JP2001326076A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents

有機el素子の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 透明電極と背面電極との間の短絡やリークを
生じさせず、有機EL素子を用いた表示パネルの歩留ま
りを向上させることが可能な有機EL素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】 積層体形成工程は、ガラス基板(支持基
板)2上に透明電極(第1電極)3を形成するととも
に、透明電極3上に有機層5及び金属製の背面電極(第
2電極)6を順次形成して積層体7aを得る。電極間絶
縁工程は、背面電極6の形成後に、積層体7aの改質
(UVオゾン処理)及び部分的除去を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも発光層
を有する有機層を第1電極と第2電極とで挟持した積層
体を、透光性の支持基板上に配設してなる有機EL(エ
レクトロルミネッセンス)素子の製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子を用いた表示パネルとして
は、ガラス材料からなる支持基板(透光性の支持基板)
上に、ITO(indium tin oxide)等によって陽極とな
る透明電極(第1電極)と、正孔注入層と、正孔輸送層
と、発光層と、電子輸送層と、陰極となるアルミニウム
(Al)等の非透光性の背面電極(第2電極)とを順次積
層形成して有機EL素子を形成し、この有機EL素子上
を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止キャップ(封
止部材)を前記支持基板上に紫外線(以下、UVとい
う)硬化性接着剤を介して気密的に配設することで構成
されるものである。
【0003】前記有機EL素子は、前記電極及び前記各
層を形成するに蒸着法もしくはスパッタリング法等の手
段が用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】かかる有機EL素子の
製造工程において、蒸着法もしくはスパッタリング法等
によって前記電極及び前記各層を形成する場合の真空槽
内に、数μm以下の塵やゴミ等の異物が混入することが
ある。従って、前記透明電極形成後に、前記透明電極上
に前記異物が付着し、前記異物が付着した状態にて前記
有機層を形成すると、膜厚が10nm〜100nmと非
常に薄い前記有機層が部分的に更に薄くなってしまい、
この有機層上に前記背面電極を堆積させると、前記透明
電極と前記背面電極とが短絡したり、あるいはリークが
生じる恐れがあり、前記有機層が発光しなくなることか
ら有機EL素子を用いた表示パネルの歩留まりが低下し
てしまうといった問題点を有している。
【0005】そこで、本発明は、透明電極と背面電極と
の間の短絡やリークの発生を抑制し、有機EL素子を用
いた表示パネルの歩留まりを向上させることが可能な有
機EL素子の製造方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、少なくとも発光層を有する有機層を第1電
極と第2電極とで挟持した積層体を、透光性の支持基板
上に配設してなる有機EL素子の製造方法であって、前
記支持基板上に透光性の前記第1電極を形成するととも
に、前記第1電極上に前記有機層及び金属製の前記第2
電極を順次形成する積層体形成工程と、前記第2電極の
形成後に、前記積層体の改質もしくは部分的除去の少な
くとも一方を行う電極間絶縁工程と、を含むことを特徴
とするものである。
【0007】また、前記電極間絶縁工程は、紫外線オゾ
ン処理もしくは酸素プラズマ処理によって前記第1電極
と第2電極との間を絶縁してなるものである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に記載した表示パネルに基づき説明する。
【0009】図1において、表示パネル1は、ガラス基
板(支持基板)2上に、透明電極(第1電極)3,絶縁
層4,有機層5及び背面電極(第2電極)6を順次積層
形成してなる積層体7aを封止キャップ8によって覆っ
てなる。
【0010】ガラス基板2は、長方形形状からなる透光
性の支持基板である。
【0011】透明電極3は、ガラス基板2上にITO等
の導電性材料によって構成され、日の字型の表示セグメ
ント部3aと、個々のセグメントからそれぞれ引き出し
形成されたリード部3bと、リード部3bの終端部に設
けられる電極部3cとを備えている。尚、電極部3c
は、ガラス基板2の一辺に集中的に配設されている。
【0012】絶縁層4は、ポリイミド系等の絶縁材料か
らなり、表示セグメント部3aに対応した窓部4aと、
背面電極6の後述する電極部に対応する切り欠き部4b
とを有し、発光領域の輪郭を鮮明に表示するため、透明
電極3の表示セグメント部11の周縁部と若干重なるよ
うに窓部4aが形成され、また、透明電極3と背面電極
6との絶縁を確保するためにリード部3b上を覆うよう
に配設される。
【0013】有機層5は、少なくとも発光層を有するも
のであれば良いが、本発明の実施の形態においては正孔
注入層,正孔輸送層,発光層及び電子輸送層を順次積層
形成してなるものである。有機層5は、絶縁層4におけ
る窓部4aの形成箇所に対応するように所定の大きさを
もって配設される。
【0014】背面電極6は、アルミ(Al)やアルミリチ
ウム(Al-Li),マグネシウム銀(Mg-Ag)等の金属性の
導電性材料から構成され、有機層5上に配設される。背
面電極6は、透明電極3における各電極部3cが形成さ
れるガラス基板2の一辺に設けられるリード部6aと電
気的に接続される。尚、リード部6aの終端部には、電
極部(引き出し部)6bが設けられ、リード部6a及び
電極部6bは透明電極3と同材料により形成される。
【0015】以上のように、ガラス基板2上に透明電極
3と絶縁層4と有機層5と背面電極6とを順次積層して
積層体7aを得ることによって有機EL素子7が構成さ
れる。
【0016】封止キャップ8は、積層体7aを収納する
ための凹部形状の収納部8aを有し、透明電極3の電極
部3b及び背面電極6の電極部6aが露出するようにガ
ラス基板2よりも若干小さ目に構成されている。封止キ
ャップ8は、ガラス基板2上にUV硬化型の接着剤9に
よって気密的に配設される。
【0017】以上の各部によって表示パネル1が構成さ
れる。
【0018】次に、図3を用いて本発明の特徴となる有
機EL素子1の製造方法を説明すると、先ず、蒸着及び
エッチング処理を適宜行うことで、ガラス基板2上に透
明電極3,絶縁層4,有機層5及び背面電極6を順次積
層形成し、所定の発光形状の積層体7aを得る(積層体
形成工程)。
【0019】次に、有機EL素子7を酸素(O↓2)雰囲
気中に曝し、背面電極6の形成面側からUV照射装置1
0を用いてUVを照射するUVオゾン処理を施すことに
よって有機EL素子7を得る(電極間絶縁工程)。
【0020】次に、真空層内にて、ガラス基板2上に封
止ガラス8をUV硬化型接着剤9を介し配設し、UVを
照射することによって積層体7aを気密的に封止する。
【0021】前述した製造方法で最も特徴となる点は、
ガラス基板2上に透明電極3,絶縁層4,有機層5及び
背面電極6を順次積層形成して積層体7aを得た後、U
Vオゾン処理を施すことにある。
【0022】従って、従来の製造方法では、図4に示す
ように、ガラス基板2上に透明電極3を形成後、周囲雰
囲気中の塵やゴミ等の微少(数μm以下)の異物11が
透明電極3上に付着し、異物11が付着した状態の透明
電極3上に有機層5を堆積させると、膜厚が10nm〜
100nmと非常に薄い有機層5が部分的に更に薄くな
ってしまい、この有機層5上に背面電極6を堆積させる
と、有機層5が部分的に薄くなった箇所(丸印にて示さ
れている部分)において、透明電極3と背面電極6とが
短絡したり、あるいはリークが生じる恐れがある部位1
2が形成されることになる。よって、この部位12にお
いて、短絡及びリークが生じると表示セグメント3aに
おける個々のセグメント単位での発光作用が無くなり、
表示パネル1の歩留まり低下させてしまうことになる。
【0023】これに対し本発明の製造方法は、図5に示
すように、背面電極6を形成した後にUVオゾン処理を
施すことによって、部位12において、有機層5の一部
分が除去されることで背面電極6と透明電極3との隙間
を確保し、また背面電極6は酸化されて不導体となる、
所謂改質が生じることになるため、透明電極3と背面電
極6との間の短絡やリークの発生を抑制することができ
る。よって、UVオゾン処理は、電極間(透明電極3と
背面電極6との間)における絶縁性を確保する工程とな
る(電極間絶縁工程)。
【0024】尚、前述した実施の形態において、異物1
1が付着した領域は、非発光領域となる所謂ピンホール
となるが、異物11の大きさ、即ちピンホールの大きさ
は数μm程度で可視範囲ではなく、表示パネル1として
の表示品位を低下させるものではない。
【0025】かかる製造方法は、有機EL素子7におけ
る背面電極6の形成後に、UVオゾン処理を施すことに
よって、透明電極3上に異物11が付着した場合でも透
明電極3と背面電極6との間で短絡及びリークの発生を
抑制することが可能となり、有機EL素子7を用いた表
示パネル1の歩留まりを向上させることが可能となる。
【0026】また、前述した実施の形態の表示パネル1
のように、封止キャップ8をガラス基板2と接合するた
めにUV硬化型接着剤9が用いられる場合は、電極間絶
縁工程として行われるUVオゾン処理において、同一の
UV照射装置10を用いることが可能となることから専
用の装置を必要とせず、電極間絶縁工程を行うことによ
って製品コストを増加させることはない。
【0027】尚、本発明の実施の形態では、UVオゾン
処理を行うことによって積層体7aにおける、部分的除
去(有機層5における部分的除去)と、改質(背面電極
6における酸化処理)とを行ったが、他の方法として
は、酸素雰囲気中におけるプラズマ処理(酸素プラズマ
処理)によって積層体7aにおける部分的除去及び改質
を得ることが可能となる。
【0028】また、本発明の実施の形態では、UVプラ
ズマ処理を行うことによって積層体7aにおける改質及
び部分的除去を行うようにしているが、本発明は、積層
体7aにおいて改質もしくは部分的除去の少なくとも一
方を行うようにしても良い。積層体7aの部分的除去の
みであれば、トルエンやキシレン等の芳香族炭化水素
や、メタノール,イソプロピルアルコール等のアルコー
ル類等の有機溶媒を用い、この有機溶媒の蒸気に所定時
間曝すことで可能となる。
【0029】また、本発明の有機EL素子の製造方法に
あっては、有機膜4がUVオゾンに直接曝されてしまう
場合は、マスク部材を背面電極6上に配設した後にUV
を照射することが望ましい。
【0030】
【発明の効果】本発明は、少なくとも発光層を有する有
機層を第1電極と第2電極とで挟持した積層体を、透光
性の支持基板上に配設してなる有機EL素子の製造方法
に関し、前記積層体を形成後にUVオゾン処理あるいは
酸素プラズマ処理を施すことによって、前記第1電極と
前記第2との絶縁を確保できることから、両電極間にお
ける短絡及びリークの発生を抑制することが可能とな
り、有機EL素子を用いた表示パネルの歩留まりを向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の表示パネルを示す斜視
図。
【図2】同上実施の形態の表示パネルの部分断面図。
【図3】同上実施の形態の有機EL素子の製造工程を示
す図。
【図4】従来の製造工程における有機EL素子を示す要
部拡大断面図。
【図5】本発明の実施の形態の製造工程における有機E
L素子を示す要部拡大断面図。
【符号の説明】
2 ガラス基板(支持基板) 3 透明電極(第1電極) 5 有機層 6 背面電極 7 有機EL素子 7a 積層体 11 異物

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも発光層を有する有機層を第1
    電極と第2電極とで挟持した積層体を、透光性の支持基
    板上に配設してなる有機EL素子の製造方法であって、 前記支持基板上に透光性の前記第1電極を形成するとと
    もに、前記第1電極上に前記有機層及び金属製の前記第
    2電極を順次形成する積層体形成工程と、前記第2電極
    の形成後に、前記積層体の改質もしくは部分的除去の少
    なくとも一方を行う電極間絶縁工程と、を含むことを特
    徴とする有機EL素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記電極間絶縁工程は、紫外線オゾン処
    理もしくは酸素プラズマ処理によって前記第1電極と第
    2電極との間を絶縁してなることを特徴とする請求項1
    に記載の有機EL素子の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040039790A (ko) * 2002-11-04 2004-05-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100491146B1 (ko) * 2002-11-04 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
DE102004031071B4 (de) * 2004-06-22 2008-04-30 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Behandlung einer organischen Leuchtdiode (OLED) zur Verlängerung der Lebensdauer
US7553207B2 (en) 2004-06-22 2009-06-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same
US7863601B2 (en) 2005-10-20 2011-01-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display, method of fabricating the same, and mobile display including the organic light emitting display
JP2013073813A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040039790A (ko) * 2002-11-04 2004-05-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100491146B1 (ko) * 2002-11-04 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
DE102004031071B4 (de) * 2004-06-22 2008-04-30 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Behandlung einer organischen Leuchtdiode (OLED) zur Verlängerung der Lebensdauer
US7553207B2 (en) 2004-06-22 2009-06-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same
US7863601B2 (en) 2005-10-20 2011-01-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display, method of fabricating the same, and mobile display including the organic light emitting display
JP2013073813A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法

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