JP3076504B2 - 絶縁膜を有する電子装置および絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜を有する電子装置および絶縁膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に形成された
絶縁膜を有する電子装置および上記絶縁膜の形成方法に
関する。
絶縁膜を有する電子装置および上記絶縁膜の形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラス板やシリコンウエハ等
の基板上に電気素子を設けた電子装置や表示装置が作成
されている。
の基板上に電気素子を設けた電子装置や表示装置が作成
されている。
【０００３】例えば、液晶表示装置は、マトリクス状に
配列された表示絵素を選択することによって、表示画面
上に表示パターンを形成するようにしている。このよう
な表示絵素の選択方法の１つとして、アクティブマトリ
クス駆動方式が挙げられる。このアクティブマトリクス
駆動方式では、個々の表示絵素に独立した絵素電極が設
けられており、各々の絵素電極にはスイッチング素子が
接続されている。そして、これらのスイッチング素子に
よって絵素電極とこの絵素電極に対向する対向電極との
間に印加される電圧がスイッチングされて、表示媒体の
光学的変調が表示パターンとして視認される。ここで、
上記スイッチング素子としては、薄膜トランジスタ(Ｔ
ＦＴ)素子、ダイオード素子、ＦＥＴ(バルクトランジス
タ)素子、バリスタ素子などが一般に知られている。
配列された表示絵素を選択することによって、表示画面
上に表示パターンを形成するようにしている。このよう
な表示絵素の選択方法の１つとして、アクティブマトリ
クス駆動方式が挙げられる。このアクティブマトリクス
駆動方式では、個々の表示絵素に独立した絵素電極が設
けられており、各々の絵素電極にはスイッチング素子が
接続されている。そして、これらのスイッチング素子に
よって絵素電極とこの絵素電極に対向する対向電極との
間に印加される電圧がスイッチングされて、表示媒体の
光学的変調が表示パターンとして視認される。ここで、
上記スイッチング素子としては、薄膜トランジスタ(Ｔ
ＦＴ)素子、ダイオード素子、ＦＥＴ(バルクトランジス
タ)素子、バリスタ素子などが一般に知られている。
【０００４】図４に、上記スイッチング素子としてのＴ
ＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の一例を示す。
尚、図５は、図４におけるＡ−Ａ矢視断面図である。こ
のアクティブマトリクス基板は、図４および図５に示す
ように、ガラス基板等から成る絶縁性基板１上にガラス
保護膜として酸化タンタルから成る絶縁膜９が積層され
ており、更にその上に走査線２および信号線３が配線さ
れている。走査線２と信号線３とに囲まれた領域には絵
素電極４が設けられている。また、上記スイッチング素
子として、走査線２から分岐されたゲート電極５と、信
号線３から絵素電極４に向けて分岐されたソース電極６
と、絵素電極４からソース電極６に向けて分岐されたド
レイン電極７とを有するＴＦＴ１０が形成されている。
ＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の一例を示す。
尚、図５は、図４におけるＡ−Ａ矢視断面図である。こ
のアクティブマトリクス基板は、図４および図５に示す
ように、ガラス基板等から成る絶縁性基板１上にガラス
保護膜として酸化タンタルから成る絶縁膜９が積層され
ており、更にその上に走査線２および信号線３が配線さ
れている。走査線２と信号線３とに囲まれた領域には絵
素電極４が設けられている。また、上記スイッチング素
子として、走査線２から分岐されたゲート電極５と、信
号線３から絵素電極４に向けて分岐されたソース電極６
と、絵素電極４からソース電極６に向けて分岐されたド
レイン電極７とを有するＴＦＴ１０が形成されている。
【０００５】上記ゲート電極５の上には、図５に示すよ
うに、酸化絶縁膜１１が形成され、さらに基板全体を覆
うようにしてゲート絶縁膜１２が形成されている。そし
て、酸化絶縁膜１１とゲート絶縁膜１２との上に、ゲー
ト電極５と対向するように、アモルファスＳi膜からな
る半導体層１３が形成されている。さらに、半導体層１
３の上には、エッチングストッパ１４が形成され、その
エッチングストッパ１４の端部と半導体層１３とを覆う
ように、分断されたコンタクト層１５が形成されてい
る。
うに、酸化絶縁膜１１が形成され、さらに基板全体を覆
うようにしてゲート絶縁膜１２が形成されている。そし
て、酸化絶縁膜１１とゲート絶縁膜１２との上に、ゲー
ト電極５と対向するように、アモルファスＳi膜からな
る半導体層１３が形成されている。さらに、半導体層１
３の上には、エッチングストッパ１４が形成され、その
エッチングストッパ１４の端部と半導体層１３とを覆う
ように、分断されたコンタクト層１５が形成されてい
る。
【０００６】また、表示品位向上のために、上記絵素電
極４の一部である付加容量用電極８には、この付加容量
用電極８にＴＦＴ１０を介して接続されている走査線２
に隣接する走査線２が積層されて、付加容量が形成され
ている。この付加容量は、当該付加容量用電極８に積層
される専用の付加容量用配線を走査線２とは別に設ける
ことによっても形成できる。また、上記信号線３の低抵
抗化および断線の低減化のために、信号線３上に酸化イ
ンジウム等からなる信号線上層１６を設けて２層化する
こともできる。
極４の一部である付加容量用電極８には、この付加容量
用電極８にＴＦＴ１０を介して接続されている走査線２
に隣接する走査線２が積層されて、付加容量が形成され
ている。この付加容量は、当該付加容量用電極８に積層
される専用の付加容量用配線を走査線２とは別に設ける
ことによっても形成できる。また、上記信号線３の低抵
抗化および断線の低減化のために、信号線３上に酸化イ
ンジウム等からなる信号線上層１６を設けて２層化する
こともできる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｔ
ＦＴアクティブマトリックス基板においては以下のよう
な問題がある。すなわち、上記酸化タンタルから成る絶
縁膜９においては、ピンホールによる不良の発生や表示
中に印加される電界によって絶縁性が劣化して、絶縁不
良を起こす恐れがある。このように、絶縁膜９に電界を
印加した場合の漏れ電流の変化を図６に示す。
ＦＴアクティブマトリックス基板においては以下のよう
な問題がある。すなわち、上記酸化タンタルから成る絶
縁膜９においては、ピンホールによる不良の発生や表示
中に印加される電界によって絶縁性が劣化して、絶縁不
良を起こす恐れがある。このように、絶縁膜９に電界を
印加した場合の漏れ電流の変化を図６に示す。
【０００８】図６に示すように、上記酸化タンタルから
成る絶縁膜９においては多くの漏れ電流が発生してい
る。そのために、ゲート電極５とドレイン電極７との間
および走査線２と付加容量用電極８との間で絶縁膜９を
介して電流のリークが起こり、初期表示の不良や表示中
の不良の発生原因となる。
成る絶縁膜９においては多くの漏れ電流が発生してい
る。そのために、ゲート電極５とドレイン電極７との間
および走査線２と付加容量用電極８との間で絶縁膜９を
介して電流のリークが起こり、初期表示の不良や表示中
の不良の発生原因となる。
【０００９】上記酸化タンタルから成る絶縁膜９におけ
る絶縁性劣化の原因として、表示中に印加される電界に
基づく電極材料であるタンタルと絶縁膜との界面での酸
素およびタンタルの双方向への拡散と、それに伴う電子
トラップ密度の増加とが考えられる。さらに、絶縁膜９
上にゲート絶縁膜１２を形成する際に、上記拡散を促進
しているとも考えられる。
る絶縁性劣化の原因として、表示中に印加される電界に
基づく電極材料であるタンタルと絶縁膜との界面での酸
素およびタンタルの双方向への拡散と、それに伴う電子
トラップ密度の増加とが考えられる。さらに、絶縁膜９
上にゲート絶縁膜１２を形成する際に、上記拡散を促進
しているとも考えられる。
【００１０】また、上記絶縁膜９を形成する際の酸素の
ガス流量が少ない場合には、各ゲート電極５間における
絶縁膜９の面抵抗値がゲート絶縁膜１２を形成する前後
において２桁以上低下する。そこで、絶縁膜９を形成す
る際の酸素のガス流量を多くすると絶縁膜９の面抵抗値
の低下が殆どなくなる。ところが、その一方で、絶縁膜
９を形成する際の酸素のガス流量を増加すると薄膜の生
成に時間が掛り、十分な膜厚を得るには被着レートが悪
くなるという新たな問題が発生する。
ガス流量が少ない場合には、各ゲート電極５間における
絶縁膜９の面抵抗値がゲート絶縁膜１２を形成する前後
において２桁以上低下する。そこで、絶縁膜９を形成す
る際の酸素のガス流量を多くすると絶縁膜９の面抵抗値
の低下が殆どなくなる。ところが、その一方で、絶縁膜
９を形成する際の酸素のガス流量を増加すると薄膜の生
成に時間が掛り、十分な膜厚を得るには被着レートが悪
くなるという新たな問題が発生する。
【００１１】そこで、この発明の目的は、ピンホールに
よる不良の発生を押さえるのに十分な膜厚を有する基板
の絶縁特性に優れた絶縁膜を有する電子装置、および、
その絶縁膜の形成方法を提供することにある。
よる不良の発生を押さえるのに十分な膜厚を有する基板
の絶縁特性に優れた絶縁膜を有する電子装置、および、
その絶縁膜の形成方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、基板上に絶縁膜を介して電
気素子が形成された電子装置であって、上記絶縁膜は、
多層構造を成すと共に、最上層の絶縁膜は下層の絶縁膜
よりも酸素を多く含有する酸化タンタルで形成されてい
ることを特徴としている。
め、請求項１に係る発明は、基板上に絶縁膜を介して電
気素子が形成された電子装置であって、上記絶縁膜は、
多層構造を成すと共に、最上層の絶縁膜は下層の絶縁膜
よりも酸素を多く含有する酸化タンタルで形成されてい
ることを特徴としている。
【００１３】また、請求項２に係る発明は、ベース基板
上に絶縁膜を介してスイッチング素子とこのスイッチン
グ素子に信号を供給する配線と絵素電極が形成されて成
るアクティブマトリックス基板を有する表示装置であっ
て、上記絶縁膜は、多層構造を成すと共に、最上層の絶
縁膜は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含有する酸化タン
タルで形成されていることを特徴としている。
上に絶縁膜を介してスイッチング素子とこのスイッチン
グ素子に信号を供給する配線と絵素電極が形成されて成
るアクティブマトリックス基板を有する表示装置であっ
て、上記絶縁膜は、多層構造を成すと共に、最上層の絶
縁膜は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含有する酸化タン
タルで形成されていることを特徴としている。
【００１４】また、請求項３に係る発明は、絶縁膜の製
造方法であって、基板上に、所定の酸素含有量の酸化タ
ンタルから成る下層の絶縁膜を形成する工程と、上記下
層の絶縁膜の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸
化タンタルから成る最上層の絶縁膜を形成する工程と、
上記各絶縁膜を酸化する工程を備えたことを特徴として
いる。
造方法であって、基板上に、所定の酸素含有量の酸化タ
ンタルから成る下層の絶縁膜を形成する工程と、上記下
層の絶縁膜の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸
化タンタルから成る最上層の絶縁膜を形成する工程と、
上記各絶縁膜を酸化する工程を備えたことを特徴として
いる。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【作用】 請求項１ に係る発明では、基板上に絶縁膜を介
して電気素子が形成された電子装置における上記絶縁膜
は、最上層の絶縁膜が下層の絶縁膜よりも酸素を多く含
有する酸化タンタルで形成されているので、電気絶縁性
に優れた特性を呈する。さらに、上記下層の絶縁膜は上
記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が少ないために、
高い被着レートで形成されてピンホールに対しても十分
な保護機能を呈する。
して電気素子が形成された電子装置における上記絶縁膜
は、最上層の絶縁膜が下層の絶縁膜よりも酸素を多く含
有する酸化タンタルで形成されているので、電気絶縁性
に優れた特性を呈する。さらに、上記下層の絶縁膜は上
記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が少ないために、
高い被着レートで形成されてピンホールに対しても十分
な保護機能を呈する。
【００１８】また、請求項２に係る発明では、ベース基
板上に絶縁膜を介してスイッチング素子とこのスイッチ
ング素子に信号を供給する配線と絵素電極が形成されて
成るアクティブマトリックス基板を有する表示装置にお
ける上記絶縁膜は、最上層の絶縁膜が下層の絶縁膜より
も酸素を多く含有する酸化タンタルで形成されているの
で、電気絶縁性に優れた特性を呈する。さらに、上記下
層の絶縁膜は上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が
少ないために、高い被着レートで形成されてピンホール
に対しても十分な保護機能を呈する。
板上に絶縁膜を介してスイッチング素子とこのスイッチ
ング素子に信号を供給する配線と絵素電極が形成されて
成るアクティブマトリックス基板を有する表示装置にお
ける上記絶縁膜は、最上層の絶縁膜が下層の絶縁膜より
も酸素を多く含有する酸化タンタルで形成されているの
で、電気絶縁性に優れた特性を呈する。さらに、上記下
層の絶縁膜は上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が
少ないために、高い被着レートで形成されてピンホール
に対しても十分な保護機能を呈する。
【００１９】また、請求項３に係る発明では、基板上に
形成される絶縁膜は、所定の酸素含有量の酸化タンタル
から成る下層の絶縁膜を基板上に形成し、上記下層の絶
縁膜の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸化タン
タルから成る最上層の絶縁膜を形成し、上記各絶縁膜を
酸化して形成される。したがって、得られる絶縁膜にお
ける最上層の絶縁膜は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含
有しており、電気絶縁性に優れた特性を呈する。さら
に、上記下層の絶縁膜は上記最上層の絶縁膜よりも酸素
の含有量が少ないために、高い被着レートで形成されて
ピンホールに対しても十分な保護機能を呈する。
形成される絶縁膜は、所定の酸素含有量の酸化タンタル
から成る下層の絶縁膜を基板上に形成し、上記下層の絶
縁膜の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸化タン
タルから成る最上層の絶縁膜を形成し、上記各絶縁膜を
酸化して形成される。したがって、得られる絶縁膜にお
ける最上層の絶縁膜は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含
有しており、電気絶縁性に優れた特性を呈する。さら
に、上記下層の絶縁膜は上記最上層の絶縁膜よりも酸素
の含有量が少ないために、高い被着レートで形成されて
ピンホールに対しても十分な保護機能を呈する。
【００２０】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。 ＜第１実施例＞図１は本実施例の絶縁膜を有するＴＦＴ
アクティブマトリクス基板を示す。図２は、図１におけ
るＢ−Ｂ矢視断面図である。
説明する。 ＜第１実施例＞図１は本実施例の絶縁膜を有するＴＦＴ
アクティブマトリクス基板を示す。図２は、図１におけ
るＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００２１】図１におけるＴＦＴアクティブマトリクス
基板は、ガラス基板等から成る絶縁性基板２１上に、ガ
ラス保護膜としての酸化タンタルから成る下層保護絶縁
膜２９aが積層されており、更にその上に酸素の含有量
が下層保護絶縁膜２９aより多い酸化タンタルから成る
上層保護絶縁膜１９bが形成されている。そして、その
上には走査線２２と信号線２３とが配設され、走査線２
２と信号線２３とに囲まれた領域に絵素電極２４が設け
られている。また、走査線２２,信号線２３および絵素
電極２４に電気的に接続されてＴＦＴ３０が設けられて
いる。
基板は、ガラス基板等から成る絶縁性基板２１上に、ガ
ラス保護膜としての酸化タンタルから成る下層保護絶縁
膜２９aが積層されており、更にその上に酸素の含有量
が下層保護絶縁膜２９aより多い酸化タンタルから成る
上層保護絶縁膜１９bが形成されている。そして、その
上には走査線２２と信号線２３とが配設され、走査線２
２と信号線２３とに囲まれた領域に絵素電極２４が設け
られている。また、走査線２２,信号線２３および絵素
電極２４に電気的に接続されてＴＦＴ３０が設けられて
いる。
【００２２】上記ＴＦＴ３０は、図２に示すように、信
号線２３から絵素電極２４に向けて分岐されたソース電
極２６と、絵素電極２４からソース電極２６に向けて分
岐されたドレイン電極２７と、走査線２２から分岐して
ソース電極２６とドレイン電極２７との下方に設けられ
たゲート電極２５とを有している。
号線２３から絵素電極２４に向けて分岐されたソース電
極２６と、絵素電極２４からソース電極２６に向けて分
岐されたドレイン電極２７と、走査線２２から分岐して
ソース電極２６とドレイン電極２７との下方に設けられ
たゲート電極２５とを有している。
【００２３】上記ゲート電極２５上には、酸化絶縁膜３
１が形成され、さらに基板全体を覆うようにしてゲート
絶縁膜３２が形成されている。そして、その上にゲート
電極２５と対向するようにアモルファスＳi膜から成る
半導体層３３が形成されている。さらに、半導体層３３
の上には、エッチングストッパ３４が形成され、そのエ
ッチングストッパ３４の端部と半導体層３３を覆うよう
に、分断されてコンタクト層３５が形成されている。
１が形成され、さらに基板全体を覆うようにしてゲート
絶縁膜３２が形成されている。そして、その上にゲート
電極２５と対向するようにアモルファスＳi膜から成る
半導体層３３が形成されている。さらに、半導体層３３
の上には、エッチングストッパ３４が形成され、そのエ
ッチングストッパ３４の端部と半導体層３３を覆うよう
に、分断されてコンタクト層３５が形成されている。
【００２４】また、図１に示すように、上記絵素電極２
４の一部である付加容量用電極２８には、表示品位向上
のために、この付加容量用電極２８にＴＦＴ３０を介し
て接続されている走査線２２に隣接する走査線２２が積
層されて、付加容量が形成されている。この付加容量
は、当該付加容量用電極２８に積層される専用の付加容
量用配線を走査線２２とは別に設けることによっても形
成できる。
４の一部である付加容量用電極２８には、表示品位向上
のために、この付加容量用電極２８にＴＦＴ３０を介し
て接続されている走査線２２に隣接する走査線２２が積
層されて、付加容量が形成されている。この付加容量
は、当該付加容量用電極２８に積層される専用の付加容
量用配線を走査線２２とは別に設けることによっても形
成できる。
【００２５】上述のように、本実施例においては、絶縁
性基板２１上に形成されるガラス保護膜を、酸化タンタ
ルから成る下層保護絶縁膜２９aとこの下層保護絶縁膜
２９aよりも酸素含有量が多い酸化タンタルから成る上
層保護絶縁膜２９bとの二層で構成している。したがっ
て、上記下層保護絶縁膜２９aよりも酸素を多く含有す
る上層保護絶縁膜２９aは電気絶縁性に優れた特性を呈
する。また、下層保護絶縁膜２９aは、上層保護絶縁膜
２９bに対して少ない酸素の含有量の電気絶縁材料で形
成されている。したがって、高い被着レートで形成する
ことができ、ピンホールに対して充分な厚みの絶縁膜が
形成されて絶縁性基板２１を保護すると共に、絶縁性の
劣化を抑制することができる。
性基板２１上に形成されるガラス保護膜を、酸化タンタ
ルから成る下層保護絶縁膜２９aとこの下層保護絶縁膜
２９aよりも酸素含有量が多い酸化タンタルから成る上
層保護絶縁膜２９bとの二層で構成している。したがっ
て、上記下層保護絶縁膜２９aよりも酸素を多く含有す
る上層保護絶縁膜２９aは電気絶縁性に優れた特性を呈
する。また、下層保護絶縁膜２９aは、上層保護絶縁膜
２９bに対して少ない酸素の含有量の電気絶縁材料で形
成されている。したがって、高い被着レートで形成する
ことができ、ピンホールに対して充分な厚みの絶縁膜が
形成されて絶縁性基板２１を保護すると共に、絶縁性の
劣化を抑制することができる。
【００２６】＜第２実施例＞上記構成を有するＴＦＴア
クティブマトリクス基板は、以下のようにして作成され
る。先ず、上記絶縁性基板２１としてのガラス基板上
に、スパッタリングによって酸化タンタルを４０００オ
ングストロームから４５００オングストロームの厚みに
積層して下層保護絶縁膜２９aとする。次に、上記下層
保護絶縁膜２９a上に、スパッタリングによって、下層
保護絶縁膜２９aの形成時よりも酸素ドープ量あるいは
酸素分圧を上げて、酸化タンタルを５００オングストロ
ームから１０００オングストロームの厚みに積層する。
そして、５３０℃の蒸気を含んだ酸素中で熱処理して、
厚み５００オングストロームの上層保護絶縁膜２９bを
得る。
クティブマトリクス基板は、以下のようにして作成され
る。先ず、上記絶縁性基板２１としてのガラス基板上
に、スパッタリングによって酸化タンタルを４０００オ
ングストロームから４５００オングストロームの厚みに
積層して下層保護絶縁膜２９aとする。次に、上記下層
保護絶縁膜２９a上に、スパッタリングによって、下層
保護絶縁膜２９aの形成時よりも酸素ドープ量あるいは
酸素分圧を上げて、酸化タンタルを５００オングストロ
ームから１０００オングストロームの厚みに積層する。
そして、５３０℃の蒸気を含んだ酸素中で熱処理して、
厚み５００オングストロームの上層保護絶縁膜２９bを
得る。
【００２７】その状態における基板の上に、スパッタリ
ングによって、タンタルを３０００オングストロームの
厚みに積層し、この積層されたタンタルをフォトリソグ
ラフィによってパターン化して走査線２２となる薄膜を
形成する。その際に、ゲート電極２５となる薄膜も同時
に形成する。その後、陽極酸化法あるいは熱酸化法等に
よって、走査線２２およびゲート電極２５となる薄膜を
酸化する。このことにより、走査線２２およびゲート電
極２５が厚み１５００オングストロームに形成され、そ
の上に酸化絶縁膜３１が３０００オングストロームの厚
さで形成される。
ングによって、タンタルを３０００オングストロームの
厚みに積層し、この積層されたタンタルをフォトリソグ
ラフィによってパターン化して走査線２２となる薄膜を
形成する。その際に、ゲート電極２５となる薄膜も同時
に形成する。その後、陽極酸化法あるいは熱酸化法等に
よって、走査線２２およびゲート電極２５となる薄膜を
酸化する。このことにより、走査線２２およびゲート電
極２５が厚み１５００オングストロームに形成され、そ
の上に酸化絶縁膜３１が３０００オングストロームの厚
さで形成される。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法によって、窒化ケ
イ素からなるゲート絶縁膜３２を３０００オングストロ
ームの厚さに形成する。このように絶縁膜を多重構造に
成すことによって絶縁性が高められる。
イ素からなるゲート絶縁膜３２を３０００オングストロ
ームの厚さに形成する。このように絶縁膜を多重構造に
成すことによって絶縁性が高められる。
【００２９】さらに、プラズマＣＶＤ法によって、半導
体層３３としてアモルファスシリコンを３００オングス
トロームの厚さに形成し、エッチングストッパ層３４と
して窒化ケイ素を２０００オングストロームの厚さに形
成する。このエッチングストッパ層３４はフォトリソグ
ラフィによってパターニングされて、エッチングストッ
パとして供される。
体層３３としてアモルファスシリコンを３００オングス
トロームの厚さに形成し、エッチングストッパ層３４と
して窒化ケイ素を２０００オングストロームの厚さに形
成する。このエッチングストッパ層３４はフォトリソグ
ラフィによってパターニングされて、エッチングストッ
パとして供される。
【００３０】続いて、プラズマＣＶＤ法によって、リン
を添加したｎ+アモルファスシリコンからなるコンタク
ト層３５を５００オングストロームの厚さで積層する。
これをフォトリソグラフィによってパターニングして、
分断された２つのコンタクト層３５とする。各々のコン
タクト層３５,３５は、以下に述べるソース電極２６お
よびドレイン電極２７と接続される。
を添加したｎ+アモルファスシリコンからなるコンタク
ト層３５を５００オングストロームの厚さで積層する。
これをフォトリソグラフィによってパターニングして、
分断された２つのコンタクト層３５とする。各々のコン
タクト層３５,３５は、以下に述べるソース電極２６お
よびドレイン電極２７と接続される。
【００３１】続いて、Ｔi,Ａl,Ｃr,Ｍo等をスパッタリ
ングによって積層する。これをフォトリソグラフィでパ
ターニングして、信号線２３,ＴＦＴ３０のソース電極
２６およびドレイン電極２７を形成する。本実施例にお
いては、ソース電極２６およびドレイン電極２７として
Ｔiを用いた。尚、信号線２３は、酸化インジウム系の
材料からなる信号線上層３６を形成することによって２
層構造としても良い。
ングによって積層する。これをフォトリソグラフィでパ
ターニングして、信号線２３,ＴＦＴ３０のソース電極
２６およびドレイン電極２７を形成する。本実施例にお
いては、ソース電極２６およびドレイン電極２７として
Ｔiを用いた。尚、信号線２３は、酸化インジウム系の
材料からなる信号線上層３６を形成することによって２
層構造としても良い。
【００３２】次に、酸化インジウムを主成分とした透明
電極膜をスパッタリングによって１０００オングストロ
ームの厚さに形成する。これをフォトリソグラフィによ
ってパターニングして、絵素電極２４および付加容量用
電極２８を形成する。その後、その上に保護膜(図示せ
ず)を形成し、これによって、ＴＦＴアクティブマトリ
クス基板を得る。尚、その際における上記保護膜は、絵
素電極２４の中央部を除去して窓あき構造に形成しても
よい。
電極膜をスパッタリングによって１０００オングストロ
ームの厚さに形成する。これをフォトリソグラフィによ
ってパターニングして、絵素電極２４および付加容量用
電極２８を形成する。その後、その上に保護膜(図示せ
ず)を形成し、これによって、ＴＦＴアクティブマトリ
クス基板を得る。尚、その際における上記保護膜は、絵
素電極２４の中央部を除去して窓あき構造に形成しても
よい。
【００３３】こうして得られたＴＦＴアクティブマトリ
ックス液晶基板を一方の液晶セル基板とし、この一方の
液晶セル基板と、絵素電極２４と共に液晶に電圧を印加
する対向電極を形成した他方の液晶セル基板とを、互い
に間隙を有して対向して積層する。そして、両基板の間
隙に液晶を封入してアクティブマトリクス型液晶表示装
置が得られるのである。
ックス液晶基板を一方の液晶セル基板とし、この一方の
液晶セル基板と、絵素電極２４と共に液晶に電圧を印加
する対向電極を形成した他方の液晶セル基板とを、互い
に間隙を有して対向して積層する。そして、両基板の間
隙に液晶を封入してアクティブマトリクス型液晶表示装
置が得られるのである。
【００３４】図３に、上記実施例において形成された絶
縁膜に、電界を印加した場合の漏れ電流の変化を示す。
この図から理解されるように、本実施例による絶縁膜を
用いることによって、漏れ電流を大幅に低減することが
できる。また、上述のようにして得られたアクティブマ
トリックス型液晶表示装置においては、表示中に印加さ
れる電界によって、上層絶縁保護膜２９bの絶縁性が劣
化することがない。この発明における上記構成の絶縁膜
を有する電子装置は、上述のようなアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置に限定されるものではなく、基板上
に形成される絶縁膜を有する電子装置であれば、その他
の構造の電子装置にも適用することができる。
縁膜に、電界を印加した場合の漏れ電流の変化を示す。
この図から理解されるように、本実施例による絶縁膜を
用いることによって、漏れ電流を大幅に低減することが
できる。また、上述のようにして得られたアクティブマ
トリックス型液晶表示装置においては、表示中に印加さ
れる電界によって、上層絶縁保護膜２９bの絶縁性が劣
化することがない。この発明における上記構成の絶縁膜
を有する電子装置は、上述のようなアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置に限定されるものではなく、基板上
に形成される絶縁膜を有する電子装置であれば、その他
の構造の電子装置にも適用することができる。
【００３５】
【００３６】
【発明の効果】 以上より明らかなように、請求項１ に係
る発明の電子装置は、基板と電気素子との間に介在する
絶縁膜を多層構造に成し、最上層の絶縁膜を下層の絶縁
膜よりも酸素を多く含有する酸化タンタルで形成したの
で、上記最上層の絶縁膜は印加された電界によって絶縁
性が劣化することがない。したがって、電気絶縁性に優
れた特性を呈する電子装置を提供できる。 さらに、上記
下層の絶縁膜は、上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有
量が少ないために高い被着レートで形成される。したが
って、ピンホールに対しても十分な絶縁保護機能を呈す
る電子装置を提供できる。
る発明の電子装置は、基板と電気素子との間に介在する
絶縁膜を多層構造に成し、最上層の絶縁膜を下層の絶縁
膜よりも酸素を多く含有する酸化タンタルで形成したの
で、上記最上層の絶縁膜は印加された電界によって絶縁
性が劣化することがない。したがって、電気絶縁性に優
れた特性を呈する電子装置を提供できる。 さらに、上記
下層の絶縁膜は、上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有
量が少ないために高い被着レートで形成される。したが
って、ピンホールに対しても十分な絶縁保護機能を呈す
る電子装置を提供できる。
【００３７】また、請求項２に係る発明の表示装置は、
ベース基板とこのベース基板上に形成されるスイッチン
グ素子,配線,絵素電極との間に介在する絶縁膜を多層構
造に成し、最上層の絶縁膜を下層の絶縁膜よりも酸素を
多く含有する酸化タンタルで形成したので、上記最上層
の絶縁膜は印加された電界によって絶縁性が劣化するこ
とがない。したがって、電気絶縁性に優れた特性を呈す
る表示装置を提供できる。 さらに、上記下層の絶縁膜
は、上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が少ないた
めに高い被着レートで形成される。したがって、ピンホ
ールに対しても十分な絶縁保護機能を呈する表示装置を
提供できる。
ベース基板とこのベース基板上に形成されるスイッチン
グ素子,配線,絵素電極との間に介在する絶縁膜を多層構
造に成し、最上層の絶縁膜を下層の絶縁膜よりも酸素を
多く含有する酸化タンタルで形成したので、上記最上層
の絶縁膜は印加された電界によって絶縁性が劣化するこ
とがない。したがって、電気絶縁性に優れた特性を呈す
る表示装置を提供できる。 さらに、上記下層の絶縁膜
は、上記最上層の絶縁膜よりも酸素の含有量が少ないた
めに高い被着レートで形成される。したがって、ピンホ
ールに対しても十分な絶縁保護機能を呈する表示装置を
提供できる。
【００３８】また、請求項３に係る発明の絶縁膜の製造
方法は、所定の酸素含有量の酸化タンタルから成る下層
の絶縁膜を基板上に形成する工程と、上記下層の絶縁膜
の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸化タンタル
から成る最上層の絶縁膜を形成する工程と、上記各絶縁
膜を酸化する工程を有するので、形成された絶縁膜にお
ける上記最上層の絶縁膜は酸素含有量が多く電気絶縁性
に優れた特性を呈する一方、上記下層の絶縁膜は酸素の
含有量が少なく高い被着レートで形成されて、ピンホー
ルに対しても十分な絶縁保護機能を呈する。
方法は、所定の酸素含有量の酸化タンタルから成る下層
の絶縁膜を基板上に形成する工程と、上記下層の絶縁膜
の酸素含有量よりも多くの酸素を含有する酸化タンタル
から成る最上層の絶縁膜を形成する工程と、上記各絶縁
膜を酸化する工程を有するので、形成された絶縁膜にお
ける上記最上層の絶縁膜は酸素含有量が多く電気絶縁性
に優れた特性を呈する一方、上記下層の絶縁膜は酸素の
含有量が少なく高い被着レートで形成されて、ピンホー
ルに対しても十分な絶縁保護機能を呈する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の絶縁膜を有するＴＦＴアクティブマ
トリックス液晶基板における平面図である。
トリックス液晶基板における平面図である。
【図２】図１におけるＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図３】図２に示す絶縁膜に電界を印加した場合の漏れ
電流の変化を示す図である。
電流の変化を示す図である。
【図４】従来のアクティブマトリックス液晶基板におけ
る平面図である。
る平面図である。
【図５】図４におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図６】図５に示す絶縁膜に電界を印加した場合の漏れ
電流の変化を示す図である。
電流の変化を示す図である。
２１…絶縁性基板、 ２２…走査線、２
３…信号線、 ２４…絵素電極、２
５…ゲート電極、 ２６…ソース電極、
２７…ドレイン電極、 ２８…付加容量用
電極、２９a…下層保護絶縁膜、 ２９b…上
層保護絶縁膜、３０…ＴＦＴ、 ３
１…酸化絶縁膜、３２…ゲート絶縁膜。
３…信号線、 ２４…絵素電極、２
５…ゲート電極、 ２６…ソース電極、
２７…ドレイン電極、 ２８…付加容量用
電極、２９a…下層保護絶縁膜、 ２９b…上
層保護絶縁膜、３０…ＴＦＴ、 ３
１…酸化絶縁膜、３２…ゲート絶縁膜。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−214224（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−31352（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 505 G02F 1/136
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜を介して電気素子が形成
された電子装置であって、 上記絶縁膜は、多層構造を成すと共に、最上層の絶縁膜
は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含有する酸化タンタル
で形成されていることを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】 ベース基板上に絶縁膜を介してスイッチ
ング素子とこのスイッチング素子に信号を供給する配線
と絵素電極が形成されて成るアクティブマトリックス基
板を有する表示装置であって、 上記絶縁膜は、多層構造を成すと共に、最上層の絶縁膜
は下層の絶縁膜よりも酸素を多く含有する酸化タンタル
で形成されていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】 絶縁膜の製造方法であって、 基板上に、所定の酸素含有量の酸化タンタルから成る下
層の絶縁膜を形成する工程と、 上記下層の絶縁膜の酸素含有量よりも多くの酸素を含有
する酸化タンタルから成る最上層の絶縁膜を形成する工
程と、 上記各絶縁膜を酸化する工程を備えたことを特徴とする
絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454894A JP3076504B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 絶縁膜を有する電子装置および絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454894A JP3076504B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 絶縁膜を有する電子装置および絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179298A JPH08179298A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3076504B2 true JP3076504B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18167044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32454894A Expired - Fee Related JP3076504B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 絶縁膜を有する電子装置および絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076504B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8148809B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-04-03 | Denso Corporation | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and multilayer substrate having the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007342A (ja) | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32454894A patent/JP3076504B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8148809B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-04-03 | Denso Corporation | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and multilayer substrate having the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08179298A (ja) | 1996-07-12 |
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