JP2001326076A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
生じさせず、有機EL素子を用いた表示パネルの歩留ま
りを向上させることが可能な有機EL素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】 積層体形成工程は、ガラス基板(支持基
板)2上に透明電極(第1電極)3を形成するととも
に、透明電極3上に有機層5及び金属製の背面電極(第
2電極)6を順次形成して積層体7aを得る。電極間絶
縁工程は、背面電極6の形成後に、積層体7aの改質
(UVオゾン処理)及び部分的除去を行う。
Description
を有する有機層を第1電極と第2電極とで挟持した積層
体を、透光性の支持基板上に配設してなる有機EL(エ
レクトロルミネッセンス)素子の製造方法に関するもの
である。
は、ガラス材料からなる支持基板(透光性の支持基板)
上に、ITO(indium tin oxide)等によって陽極とな
る透明電極(第1電極)と、正孔注入層と、正孔輸送層
と、発光層と、電子輸送層と、陰極となるアルミニウム
(Al)等の非透光性の背面電極(第2電極)とを順次積
層形成して有機EL素子を形成し、この有機EL素子上
を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止キャップ(封
止部材)を前記支持基板上に紫外線(以下、UVとい
う)硬化性接着剤を介して気密的に配設することで構成
されるものである。
層を形成するに蒸着法もしくはスパッタリング法等の手
段が用いられる。
製造工程において、蒸着法もしくはスパッタリング法等
によって前記電極及び前記各層を形成する場合の真空槽
内に、数μm以下の塵やゴミ等の異物が混入することが
ある。従って、前記透明電極形成後に、前記透明電極上
に前記異物が付着し、前記異物が付着した状態にて前記
有機層を形成すると、膜厚が10nm〜100nmと非
常に薄い前記有機層が部分的に更に薄くなってしまい、
この有機層上に前記背面電極を堆積させると、前記透明
電極と前記背面電極とが短絡したり、あるいはリークが
生じる恐れがあり、前記有機層が発光しなくなることか
ら有機EL素子を用いた表示パネルの歩留まりが低下し
てしまうといった問題点を有している。
の間の短絡やリークの発生を抑制し、有機EL素子を用
いた表示パネルの歩留まりを向上させることが可能な有
機EL素子の製造方法を提供するものである。
決するため、少なくとも発光層を有する有機層を第1電
極と第2電極とで挟持した積層体を、透光性の支持基板
上に配設してなる有機EL素子の製造方法であって、前
記支持基板上に透光性の前記第1電極を形成するととも
に、前記第1電極上に前記有機層及び金属製の前記第2
電極を順次形成する積層体形成工程と、前記第2電極の
形成後に、前記積層体の改質もしくは部分的除去の少な
くとも一方を行う電極間絶縁工程と、を含むことを特徴
とするものである。
ン処理もしくは酸素プラズマ処理によって前記第1電極
と第2電極との間を絶縁してなるものである。
図面に記載した表示パネルに基づき説明する。
板(支持基板)2上に、透明電極(第1電極)3,絶縁
層4,有機層5及び背面電極(第2電極)6を順次積層
形成してなる積層体7aを封止キャップ8によって覆っ
てなる。
性の支持基板である。
の導電性材料によって構成され、日の字型の表示セグメ
ント部3aと、個々のセグメントからそれぞれ引き出し
形成されたリード部3bと、リード部3bの終端部に設
けられる電極部3cとを備えている。尚、電極部3c
は、ガラス基板2の一辺に集中的に配設されている。
らなり、表示セグメント部3aに対応した窓部4aと、
背面電極6の後述する電極部に対応する切り欠き部4b
とを有し、発光領域の輪郭を鮮明に表示するため、透明
電極3の表示セグメント部11の周縁部と若干重なるよ
うに窓部4aが形成され、また、透明電極3と背面電極
6との絶縁を確保するためにリード部3b上を覆うよう
に配設される。
のであれば良いが、本発明の実施の形態においては正孔
注入層,正孔輸送層,発光層及び電子輸送層を順次積層
形成してなるものである。有機層5は、絶縁層4におけ
る窓部4aの形成箇所に対応するように所定の大きさを
もって配設される。
ウム(Al-Li),マグネシウム銀(Mg-Ag)等の金属性の
導電性材料から構成され、有機層5上に配設される。背
面電極6は、透明電極3における各電極部3cが形成さ
れるガラス基板2の一辺に設けられるリード部6aと電
気的に接続される。尚、リード部6aの終端部には、電
極部(引き出し部)6bが設けられ、リード部6a及び
電極部6bは透明電極3と同材料により形成される。
3と絶縁層4と有機層5と背面電極6とを順次積層して
積層体7aを得ることによって有機EL素子7が構成さ
れる。
ための凹部形状の収納部8aを有し、透明電極3の電極
部3b及び背面電極6の電極部6aが露出するようにガ
ラス基板2よりも若干小さ目に構成されている。封止キ
ャップ8は、ガラス基板2上にUV硬化型の接着剤9に
よって気密的に配設される。
れる。
機EL素子1の製造方法を説明すると、先ず、蒸着及び
エッチング処理を適宜行うことで、ガラス基板2上に透
明電極3,絶縁層4,有機層5及び背面電極6を順次積
層形成し、所定の発光形状の積層体7aを得る(積層体
形成工程)。
気中に曝し、背面電極6の形成面側からUV照射装置1
0を用いてUVを照射するUVオゾン処理を施すことに
よって有機EL素子7を得る(電極間絶縁工程)。
止ガラス8をUV硬化型接着剤9を介し配設し、UVを
照射することによって積層体7aを気密的に封止する。
ガラス基板2上に透明電極3,絶縁層4,有機層5及び
背面電極6を順次積層形成して積層体7aを得た後、U
Vオゾン処理を施すことにある。
ように、ガラス基板2上に透明電極3を形成後、周囲雰
囲気中の塵やゴミ等の微少(数μm以下)の異物11が
透明電極3上に付着し、異物11が付着した状態の透明
電極3上に有機層5を堆積させると、膜厚が10nm〜
100nmと非常に薄い有機層5が部分的に更に薄くな
ってしまい、この有機層5上に背面電極6を堆積させる
と、有機層5が部分的に薄くなった箇所(丸印にて示さ
れている部分)において、透明電極3と背面電極6とが
短絡したり、あるいはリークが生じる恐れがある部位1
2が形成されることになる。よって、この部位12にお
いて、短絡及びリークが生じると表示セグメント3aに
おける個々のセグメント単位での発光作用が無くなり、
表示パネル1の歩留まり低下させてしまうことになる。
すように、背面電極6を形成した後にUVオゾン処理を
施すことによって、部位12において、有機層5の一部
分が除去されることで背面電極6と透明電極3との隙間
を確保し、また背面電極6は酸化されて不導体となる、
所謂改質が生じることになるため、透明電極3と背面電
極6との間の短絡やリークの発生を抑制することができ
る。よって、UVオゾン処理は、電極間(透明電極3と
背面電極6との間)における絶縁性を確保する工程とな
る(電極間絶縁工程)。
1が付着した領域は、非発光領域となる所謂ピンホール
となるが、異物11の大きさ、即ちピンホールの大きさ
は数μm程度で可視範囲ではなく、表示パネル1として
の表示品位を低下させるものではない。
る背面電極6の形成後に、UVオゾン処理を施すことに
よって、透明電極3上に異物11が付着した場合でも透
明電極3と背面電極6との間で短絡及びリークの発生を
抑制することが可能となり、有機EL素子7を用いた表
示パネル1の歩留まりを向上させることが可能となる。
のように、封止キャップ8をガラス基板2と接合するた
めにUV硬化型接着剤9が用いられる場合は、電極間絶
縁工程として行われるUVオゾン処理において、同一の
UV照射装置10を用いることが可能となることから専
用の装置を必要とせず、電極間絶縁工程を行うことによ
って製品コストを増加させることはない。
処理を行うことによって積層体7aにおける、部分的除
去(有機層5における部分的除去)と、改質(背面電極
6における酸化処理)とを行ったが、他の方法として
は、酸素雰囲気中におけるプラズマ処理(酸素プラズマ
処理)によって積層体7aにおける部分的除去及び改質
を得ることが可能となる。
ズマ処理を行うことによって積層体7aにおける改質及
び部分的除去を行うようにしているが、本発明は、積層
体7aにおいて改質もしくは部分的除去の少なくとも一
方を行うようにしても良い。積層体7aの部分的除去の
みであれば、トルエンやキシレン等の芳香族炭化水素
や、メタノール,イソプロピルアルコール等のアルコー
ル類等の有機溶媒を用い、この有機溶媒の蒸気に所定時
間曝すことで可能となる。
あっては、有機膜4がUVオゾンに直接曝されてしまう
場合は、マスク部材を背面電極6上に配設した後にUV
を照射することが望ましい。
機層を第1電極と第2電極とで挟持した積層体を、透光
性の支持基板上に配設してなる有機EL素子の製造方法
に関し、前記積層体を形成後にUVオゾン処理あるいは
酸素プラズマ処理を施すことによって、前記第1電極と
前記第2との絶縁を確保できることから、両電極間にお
ける短絡及びリークの発生を抑制することが可能とな
り、有機EL素子を用いた表示パネルの歩留まりを向上
させることができる。
図。
す図。
部拡大断面図。
L素子を示す要部拡大断面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも発光層を有する有機層を第1
電極と第2電極とで挟持した積層体を、透光性の支持基
板上に配設してなる有機EL素子の製造方法であって、 前記支持基板上に透光性の前記第1電極を形成するとと
もに、前記第1電極上に前記有機層及び金属製の前記第
2電極を順次形成する積層体形成工程と、前記第2電極
の形成後に、前記積層体の改質もしくは部分的除去の少
なくとも一方を行う電極間絶縁工程と、を含むことを特
徴とする有機EL素子の製造方法。 - 【請求項2】 前記電極間絶縁工程は、紫外線オゾン処
理もしくは酸素プラズマ処理によって前記第1電極と第
2電極との間を絶縁してなることを特徴とする請求項1
に記載の有機EL素子の製造方法。
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-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000149792A patent/JP3565263B2/ja not_active Expired - Lifetime
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