JPH06160901A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06160901A JPH06160901A JP31201192A JP31201192A JPH06160901A JP H06160901 A JPH06160901 A JP H06160901A JP 31201192 A JP31201192 A JP 31201192A JP 31201192 A JP31201192 A JP 31201192A JP H06160901 A JPH06160901 A JP H06160901A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の液晶表示装置は表示電極が小さく、ま
た、遮光膜によって光の通過領域が更に制限され、その
上、補助容量電極が設けられているので、表示領域が小
さく、開口率が低下した。本願はこれらの課題を解決
し、開口率を向上するものである。 【構成】 ＴＦＴを含む絶縁性基板（３０）上の全面に
層間絶縁膜（３９）を設けることにより、表示電極（４
０）をゲートライン（３２?）およびドレインライン
（３８）上にまで拡げ、補助容量電極を設ける代わりに
ゲートラインの線幅を一部大きくすることで、補助容量
の役割をはたしている。
た、遮光膜によって光の通過領域が更に制限され、その
上、補助容量電極が設けられているので、表示領域が小
さく、開口率が低下した。本願はこれらの課題を解決
し、開口率を向上するものである。 【構成】 ＴＦＴを含む絶縁性基板（３０）上の全面に
層間絶縁膜（３９）を設けることにより、表示電極（４
０）をゲートライン（３２?）およびドレインライン
（３８）上にまで拡げ、補助容量電極を設ける代わりに
ゲートラインの線幅を一部大きくすることで、補助容量
の役割をはたしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に開口率を向上させた液晶表示装置に関するものであ
る。
に開口率を向上させた液晶表示装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置の中でも、画素の一
つ一つに薄膜トランジスタを設けたアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置は、画質が優れており、携帯用Ｔ
Ｖ、ビデオモーター、液晶プロジェクター、ＯＡ機器等
のディスプレイ装置などに用いられ、すでに商品化され
ている。
つ一つに薄膜トランジスタを設けたアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置は、画質が優れており、携帯用Ｔ
Ｖ、ビデオモーター、液晶プロジェクター、ＯＡ機器等
のディスプレイ装置などに用いられ、すでに商品化され
ている。
【０００３】以下、図５、図８を用いて従来の液晶表示
装置について説明する。図５は平面図、図８は図５のＥ
−Ｅ’線に沿った断面図である。透明な絶縁性基板（５
０）上にゲート（５１）と、これに電気的に接続するゲ
ートライン（５２）、および補助容量ライン（５３）が
形成され、全面には、ＳｉＮｘゲート絶縁膜（５４）が
積層されている。また、このＳｉＮｘ膜（５４）上の前
記ゲートに対応する位置には、ノンドープのアモルファ
スシリコン膜（５５）、Ｎ+型のアモルファスシリコン
膜（５７）、ソース電極（５８）、ドレイン電極（５
９）が設けられ（ここで、ソースとドレインは反対で呼
ばれることもある）、薄膜トランジスタを形成してい
る。そして前記ドレイン電極（５９）と電気的に接続す
るドレインライン（６０）が設けられ、更に、表示電極
（６１）が前記ＳｉＮｘ膜上で、前記ドレインライン
（６０）と前記ゲートライン（５２）に囲まれた部分に
設けられ、前記ソース電極（５８）と電気的に接続され
ている。
装置について説明する。図５は平面図、図８は図５のＥ
−Ｅ’線に沿った断面図である。透明な絶縁性基板（５
０）上にゲート（５１）と、これに電気的に接続するゲ
ートライン（５２）、および補助容量ライン（５３）が
形成され、全面には、ＳｉＮｘゲート絶縁膜（５４）が
積層されている。また、このＳｉＮｘ膜（５４）上の前
記ゲートに対応する位置には、ノンドープのアモルファ
スシリコン膜（５５）、Ｎ+型のアモルファスシリコン
膜（５７）、ソース電極（５８）、ドレイン電極（５
９）が設けられ（ここで、ソースとドレインは反対で呼
ばれることもある）、薄膜トランジスタを形成してい
る。そして前記ドレイン電極（５９）と電気的に接続す
るドレインライン（６０）が設けられ、更に、表示電極
（６１）が前記ＳｉＮｘ膜上で、前記ドレインライン
（６０）と前記ゲートライン（５２）に囲まれた部分に
設けられ、前記ソース電極（５８）と電気的に接続され
ている。
【０００４】一方、前記絶縁性基板（５０）と対向し
て、透明な絶縁性基板（６２）が設けられ、この基板上
に遮光膜（６３）、対向電極（６４）が設けられてい
る。図５で点線（６３’）で囲まれた部分は、この遮光
膜（６３）の開口部分に対応する領域である。
て、透明な絶縁性基板（６２）が設けられ、この基板上
に遮光膜（６３）、対向電極（６４）が設けられてい
る。図５で点線（６３’）で囲まれた部分は、この遮光
膜（６３）の開口部分に対応する領域である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の液晶表示装
置は、表示領域の中央部に設けられた補助容量電極（５
３）が光を遮蔽し、このことは開口率が低下する原因と
なっていた。また、従来の液晶表示装置では、表示電極
（６１）とドレインライン（６０）との短絡のみなら
ず、ゲート絶縁膜（５４）のピンホールによる表示電極
（６１）とゲートライン（５２）との短絡をも防止する
ため、表示電極（６１）はドレインライン（６０）およ
びゲートライン（５２）から離して数μｍ内側に設けら
れていた。そのため、表示領域が縮小し、開口率が低下
するという問題を招いた。更に、製造過程において、薄
膜トランジスタ基板（５０）と対向基板（６２）との貼
り合わせの際のずれによって生じる光漏れを防止するた
めに、遮光膜（６３）の開口部の周囲（６３’）は、表
示電極（６１）の周囲よりも５〜１０μｍ内側に設けら
れている。そのため、ますます表示領域が狭くなり開口
率が一段と低下する問題を招いた。
置は、表示領域の中央部に設けられた補助容量電極（５
３）が光を遮蔽し、このことは開口率が低下する原因と
なっていた。また、従来の液晶表示装置では、表示電極
（６１）とドレインライン（６０）との短絡のみなら
ず、ゲート絶縁膜（５４）のピンホールによる表示電極
（６１）とゲートライン（５２）との短絡をも防止する
ため、表示電極（６１）はドレインライン（６０）およ
びゲートライン（５２）から離して数μｍ内側に設けら
れていた。そのため、表示領域が縮小し、開口率が低下
するという問題を招いた。更に、製造過程において、薄
膜トランジスタ基板（５０）と対向基板（６２）との貼
り合わせの際のずれによって生じる光漏れを防止するた
めに、遮光膜（６３）の開口部の周囲（６３’）は、表
示電極（６１）の周囲よりも５〜１０μｍ内側に設けら
れている。そのため、ますます表示領域が狭くなり開口
率が一段と低下する問題を招いた。
【０００６】以上本発明は、補助容量電極が光を遮蔽す
るという第１の問題と、表示電極の面積が狭いという第
２の問題を解決するものである。
るという第１の問題と、表示電極の面積が狭いという第
２の問題を解決するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記第１の
問題は、表示電極を隣のゲートライン上、または、隣の
ゲートラインの一部を突出させる場合は、その突出部を
含むゲートライン上にまで延在させることで解決され
る。前記第２の問題は、薄膜トランジスタ基板の間にお
いて、少なくともドレインラインを覆う層間絶縁膜を設
け、前記表示電極を前記ドレインラインまたは／および
前記ゲートライン上にまで延在することで解決される。
問題は、表示電極を隣のゲートライン上、または、隣の
ゲートラインの一部を突出させる場合は、その突出部を
含むゲートライン上にまで延在させることで解決され
る。前記第２の問題は、薄膜トランジスタ基板の間にお
いて、少なくともドレインラインを覆う層間絶縁膜を設
け、前記表示電極を前記ドレインラインまたは／および
前記ゲートライン上にまで延在することで解決される。
【０００８】
【作用】表示電極がゲートライン上にまで延在すること
により、この表示電極とゲートラインの重畳部で補助容
量が形成される。すなわち、ゲートラインを補助容量電
極として代用するので表示領域が拡がり、開口率が向上
する。また、ゲートラインを使った補助容量が、従来の
補助容量よりも不足する場合は、ゲートラインの一部に
突出部を設けこれを付加容量とし、不足を補なう。突出
部の面積は、従来の補助容量電極の面積よりも小さいの
で、この場合でも開口率は向上する。
により、この表示電極とゲートラインの重畳部で補助容
量が形成される。すなわち、ゲートラインを補助容量電
極として代用するので表示領域が拡がり、開口率が向上
する。また、ゲートラインを使った補助容量が、従来の
補助容量よりも不足する場合は、ゲートラインの一部に
突出部を設けこれを付加容量とし、不足を補なう。突出
部の面積は、従来の補助容量電極の面積よりも小さいの
で、この場合でも開口率は向上する。
【０００９】また、薄膜トランジスタ基板に層間絶縁膜
を設けることは、表示電極とドレインラインとの短絡を
防止でき、表示電極がゲートライン上のみならず、ドレ
インライン上にまで延在することが可能となり、表示領
域がゲートラインとドレインラインの内側の側辺にまで
拡がり開口率が向上する。
を設けることは、表示電極とドレインラインとの短絡を
防止でき、表示電極がゲートライン上のみならず、ドレ
インライン上にまで延在することが可能となり、表示領
域がゲートラインとドレインラインの内側の側辺にまで
拡がり開口率が向上する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の第１の実施例である液晶表示装置の平面図、図
６は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。先ず、透
明な絶縁性基板であるガラス基板（１０）上に、例えば
スパッタリング法によりＣｒが約１５００Åの厚さで積
層され、フォトエッチングでゲート（１１）およびゲー
トライン（１２）（１２ａ）が設けられている。その上
にはプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜が約４０００Å
の厚さで形成され、ゲート絶縁膜（１３）とされてい
る。ここで、このゲート絶縁膜（１３）は、例えばプラ
ズマＣＶＤ法でＳｉＯ2とＳｉＮを連続積層して二層と
しても良い。この場合、両層のピンホールの不一致によ
り、表示電極（１９）とゲートライン（１２）のショー
トを大幅に改善できる。このゲート絶縁膜（１３）上の
前記ゲート（１１）に対応する部分には厚さ１０００Å
のノンドープの非単結晶シリコン膜（１４）が設けら
れ、その上に互いに離間して二つのＮ+型のａ−Ｓｉ層
（１５）が厚さ５０００Åで積層されている。このＮ+
ａ−Ｓｉ層（１５）の上には、それぞれソース電極（１
６）とドレイン電極（１７）が設けられ、例えばＭｏ／
Ａｌがそれぞれ１０００Å、７０００Åの厚さで積層さ
れ、二層構造を形成している。このドレイン電極（１
７）と電気的に接続するドレインライン（１８）が設け
られ、前記ゲートライン（１２）（１２ａ）とこのドレ
インライン（１８）に囲まれた領域には、ＩＴＯで成る
表示電極（１９）が設けられている。この表示電極（１
９）は、二本のドレインライン（１８）と、ゲートライ
ン（１２）に対しては、それより数μｍ内側に、隣のゲ
ートライン（１２ａ）に対しては、その上に重畳するよ
うに設けられている。ここで、遮光膜の端（２２’）も
隣のゲ−トライン（１２ａ）上にある。また、この重畳
部は補助容量を形成している。続いて、必要に応じてフ
ァイナルパシベーション膜、そして配向膜（不図示）が
設けられ、薄膜トランジスタ基板が得られる。対向する
絶縁性基板（２０）には、対向電極（２１）および配向
膜（２２）が設けられ、スペーサを介してこの二枚の絶
縁性基板が貼り合わされ周囲をシールして、中に液晶が
注入されて本装置が得られる。
本発明の第１の実施例である液晶表示装置の平面図、図
６は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。先ず、透
明な絶縁性基板であるガラス基板（１０）上に、例えば
スパッタリング法によりＣｒが約１５００Åの厚さで積
層され、フォトエッチングでゲート（１１）およびゲー
トライン（１２）（１２ａ）が設けられている。その上
にはプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜が約４０００Å
の厚さで形成され、ゲート絶縁膜（１３）とされてい
る。ここで、このゲート絶縁膜（１３）は、例えばプラ
ズマＣＶＤ法でＳｉＯ2とＳｉＮを連続積層して二層と
しても良い。この場合、両層のピンホールの不一致によ
り、表示電極（１９）とゲートライン（１２）のショー
トを大幅に改善できる。このゲート絶縁膜（１３）上の
前記ゲート（１１）に対応する部分には厚さ１０００Å
のノンドープの非単結晶シリコン膜（１４）が設けら
れ、その上に互いに離間して二つのＮ+型のａ−Ｓｉ層
（１５）が厚さ５０００Åで積層されている。このＮ+
ａ−Ｓｉ層（１５）の上には、それぞれソース電極（１
６）とドレイン電極（１７）が設けられ、例えばＭｏ／
Ａｌがそれぞれ１０００Å、７０００Åの厚さで積層さ
れ、二層構造を形成している。このドレイン電極（１
７）と電気的に接続するドレインライン（１８）が設け
られ、前記ゲートライン（１２）（１２ａ）とこのドレ
インライン（１８）に囲まれた領域には、ＩＴＯで成る
表示電極（１９）が設けられている。この表示電極（１
９）は、二本のドレインライン（１８）と、ゲートライ
ン（１２）に対しては、それより数μｍ内側に、隣のゲ
ートライン（１２ａ）に対しては、その上に重畳するよ
うに設けられている。ここで、遮光膜の端（２２’）も
隣のゲ−トライン（１２ａ）上にある。また、この重畳
部は補助容量を形成している。続いて、必要に応じてフ
ァイナルパシベーション膜、そして配向膜（不図示）が
設けられ、薄膜トランジスタ基板が得られる。対向する
絶縁性基板（２０）には、対向電極（２１）および配向
膜（２２）が設けられ、スペーサを介してこの二枚の絶
縁性基板が貼り合わされ周囲をシールして、中に液晶が
注入されて本装置が得られる。
【００１１】本発明の特徴は、表示電極（１９）が隣の
ゲートライン（１２ａ）上にまで拡大延在して、表示領
域を隣のゲートライン（１２ａ）の内側の側辺にまで広
げることと、表示電極（１９）とゲートライン（１２
ａ）の重畳部で補助容量を形成し、従来の補助容量電極
を不要にして、開口率を向上させるところにある。本
来、表示電極はゲートライン上に重畳させると、ゲート
絶縁膜のピンホールにより短絡が生じやすかったので、
表示電極はゲートラインから離して設けられていた。し
かし、本願は成膜条件の向上およびゲート絶縁膜の多層
化等によりピンホールをなくすことができるので、あえ
て、ゲートライン上まで、表示電極を延在させている。
また、この時、遮光膜の開口部の周囲は隣のゲートライ
ン上にあるので、この方向に関して、表示領域は隣のゲ
ートラインの内側の側辺まで拡がる。
ゲートライン（１２ａ）上にまで拡大延在して、表示領
域を隣のゲートライン（１２ａ）の内側の側辺にまで広
げることと、表示電極（１９）とゲートライン（１２
ａ）の重畳部で補助容量を形成し、従来の補助容量電極
を不要にして、開口率を向上させるところにある。本
来、表示電極はゲートライン上に重畳させると、ゲート
絶縁膜のピンホールにより短絡が生じやすかったので、
表示電極はゲートラインから離して設けられていた。し
かし、本願は成膜条件の向上およびゲート絶縁膜の多層
化等によりピンホールをなくすことができるので、あえ
て、ゲートライン上まで、表示電極を延在させている。
また、この時、遮光膜の開口部の周囲は隣のゲートライ
ン上にあるので、この方向に関して、表示領域は隣のゲ
ートラインの内側の側辺まで拡がる。
【００１２】次に本発明の第２の実施例を図２に示す。
尚、断面図は図６と同じである。第１の実施例と異なる
ところは、表示電極（１９）とゲートライン（１２’）
との重畳部において、ゲートライン（１２’）を一部突
出させて付加容量（図の斜線部）を形成している点であ
る。本実施例は、前実施例における補助容量が従来の補
助容量に比べて小さい場合、その不足分をゲートライン
に突出部を設けて補なっている。しかし、この突出部は
従来の補助容量電極に比べて、面積が小さくてすむの
で、開口率を向上させることができる。
尚、断面図は図６と同じである。第１の実施例と異なる
ところは、表示電極（１９）とゲートライン（１２’）
との重畳部において、ゲートライン（１２’）を一部突
出させて付加容量（図の斜線部）を形成している点であ
る。本実施例は、前実施例における補助容量が従来の補
助容量に比べて小さい場合、その不足分をゲートライン
に突出部を設けて補なっている。しかし、この突出部は
従来の補助容量電極に比べて、面積が小さくてすむの
で、開口率を向上させることができる。
【００１３】更に本発明の第３の実施例を図３に示す。
図７は、図３のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。本実
施例では、薄膜トランジスタを含むゲート絶縁膜（３
３）全面にわたって層間絶縁膜（３９）を設けてある。
そのため表示電極（４０）は、ドレインライン（３８）
との短絡が防げるのでゲートライン（３２ａ）上のみな
らず、ゲートライン（１２）上およびドレインライン
（３８）上にまで延在できる。ここで、表示電極（４
０）は、図のＣの部分でソース電極（３６）と、電気的
に接続されている。
図７は、図３のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。本実
施例では、薄膜トランジスタを含むゲート絶縁膜（３
３）全面にわたって層間絶縁膜（３９）を設けてある。
そのため表示電極（４０）は、ドレインライン（３８）
との短絡が防げるのでゲートライン（３２ａ）上のみな
らず、ゲートライン（１２）上およびドレインライン
（３８）上にまで延在できる。ここで、表示電極（４
０）は、図のＣの部分でソース電極（３６）と、電気的
に接続されている。
【００１４】本発明の特徴は、層間絶縁膜（３９）を設
けることであり、表示電極（４０）とドレインライン
（３８）との短絡が防止できるので、表示電極（４０）
がゲートライン（３２ａ）上のみならず、ゲートライン
（１２）上およびドレインライン（３８）上にまで延在
され、表示領域がゲートライン（３２）、（３２ａ）お
よびドレインライン（３８）の内側の側辺にまで拡がっ
ていることである。また、表示電極（４０）とゲートラ
イン（３２ａ）との重畳部で補助容量が形成されるの
で、従来の補助容量電極が不要になることにより開口率
が向上するところにある。また、前記技術により表示電
極（４０）とドレインライン（３８）、および、表示電
極（４０）とゲートライン（３２）、（３２ａ）との間
の光漏れが防止できるので、対向基板（４１）上の遮光
膜（４３）は、薄膜トランジスタに対応する領域だけに
設けて、Ｎ+ａ−Ｓｉ層（３４）に光が入るのを防げば
よい。更に、本実施例の液晶表示装置において、これを
薄膜トランジスタ基板側から、光を入射させるものとし
て用いる場合は、ゲート（３１）をＮ+ａ−Ｓｉ層（３
４）よりも大きく設けることにより、ゲート（３１）が
Ｎ+ａ−Ｓｉ膜（３４）に光が入射するのを防ぐので、
対向基板（４１）上の遮光膜が不要になる。
けることであり、表示電極（４０）とドレインライン
（３８）との短絡が防止できるので、表示電極（４０）
がゲートライン（３２ａ）上のみならず、ゲートライン
（１２）上およびドレインライン（３８）上にまで延在
され、表示領域がゲートライン（３２）、（３２ａ）お
よびドレインライン（３８）の内側の側辺にまで拡がっ
ていることである。また、表示電極（４０）とゲートラ
イン（３２ａ）との重畳部で補助容量が形成されるの
で、従来の補助容量電極が不要になることにより開口率
が向上するところにある。また、前記技術により表示電
極（４０）とドレインライン（３８）、および、表示電
極（４０）とゲートライン（３２）、（３２ａ）との間
の光漏れが防止できるので、対向基板（４１）上の遮光
膜（４３）は、薄膜トランジスタに対応する領域だけに
設けて、Ｎ+ａ−Ｓｉ層（３４）に光が入るのを防げば
よい。更に、本実施例の液晶表示装置において、これを
薄膜トランジスタ基板側から、光を入射させるものとし
て用いる場合は、ゲート（３１）をＮ+ａ−Ｓｉ層（３
４）よりも大きく設けることにより、ゲート（３１）が
Ｎ+ａ−Ｓｉ膜（３４）に光が入射するのを防ぐので、
対向基板（４１）上の遮光膜が不要になる。
【００１５】本発明第４の実施例を図４に示す。尚、断
面図は図７と同じである。第３の実施例と異なるのは、
表示電極（４０）とゲートライン（３２’）の重畳部に
おいて、ゲートライン（３２’）の一部を突出させて、
付加容量（図の斜線部）としている点である。本実施例
でも、前述の第２の実施例と同様、ゲートラインの突出
部は、補助容量の一部であり、その面積は従来の補助容
量電極よりも小さく、開口率を向上させることができ
る。
面図は図７と同じである。第３の実施例と異なるのは、
表示電極（４０）とゲートライン（３２’）の重畳部に
おいて、ゲートライン（３２’）の一部を突出させて、
付加容量（図の斜線部）としている点である。本実施例
でも、前述の第２の実施例と同様、ゲートラインの突出
部は、補助容量の一部であり、その面積は従来の補助容
量電極よりも小さく、開口率を向上させることができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなごとく、まず第
１に表示電極を隣のゲートライン上にまで、延在するこ
とにより表示領域がゲートラインの内側の側辺まで拡げ
られ開口率の向上を達成できた。また、表示電極とゲー
トラインの重畳部で補助容量が形成されるので、従来の
補助容量電極を不要にでき、開口率が向上できた。
１に表示電極を隣のゲートライン上にまで、延在するこ
とにより表示領域がゲートラインの内側の側辺まで拡げ
られ開口率の向上を達成できた。また、表示電極とゲー
トラインの重畳部で補助容量が形成されるので、従来の
補助容量電極を不要にでき、開口率が向上できた。
【００１７】第２にゲートラインの一部を突出させるこ
とは、その突出分によりゲートラインの抵抗が小さくな
り、信号歪みが減少し、そのため輝度分布の減少による
表示品位の向上が達成された。また、平均的な線幅が増
加するため、ゲート断線が減少し、歩留まりが向上し
た。第３に層間絶縁膜を設けることで、表示電極とドレ
インラインとの短絡が防止でき、表示電極がゲートライ
ン上およびドレインライン上にまで延在できる。従って
表示領域がゲートラインおよびドレインラインの内側の
側辺まで拡げられ、開口率を向上させることができる。
とは、その突出分によりゲートラインの抵抗が小さくな
り、信号歪みが減少し、そのため輝度分布の減少による
表示品位の向上が達成された。また、平均的な線幅が増
加するため、ゲート断線が減少し、歩留まりが向上し
た。第３に層間絶縁膜を設けることで、表示電極とドレ
インラインとの短絡が防止でき、表示電極がゲートライ
ン上およびドレインライン上にまで延在できる。従って
表示領域がゲートラインおよびドレインラインの内側の
側辺まで拡げられ、開口率を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の平面図である。
【図４】本発明の第４の実施例の平面図である。
【図５】従来の実施例の平面図である。
【図６】本発明の第１および第２の実施例の断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の第３および第４の実施例の断面図であ
る。
る。
【図８】従来の液晶表示装置の断面図である。
１０，３０ 透明な絶縁性基板 １１，３１ ゲート １２，３２ ゲートライン １３，３３ ゲート絶縁膜 １４，３４ ノンドープのａ−Ｓｉ １５，３５ Ｎ+型ａ−Ｓｉ １６，３６ ソース電極 １７，３７ ドレイン電極 １８，３８ ドレインライン １９，４０ 表示電極 ３９ 層間絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】 透明な第１の絶縁性基板と、この基板上
に設けられた複数のドレインラインと、このドレインラ
インに直交する方向に設けられた複数のゲートライン
と、この交点にマトリクス状に配置された複数個の薄膜
トランジスタと、前記ドレインラインと前記ゲートライ
ンに囲まれた部分に設けられた表示電極と、前記第１の
絶縁性基板に対向して設けられた透明な第２の絶縁性基
板と、この基板上に設けられた対向電極とを少なくとも
有する液晶表示装置において、 前記表示電極が前記ゲートライン上に延在されることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明な第１の絶縁性基板と、この基板上
に設けられた複数のドレインラインと、このドレインラ
インに直交する方向に設けられた複数のゲートライン
と、この交点にマトリクス状に配置された複数個の薄膜
トランジスタと、前記ドレインラインと前記ゲートライ
ンに囲まれた部分に設けられた表示電極と、前記第１の
絶縁性基板に対向して設けられた透明な第２の絶縁性基
板と、この基板上に設けられた対向電極とを少なくとも
有する液晶表示装置において、 前記ゲートラインに突出部が設けられ、前記表示電極が
この突出部を含むゲートライン上に延在され、この表示
電極とゲートライン、および表示電極と突出部との重畳
部で補助容量を構成することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 透明な第１の絶縁性基板と、この基板上
に設けられた複数のドレインラインと、このドレインラ
インに直交する方向に設けられた複数のゲートライン
と、この交点にマトリクス状に配置された複数個の薄膜
トランジスタと、前記ドレインラインと前記ゲートライ
ンに囲まれた部分に設けられた表示電極と、前記第１の
絶縁性基板に対向して設けられた透明な第２の絶縁性基
板と、この基板上に設けられた対向電極とを少なくとも
有する液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタ基板と前記表示電極の間に、少な
くともドレインラインを覆う層間絶縁膜が設けられ、前
記表示電極が前記ドレインライン上および前記ゲートラ
イン上にまで延在され、この表示電極とこのゲートライ
ンの重畳部で補助容量を構成することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項４】 透明な第１の絶縁性基板と、この基板上
に設けられた複数のドレインラインと、このドレインラ
インに直交する方向に設けられた複数のゲートライン
と、この交点にマトリクス状に配置された複数個の薄膜
トランジスタと、前記ドレインラインと前記ゲートライ
ンに囲まれた部分に設けられた表示電極と、前記第１の
絶縁性基板に対向して設けられた第２の絶縁性基板と、
この基板上に設けられた対向電極とを少なくとも有する
液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタ基板と前記表示電極の間に、少な
くともドレインラインを覆う層間絶縁膜が設けられ、前
記ゲートラインに突出部が設けられ、前記表示電極が前
記ドレインライン上および、前記突出部を含むゲートラ
イン上にまで延在され、この表示電極とゲートライン、
および表示電極と突出部の重畳部で補助容量を構成する
ことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31201192A JPH06160901A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31201192A JPH06160901A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160901A true JPH06160901A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18024140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31201192A Pending JPH06160901A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160901A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0850286A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
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| KR100973809B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31201192A patent/JPH06160901A/ja active Pending
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