CN113972252B - 显示面板及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及电子设备。所述显示面板包括基板、钝化层、第一辅助电极、以及阴极；所述钝化层设置在所述基板上，所述钝化层中开设有第一通孔；所述第一辅助电极设置在所述钝化层远离所述基板的一侧，所述第一辅助电极与所述钝化层靠近所述第一通孔的接触处形成底切结构；所述阴极设置在所述第一辅助电极远离所述钝化层的一侧，所述阴极自所述底切结构远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端延伸，并与所述第一辅助电极的侧面相连。本申请改善了阴极的IR Drop效应，提高了显示面板的亮度均匀性。

Description

显示面板及电子设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及电子设备。

背景技术

有机发光二极管显示面板(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具有轻薄化、反应时间短、驱动电压低、显示色彩优异、显示视角好等优点而受到广泛关注，OLED不仅能够实现曲面显示，而且还广泛应用于大尺寸显示产品中。然而，在大尺寸顶发光OLED产品中，为了提高透过率，阴极的厚度通常较薄，导致阴极在信号传输过程中会产生明显的欧姆电压降(IR Drop)，进而使得显示面板出现亮度不均匀现象，大大降低了显示面板的显示品质。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及电子设备，以改善阴极的IR Drop效应，提高显示面板的亮度均匀性。

本申请实施例提供一种显示面板，其包括：

基板；

钝化层，设置在所述基板上，所述钝化层中开设有第一通孔；

第一辅助电极，设置在所述钝化层远离所述基板的一侧，所述第一辅助电极与所述钝化层靠近所述第一通孔的接触处形成底切结构；以及

阴极，设置在所述第一辅助电极远离所述钝化层的一侧，所述阴极自所述底切结构远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端延伸，并与所述第一辅助电极的侧面相连。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一辅助电极包括第一延伸部，所述第一延伸部相对所述钝化层悬空设置，所述第一延伸部与所述第一通孔的孔壁界定形成所述底切结构，所述阴极与所述第一延伸部的侧面连接，所述第一延伸部的侧面与所述第一延伸部的底面形成的夹角为钝角。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括依次设置在所述第一辅助电极上的平坦化层、阳极层、像素界定层以及发光功能层，所述发光功能层位于所述阴极靠近所述基板的一侧；

所述平坦化层上开设有第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔连通，所述第二通孔裸露出部分所述第一辅助电极，所述阳极层自所述第二通孔的孔壁延伸至所述第一辅助电极的表面，并相对所述第一辅助电极悬空设置；

所述像素界定层中开设有第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述第三通孔裸露出部分所述阳极层，所述发光功能层自所述第三通孔的孔壁延伸至所述阳极层的表面；

其中，所述阳极层相对所述第一辅助电极悬空的部分为第二延伸部，所述发光功能层延伸至所述第二延伸部的侧面，所述阴极穿过所述第三通孔和所述第二通孔，并沿着所述发光功能层延伸至所述第一延伸部的侧面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述基板和所述钝化层之间，所述第一通孔裸露出部分所述第二辅助电极，所述钝化层中还开设有连接孔，所述连接孔与所述第一通孔相邻，所述第一辅助电极通过所述连接孔与所述第二辅助电极连接；

所述阴极包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一辅助电极的侧面相连，所述第二部分自所述第一通孔远离所述底切结构一侧的孔壁延伸至所述第二辅助电极的表面，并与所述第二辅助电极相连。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括多个发光区和至少对应于一所述发光区的辅助电极区，所述辅助电极区包括所述阴极与所述第一辅助电极相连的区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光区与所述辅助电极区一一对应设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光区包括第一子发光区、第二子发光区以及第三子发光区，所述第一子发光区、所述第二子发光区和所述第三子发光区中的一者对应于一所述辅助电极区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括连接于所述基板至少一侧的驱动芯片，所述驱动芯片与所述阴极相连，自所述驱动芯片朝向远离所述驱动芯片的一侧，相邻两个所述辅助电极区之间的距离逐渐减小。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括辅助电极区，所述辅助电极区包括所述阴极与所述第一辅助电极相连的区域，所述辅助电极区的图案呈U形或L形。

本申请实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板为前述任一实施例所述的显示面板。

相较于现有技术中的显示面板，本申请提供的显示面板包括依次设置的基板、钝化层、第一辅助电极以及阴极，钝化层中开设有第一通孔，第一辅助电极与钝化层靠近第一通孔的接触处形成底切结构，阴极自底切结构远离基板的一端向靠近基板的一端延伸，并与第一辅助电极的侧面相连。本申请通过使第一辅助电极与钝化层靠近第一通孔的接触处形成底切结构，使得阴极能够实现与第一辅助电极侧面的搭接，进而通过以第一辅助电极作为阴极的并联电阻，降低了阴极的阻抗，从而能够改善阴极的IR Drop效应，以提高显示面板的亮度均匀性，有利于提高显示面板的显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例提供的显示面板的截面结构示意图。

图2是本申请第一实施例提供的显示面板中的发光区和辅助电极区的排布结构示意图。

图3是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图。

图4是本申请第一实施例提供的显示面板中的辅助电极区的第一平面结构示意图。

图5是本申请第一实施例提供的显示面板中的辅助电极区的第二平面结构示意图。

图6A至图6I是本申请第一实施例提供的显示面板的制备方法的流程结构示意图。

图7是本申请第二实施例提供的显示面板的平面结构示意图。

图8是本申请第三实施例提供的显示面板的平面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板及电子设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括基板、钝化层、第一辅助电极以及阴极。所述钝化层设置在所述基板上，所述钝化层中开设有第一通孔；所述第一辅助电极设置在所述钝化层远离所述基板的一侧，所述第一辅助电极与所述钝化层靠近所述第一通孔的接触处形成底切结构；所述阴极设置在所述第一辅助电极远离所述钝化层的一侧，所述阴极自所述底切结构远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端延伸，并与所述第一辅助电极的侧面相连。

由此，本申请提供的显示面板通过第一辅助电极与钝化层靠近第一通孔的接触处形成底切结构，使得阴极能够实现与第一辅助电极侧面的搭接，进而通过以第一辅助电极作为阴极的并联电阻，降低了阴极的阻抗，从而能够改善阴极的IR Drop效应，以提高显示面板的亮度均匀性，有利于提高显示面板的显示品质。

请参照图1，本申请第一实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括基板10、阵列层11、钝化层12、第一辅助电极13、平坦化层14、阳极层15、像素界定层16、发光功能层17以及阴极18。显示面板100包括发光区10A、对应于发光区10A的驱动区10B以及至少对应于一发光区10A的辅助电极区10C。辅助电极区10C与发光区10A相邻。

基板10可以为硬质基板10，如可以为玻璃基板；或者，基板10还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基板10的材质不作具体限定。

阵列层11设置在基板10上。阵列层11包括依次设置的遮光电极111、缓冲层112、有源层113、栅极绝缘层114、栅极115、介电绝缘层116、源漏金属层117。源漏金属层117位于钝化层12靠近基板10的一侧。

其中，遮光电极111设置于发光区10A和驱动区10B。遮光电极111的材料可以为钼、钛或铝中的至少一者。在本实施例中，遮光电极111的材料为钼。

有源层113位于驱动区10B。有源层113的材料可以为非晶硅或金属氧化物。在本实施例中，有源层113的材料为金属氧化物，如可以为IGZO。

源漏金属层117包括源极1171和漏极1172。源极1171位于驱动区10B。源极1171通过过孔(图中未标识)分别连接于有源层113和遮光电极111。漏极1172位于驱动区10B，并自驱动区10B延伸至发光区10A。漏极1172通过过孔(图中未标识)连接于有源层113。在本实施例中，显示面板100还包括存储电极118。存储电极118与有源层113同层设置，且位于有源层113靠近辅助电极区10C的一侧。漏极1172延伸至发光区10A的部分与存储电极118之间形成存储电容。

需要说明的是，栅极绝缘层114和栅极115均设置在驱动区10B，相关结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。另外，在本申请中，有源层113、栅极115、源极1171以及漏极1172构成薄膜晶体管(图中未标识)，本实施例仅以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明，在一些实施例中，上述薄膜晶体管还可以为底栅型薄膜晶体管、刻蚀阻挡型薄膜晶体管或者背沟道刻蚀型薄膜晶体管，本申请对薄膜晶体管的类型不作具体限定。

钝化层12设置在阵列层11远离基板10的一侧。钝化层12中开设有第一开孔121和第一通孔122。第一开孔121位于驱动区10B。第一开孔121裸露出源极1171。第一通孔122位于辅助电极区10C。其中，钝化层12可以为单层结构，此时，钝化层12的材料可以为无机材料，如可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种；或者，钝化层12还可以为有机材料，如可以为有机树脂等。另外，钝化层12还可以为多层结构，如可以为无机/有机的复合膜层，本实施例仅以钝化层12为单层结构为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。

第一辅助电极13设置在钝化层12远离阵列层11的一侧。第一辅助电极13位于辅助电极区10C。第一辅助电极13与钝化层12靠近第一通孔122的接触处形成底切结构13A。具体的，第一辅助电极13包括第一延伸部131。第一延伸部131相对钝化层12悬空设置。第一延伸部131与第一通孔122的孔壁界定形成底切结构13A。在本实施例中，第一延伸部131的侧面与第一延伸部131的底面形成的夹角R为钝角。

第一辅助电极13的材料可以包括Mo、Al、Ti或Cu等导电金属中的一种或多种的组合，或者，也可以包括ITO、FTO、AZO、GZO、ATO、NTO、ZnO或CTO等导电金属氧化物中的一种或多种的组合。其中，第一辅助电极13可以为单层结构、双层结构或者多层结构，本实施例仅以第一辅助电极13为单层结构为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。

平坦化层14设置在第一辅助电极13远离钝化层12的一侧。平坦化层14上开设有第二开孔141和第二通孔142。第二开孔141位于驱动区10B。第二开孔141与第一开孔121连通。第二通孔142位于辅助电极区10C。第二通孔142与第一通孔122连通。第二通孔142裸露出部分第一辅助电极13。其中，平坦化层14的材料可以为有机材料，如可以为聚酰亚胺树脂。另外，平坦化层14可以为单层结构、双层结构或者多层结构，本实施例仅以平坦化层14为单层结构为例进行说明，但并不限于此。

阳极层15设置在平坦化层14远离第一辅助电极13的一侧。在驱动区10B，阳极层15覆盖第二开孔141和第一开孔121的孔壁，并与源极1171相连。在辅助电极区10C，阳极层15自第二通孔142的孔壁延伸至第一辅助电极13的表面，并相对第一辅助电极13悬空设置。其中，阳极层15相对第一辅助电极13悬空的部分为第二延伸部(图中未标识)。在本实施例中，第二延伸部的侧面与第二延伸部的底面形成的夹角为钝角。

其中，阳极层15可以为ITO/Ag/ITO或IZO/Ag/IZO的叠层结构。在一些实施例中，阳极层15的材料还可以包括铝、氧化钨等材料，本申请对阳极层15的材料不作具体限定。

像素界定层16设置在阳极层15远离平坦化层14的一侧。像素界定层16中开设有第三开孔161和第三通孔162。第三开孔161位于发光区10A。第三开孔161裸露出部分阳极层15。第三通孔162位于辅助电极区10C。第三通孔162与第二通孔142连通。第三通孔162裸露出部分阳极层15。

发光功能层17设置在像素界定层16远离阳极层15的一侧。在发光区10A，发光功能层17填充于第三开孔161，并与第三开孔161内裸露出的阳极层15连接。在辅助电极区10C，发光功能层17的一端自第三通孔162的孔壁延伸至阳极层15的表面。具体的，发光功能层17延伸至第二延伸部的侧面。由于第二延伸部的侧面与第二延伸部的底面形成的夹角为钝角，在形成发光功能层17时，上述第二延伸部的结构设计能够提高发光功能层17延伸至阳极层15的侧面的几率。

进一步的，发光功能层17包括第三延伸部(图中未标识)。如图1所示，第三延伸部的竖直截面形状为箭头状，所述箭头状的顶部朝向发光区10A，在形成阴极18时，上述第三延伸部的结构设计可以提高阴极18延伸至发光功能层17的侧面的几率。

阴极18设置在发光功能层17远离像素界定层16的一侧。阴极18自底切结构13A远离基板10的一端向靠近基板10的一端延伸，并与第一辅助电极13的侧面相连。具体的，阴极18穿过第三通孔162和第二通孔142，并沿着第三延伸部的表面、第二延伸部的底面延伸至第一延伸部131的侧面。其中，阴极18可以部分覆盖第一延伸部131的侧面，也可以完全覆盖第一延伸部131的侧面。当阴极18完全覆盖第一延伸部131的侧面时，能够提高阴极18和第一延伸部131的接触面积，进而提高阴极18与第一辅助电极13的接触面积，能够进一步降低阴极18的阻抗。

在本实施例中，由于第三延伸部呈箭头状，且第一延伸部131的侧面和第一延伸部131的底面之间的夹角为钝角，因此，在采用蒸镀或溅射等工艺形成阴极18时，通过控制工艺参数，使得阴极18能够依次沿着第三延伸部的表面和第二延伸部的底面延伸至第一延伸部131的侧面，从而实现阴极18与第一辅助电极13的搭接，通过以第一辅助电极13作为阴极18的并联电阻，能够降低阴极18的阻抗，进而改善阴极18的IR Drop效应，以提高显示面板100的亮度均匀性，提升显示面板100的显示品质。

请继续参照图1，在本实施例中，显示面板100还包括第二辅助电极19。第二辅助电极19设置在基板10和钝化层12之间。第二辅助电极19位于辅助电极区10C。第一通孔122裸露出部分第二辅助电极19。钝化层12中还开设有连接孔123。连接孔123与第一通孔122相邻，且位于第一通孔122远离发光区10A的一侧。第一辅助电极13通过连接孔123与第二辅助电极19连接。其中，阴极18包括第一部分181和第二部分182。第一部分181与第一辅助电极13的侧面相连。第二部分182自第一通孔122远离底切结构13A一侧的孔壁延伸至第二辅助电极19的表面，并与第二辅助电极19相连。

上述设置通过使阴极18同时与第一辅助电极13和第二辅助电极19搭接(以下将第一辅助电极13和第二辅助电极19统称为辅助电极)，一方面，两个搭接路径的设计能够提高阴极18与辅助电极的搭接成功几率，另一方面，上述设计能够提高阴极18与辅助电极的搭接面积，提高了第一辅助电极13和第二辅助电极19的电阻值，进而能够降低第一辅助电极13和第二辅助电极19与阴极18并联后的电阻值，以进一步降低阴极18的阻抗，从而能够进一步降低阴极18的IR Drop，有利于进一步提高显示面板100的亮度均匀性。

在本实施例中，第二辅助电极19与源漏金属层117同层设置。也即，第二辅助电极19与源漏金属层117采用同一道工艺制得，该设置使得在原有工艺制程的基础上形成第二辅助电极19，能够避免因增加工艺制程而带来的成本问题。在一些实施例中，第二辅助电极19也可以设置在阵列层11和钝化层12之间，此时，第二辅助电极19与源漏金属层117之间通过一绝缘层(图中未示出)隔开，在此不再赘述。

请参照图2，在本实施例中，发光区10A与辅助电极区10C一一对应设置。也即，每一发光区10A均对应一辅助电极区10C。由于阴极18为整面设置的面状结构，因此，上述设置使得每一发光区10A对应的阴极18部分均与对应的辅助电极连接，能够降低阴极18整体的阻抗，进而在提高显示面板100亮度均匀性的同时，能够提高显示面板100的整体亮度。在一些实施例中，还可以仅在部分发光区10A设置辅助电极区10C，在此不再赘述。

需要说明的是，辅助电极区10C的图案可以呈方形或圆形，也可以为其他不规则形状如多边形。本实施例仅以辅助电极区10C的图案呈方形时的结构为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。

进一步的，发光区10A包括沿行方向依次排布的第一子发光区101、第二子发光区102以及第三子发光区103。第一子发光区101用于发出第一颜色光，如红光。第二子发光区102用于发出第二颜色光，如绿光。第三子发光区103用于发出第三颜色光，如蓝光。其中，第一子发光区101、第二子发光区102和第三子发光区103中的一者对应于一辅助电极区10C。由于辅助电极区10C的设置会占用显示面板100中的像素开口率，因此，上述设置在降低IRDrop的同时，能够避免因辅助电极区10C占用面积过大而降低像素开口率。

需要说明的是，本实施例仅以第一子发光区101对应于一辅助电极区10C时的结构为例进行说明，但并不限于此。

在一些实施例中，第一子发光区101、第二子发光区102和第三子发光区103中的二者或三者均对应于一辅助电极区10C，在此不再赘述。

请参照图3和图4，辅助电极区10C包括连接区104。在连接区104，阴极18分别与第一辅助电极13和第二辅助电极19连接。需要说明的是，在本实施例中，第一辅助电极13和第二辅助电极19在基板10上的正投影至少部分重叠，连接区104为两者重叠的区域，为方便描述本申请，图3和图4仅示意出了第二辅助电极19的结构，但并不能理解为对本申请的限制。

如图3所示，在本实施例的一种结构中，连接区104的图案呈U形，该设置能够提高阴极18与辅助电极的接触面积，从而能够进一步降低IR Drop。在本实施例的另一种结构中，如图4所示，连接区104的图案呈L形，该设置在降低IR Drop的同时，能够减小连接区104的占用面积，从而能够减小辅助电极的占用面积，有利于提高显示面板100的像素开口率。另外，在一些实施例中，连接区104的图案还可以呈直线形或弧形等，本申请对连接区104的图案不作具体限定。

请参照图5，在本实施例中，辅助电极区10C在显示面板100中均匀分布。上述设置可以均匀降低阴极18的阻抗，使得显示面板100上的IR Drop均匀降低，从而能够提升显示面板100整体的亮度，以进一步提高显示面板100的显示品质。

请参照图6A至图6I，本申请实施例还提供一种如前述实施例所述的显示面板100的制备方法，其包括以下步骤：

B1：提供一基板10，并在基板10上形成阵列层11，如图6A所示。

基板10具有发光区10A、驱动区10B和辅助电极区10C。

阵列层11包括依次形成的遮光电极111、缓冲层112、有源层113、栅极绝缘层114、栅极115、介电绝缘层116、源漏金属层117以及存储电极118。源漏金属层117包括源极1171和漏极1172。其中，在对源漏金属层117刻蚀形成源极1171和漏极1172的同时，在辅助电极区10C形成第二辅助电极19。需要说明的是，阵列层11的制备工艺均为现有技术，在此不再赘述。

B2：在阵列层11上形成钝化层12，如图6B所示。

其中，采用化学气相沉积工艺在源漏金属层117上形成钝化层12，并通过蚀刻工艺对钝化层12进行图案化处理，以在钝化层12上形成第一开孔121、第一通孔122以及连接孔123。

B3：在钝化层12上形成辅助金属层13a，如图6C所示。

B4：在辅助金属层13a上形成光阻层14A，如图6D所示。

其中，光阻层14A中的光阻材料可以为正型光阻，也可以为负型光阻。以光阻层14A中的光阻材料为正型光阻为例，如图6D所示，在后续辅助金属层13a的图案化过程中，可以在辅助金属层13a中待蚀刻的位置设定曝光控制区14a，在半色调掩膜板或者灰阶色调掩膜板14B的作用下，通过控制曝光控制区14a的曝光范围以及曝光量，能够实现辅助金属层13a的图形化。

B5：对光阻层14A进行灰化处理，并形成第一辅助电极13，如图6E所示。

在半色调掩膜板或者灰阶色调掩膜板14B的作用下，通过对光阻层14A进行灰化处理形成具有第一延伸部131的第一辅助电极13，第一延伸部131与钝化层12靠近第一通孔122的接触处形成底切结构13A。

在步骤B5之后，还包括：剥离灰化处理后的光阻层14A。

B6：在第一辅助电极13上形成平坦化层14，如图6F所示。

其中，采用化学气相沉积工艺形成平坦化层14，并通过蚀刻工艺对平坦化层14进行图案化处理，以在平坦化层14上形成第二开孔141和第二通孔142。

B7：在平坦化层14上依次形成阳极层15和像素界定层16，如图6G所示。

其中，像素界定层16上形成有第三开孔161和第三通孔162。需要说明的是，阳极层15的形成工艺可以参照第一辅助电极13的形成工艺，像素界定层16的形成工艺可以参照现有技术，在此不再赘述。

B8：在像素界定层16上形成发光功能层17，如图6H所示。

其中，发光功能层17可以采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺形成，发光功能层17为复合膜层，发光功能层17的具体结构及相关工艺均为现有技术，在此不再赘述。

B9：在发光功能层17上形成阴极18，如图6I所示。

具体的，可以采用蒸镀工艺或者溅射工艺形成阴极18。例如，当采用蒸镀工艺形成阴极18时，通过控制蒸镀工艺中蒸镀源的蒸镀角度，以实现阴极18与第一辅助电极13及第二辅助电极19的搭接。由于第一辅助电极13和第二辅助电极19相连，因此，上述设置能够大大降低阴极18的阻抗，从而改善阴极18的IR Drop，提高显示面板100的亮度均匀性。

由此，便完成了本实施例的显示面板100的制备方法。

请参照图7，本申请第二实施例提供一种显示面板100。本申请第二实施例提供的显示面板100与第一实施例的不同之处在于：显示面板100还包括连接于基板10一侧的驱动芯片20。驱动芯片20与阴极18相连。自驱动芯片20朝向远离驱动芯片20的一侧，相邻两个辅助电极区10C之间的距离逐渐减小。

可以理解的是，当阴极18接入来自驱动芯片20的电源电压之后，自驱动芯片20朝向远离驱动芯片20一侧，阴极18中的电源电压在传输过程中会逐渐减小，进而使得阴极18产生的IR Drop呈现出逐渐增大的现象，导致驱动芯片20的近端和远端之间产生较大的IRDrop差异。

在本实施例中，由于远离驱动芯片20一侧的辅助电极区10C的排布密度大于靠近驱动芯片20一侧的辅助电极区10C的排布密度，且自靠近驱动芯片20的一侧至远离驱动芯片20的一侧，辅助电极区10C的排布密度呈逐渐增大的趋势，也即，阴极18与辅助电极的接触面积自靠近驱动芯片20至远离驱动芯片20一侧逐渐增大。由此，辅助电极区10C的排布设计能够匹配阴极18中IR Drop逐渐增大的情况，从而能够降低阴极18靠近驱动芯片20一侧和远离驱动芯片20一侧的IR Drop之间的差异。

需要说明的是，本实施例仅以驱动芯片20设置在基板10的下侧为例进行说明，在一些实施例中，驱动芯片20还可以设置在基板10的上侧、左侧或者右侧，在此不再赘述。

请参照图8，本申请第三实施例提供一种显示面板100。本申请第三实施例提供的显示面板100与第二实施例的不同之处在于：驱动芯片20设置在基板10的相对两侧。

在本实施例中，自显示面板100的左右两端至靠近中间的方向，辅助电极区10C的排布密度逐渐增大，该设置能够匹配阴极18中IR Drop逐渐增大的情况，从而能够降低阴极18靠近驱动芯片20一侧和远离驱动芯片20一侧的IR Drop之间的差异。

需要说明的是，本实施例仅以驱动芯片20设置在基板10的左侧和右侧为例进行说明，在一些实施例中，驱动芯片20还可以设置在基板10的上侧和下侧，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种电子设备。所述电子设备可以为手机、电视、笔记本电脑、平板等显示设备。所述电子设备包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板可以为前述实施例所述的显示面板100，显示面板100的具体结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

钝化层，设置在所述基板上，所述钝化层中开设有第一通孔；

第一辅助电极，设置在所述钝化层远离所述基板的一侧，所述第一辅助电极与所述钝化层靠近所述第一通孔的接触处形成底切结构；所述第一辅助电极包括第一延伸部，所述第一延伸部相对所述钝化层悬空设置，所述第一延伸部与所述第一通孔的孔壁界定形成所述底切结构；以及

阴极，设置在所述第一辅助电极远离所述钝化层的一侧，所述阴极自所述底切结构远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端延伸，并与所述第一延伸部的侧面相连，所述第一延伸部的侧面与所述第一延伸部的底面形成的夹角为钝角；

所述显示面板还包括依次设置在所述第一辅助电极上的平坦化层、阳极层、像素界定层以及发光功能层，所述发光功能层位于所述阴极靠近所述基板的一侧；

所述平坦化层上开设有第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔连通，所述第二通孔裸露出部分所述第一辅助电极，所述阳极层自所述第二通孔的孔壁延伸至所述第一辅助电极的表面，并相对所述第一辅助电极悬空设置；

所述像素界定层中开设有第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔连通，所述第三通孔裸露出部分所述阳极层，所述发光功能层自所述第三通孔的孔壁依次延伸至所述阳极层的表面和侧面；

其中，所述阳极层相对所述第一辅助电极悬空的部分为第二延伸部，所述发光功能层延伸至所述第二延伸部的侧面，所述阴极穿过所述第三通孔和所述第二通孔，并沿着所述发光功能层延伸至所述第一延伸部的侧面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述基板和所述钝化层之间，所述第一通孔裸露出部分所述第二辅助电极，所述钝化层中还开设有连接孔，所述连接孔与所述第一通孔相邻，所述第一辅助电极通过所述连接孔与所述第二辅助电极连接；

所述阴极包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一辅助电极的侧面相连，所述第二部分自所述第一通孔远离所述底切结构一侧的孔壁延伸至所述第二辅助电极的表面，并与所述第二辅助电极相连。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个发光区和至少对应于一所述发光区的辅助电极区，所述辅助电极区包括所述阴极与所述第一辅助电极相连的区域。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光区与所述辅助电极区一一对应设置。

5.根据权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于，所述发光区包括第一子发光区、第二子发光区以及第三子发光区，所述第一子发光区、所述第二子发光区和所述第三子发光区中的一者对应于一所述辅助电极区。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括连接于所述基板至少一侧的驱动芯片，所述驱动芯片与所述阴极相连，自所述驱动芯片朝向远离所述驱动芯片的一侧，相邻两个所述辅助电极区之间的距离逐渐减小。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括辅助电极区，所述辅助电极区包括连接区，所述连接区包括所述阴极与所述第一辅助电极相连的区域，所述连接区的图案呈U形或L形。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板为权利要求1至7任一项所述的显示面板。

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