JP2000200053A - 表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板 - Google Patents
表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 材料基板から表示素子基板を切り出す際に表
示素子基板に形成された電極部の界面剥離を防止する。 【解決手段】材料基板（１）の表示素子用基板（２）と
なる部分には電極部（陽極３や陰極６）が形成される。
この電極部には絶縁検査のためのテスト用電極パターン
が接続される。テスト用電極パターンは、切り取りライ
ン（Ｌ）を越えて表示素子用基板の外の材料基板に延設
され、共通電極（４，７）に接続される。素子の作り込
みが終了し、共通電極を用いて絶縁検査が完了したら、
切り取りラインを跨いでいる電極パターンの一部をレー
ザーで除去する。切り取りラインに沿って溝を形成して
板を割った時に、電極部には張力及び圧縮力が加わらな
いので、得られた表示素子用基板の電極部の端部が基板
から剥離するのを防止できる。
示素子基板に形成された電極部の界面剥離を防止する。 【解決手段】材料基板（１）の表示素子用基板（２）と
なる部分には電極部（陽極３や陰極６）が形成される。
この電極部には絶縁検査のためのテスト用電極パターン
が接続される。テスト用電極パターンは、切り取りライ
ン（Ｌ）を越えて表示素子用基板の外の材料基板に延設
され、共通電極（４，７）に接続される。素子の作り込
みが終了し、共通電極を用いて絶縁検査が完了したら、
切り取りラインを跨いでいる電極パターンの一部をレー
ザーで除去する。切り取りラインに沿って溝を形成して
板を割った時に、電極部には張力及び圧縮力が加わらな
いので、得られた表示素子用基板の電極部の端部が基板
から剥離するのを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、素材（材料）であ
る大型の材料基板から、複数枚の小型の表示素子用基板
を切り出して製造するための表示素子用基板の製造方法
等に関する。本発明は、特に、金属薄膜の電極と基板表
面の密着強度を損なうことなく、表示素子用基板を切り
出すための方法等に関する。本発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」という）用
基板や電界放出型表示素子（以下「ＦＥＤ」という）用
基板の製造に有用である。
る大型の材料基板から、複数枚の小型の表示素子用基板
を切り出して製造するための表示素子用基板の製造方法
等に関する。本発明は、特に、金属薄膜の電極と基板表
面の密着強度を損なうことなく、表示素子用基板を切り
出すための方法等に関する。本発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」という）用
基板や電界放出型表示素子（以下「ＦＥＤ」という）用
基板の製造に有用である。
【０００２】
【従来の技術】図１０〜図１４は、従来の有機ＥＬ素子
用基板の製造方法を示した図である。図１０に示すよう
に、大型ガラス等の絶縁性の材料基板５２上には、有機
ＥＬ素子用基板となる複数の電極部形成領域５１が、一
点鎖線で示す切り取りラインＬによって区画されてい
る。切り取りラインＬに沿って切断して有機ＥＬ素子用
基板を形成する前に、各電極部形成領域５１に有機ＥＬ
素子としての層構造を形成し、しかるのちに各電極部形
成領域５１を材料基板５２から切り出す。
用基板の製造方法を示した図である。図１０に示すよう
に、大型ガラス等の絶縁性の材料基板５２上には、有機
ＥＬ素子用基板となる複数の電極部形成領域５１が、一
点鎖線で示す切り取りラインＬによって区画されてい
る。切り取りラインＬに沿って切断して有機ＥＬ素子用
基板を形成する前に、各電極部形成領域５１に有機ＥＬ
素子としての層構造を形成し、しかるのちに各電極部形
成領域５１を材料基板５２から切り出す。
【０００３】図１１に示すように、まず各電極部形成領
域５１には、スパッタ蒸着等によりパターン形成された
ストライプ状の電極部である陽極５３がＩＴＯ(Indium-
TinOxide)によって形成される。このストライプ状の陽
極５３は、電極部形成領域５１の外に形成された２つの
陽極用共通電極５５に１本おきに接続されている。即
ち、ストライプ状の陽極５３は櫛歯形の２系統に分かれ
ており、両系統は入れ子状に組み合わされている。
域５１には、スパッタ蒸着等によりパターン形成された
ストライプ状の電極部である陽極５３がＩＴＯ(Indium-
TinOxide)によって形成される。このストライプ状の陽
極５３は、電極部形成領域５１の外に形成された２つの
陽極用共通電極５５に１本おきに接続されている。即
ち、ストライプ状の陽極５３は櫛歯形の２系統に分かれ
ており、両系統は入れ子状に組み合わされている。
【０００４】図示しないが、陽極５３上には、有機化合
物からなる発光層を含む有機層が形成される。この有機
層は、例えば、正孔輸送層と電子輸送性発光層とで構成
される。さらに、この有機層上に、陽極５３と直交する
ように、陽極５３と略同一のストライプパターンのＭ
ｇ：Ａｇ，Ａｌ：Ｌｉ等の陰極が形成される。
物からなる発光層を含む有機層が形成される。この有機
層は、例えば、正孔輸送層と電子輸送性発光層とで構成
される。さらに、この有機層上に、陽極５３と直交する
ように、陽極５３と略同一のストライプパターンのＭ
ｇ：Ａｇ，Ａｌ：Ｌｉ等の陰極が形成される。
【０００５】有機ＥＬ素子の層構造が完成した後、各電
極部形成領域５１を材料基板５２から切り出す前に、各
電極部形成領域５１ごとに形成された有機ＥＬ素子の電
気的な検査を行う。即ち、陽極用共通電極５５と陰極用
共通電極の間に所定の電圧を印加することにより、陽極
５３と陰極がショートするか否かを検査する。また、２
つの陽極用共通電極５５，５５の間に所定の電圧を印加
することにより、隣接する陽極５３，５３間の絶縁状態
を検査する。同様に、２つの陰極用共通電極の間に所定
の電圧を印加することにより、隣接する陰極間の絶縁状
態を検査する。
極部形成領域５１を材料基板５２から切り出す前に、各
電極部形成領域５１ごとに形成された有機ＥＬ素子の電
気的な検査を行う。即ち、陽極用共通電極５５と陰極用
共通電極の間に所定の電圧を印加することにより、陽極
５３と陰極がショートするか否かを検査する。また、２
つの陽極用共通電極５５，５５の間に所定の電圧を印加
することにより、隣接する陽極５３，５３間の絶縁状態
を検査する。同様に、２つの陰極用共通電極の間に所定
の電圧を印加することにより、隣接する陰極間の絶縁状
態を検査する。
【０００６】絶縁検査の後、図１０及び図１１に示す切
り取りラインＬに沿って、図１２に示すように材料基板
５２の裏面に超鋼バイト５６で溝５７を形成する。
り取りラインＬに沿って、図１２に示すように材料基板
５２の裏面に超鋼バイト５６で溝５７を形成する。
【０００７】図１３に示すように溝５７を支点として材
料基板５２の不要部分を折り取る。この折り取りによ
り、多数の有機ＥＬ素子用基板５８が共通の材料基板５
２から取り出されることとなる。
料基板５２の不要部分を折り取る。この折り取りによ
り、多数の有機ＥＬ素子用基板５８が共通の材料基板５
２から取り出されることとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、超鋼バイト５
６によって溝５７を形成する際、材料基板５２が超鋼バ
イト５６により押圧されて撓むため、溝５７の反対側の
面に成膜された陽極５３や陰極には張力が働くこととな
る。
６によって溝５７を形成する際、材料基板５２が超鋼バ
イト５６により押圧されて撓むため、溝５７の反対側の
面に成膜された陽極５３や陰極には張力が働くこととな
る。
【０００９】また、図１３に示すように、材料基板５２
を折り取る際には、陽極５３や陰極が折り曲げられて変
形した箇所には圧縮力が働き、更に分断する際には張力
が働くことになる。
を折り取る際には、陽極５３や陰極が折り曲げられて変
形した箇所には圧縮力が働き、更に分断する際には張力
が働くことになる。
【００１０】このため、取り出された有機ＥＬ素子基板
５８の陽極５３や陰極の端部は、有機ＥＬ素子基板との
密着強度が低下しており、図１４に示すように、微小な
界面剥離が発生することがあった。換言すれば、電極の
薄膜が基板の表面から剥離して浮き上がってしまうこと
があった。
５８の陽極５３や陰極の端部は、有機ＥＬ素子基板との
密着強度が低下しており、図１４に示すように、微小な
界面剥離が発生することがあった。換言すれば、電極の
薄膜が基板の表面から剥離して浮き上がってしまうこと
があった。
【００１１】そして、このような有機ＥＬ素子基板５８
の外周縁に箱型の容器を封着して有機ＥＬ素子が形成さ
れる。しかし、有機ＥＬ素子基板５８の外周縁に形成さ
れている陽極５３や陰極が上述したように基板から浮い
ていると、その部分で箱型の容器を封着した場合、封着
部分の封止性能に問題が生じやすい。例えば、界面剥離
した部分を介して外部から内部に水分が入り、その水分
が有機層に影響して非発光部分であるダークスポットが
発生し、発光輝度ひいては有機ＥＬの寿命特性の低下の
原因となる。
の外周縁に箱型の容器を封着して有機ＥＬ素子が形成さ
れる。しかし、有機ＥＬ素子基板５８の外周縁に形成さ
れている陽極５３や陰極が上述したように基板から浮い
ていると、その部分で箱型の容器を封着した場合、封着
部分の封止性能に問題が生じやすい。例えば、界面剥離
した部分を介して外部から内部に水分が入り、その水分
が有機層に影響して非発光部分であるダークスポットが
発生し、発光輝度ひいては有機ＥＬの寿命特性の低下の
原因となる。
【００１２】上述した問題点はＦＥＤにおいても同様で
あり、例えばＦＥＣが作成されたＦＥＤ用基板（陰極基
板）に容器部（陽極基板）を封着させた場合、素子内に
空気が入って真空度の劣化を招き、エミッション効率の
低下及びエミッタコーンの損傷の原因となる。
あり、例えばＦＥＣが作成されたＦＥＤ用基板（陰極基
板）に容器部（陽極基板）を封着させた場合、素子内に
空気が入って真空度の劣化を招き、エミッション効率の
低下及びエミッタコーンの損傷の原因となる。
【００１３】本発明は、上記欠点を除くためになされた
ものであって、その目的とするところは、相対的に大型
の材料基板から、相対的に小型の表示素子用基板を切り
出す表示素子用基板の製造方法において、表示素子用基
板の切り取りラインＬの内側の電極部から外側に引き出
された電極パターンの一部を除去することにより、電極
部に張力及び圧縮力をかけることなく材料基板を切断
し、電極部の界面剥離を防止することにある。
ものであって、その目的とするところは、相対的に大型
の材料基板から、相対的に小型の表示素子用基板を切り
出す表示素子用基板の製造方法において、表示素子用基
板の切り取りラインＬの内側の電極部から外側に引き出
された電極パターンの一部を除去することにより、電極
部に張力及び圧縮力をかけることなく材料基板を切断
し、電極部の界面剥離を防止することにある。
【００１４】また他の目的は、共通電極の近傍に形成さ
れている電極部をレーザーで蒸発除去することにより、
材料基板を損傷することなく電極パターンの一部を除去
することにある。
れている電極部をレーザーで蒸発除去することにより、
材料基板を損傷することなく電極パターンの一部を除去
することにある。
【００１５】また他の目的は、電極部の一部を除去する
前に、除去する前記一部以外の位置において前記材料基
板を覆うことにより、蒸発した電極部の構成物質が、電
極部の他の部分等に吸着して絶縁不良を発生させるのを
防止することにある。
前に、除去する前記一部以外の位置において前記材料基
板を覆うことにより、蒸発した電極部の構成物質が、電
極部の他の部分等に吸着して絶縁不良を発生させるのを
防止することにある。
【００１６】また他の目的は、表示素子用基板上に形成
されている電極部の端部が、前記表示素子用基板の外周
縁より所定の間隔をおいて内側に形成されることによ
り、内部の密閉性に優れた表示素子を製造することにあ
る。またこれによって表示素子自体の耐湿性、寿命特性
の向上及び素子内真空度の低下を防止することにある。
されている電極部の端部が、前記表示素子用基板の外周
縁より所定の間隔をおいて内側に形成されることによ
り、内部の密閉性に優れた表示素子を製造することにあ
る。またこれによって表示素子自体の耐湿性、寿命特性
の向上及び素子内真空度の低下を防止することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記の各目的を達成する
ため、本発明は次の手段を具備している。請求項１に記
載された表示素子用基板の製造方法は、材料基板（１）
から表示素子用基板（有機ＥＬ素子用基板２）を切り出
す表示素子用基板の製造方法において、まず前記材料基
板上に設定された表示素子用基板の切り取りライン
（Ｌ）の内側に電極部（陽極３、陰極６）を形成すると
ともに、前記電極部に連続して前記切り取りラインＬの
外側に引き出された電極パターンを形成する。次に、前
記電極パターンを用いて前記電極部の電気特性を検査す
る。次に、前記切り取りラインＬにおいて前記電極パタ
ーンの一部を除去する。次に、前記切り取りラインＬに
おいて前記材料基板を切断して、表示素子用基板を取り
出すことを特徴としている。
ため、本発明は次の手段を具備している。請求項１に記
載された表示素子用基板の製造方法は、材料基板（１）
から表示素子用基板（有機ＥＬ素子用基板２）を切り出
す表示素子用基板の製造方法において、まず前記材料基
板上に設定された表示素子用基板の切り取りライン
（Ｌ）の内側に電極部（陽極３、陰極６）を形成すると
ともに、前記電極部に連続して前記切り取りラインＬの
外側に引き出された電極パターンを形成する。次に、前
記電極パターンを用いて前記電極部の電気特性を検査す
る。次に、前記切り取りラインＬにおいて前記電極パタ
ーンの一部を除去する。次に、前記切り取りラインＬに
おいて前記材料基板を切断して、表示素子用基板を取り
出すことを特徴としている。
【００１８】また、上記表示素子用基板の製造方法は、
請求項２記載のように、レーザーにより前記電極部（陽
極３、陰極６）の一部を蒸発除去することとしてもよ
い。
請求項２記載のように、レーザーにより前記電極部（陽
極３、陰極６）の一部を蒸発除去することとしてもよ
い。
【００１９】更に、上記２つの表示素子用基板の製造方
法は、請求項３記載のように、電極部（陽極３、陰極
６）の一部を除去する前に、除去する前記一部以外の位
置において前記材料基板（１）を覆ってもよい。
法は、請求項３記載のように、電極部（陽極３、陰極
６）の一部を除去する前に、除去する前記一部以外の位
置において前記材料基板（１）を覆ってもよい。
【００２０】また請求項４記載の表示素子用基板は、請
求項１〜３いずれかに記載の表示素子用基板の製造方法
により製造された表示素子用基板（２）において、前記
電極部（陽極３、陰極６）の端部が、前記表示素子用基
板（有機ＥＬ素子用基板２）の外周縁より所定の間隔を
おいて内側に形成されていることを特徴としている。
求項１〜３いずれかに記載の表示素子用基板の製造方法
により製造された表示素子用基板（２）において、前記
電極部（陽極３、陰極６）の端部が、前記表示素子用基
板（有機ＥＬ素子用基板２）の外周縁より所定の間隔を
おいて内側に形成されていることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】まず、本発明の実施の形態である
Ｘ−Ｙマトリクス構造の有機ＥＬ素子用基板の製造方法
について、図１〜図９を用いて説明する。
Ｘ−Ｙマトリクス構造の有機ＥＬ素子用基板の製造方法
について、図１〜図９を用いて説明する。
【００２２】図１は大型の絶縁性の材料基板１を示して
いる。本例では、この材料基板１から４枚の有機ＥＬ素
子用基板２を切り出す。材料基板１としては、ガラスま
たはアクリル性の透明樹脂を用いる。
いる。本例では、この材料基板１から４枚の有機ＥＬ素
子用基板２を切り出す。材料基板１としては、ガラスま
たはアクリル性の透明樹脂を用いる。
【００２３】まず、この材料基板１をよく洗浄する。材
料基板１の表面には、有機ＥＬ素子用基板２を区画する
切り取りラインＬ（図中一点鎖線で表示）が設定され、
その内部が電極部形成領域とされている。
料基板１の表面には、有機ＥＬ素子用基板２を区画する
切り取りラインＬ（図中一点鎖線で表示）が設定され、
その内部が電極部形成領域とされている。
【００２４】この各電極部形成領域に、図２に示すよう
に、厚さ０．１μｍのＩＴＯをストライプ状に被着し、
第１の電極部として陽極３を形成する。陽極３はストラ
イプ状である。各ストライプ状の陽極３は、前記切り取
りラインＬを越えて電極部形成領域の外に延設され、電
極部形成領域を挟む両外側に形成された２つの陽極用共
通電極４，４に１本おきに接続されている。即ち、スト
ライプ状の陽極３は櫛歯形の２系統に分かれており、両
系統は微小間隔をおいて入れ子状に組み合わされてい
る。
に、厚さ０．１μｍのＩＴＯをストライプ状に被着し、
第１の電極部として陽極３を形成する。陽極３はストラ
イプ状である。各ストライプ状の陽極３は、前記切り取
りラインＬを越えて電極部形成領域の外に延設され、電
極部形成領域を挟む両外側に形成された２つの陽極用共
通電極４，４に１本おきに接続されている。即ち、スト
ライプ状の陽極３は櫛歯形の２系統に分かれており、両
系統は微小間隔をおいて入れ子状に組み合わされてい
る。
【００２５】図３に示すように、正孔輸送層及び電子輸
送性発光層で構成される有機層５を陽極３の上に順に積
層形成する。これら有機層５の形成は真空装置内での蒸
着により行い、必要に応じてマスクを用いる。
送性発光層で構成される有機層５を陽極３の上に順に積
層形成する。これら有機層５の形成は真空装置内での蒸
着により行い、必要に応じてマスクを用いる。
【００２６】図４に示すように、さらに、この有機層５
上に、第２の電極部であるストライプ状の陰極６をマス
ク蒸着により形成する。陰極６のストライプは陽極３の
ストライプに対して直交している。各ストライプ状の陰
極６は、前記切り取りラインＬを越えて電極部形成領域
の外に延設され、電極部形成領域を挟む両外側に形成さ
れた２つの陰極用共通電極７，７に１本おきに接続され
ている。即ち、ストライプ状の陰極６は櫛歯形の２系統
に分かれており、両系統は微小間隔をおいて入れ子状に
組み合わされている。互いに直交するストライプ状の陽
極３及び陰極６により、発光位置を任意に選択するため
のマトリクスが構成される。
上に、第２の電極部であるストライプ状の陰極６をマス
ク蒸着により形成する。陰極６のストライプは陽極３の
ストライプに対して直交している。各ストライプ状の陰
極６は、前記切り取りラインＬを越えて電極部形成領域
の外に延設され、電極部形成領域を挟む両外側に形成さ
れた２つの陰極用共通電極７，７に１本おきに接続され
ている。即ち、ストライプ状の陰極６は櫛歯形の２系統
に分かれており、両系統は微小間隔をおいて入れ子状に
組み合わされている。互いに直交するストライプ状の陽
極３及び陰極６により、発光位置を任意に選択するため
のマトリクスが構成される。
【００２７】以上の工程で有機ＥＬ素子の主要な構造が
基板１上に形成されたが、有機ＥＬ素子用基板２を材料
基板１から切り出す前に、陽極用共通電極４と陰極用共
通電極７を用いて、電極部や有機層５の検査を行う。即
ち、有機層５を間に挟んで対向する陽極３と陰極６の間
の絶縁検査、微小間隔をおいて並ぶストライプ状の陽極
３と陽極３の間の絶縁検査、そして微小間隔をおいて並
ぶストライプ状の陰極６と陰極６の間の絶縁検査等を行
う。これらの絶縁検査は、陽極用共通電極４及び陰極用
共通電極７にそれぞれ適当な組み合わせで適当な電圧を
印加してショートが発生するか否かを見て行うことがで
きる。近年では、特にマトリクス構造の電極における電
極ピッチの高精細化が進んでおり、絶縁検査のために細
い電極にプローブを立てることは困難になっている。と
ころが、本例では共通電極を設けたので、絶縁検査が容
易に行える。
基板１上に形成されたが、有機ＥＬ素子用基板２を材料
基板１から切り出す前に、陽極用共通電極４と陰極用共
通電極７を用いて、電極部や有機層５の検査を行う。即
ち、有機層５を間に挟んで対向する陽極３と陰極６の間
の絶縁検査、微小間隔をおいて並ぶストライプ状の陽極
３と陽極３の間の絶縁検査、そして微小間隔をおいて並
ぶストライプ状の陰極６と陰極６の間の絶縁検査等を行
う。これらの絶縁検査は、陽極用共通電極４及び陰極用
共通電極７にそれぞれ適当な組み合わせで適当な電圧を
印加してショートが発生するか否かを見て行うことがで
きる。近年では、特にマトリクス構造の電極における電
極ピッチの高精細化が進んでおり、絶縁検査のために細
い電極にプローブを立てることは困難になっている。と
ころが、本例では共通電極を設けたので、絶縁検査が容
易に行える。
【００２８】この検査が終了した後、図４において電極
部形成領域を囲む切り取りラインＬに沿ってＣＯ2 レー
ザー又はＹＡＧレーザーを照射する。陽極３と陰極６の
ストライプは、切り取りラインＬを越えて電極部形成領
域外の共通電極４，７に接続されていたが、このレーザ
ー照射により、図５に示す陽極３の例のように、少なく
とも切り取りラインＬに相当する部分で非連続になる。
即ち、切り取りラインＬにおいて、陽極用共通電極４に
連続している陽極３は分断される。陰極用共通電極７に
連続している陰極６も同様に分断される。
部形成領域を囲む切り取りラインＬに沿ってＣＯ2 レー
ザー又はＹＡＧレーザーを照射する。陽極３と陰極６の
ストライプは、切り取りラインＬを越えて電極部形成領
域外の共通電極４，７に接続されていたが、このレーザ
ー照射により、図５に示す陽極３の例のように、少なく
とも切り取りラインＬに相当する部分で非連続になる。
即ち、切り取りラインＬにおいて、陽極用共通電極４に
連続している陽極３は分断される。陰極用共通電極７に
連続している陰極６も同様に分断される。
【００２９】次に図５に示すように、材料基板１の裏面
（電極部等が形成されていない側の面）に、ダイヤモン
ド又は超鋼バイト１０で切り取りラインＬに沿って溝１
１を形成する。この溝形成時には、超鋼バイト１０によ
り材料基板１は押圧されて撓み、材料基板１の反対側に
は引張応力が作用する。しかしながら、この部分の電極
は前述したようにすでにレーザーにより除去されている
ので、超鋼バイト１０による押圧力により材料基板１に
撓みが生じても、陽極３や陰極６に張力が働くことはな
い。
（電極部等が形成されていない側の面）に、ダイヤモン
ド又は超鋼バイト１０で切り取りラインＬに沿って溝１
１を形成する。この溝形成時には、超鋼バイト１０によ
り材料基板１は押圧されて撓み、材料基板１の反対側に
は引張応力が作用する。しかしながら、この部分の電極
は前述したようにすでにレーザーにより除去されている
ので、超鋼バイト１０による押圧力により材料基板１に
撓みが生じても、陽極３や陰極６に張力が働くことはな
い。
【００３０】この後、図６に示すように、各溝５を支点
として、材料基板１をその裏面から表面に向けて折り割
り、材料基板１の不要部分が短冊状となって取り外す。
更に、同様の要領で、この材料基板１に形成されている
各溝５を支点として材料基板１をその裏面から表面に向
けて折り割る。この材料基板を折り割る際、折り割る位
置には電極部に連続する金属薄膜はないので、電極部
（図示の陽極３の他、陰極６も含む）に圧縮力が働くこ
とはない。
として、材料基板１をその裏面から表面に向けて折り割
り、材料基板１の不要部分が短冊状となって取り外す。
更に、同様の要領で、この材料基板１に形成されている
各溝５を支点として材料基板１をその裏面から表面に向
けて折り割る。この材料基板を折り割る際、折り割る位
置には電極部に連続する金属薄膜はないので、電極部
（図示の陽極３の他、陰極６も含む）に圧縮力が働くこ
とはない。
【００３１】これにより、図７及び図８に示すように、
最終的に有機ＥＬ素子用基板２を得る。この有機ＥＬ素
子用基板２によれば、金属薄膜からなる電極（図示例で
は陽極３）の基板に対する密着性が強い。また、材料基
板から折り割る時に電極部（図示例では陽極３）に力が
加わっていないので、基板周囲にある電極部の残留応力
が極めて少ない。陰極６についても同様である。
最終的に有機ＥＬ素子用基板２を得る。この有機ＥＬ素
子用基板２によれば、金属薄膜からなる電極（図示例で
は陽極３）の基板に対する密着性が強い。また、材料基
板から折り割る時に電極部（図示例では陽極３）に力が
加わっていないので、基板周囲にある電極部の残留応力
が極めて少ない。陰極６についても同様である。
【００３２】以上のようにして得られた有機ＥＬ素子用
基板２を用いて有機ＥＬ素子を製造する。具体的には、
図９に示すように、有機ＥＬ素子用基板２の上面側に、
容器部１２を封着して外囲器を構成する。ここで、陽極
３の端部は、有機ＥＬ素子基板２の外周縁よりも距離ｄ
1 だけ内側に位置している。また、容器部１２の封着部
分の厚さは距離ｄ1 よりも小さいｔ1 とされている。従
って、容器部１２は基板２の表面に直接接着剤で固定さ
れる。剥がれかけた薄膜を間において基板２と容器部１
２を封着すると、その封止性には問題が生じやすいが、
本例ではそのような問題は生じない。なお、封着工程で
は、外囲器内が湿度の少ない特定雰囲気となるようにす
る。
基板２を用いて有機ＥＬ素子を製造する。具体的には、
図９に示すように、有機ＥＬ素子用基板２の上面側に、
容器部１２を封着して外囲器を構成する。ここで、陽極
３の端部は、有機ＥＬ素子基板２の外周縁よりも距離ｄ
1 だけ内側に位置している。また、容器部１２の封着部
分の厚さは距離ｄ1 よりも小さいｔ1 とされている。従
って、容器部１２は基板２の表面に直接接着剤で固定さ
れる。剥がれかけた薄膜を間において基板２と容器部１
２を封着すると、その封止性には問題が生じやすいが、
本例ではそのような問題は生じない。なお、封着工程で
は、外囲器内が湿度の少ない特定雰囲気となるようにす
る。
【００３３】上述した実施の形態では、陽極３と陰極６
の一部をレーザーで蒸発させて除去する前に、材料基板
１のレーザーを照射する部分以外は何らかのカバーによ
って覆うようにしてもよい。このように除去部分以外の
電極部と有機層５を覆っておけば、蒸発して周囲に飛散
した金属の付着による汚染を防止することができる。
の一部をレーザーで蒸発させて除去する前に、材料基板
１のレーザーを照射する部分以外は何らかのカバーによ
って覆うようにしてもよい。このように除去部分以外の
電極部と有機層５を覆っておけば、蒸発して周囲に飛散
した金属の付着による汚染を防止することができる。
【００３４】なお、上述した実施の形態においては、Ｘ
−Ｙマトリクス構造の電極部を有する有機ＥＬ素子用基
板２について説明したが、本発明はマトリクス構造の電
極部のみに限られるものではない。要するに、材料基板
から素子用基板を切り出す場合において、素子用基板の
電極部に連続するテスト用電極パターンが切り取りライ
ンＬを越えて素子用基板の外の材料基板に延設されてい
るような場合に適用することができる。
−Ｙマトリクス構造の電極部を有する有機ＥＬ素子用基
板２について説明したが、本発明はマトリクス構造の電
極部のみに限られるものではない。要するに、材料基板
から素子用基板を切り出す場合において、素子用基板の
電極部に連続するテスト用電極パターンが切り取りライ
ンＬを越えて素子用基板の外の材料基板に延設されてい
るような場合に適用することができる。
【００３５】また、上述した実施の形態においては、有
機ＥＬ素子用基板について説明したが、ＦＥＤ基板にも
適用できる。即ち、ＦＥＤ用基板を材料基板から折り取
る前に、Ｎｂ、Ａｌ、Ｗ、ＩＴＯ等からなる導電性薄膜
を切り取りラインＬ上から除去する。より具体的には、
ＦＥＤの陰極基板の製造においては、切り取りラインＬ
を越えて形成された陰極導体とゲート電極について除去
を行う。また、ＦＥＤの陽極基板の製造においては、切
り取りラインＬを越えて形成された陽極導体について除
去を行う。
機ＥＬ素子用基板について説明したが、ＦＥＤ基板にも
適用できる。即ち、ＦＥＤ用基板を材料基板から折り取
る前に、Ｎｂ、Ａｌ、Ｗ、ＩＴＯ等からなる導電性薄膜
を切り取りラインＬ上から除去する。より具体的には、
ＦＥＤの陰極基板の製造においては、切り取りラインＬ
を越えて形成された陰極導体とゲート電極について除去
を行う。また、ＦＥＤの陽極基板の製造においては、切
り取りラインＬを越えて形成された陽極導体について除
去を行う。
【００３６】特に、ＦＥＤの陰極基板と陽極基板につい
て本発明を適用すれば、微細なピッチで形成される陽極
導体や陰極導体について絶縁試験を行うことができる。
また金属薄膜がない両基板の周囲の部分で封着を行うこ
とができるので、素子内の密閉状態が向上し、エミッシ
ョン効率の向上及びエミッタコーンの損傷防止を図るこ
とできる。
て本発明を適用すれば、微細なピッチで形成される陽極
導体や陰極導体について絶縁試験を行うことができる。
また金属薄膜がない両基板の周囲の部分で封着を行うこ
とができるので、素子内の密閉状態が向上し、エミッシ
ョン効率の向上及びエミッタコーンの損傷防止を図るこ
とできる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明による表示素
子用基板の製造方法では、材料基板から表示素子用基板
を切り出す場合において、表示素子用基板の電極部に連
続するテスト用電極パターンが切り取りラインを越えて
表示素子用基板の外の材料基板に延設されている場合
に、この電極パターンの一部を除去して分断することに
より、切り取りラインで板を割った時に、電極部に張力
及び圧縮力が加わらないようにすることができる。これ
によって、電極部の界面剥離を防止することができる。
子用基板の製造方法では、材料基板から表示素子用基板
を切り出す場合において、表示素子用基板の電極部に連
続するテスト用電極パターンが切り取りラインを越えて
表示素子用基板の外の材料基板に延設されている場合
に、この電極パターンの一部を除去して分断することに
より、切り取りラインで板を割った時に、電極部に張力
及び圧縮力が加わらないようにすることができる。これ
によって、電極部の界面剥離を防止することができる。
【００３８】また、切り取りライン近傍の電極部を除去
するためにレーザーを用いれば、電極部を構成する金属
薄膜を蒸発除去することができ、材料基板を損傷するこ
となく不要な金属薄膜のみを除去することができる。
するためにレーザーを用いれば、電極部を構成する金属
薄膜を蒸発除去することができ、材料基板を損傷するこ
となく不要な金属薄膜のみを除去することができる。
【００３９】また、電極部の一部を除去する前に、除去
する前記一部以外の位置において前記材料基板を覆うこ
とにより、蒸発除去された電極部の構成材料が電極部等
に吸着して絶縁不良等の不都合を発生することが防止さ
れる。
する前記一部以外の位置において前記材料基板を覆うこ
とにより、蒸発除去された電極部の構成材料が電極部等
に吸着して絶縁不良等の不都合を発生することが防止さ
れる。
【００４０】また、表示素子用基板上に形成されている
電極部の端部が、表示素子用基板の外周縁より所定の間
隔をおいて内側に形成されることにより、内部が密閉さ
れた表示素子を製造でき、またこれによって表示素子自
体の耐湿性や寿命特性の向上及び素子内真空度の低下防
止することができる。
電極部の端部が、表示素子用基板の外周縁より所定の間
隔をおいて内側に形成されることにより、内部が密閉さ
れた表示素子を製造でき、またこれによって表示素子自
体の耐湿性や寿命特性の向上及び素子内真空度の低下防
止することができる。
【図１】本発明の実施の形態における材料基板の平面図
である。
である。
【図２】本発明の実施の形態における材料基板に設定さ
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、陽極を形成し
た状態を示す図である。
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、陽極を形成し
た状態を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における材料基板に設定さ
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、陽極の上に有
機層を形成した状態を示す図である。
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、陽極の上に有
機層を形成した状態を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態における材料基板に設定さ
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、有機層の上に
陰極を形成した状態を示す図である。
れた電極部形成領域の部分拡大図であり、有機層の上に
陰極を形成した状態を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態における材料基板の折り取
りの状況を示す斜視図である。
りの状況を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態における材料基板の折り取
りの状況を示す側面図である。
りの状況を示す側面図である。
【図７】本発明の実施の形態において得られた有機ＥＬ
素子用基板の端縁部を示す側面図である。
素子用基板の端縁部を示す側面図である。
【図８】本発明の実施の形態において得られた有機ＥＬ
素子用基板の平面図である。
素子用基板の平面図である。
【図９】本発明の実施の形態において得られた有機ＥＬ
素子用基板と容器部の封着工程を示す側面図である。
素子用基板と容器部の封着工程を示す側面図である。
【図１０】従来の材料基板の平面図である。
【図１１】従来の材料基板に設定された電極部形成領域
の部分拡大図であり、陽極を形成した状態を示す図であ
る。
の部分拡大図であり、陽極を形成した状態を示す図であ
る。
【図１２】従来の材料基板の折り取りの状況を示す斜視
図である。
図である。
【図１３】従来の材料基板の折り取りの状況を示す側面
図である。
図である。
【図１４】従来の製法で得られた有機ＥＬ素子用基板の
端縁部を示す側面図である。
端縁部を示す側面図である。
１…材料基板 ２…有機ＥＬ素子用基板 ３…陽極 ４…陽極用共通電極 ５…有機層 ６…陰極 ７…陰極用共通電極 Ｌ…切り取りライン
Claims (4)
- 【請求項１】 材料基板から表示素子用基板を切り出す
表示素子用基板の製造方法において、 前記材料基板上に設定された表示素子用基板の切り取り
ラインの内側に電極部を形成するとともに、前記電極部
に連続して前記切り取りラインの外側に引き出された電
極パターンを形成し、 前記電極パターンを用いて前記電極部の電気特性を検査
し、 前記切り取りラインにおいて前記電極パターンの一部を
除去し、 前記切り取りラインにおいて前記材料基板を切断して、
表示素子用基板を取り出すことを特徴とする表示素子用
基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記電極パターンの一部を除去する工程
を、レーザーで電極パターンを蒸発させることにより行
う請求項１記載の表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記電極パターンの一部を除去する前
に、除去する前記一部以外の位置において前記材料基板
を覆うことを特徴とする請求項１又は２記載の表示素子
用基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２又は３に記載の表示素子
用基板の製造方法により製造された表示素子用基板にお
いて、 前記電極部の端部が、前記表示素子用基板の外周縁より
所定の間隔をおいて内側に形成されていることを特徴と
する表示素子用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002113A JP2000200053A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002113A JP2000200053A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200053A true JP2000200053A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11520307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002113A Pending JP2000200053A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 表示素子用基板の製造方法及び表示素子用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200053A (ja) |
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-
1999
- 1999-01-07 JP JP11002113A patent/JP2000200053A/ja active Pending
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