる第
２のゲート絶縁膜（１４）は、ゲート（１１）とａ−Ｓ
ｉ層（１５）の間に設けられたゲート絶縁膜（第１のゲ
ート絶縁膜（１３）と第２のゲート絶縁膜（１４）を含
めた総称）よりも必ず薄く形成されるので、これを誘電
体として使用すれば容量値を大きくでき、その分補助容
量電極（２１）の面積を小さくできる。
で、ゲート（１１）とａ−Ｓｉ層（１５）の間に挿入さ
れるもので、現在では４〜５０００Å程度必要である。
しかし図１の如く、このゲート絶縁膜の一構成となる第
２のゲート絶縁膜（１４）は、ゲート（１１）とａ−Ｓ
ｉ層（１５）の間に設けられたゲート絶縁膜（第１のゲ
ート絶縁膜（１３）と第２のゲート絶縁膜（１４）を含
めた総称）よりも必ず薄く形成されるので、これを誘電
体として使用すれば容量値を大きくでき、その分補助容
量電極（２１）の面積を小さくできる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の構成を図１および図２を参照
しながら説明する。尚、図１および図２とも殆ど同じで
あるので一緒に説明し、異なる所だけ付け加えてゆく。
まず、透明な絶縁性基板（１０）上に形成されたゲート
（１１）、およびこのゲート（１１）と一体で形成され
た複数本のゲートラインと、図２ではこのゲートライン
と離間して形成された補助容量電極（１２）、およびこ
の補助容量電極（１２）と一体で形成された補助容量ラ
インと、実質的に前記絶縁性基板（１０）の全面に形成
された絶縁層（１３）がある。
しながら説明する。尚、図１および図２とも殆ど同じで
あるので一緒に説明し、異なる所だけ付け加えてゆく。
まず、透明な絶縁性基板（１０）上に形成されたゲート
（１１）、およびこのゲート（１１）と一体で形成され
た複数本のゲートラインと、図２ではこのゲートライン
と離間して形成された補助容量電極（１２）、およびこ
の補助容量電極（１２）と一体で形成された補助容量ラ
インと、実質的に前記絶縁性基板（１０）の全面に形成
された絶縁層（１３）がある。
【０００８】透明な絶縁性基板（１０）は、例えばガラ
スより成る。このガラス基板（１０）上には、ゲート
（１１）、このゲート（１１）と一体のゲートラインが
形成されている。また図２では更に補助容量電極（１
２）およびこの電極（１２）と一体で成る補助容量ライ
ンが設けられ、後述する表示電極領域の下層に、Ｈの字
の形状に形成され、更には隣接する補助容量電極とを接
続するために、補助容量ラインが設けられている。また
両者は、例えばＣｒより成っているが、Ｔａ，ＴａＭｏ
およびＣｒ−Ｃｕ（Ｆｅが微量入ったもの）等でも良
い。ゲート端子および補助容量端子は、例えばＩＴＯ等
より成りガラス基板（１０）の周辺に設けられ、最終構
造として考えると、これらは夫々電気的に接続されてい
る。またゲート（１１）、ゲートライン、補助容量電極
（１２）および補助容量ラインを覆う第１のゲート絶縁
膜（１３）がある。この膜は、プラズマＣＶＤ法で形成
されたＳｉＮX膜である。ここでは、ＳｉＮX膜の代りに
ＳｉＯ2膜を使用しても良いし、この２つの膜を２層に
しても良い。またＳｉＮX膜やＳｉＯ2膜を単独で使う場
合、成膜工程を２工程に分け、２層構造としても良い。
スより成る。このガラス基板（１０）上には、ゲート
（１１）、このゲート（１１）と一体のゲートラインが
形成されている。また図２では更に補助容量電極（１
２）およびこの電極（１２）と一体で成る補助容量ライ
ンが設けられ、後述する表示電極領域の下層に、Ｈの字
の形状に形成され、更には隣接する補助容量電極とを接
続するために、補助容量ラインが設けられている。また
両者は、例えばＣｒより成っているが、Ｔａ，ＴａＭｏ
およびＣｒ−Ｃｕ（Ｆｅが微量入ったもの）等でも良
い。ゲート端子および補助容量端子は、例えばＩＴＯ等
より成りガラス基板（１０）の周辺に設けられ、最終構
造として考えると、これらは夫々電気的に接続されてい
る。またゲート（１１）、ゲートライン、補助容量電極
（１２）および補助容量ラインを覆う第１のゲート絶縁
膜（１３）がある。この膜は、プラズマＣＶＤ法で形成
されたＳｉＮX膜である。ここでは、ＳｉＮX膜の代りに
ＳｉＯ2膜を使用しても良いし、この２つの膜を２層に
しても良い。またＳｉＮX膜やＳｉＯ2膜を単独で使う場
合、成膜工程を２工程に分け、２層構造としても良い。
【０００９】次に、ＩＴＯより成る表示電極Ｈが設けら
れ、前記絶縁性基板（１０）全面に形成された第２のゲ
ート絶縁膜（１４）と、ゲート（１１）を一構成とする
ＴＦＴの活性領域に、順次積層された第１の非単結晶シ
リコン層、半導体保護膜（１６）、および第２の非単結
晶シリコン層（１７）と、このソース領域に対応する第
２の非単結晶シリコン膜（１７）と電気的に接続する導
電膜（１８）と、前記ドレイン領域に対応する第２の非
単結晶シリコン膜（１７）とドレインラインを接続する
導電膜（１９）とがある。
れ、前記絶縁性基板（１０）全面に形成された第２のゲ
ート絶縁膜（１４）と、ゲート（１１）を一構成とする
ＴＦＴの活性領域に、順次積層された第１の非単結晶シ
リコン層、半導体保護膜（１６）、および第２の非単結
晶シリコン層（１７）と、このソース領域に対応する第
２の非単結晶シリコン膜（１７）と電気的に接続する導
電膜（１８）と、前記ドレイン領域に対応する第２の非
単結晶シリコン膜（１７）とドレインラインを接続する
導電膜（１９）とがある。
【００１０】ＴＦＴに対応する第２のゲート絶縁膜（１
４）上には、アモルファス・シリコン活性層（ａ−Ｓｉ
層）（１５）およびアモルファス・シリコンコンタクト
層（Ｎ+ａ−Ｓｉ層）（１７）が積層され、チャンネル
に対応するａ−Ｓｉ層（１５）とＮ+ａ−Ｓｉ層（１
７）との間には、ＳｉＮXより成る半導体保護膜（１
６）が設けられている。ドレイン電極（１９）は、ドレ
インラインと一体で、ソース電極（１８）は、コンタク
ト（２０）を介して表示電極Ｈとコンタクトし、両者と
も同一材料で形成されている。ここでは例えば、Ｍｏ，
Ａｌが積層されている。
４）上には、アモルファス・シリコン活性層（ａ−Ｓｉ
層）（１５）およびアモルファス・シリコンコンタクト
層（Ｎ+ａ−Ｓｉ層）（１７）が積層され、チャンネル
に対応するａ−Ｓｉ層（１５）とＮ+ａ−Ｓｉ層（１
７）との間には、ＳｉＮXより成る半導体保護膜（１
６）が設けられている。ドレイン電極（１９）は、ドレ
インラインと一体で、ソース電極（１８）は、コンタク
ト（２０）を介して表示電極Ｈとコンタクトし、両者と
も同一材料で形成されている。ここでは例えば、Ｍｏ，
Ａｌが積層されている。
【００１１】更には、第２のゲート絶縁膜（１４）上に
は、表示電極Ｈと重畳する補助容量電極（２１）があ
る。この補助容量電極（２１）は、ソース電極（１８）
やドレイン電極（１９）と一緒に形成しても良いし、別
工程で改めて形成しても良い。本発明の特徴となる所
は、この補助容量電極（２１）にある。図１も図２も、
この補助容量電極（２１）、第２のゲート絶縁膜（１
４）および表示電極Ｈで容量を成している。この容量
は、第２のゲート絶縁膜（１４）が、第１のゲート絶縁
膜（１３）よりも薄く形成されているため、容量値を大
きくとれる。
は、表示電極Ｈと重畳する補助容量電極（２１）があ
る。この補助容量電極（２１）は、ソース電極（１８）
やドレイン電極（１９）と一緒に形成しても良いし、別
工程で改めて形成しても良い。本発明の特徴となる所
は、この補助容量電極（２１）にある。図１も図２も、
この補助容量電極（２１）、第２のゲート絶縁膜（１
４）および表示電極Ｈで容量を成している。この容量
は、第２のゲート絶縁膜（１４）が、第１のゲート絶縁
膜（１３）よりも薄く形成されているため、容量値を大
きくとれる。
【００１２】図１は、補助容量電極（２１）が第２のゲ
ート絶縁膜（１４）上に設けられ、これと一体で補助容
量ラインが設けられている。前述した如く、従来のもの
より容量値を大きくとれるので、この補助容量電極（２
１）の面積を従来のものより小さくできるため、開口率
を向上させることができる。一方、図２は、コンタクト
孔（２２）が、図番（１２）で示した第１の補助容量電
極（１２）上に設けられ、このコンタクト孔（２２）を
介して図番（２１）で示した第２の補助容量電極が設け
られている。またコンタクト孔（２２）の左右に設けら
れた表示電極は電気的に接続されている。
ート絶縁膜（１４）上に設けられ、これと一体で補助容
量ラインが設けられている。前述した如く、従来のもの
より容量値を大きくとれるので、この補助容量電極（２
１）の面積を従来のものより小さくできるため、開口率
を向上させることができる。一方、図２は、コンタクト
孔（２２）が、図番（１２）で示した第１の補助容量電
極（１２）上に設けられ、このコンタクト孔（２２）を
介して図番（２１）で示した第２の補助容量電極が設け
られている。またコンタクト孔（２２）の左右に設けら
れた表示電極は電気的に接続されている。
【００１３】またコンタクト孔（２２）は、図２におい
て第２のゲート絶縁膜（１３）が露出した時点でエッチ
ングを止めておいても良い。どちらの構成に於いても、
容量が並列接続されるため、容量の値に大小の差はある
が、従来の構造よりも大きくすることができる。従って
その分、補助容量電極の面積を小さくできるので、開口
率を向上させることができる。
て第２のゲート絶縁膜（１３）が露出した時点でエッチ
ングを止めておいても良い。どちらの構成に於いても、
容量が並列接続されるため、容量の値に大小の差はある
が、従来の構造よりも大きくすることができる。従って
その分、補助容量電極の面積を小さくできるので、開口
率を向上させることができる。
【００１４】以下は図示していないが上層には、例えば
ポリイミド等から成る配向膜が設けられている。一方、
ガラス基板（１０）と対をなす対向ガラス基板が設けら
れ、この対向ガラス基板には、ＴＦＴと対応する位置に
遮光膜が設けられ、対向電極が設けられる。更には、前
述の配向膜が設けられる。更には、この一対のガラス基
板間にスペーサが設けられ、周辺を封着材で封着し、注
入孔より液晶が注入されて本装置が得られる。
ポリイミド等から成る配向膜が設けられている。一方、
ガラス基板（１０）と対をなす対向ガラス基板が設けら
れ、この対向ガラス基板には、ＴＦＴと対応する位置に
遮光膜が設けられ、対向電極が設けられる。更には、前
述の配向膜が設けられる。更には、この一対のガラス基
板間にスペーサが設けられ、周辺を封着材で封着し、注
入孔より液晶が注入されて本装置が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかな通り、第１の
ゲート絶縁膜よりも薄い第２のゲート絶縁膜を補助容量
の誘電体として使用できるので、従来の補助容量の値よ
り大きい値を得ることができる。従って、従来の値を得
ようとすれば、その分補助容量電極の面積は小さくてす
み、開口率を向上できる。そのため画像を明るくでき
る。
ゲート絶縁膜よりも薄い第２のゲート絶縁膜を補助容量
の誘電体として使用できるので、従来の補助容量の値よ
り大きい値を得ることができる。従って、従来の値を得
ようとすれば、その分補助容量電極の面積は小さくてす
み、開口率を向上できる。そのため画像を明るくでき
る。
【図１】本発明の液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示した断面図である。
【図３】従来の液晶表示装置の断面図である。
（１１） ゲート （１３） 第１のゲート絶縁膜 （１４） 第２のゲート絶縁膜 （２１） 補助容量電極 （Ｈ） 表示電極
Claims (2)
- 【請求項１】 透明な絶縁性基板上に形成されたゲート
と、このゲートと一体に形成されたゲートラインと、 前記絶縁性基板全面に設けられた第１のゲート絶縁膜
と、 前記ゲートの近傍に設けられた表示電極と、 この表示電極および第１のゲート絶縁膜を覆い、この第
１のゲート絶縁膜よりも薄く形成された第２のゲート絶
縁膜と、 前記表示電極上に設けられた補助容量電極と、 前記ゲートに対応する第２のゲート絶縁膜上に形成され
たトランジスタと、 このトランジスタのソース領域と前記表示電極を接続し
たソース電極と、 前記トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された
ドレイン電極およびこのドレイン電極と一体のドレイン
ラインとを有し、 前記補助容量電極、前記第２のゲート絶縁膜および前記
表示電極で構成される容量を少なくとも補助容量の一部
とした事を特徴とした液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明な絶縁性基板上に形成されたゲート
と、 このゲートと一体に形成されたゲートラインと、 このゲートラインと交差しないように設けられた第１の
補助容量電極と、 この第１の補助容量電極と一体に形成された補助容量ラ
インと、 前記絶縁性基板全面に設けられた第１のゲート絶縁膜
と、 前記補助容量電極を覆う様に設けられた表示電極と、 この表示電極および第１のゲート絶縁膜を覆い、この第
１のゲート絶縁膜よりも薄く形成された第２のゲート絶
縁膜と、 前記表示電極上に設けられた第２の補助容量電極と、 前記ゲートに対応する第２のゲート絶縁膜上に形成され
たトランジスタと、 このトランジスタのソース領域と前記表示電極を接続し
たソース電極と、 前記トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された
ドレイン電極およびこのドレイン電極と一体のドレイン
ラインとを有し、 前記第１の補助容量電極、第１のゲート絶縁膜および表
示電極で形成された第１の補助容量と、 前記第２の補助容量電極、前記第２のゲート絶縁膜およ
び前記表示電極で形成された第２の補助容量で補助容量
を形成したことを特徴とした液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18886091A JP3059783B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18886091A JP3059783B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534722A JPH0534722A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3059783B2 true JP3059783B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=16231130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18886091A Expired - Lifetime JP3059783B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059783B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940566B1 (en) | 1996-11-26 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions |
| JP2005506575A (ja) | 2001-09-26 | 2005-03-03 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置 |
| KR100840318B1 (ko) | 2001-12-10 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법과 액정 표시 장치 |
| WO2008152830A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示パネルおよび表示装置ならびに表示パネルの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP18886091A patent/JP3059783B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534722A (ja) | 1993-02-12 |
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