CN114023802A

CN114023802A - 显示面板及其制作方法

Info

Publication number: CN114023802A
Application number: CN202111304955.2A
Authority: CN
Inventors: 李银川; 张峰; 毛帅英
Original assignee: Yungu Guan Technology Co Ltd
Current assignee: Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date: 2021-11-05
Filing date: 2021-11-05
Publication date: 2022-02-08

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制作方法，所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域，所述显示面板还包括：基板；焊盘，所述焊盘设置于所述基板的一侧，位于所述周边区域中，所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁，所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出；以及隔离层，所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上；其中，表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。在像素电极图案化制程中，隔离层能够有效避免焊盘暴露于蚀刻液中，避免蚀刻液中的银离子析出而导致暗点缺陷的发生，提升显示面板的显示品质和制程良率。

Description

显示面板及其制作方法

技术领域

本发明属于图像显示技术领域，特别关于一种显示面板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。OLED显示设备是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合至其后逐渐消失的激发态来发光。

与其他类型的显示装置相比，由于其诸如功耗相对低、亮度相对高以及响应速度相对快的高质量特性，OLED显示设备作为下一代显示器而备受关注。

OLED显示设备的显示面板可以包括多个薄膜晶体管和发光的有机发光二极管，利用多个光掩模通过光刻工艺（或者图案化制程）来制造薄膜晶体管和有机发光二极管。其中，在光刻工艺期间，显示面板的焊盘的金属层中活泼的金属元素容易与蚀刻液中离子态的金属例如：银(Ag)离子反应，致使离子态的金属析出形成金属颗粒，而这种析出的金属颗粒容易导致暗点等显示异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，用于克服光刻工艺期间，蚀刻液对焊盘区域的影响，导致的暗点等显示异常。

本发明技术方案提供了一种显示面板，所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域，所述显示面板还包括：基板；焊盘，所述焊盘设置于所述基板的一侧，位于所述周边区域中，所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁，所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出；以及隔离层，所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上；其中，表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。

作为可选的技术方案，所述焊盘至少包括含铝的中间层，所述含铝的中间层的边缘经表面处理形成氧化铝隔离层。

作为可选的技术方案，所述基板的一侧还设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述图像显示区域中，所述薄膜晶体管包括自下而上层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；所述焊盘包括第一焊盘层和第二焊盘层，所述第二焊盘层覆盖于所述第一焊盘层上方；所述第一焊盘层、所述源电极和所述漏电极分别设置于所述层间绝缘层上；所述第一焊盘层具有第一侧壁；所述第二焊盘层具有第二侧壁；其中，表面处理所述第一侧壁的外侧表面和所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层；或者，所述第二侧壁突出于所述第一侧壁，表面处理所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层。

作为可选的技术方案，所述显示面板还包括自下而上层叠设置的第一平坦层、接触电极、第二平坦层和像素电极，所述第一平坦层、所述接触电极、所述第二平坦层和所述像素电极分别位于所述图像显示区域中；所述第一平坦层位于所述薄膜晶体管的上方，所述第二焊盘层位于和所述接触电极所形成的层相同的层上。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域，所述显示面板的制作方法包括：

提供基板，所述基板的一侧形成有焊盘，所述焊盘位于所述周边区域；

形成平坦层于所述基板的一侧，所述平坦层覆盖所述焊盘；

图案化所述平坦层形成第一隔绝图案，所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上，且使得所述焊盘的侧壁暴露出，所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出；以及

表面处理所述侧壁的外侧表面，于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层。

作为可选的技术方案，还包括：

于所述平坦层上方形成导电材料层；

图案化所述导电材料层形成像素电极，所述像素电极位于所述图像显示区域中；以及

移除所述第一隔绝图案，以使所述焊盘的顶面暴露出。

作为可选的技术方案，图案化所述平坦层形成第一隔绝图案，所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上，且使得所述焊盘的侧壁暴露的步骤包括：

图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分，形成隔绝图案，所述隔绝图案包括第一隔绝图案和第二隔绝图案，所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面，所述第二隔绝图案覆盖于所述焊盘的侧壁的外侧表面上；以及移除所述第二隔绝图案，以使所述焊盘的侧壁暴露出；其中，所述第一隔绝图案的膜层厚度大于等于所述第二隔绝图案的膜层厚度的两倍。

作为可选的技术方案，采用半色调掩膜图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分，形成所述隔绝图案。

作为可选的技术方案，表面处理所述侧壁的外侧表面，并于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层的步骤包括：

所述焊盘至少包括含铝的中间层，所述含铝的中间层的边缘位于所述外侧表面上；表面处理所述含铝的中间层的边缘，形成所述隔离层，所述隔离层为氧化铝隔离层。

作为可选的技术方案，所述焊盘还包括含钛的第一层和含钛的第二层，所述含钛的第一层和所述含钛的第二层分别位于所述含铝的中间层相对的两侧，所述第一隔绝图案覆盖所述含钛的第一层的上方。

与现有技术相比，本发明提供一种显示面板及其制作方法，显示面板中围绕图像显示区域的周边区域中设有焊盘，焊盘的侧壁经表面处理后形成有隔离层，在像素电极图案化制程中，隔离层能够有效避免焊盘暴露于像素电极的蚀刻液中，避免蚀刻液中的银离子析出而导致暗点缺陷的发生，提升显示面板的显示品质和制程良率。

另外，焊盘的侧壁的表面处理是在焊盘的顶面被第一隔绝图案保护的情况下进行，因此，焊盘的侧壁表面处理不会影响后续焊盘的顶面与其他电气元件的正常邦定。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的显示面板的部分区域的剖面示意图。

图2为本发明提供的显示面板的俯视视角的示意图。

图3为图2中显示面板的部分区域的剖面示意图。

图4为本发明提供的显示面板的制作方法的流程图。

图5至图24为图3中显示面板的制作过程的剖面示意图。

图25为本发明另一实施例中提供的显示面板的部分区域的剖面示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

如图1所示，现有的显示面板通常包括图像显示区域和位于图像显示区域外围的周边区域，多个像素Pixel位于图像显示区域中，多个焊盘4位于周边区域中。

显示面板还包括基板1、薄膜晶体管TFT、电容单元C、层间绝缘层2、接触电极3、焊盘4、平坦层5和像素电极6；其中，焊盘4和接触电极3可在同一道图案制程中形成，即，焊盘4位于和接触电极3所形成的层相同的层上；平坦层5和像素电极6形成在焊盘4和接触电极3的图案化制程之后。

在平坦层5上进行图案化制程形成像素电极6的过程中，焊盘4暴露于像素电极6的蚀刻液中，焊盘4中活泼的金属例如铝(Al)，与蚀刻液中离子态的金属例如：银(Ag)离子反应，置换出单质银(Ag)，单质银(Ag)析出后形成银颗粒，银颗粒在后续制程中，与蒸镀有机发光二极管的阴极膜层发生短路，进而导致显示面板出现暗点等不良发生。

为了避免焊盘因接触蚀刻液导致的单质银析出的问题，本发明提供一种显示面板及其制作方法，蚀刻形成像素电极的过程中，焊盘侧壁上的隔离层避免焊盘中活泼的金属接触蚀刻液导致的蚀刻液中的金属银(Ag)离子析出，克服了因金属银(Ag)离子析出形成的银颗粒造成的显示面板出现暗点等不良的问题。

如图2所示，本发明一实施例中提供一种显示面板100，其包括图像显示区域110和围绕图像显示区域110的周边区域120，图像显示区域110具有多个像素设置区域PA，用于图像显示的多个像素分别形成于多个像素设置区域PA中；周边区域120具有焊盘设置区域PAD，多个焊盘121设置于焊盘设置区域PAD中。

如图2和图3所示，显示面板100还包括基板10、焊盘121和隔离层130，焊盘121设置于基板10的一侧，位于周边区域120中，焊盘121包括顶面121c 和围绕顶面121c 设置的侧壁，侧壁自基板10朝向顶面121c突出；隔离层130覆盖于侧壁的外侧表面上；其中，表面处理侧壁的外侧表面形成隔离层130。

本实施例中，在焊盘121的侧壁的外侧表面进行表面处理，形成隔离层130，隔离层130为致密的氧化物膜层和/或氮化物膜层，具有高的耐腐蚀性，当其接触图案化制程中的蚀刻液时，不与蚀刻液中离子态的金属例如金属银(Ag)离子反应，避免了金属银(Ag)的析出。换言之，由于隔离层130位于外侧表面，因此，隔绝了焊盘121内部的活泼金属和蚀刻液中离子态的金属例如金属银(Ag)离子接触，避免了金属银(Ag)离子的析出，降低了因金属银(Ag)离子析出形成的银颗粒造成的显示面板出现暗点等不良的发生概率。

在一优选的实施方式中，焊盘121包括含铝的中间层1212，隔离层130为含铝的中间层1212的边缘经表面处理形成的氧化铝隔离层。

继续参照图2和图3所示，显示面板100的基板10的一侧还设有薄膜晶体管TFT，其位于图像显示区域110中，薄膜晶体管TFT包括自下而上层叠设置的有源层30、栅极绝缘层40、栅电极50、层间绝缘层70、源电极81和漏电极82；焊盘121包括第一焊盘层121a和覆盖于第一焊盘层121a上方的第二焊盘层121b；第一焊盘层121a、源电极81和漏电极82分别形成于层间绝缘层70的上方；其中，第二焊盘层121b的第二侧壁121d突出于第一焊盘层121a的第二侧壁，表面处理第二焊盘层121b的第二侧壁121d暴露的外侧表面形成隔离层130。

在本发明其他实施例中，第二焊盘层的第二侧壁和第一焊盘层的第一侧壁分别暴露出，此时，对第二侧壁的外侧表面和第一侧壁的外侧表面共同进行表面处理形成隔离层。

如图25所示，本发明另一实施例中提供一种显示面板200，显示面板200和显示面板100（如图3所示）的区别在于，显示面板200的周边区域中的焊盘221的结构与显示面板100的周边区域120中的焊盘121的结构不同。另外，图25中与图3中相同的标号代表相同的元件，具有相似的功能，不另赘述。

具体来讲，焊盘221为双层结构，包括第一焊盘层221a和设置于第一焊盘层221a上方的第二焊盘层221b，第一焊盘层221a的第一侧壁221c和第二焊盘层的第二侧壁221d分别暴露出，表面处理第一侧壁221c和第二侧壁221d共同形成隔离层230。

如图3和图25所示，显示面板100、200中的焊盘121、221分别包括第一焊盘层121a、121b和形成在第一焊盘层121a、221a上方的第二焊盘层121b、221b，但不以此为限。在本发明其他实施例中，焊盘还可以是只包括第一焊盘层或者第二焊盘层的其中之一。

如图3所示，显示面板100的像素区域PA中还包括自下而上设置的第一平坦层90、接触电极101、第二平坦层91和像素电极102，接触电极101的下部接触薄膜晶体管TFT的漏极82，接触电极101的上部接触像素电极102；其中，第二焊盘层121b位于和接触电极101所形成的层相同的层上。

换言之，第二焊盘层121b和接触电极101在同一图案化制程中形成。

如图4所示，本发明还提供一种显示面板的制作方法300，其包括：

提供基板，基板的一侧形成有焊盘，焊盘位于显示面板的周边区域中；

形成平坦层于基板的一侧，平坦层覆盖焊盘；

图案化平坦层形成第一隔绝图案，第一隔绝图案覆盖于焊盘的顶面上，且使得焊盘的侧壁暴露出，侧壁自基板朝向顶面突出；以及

表面处理侧壁的外侧表面，于侧壁的外侧表面上形成隔离层。

在一较佳的实施方式中，显示面板的制作方法300还包括：

在平坦层上方形成导电材料层；

图案化导电材料层形成像素电极，像素电极位于显示面板的图像显示区域中；以及

移除第一隔绝图案，使得焊盘的顶面暴露出。

本发明提供的显示面板的制作方法300中，将平坦层材料整面涂覆至基板的一侧形成覆盖焊盘的平坦层，图案化平坦层形成覆盖焊盘的顶面的第一隔绝图案，并使得焊盘的侧壁暴露出，表面处理焊盘的侧壁形成隔离层，在图案化制作像素电极的过程中，由于隔离层的隔绝作用，焊盘中活泼的金属不与像素电极蚀刻液中银（Ag）离子接触，避免银析出导致的暗点等不良的发生。

另外，由于第一隔绝图案在像素电极形成后被移除，焊盘的顶面重新暴露出，因此，不影响后续制程中，焊盘通过顶面和其他电气元件进行电性导通。

以图3中所示的显示面板100为例，结合图5至图24详细说明图4中的显示面板的制作方法300。

如图5所示，提供基板10，缓冲层20形成在基板10一侧的表面上，有源层30形成在缓冲层20的上方。

基板10可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺（PI）等制成的柔性塑料基板。其中，基板10聚酰亚胺（PI）柔性塑料基板时，其还包括设置于聚酰亚胺（PI）背侧的支撑层，背侧例如是远离显示面板100的出光方向。在本发明其他实施例中，基板还可以是透明玻璃基板。

缓冲层20设置在基板10一侧的表面上，以使基板10一侧的表面平坦化并防止杂质元素渗透到基板10中。缓冲层20可以由无机材料（诸如氮化硅和/或氧化硅）的单层或多层形成。

有源层30可以由包括非晶硅或晶体硅的半导体形成，但是不限于此。例如，有源层30可以包括氧化物半导体。有源层30包括沟道区域31以及分别设置在沟道区域31两侧的源极区域32和漏极区域33。源极区域32和漏极区域33掺杂有离子杂质。

如图6所示，栅极绝缘层40形成于有源层30的上方，整面覆盖于基板10的一侧。栅极绝缘层40可以由二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiNx）、氧氮化硅（SiON）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO₂）、氧化钽（Ta₂O₅）、氧化铪（HfO₂）、氧化锆（ZrO₂）、钛酸锶钡（BST）或锆钛酸铅（PZT）等无机材料形成。

如图7所示，栅电极50和电容单元C的第一电容电极51分别位于栅极绝缘层40的上方。其中，第一电容电极51，设置在与栅电极50所形成的的层相同的层上。

栅电极50例如是选自于由铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、银（Ag）、镁（Mg）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）、钼（Mo）、钛（Ti）、钨（W）和铜（Cu）组成的群组中的至少一种金属的单层结构或多层结构。

如图8所示，电容绝缘层60形成于栅电极50和第一电容电极51的上方。

电容绝缘层60例如是由二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiNx）、氧氮化硅（SiON）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO₂）、氧化钽（Ta₂O₅）、氧化铪（HfO₂）、氧化锆（ZrO₂）、钛酸锶钡（BST）或锆钛酸铅（PZT）等无机材料形成。

如图9所示，电容单元C的第二电容电极52形成于电容绝缘层60的上方，第二电容电极52在基板10上的投影和第一电容电极51在基板10上的投影重合。

如图10所示，层间绝缘层70形成于电容绝缘层60的上方，且覆盖第二电容电极52的上表面。

层间绝缘层70例如是由二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiNx）、氧氮化硅（SiON）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO₂）、氧化钽（Ta₂O₅）、氧化铪（HfO₂）、氧化锆（ZrO₂）、钛酸锶钡（BST）或锆钛酸铅（PZT）等无机材料形成。

如图11所示，蚀刻层间绝缘层70和电容绝缘层60分别形成第一接触孔S1和第二接触孔S2，有源层30的源极区域32自第一接触孔S1中暴露出；有源层30的漏极区域33自第二接触孔S2中暴露出。

如图2、图3、图11和图12所示，于图像显示区域110中形成源电极81于第一接触孔S1中，以及，形成漏电极82于第二接触孔S2中；于周边区域120中形成第一焊盘层121a。其中，源电极81的下部接触源极区域32；漏电极82的下部接触漏极区域33。

第一焊盘层121a，设置于与源电极81和漏电极82所形成的层相同的层上。

源电极81和漏电极82可以是由具有不同电子迁移率的两种不同的金属的两层或多层结构。例如，所述两种不同的金属分别选自由铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、银（Ag）、镁（Mg）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）、钼（Mo）、钛（Ti）、钨（W）、铜（Cu）或它们的合金组成的群组中的至少一种。

以漏电极82为例，其包括含钛（Ti）的第一金属层821、含铝（Al）的第二金属层822和含钛（Ti）的第三金属层823。源电极81具有与漏电极82相似的多层金属层结构。

本实施例中，第一焊盘层121a包括含钛（Ti）的第一层1211’、含铝（Al）的中间层1212’和含钛（Ti）的第二层1213’。

如图13所示，形成第一平坦层90于源电极81和漏电极82的上方。

第一平坦层90例如由有机绝缘材料形成，有机绝缘材料包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚苯乙烯（PS）的通用的聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类（arylether based）聚合物、酰胺类聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。

如图14所示，蚀刻第一平坦层90中形成第三接触孔S3，以使漏电极82的上部从第三接触孔S3中暴露出。

如图15所示，于第三接触孔S3中形成接触电极101，接触电极101的下部接触漏电电极82的上部；以及，于第一焊盘层121a的上方形成第二焊盘层121b。

第二焊盘层121b，设置于与接触电极101所形成的层相同的层上。

本实施例中，接触电极101、第二焊盘层121b包括与源电极81、漏电极82的材料相同的材料。

即，接触电极101包括含钛（Ti）的第一层1011、含铝（Al）的中间层1012和含钛（Ti）的第二层1013；第二焊盘层121b包括含钛（Ti）的第一层1211、含铝（Al）的中间层1212和含钛（Ti）的第二层1213，含钛（Ti）的第一层1211和含钛（Ti）的第二层1213位于含铝（Al）的中间层1212相对的两侧。

如图16和图17所示，在接触电极101和第二焊盘层121b的上方形成第二平坦层91；图案化第二平坦层91对应于周边区域120中的PAD区域，于第二焊盘层121b上方形成隔绝图案92，隔绝图案92包括第一隔绝图案921和第二隔绝图案922，第一隔绝图案921覆盖于第二焊盘层121b的顶面121c上，即，第一隔绝图案921覆盖含钛（Ti）的第一层1211的上方；第二隔绝图案922覆盖于第二焊盘层121b的第二侧壁121d上。

在一较佳的实施方式中，采用半色调掩膜版对第二平坦层91对应于PAD区域进行图案化制程获得隔绝图案92，较佳的，第一隔绝图案921的膜层厚度D1大于等于第二隔绝图案922的膜层厚度D2的两倍。

其中，较厚的第一隔绝图案921形成在第二焊盘层121b的顶面121c上，后续对第二焊盘层121b的第二侧壁121d表面处理时，较厚的第一隔绝图案921可以避免顶面121c在表面处理过程受到损伤，防止第二焊盘层121b劣化。

在一较佳的实施方式中，第二平坦层91例如由有机绝缘材料形成，有机绝缘材料包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚苯乙烯（PS）的通用的聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类（arylether based）聚合物、酰胺类聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。

如图18所示，移除第二焊盘层121b的第二侧壁121d上的第二隔绝图案922，以使第二侧壁121d暴露出。

其中，移除第二焊盘侧121b的第二侧壁121d的方式包括但不限于干法蚀刻工艺。

如图19所示，表面处理第二侧壁121d形成隔离层130。

本实施例中，第二焊盘层121b包括含钛（Ti）的第一层1211、含铝（Al）的中间层1212和含钛（Ti）的第二层1213；第二侧壁121d暴露出，表面处理含铝（Al）的中间层1212的暴露出的边缘，形成氧化铝的隔离层130。

氧化铝的隔离层130用于阻隔第二焊盘层121b的含铝（Al）的中间层1212的边缘接触像素电极102的蚀刻液，蚀刻液中银（Ag）离子不会析出，降低银（Ag）离子析出导致的显示面板的暗点等不良。

举例说明表面处理的过程：温度350℃-400℃，氧气（O₂）等离子表面处理器对含铝（Al）的中间层1212的边缘部分进行表面处理，含铝（Al）的中间层1212的边缘处逐渐产生致密的氧化铝薄膜，氧化铝薄膜即为隔离层130。

在本发明其他实施例中，还可以通过溶剂氧化、气相沉积等方式在第二焊盘层的含铝的中间层边缘进行表面处理形成致密的氧化铝薄膜。

另外，由于上述表面处理过程中第一隔绝图案921始终覆盖第二焊盘层121b的顶面121c上，因此，避免了顶面121c被表面处理工艺所损伤，不会导致后续第二焊盘层121b的顶面121c与其他电气元件接触时发生不良。

如图20所示，图案化第二平坦层91对应图像显示区域110（如图1所示）的像素设置区域PA的部分，形成第四接触孔S4。

如图21所示，于第四接触孔S4中形成像素电极102，像素电极102的下部接触接触电极101的上部。

像素电极102的形成过程包括：

形成导电材料层（未图示）于第二平坦层91的上方，部分导电材料层覆盖于第四接触孔S4的内壁上。再经蚀刻工艺，对导电材料层进行图案化后，获得像素电极102。

蚀刻像素电极的导电材料形成的膜层时，蚀刻液被第二焊盘层121b的第二侧壁121d上隔离层130以及第二焊盘121b的顶面121c被第一隔绝图案921共同阻挡；一方面，蚀刻液不会与第二焊盘层121b的第二侧壁121d的含铝的中间层接触，不会导致蚀刻液中银离子析出，即，可有效防止因银析出后与有机发光二极管的阴极接触的短路缺陷，避免显示面板暗点不良的发生；另一方面，蚀刻液不接触第二焊盘层121b的顶面121c接触，顶面121c也不会发生损伤。

像素电极102包括由Ag或Ag合金形成的中间层，以及位于中间层相对两侧上层透明导电氧化层和下层透明导电氧化物层，上层透明导电氧化层和下层透明导电氧化物层选自由ITO、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化锌铝（AZO）组成的群组中的至少一种材料。

如图22所示，移除顶面121c上的第一隔绝图案921，使得顶面121c暴露出，便于后续第二焊盘层121b利用顶面121c进行邦定。

如图23和图24所示，于像素电极102上方涂布像素定义层的材料105，固化后形成像素定义层的材料层，其位于图像显示区域110（如图2所示）中；图案化像素定义层的材料层，形成像素定义层103和像素定义层103上方的支撑层104，像素定义层103还包括多个像素开口1031，像素电极102自像素开口1031中暴露出。

像素定义层的材料105可选自聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚苯乙烯（PS）的通用的聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类（aryletherbased）聚合物、酰胺类聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。

综上，本发明提供一种显示面板及其制作方法，显示面板中围绕图像显示区域的周边区域中设有焊盘，焊盘的侧壁经表面处理后形成有隔离层，在像素电极图案化制程中，隔离层能够有效避免焊盘暴露于像素电极的蚀刻液中，避免蚀刻液中的银离子析出而导致暗点缺陷的发生，提升显示面板的显示品质和制程良率。

本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。此外，上面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。必需指出的是，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims

1.一种显示面板，所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域，其特征在于，所述显示面板还包括：

基板；

焊盘，所述焊盘设置于所述基板的一侧，位于所述周边区域中，所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁，所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出；以及

隔离层，所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上；

其中，表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述焊盘至少包括含铝的中间层，所述含铝的中间层的边缘经表面处理形成氧化铝隔离层。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板的一侧还设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述图像显示区域中，所述薄膜晶体管包括自下而上层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；所述焊盘包括第一焊盘层和第二焊盘层，所述第二焊盘层覆盖于所述第一焊盘层上方；所述第一焊盘层、所述源电极和所述漏电极分别设置于所述层间绝缘层上；所述第一焊盘层具有第一侧壁；所述第二焊盘层具有第二侧壁；其中，表面处理所述第一侧壁的外侧表面和所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层；或者，所述第二侧壁突出于所述第一侧壁，表面处理所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括自下而上层叠设置的第一平坦层、接触电极、第二平坦层和像素电极，所述第一平坦层、所述接触电极、所述第二平坦层和所述像素电极分别位于所述图像显示区域中；所述第一平坦层位于所述薄膜晶体管的上方，所述第二焊盘层位于和所述接触电极所形成的层相同的层上。

5.一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域，其特征在于，所述显示面板的制作方法包括：

形成平坦层于所述基板的一侧，所述平坦层覆盖所述焊盘；

6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：

于所述平坦层上方形成导电材料层；

移除所述第一隔绝图案，以使所述焊盘的顶面暴露出。

7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，图案化所述平坦层形成第一隔绝图案，所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上，且使得所述焊盘的侧壁暴露的步骤包括：

图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分，形成隔绝图案，所述隔绝图案包括第一隔绝图案和第二隔绝图案，所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面，所述第二隔绝图案覆盖于所述焊盘的侧壁的外侧表面上；以及

移除所述第二隔绝图案，以使所述焊盘的侧壁暴露出；

其中，所述第一隔绝图案的膜层厚度大于等于所述第二隔绝图案的膜层厚度的两倍。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，采用半色调掩膜图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分，形成所述隔绝图案。

9.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，表面处理所述侧壁的外侧表面，并于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层的步骤包括：

所述焊盘至少包括含铝的中间层，所述含铝的中间层的边缘位于所述外侧表面上；

表面处理所述含铝的中间层的边缘，形成所述隔离层，所述隔离层为氧化铝隔离层。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述焊盘还包括含钛的第一层和含钛的第二层，所述含钛的第一层和所述含钛的第二层分别位于所述含铝的中间层相对的两侧，所述第一隔绝图案覆盖所述含钛的第一层的上方。