KR102666207B1 - 연결 클래드 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터와 발광 구조물 사이에 연결 클래드 전극이 위치하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 연결 클래드 전극이 투과 영역과 중첩하는 리페어 커팅 영역을 포함하여, 상기 리페어 커팅 영역에 의한 투과 영역의 면적 감소를 방지하는 것을 기술적 특징으로 한다.

Description

연결 클래드 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치{Oragnic Light Emitting Display device having a connecting clad electrode}
본 발명은 박막 트랜지스터와 발광 구조물이 연결 클래드 전극을 통해 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라 등과 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 투명 디스플레이 장치일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 표시 장치의 각 화소 영역은 발광 영역 및 투과 영역을 포함할 수 있다. 상기 발광 영역 내에는 발광 구조물 및 상기 발광 구조물을 제어하기 위한 회로부가 위치할 수 있다. 상기 투과 영역은 외광을 투과할 수 있다.
상기 발광 영역은 영상을 구현하기 위한 다양한 색을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 영역 내에는 청색을 나타내는 청색 발광 구조물, 적색을 나타내는 적색 발광 구조물, 녹색을 나타내는 녹색 발광 구조물 및 백색을 나타내는 백색 발광 구조물이 위치할 수 있다. 각 발광 구조물은 순서대로 적층된 하부 발광 전극, 유기 발광층 및 상부 발광 전극을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 형성 과정에서 발생한 이물에 의해 일부 발광 구조물의 불량이 발생할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치의 형성 공정은 불량이 발생한 발광 구조물에 의한 영상의 품질 저하를 최소화하기 위하여 리페어 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 표시 장치의 리페어 공정은 이물에 의해 상부 발광 전극과 쇼트(short)된 하부 발광 전극을 해당 회로부와 전기적으로 차단하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 불량이 발생한 발광 구조물의 상기 하부 발광 전극을 해당 회로부와 전기적으로 차단하는 공정은 레이저 커팅 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 표시 장치의 상기 리페어 공정은 상기 하부 발광 전극의 일부 영역을 레이저로 자르는 공정을 포함할 수 있다. 공정 상의 편의를 위하여, 상기 하부 발광 전극의 리페어 공정에 의해 잘려지는 리페어 커팅 영역은 상기 투과 영역과 중첩할 수 있다.
그러나, 상기 하부 발광 전극은 반사층을 포함할 수 있으므로, 상기 유기 발광 표시 장치에서는 상기 리페어 커팅 영역에 의해 상기 투과 영역의 면적이 감소하는 문제점이 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치에서는 상기 리페어 커팅 영역을 발광 영역 내에 배치하여 투과 영역의 면적 감소를 방지할 수 있으나, 발광 영역의 개구율이 감소하여 발광 효율이 저하되고, 리페어 공정에 의한 리페어 커팅 영역에 인접한 구성의 손상을 발생하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 리페어 커팅 영역에 의해 투과 영역의 면적의 감소를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 영역의 개구율의 감소 없이, 투과 영역의 투명도를 향상할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판을 포함한다. 하부 기판은 발광 영역 및 투과 영역을 포함한다. 하부 기판의 발광 영역 상에는 박막 트랜지스터가 위치한다. 박막 트랜지스터 상에는 발광 구조물이 위치한다. 발광 구조물은 순서대로 적층된 하부 발광 전극, 유기 발광층 및 상부 발광 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터와 발광 구조물 사이는 연결 클래드 전극에 의해 전기적으로 연결된다. 연결 클래드 전극은 하부 발광 전극보다 높은 투과율을 가진다. 연결 클래드 전극은 하부 기판의 투과 영역과 중첩하는 리페어 커팅 영역을 포함한다.
연결 클래드 전극은 ITO 와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터와 연결 클래드 전극 사이에는 제 1 연결 전극이 위치할 수 있다. 제 1 연결 전극은 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 클래드 전극은 제 1 연결 전극을 덮는 제 1 클래드 영역을 포함할 수 있다.
하부 오버 코트층과 연결 클래드 전극 사이에는 제 2 연결 전극이 위치할 수 있다. 제 2 연결 전극은 제 1 연결 전극과 이격될 수 있다. 연결 클래드 전극은 제 2 연결 전극을 덮는 제 2 클래드 영역을 포함할 수 있다. 리페어 커팅 영역은 제 1 클래드 영역과 제 2 클래드 영역 사이에 위치할 수 있다.
제 1 연결 전극 및 제 2 연결 전극은 하부 기판의 발광 영역 상에서 연결 클래드 전극을 따라 연장할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판을 포함한다. 하부 기판은 발광 영역 및 투과 영역을 포함한다. 하부 기판의 발광 영역 상에는 박막 트랜지스터가 위치한다. 박막 트랜지스터 상에는 하부 오버 코트층이 위치한다. 하부 오버 코트층은 박막 트랜지스터의 일부 영역을 노출하는 하부 관통홀을 포함한다. 하부 오버 코트층 상에는 제 1 연결 전극이 위치한다. 제 1 연결 전극은 하부 관통홀을 통해 박막 트랜지스터와 연결된다. 하부 오버 코트층 상에는 제 2 연결 전극이 위치한다. 제 2 전극은 제 1 연결 전극과 이격된다. 제 1 연결 전극 및 제 2 연결 전극 상에는 상부 오버 코트층이 위치한다. 상부 오버 코트층은 제 2 연결 전극과 중첩하는 상부 관통홀을 포함한다. 상부 오버 코트층 상에는 발광 구조물이 위치한다. 발광 구조물은 상부 관통홀을 통해 제 2 연결 전극과 연결되는 하부 발광 전극을 포함한다. 하부 오버 코트층과 상부 오버 코트층 사이에는 연결 클래드 전극이 위치한다. 연결 클래드 전극은 제 1 연결 전극과 제 2 연결 전극 사이를 연결한다. 연결 클래드 전극은 하부 기판의 투과 영역과 중첩하는 리페어 커팅 영역을 포함한다.
연결 클래드 전극은 제 1 연결 전극, 제 2 연결 전극 및 하부 발광 전극보다 높은 투과율을 가질 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 발광 전극보다 높은 투과율을 갖는 도전층이 리페어 커팅 영역을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 리페어 커팅 영역에 의한 투과 영역의 면적 감소가 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 발광 영역의 개구율 저하 없이, 투과 영역의 투명도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이 아웃을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 3 내지 5는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면들이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다"　또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2b는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 1, 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판(100), 보조 전극(410), 발광 구조물(500) 및 연결 클래드 전극(650)을 포함할 수 있다.
상기 하부 기판(100)은 상기 발광 구조물(500)을 지지할 수 있다. 상기 하부 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 하부 기판(100)은 화소 영역을 포함할 수 있다. 각 화소 영역은 발광 영역(EA) 및 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 상기 발광 영역(EA)은 영상을 구현하기 위한 색을 나타낼 수 있다. 상기 발광 영역(EA) 내에는 다수의 발광 구조물(500)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 영역(EA) 내에는 청색을 나타내는 청색 발광 구조물, 적색을 나타내는 적색 발광 구조물, 녹색을 나타내는 녹색 발광 구조물 및 백색을 나타내는 백색 발광 구조물이 위치할 수 있다. 상기 투과 영역(TA)은 투명할 수 있다.
상기 하부 기판(100) 상에는 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL1-DL4), 센싱 라인(SL), 기준 전압 라인(Vref) 및 전원전압 라인(VDD)이 위치할 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)은 일측 방향으로 연장할 수 있다. 상기 데이터 라인(DL1-DL4)은 상기 게이트 라인(GL)과 교차할 수 있다. 상기 데이터 라인(DL1-DL4)은 상기 발광 영역(EA) 내에 위치하는 발광 구조물(500)에 데이터 신호를 전달할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 네 개의 데이터 라인(DL1-DL4)을 포함할 수 있다. 상기 센싱 라인(SL)은 상기 게이트 라인(GL)과 평행할 수 있다. 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(VDD)은 상기 데이터 라인(DL1-DL4)과 평행할 수 있다.
상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL1-DL4), 상기 센싱 라인(SL), 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(VDD)은 상기 발광 영역(EA) 내에서 서브 발광 영역을 정의할 수 있다. 예를 들어, 각 서브 발광 영역 내에는 상기 발광 구조물들(500) 중 하나를 제어하기 위한 회로부가 위치할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 각 발광 영역(EA)은 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL1-DL4), 상기 센싱 라인(SL), 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(VDD)에 의해 구획된 네 개의 서브 발광 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 서브 발광 영역 내에는 선택 박막 트랜지스터(TR1), 구동 박막 트랜지스터(TR2), 센싱 박막 트랜지스터(TR3) 및 스토리지 커패시터(Cst)가 위치할 수 있다.
상기 선택 박막 트랜지스터(TR1)는 상기 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 게이트 신호에 따라 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)를 온/오프 할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)는 상기 선택 박막 트랜지스터(TR1)의 신호 및 해당 데이터 라인(DL1-DL4)을 통해 인가되는 데이터 신호에 따라 해당 발광 구조물(500)로 구동 전류를 공급할 수 있다. 각 구동 박막 트랜지스터(TR2) 및/또는 각 발광 구조물(500)의 열화 정도는 해당 센싱 박막 트랜지스터(TR3)에 의해 감지될 수 있다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)에 인가되는 상기 선택 박막 트랜지스터(TR1)의 신호를 일정 기간 동안 유지할 수 있다.
상기 선택 박막 트랜지스터(TR1) 및 상기 센싱 박막 트랜지스터(TR3)의 구조는 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)는 도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 상기 하부 기판(100) 상에 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO를 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역의 전도율(conductivity)은 상기 소스 영역의 전도율 및 상기 드레인 영역의 전도율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전형 불순물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 박막 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)의 반도체 패턴(210)이 하부 기판(100)과 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판(100)과 박막 트랜지스터(TR1, TR2, TR3) 사이에 위치하는 버퍼 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼 절연막은 상기 반도체 패턴(210)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막은 상기 하부 기판(100)의 표면을 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 버퍼 절연막은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조일 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 높은 유전율의 물질(High-K 물질)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 상기 반도체 패턴(210)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)의 측면과 수직 정렬되는 측면을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)의 측면은 상기 게이트 전극(230)의 측면과 연속될 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 다중층 구조일 수 있다. 도 1에 도시된 상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 전극(230)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 라인(GL)의 구조는 상기 게이트 전극(230)의 구조와 동일할 수 있다.
상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210) 및 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측 방향으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 외측에서 상기 층간 절연막(240)은 상기 버퍼 절연막(110)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역을 노출하는 제 1 층간 컨택홀(241h) 및 상기 드레인 영역을 노출하는 층간 컨택홀(242h)을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다.
상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 다중층 구조일 수 있다. 상기 드레인 전극(260)의 구조는 상기 소스 전극(250)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 다중층 구조일 수 있다.
도 1에 도시된 상기 데이터 라인(DL1-DL4), 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(PL)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 데이터 라인(DL1-DL4), 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(PL)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 라인(DL1-DL4), 상기 기준 전압 라인(Vref) 및 상기 전원전압 라인(PL)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)의 구조, 상기 기준 전압 라인(Vref)의 구조 및 상기 전원전압 라인(PL)의 구조는 상기 소스 전극(250)의 구조 및 상기 드레인 전극(260)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 전원전압 라인(PL)은 다중층 구조일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 박막 트랜지스터(TR1, TR2, TR3)의 게이트 전극(230)과 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260) 사이에 층간 절연막(240)이 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 발광 영역(EA) 내에 위치하는 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)이 각각 게이트 전극(230)과 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260) 사이에 위치하는 게이트 절연막(220)을 포함할 수 있다.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)과 이격될 수 있다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 순서대로 적층된 하부 커패시터 전극(310), 커패시터 절연막(320) 및 상부 커패시터 전극(330)을 포함할 수 있다.
상기 하부 커패시터 전극(310) 및 상기 상부 커패시터 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 커패시터 전극(310)은 상기 게이트 전극(230)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 커패시터 전극(310)의 구조는 상기 게이트 전극(230)의 구조와 동일할 수 있다. 상기 상부 커패시터 전극(330)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 커패시터 전극(330)의 구조는 상기 소스 전극(250)의 구조 및 상기 드레인 전극(260)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 커패시터 전극(330)은 상기 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 상기 드레인 전극(260)과 연결될 수 있다. 상기 상부 커패시터 전극(330)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 커패시터 절연막(320)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 커패시터 절연막(320)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 상기 커패시터 절연막(320)은 상기 층간 절연막(240)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 커패시터 절연막(320)은 상기 층간 절연막(240)과 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 하부 기판(100)과 스토리지 커패시터(Cst) 사이에 위치하는 하부 절연막(301)을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 절연막(301)의 측면은 상기 하부 커패시터 전극(310)의 측면과 연속될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 절연막(301)은 상기 게이트 절연막(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(100) 상에는 더미 패턴(WL)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패턴(WL)은 상기 데이터 라인(DL1-DL4)과 평행하게 연장할 수 있다. 상기 더미 패턴(WL)은 상기 발광 영역(EA)과 상기 투과 영역(TA) 사이를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패턴(WL)은 상기 하부 기판(100)의 상기 투과 영역(TA)과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다.
상기 더미 패턴(WL)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 더미 패턴(WL)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)의 도전층들 중 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 패턴(WL)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 더미 패턴(WL)은 상기 데이터 라인(DL1-DL4)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 스토리지 커패시터(Cst) 및 더미 패턴(WL) 상에 위치하는 하부 보호막(130)을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 외부의 수분 및 수소 등이 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 상기 스토리지 커패시터(Cst) 및 상기 더미 패턴(WL)은 상기 하부 보호막(130)에 의해 덮일 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극(410)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 하부 보호막(130) 상에 위치할 수 있다. 상기 보조 전극(410)은 상기 발광 영역(EA) 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 전극(410)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3) 상에 위치할 수 있다. 상기 보조 전극(410)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 전극(410)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극(410)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 전극(410)은 하부 보조 전극(411) 및 상기 하부 보조 전극(411) 상에 위치하는 상부 보조 전극(412)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a에 도시된 바와 같이, 보조 전극(410) 상에 위치하는 보조 클래드 전극(450)을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 클래드 전극(450)은 후속 공정에 의한 상기 보조 전극(410)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 전극(410)은 상기 보조 클래드 전극(450)에 의해 덮일 수 있다. 상기 보조 클래드 전극(450)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 보조 클래드 전극(450)은 반응성이 낮은 물질을 포함할 수 있다. 상기 보조 클래드 전극(450)은 투과율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 클래드 전극(450)은 ITO 또는 IZO와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 하부 보호막(130)과 보조 전극(410) 사이에 위치하는 하부 오버 코트층(140)을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(140)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3) 및 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)과 대향하는 상기 하부 오버 코트층(140)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(140)의 상기 상부면은 상기 하부 기판(100)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 오버 코트층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(500)은 특정 색을 구현할 수 있다. 상기 발광 구조물(500)은 상기 발광 영역(EA) 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(500)은 상기 보조 전극(410) 상에 위치할 수 있다. 상기 발광 구조물(500)은 순서대로 적층된 하부 발광 전극(510), 발광층(520) 및 상부 발광 전극(530)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 보조 전극(410)과 발광 구조물(500) 사이에 위치하는 상부 오버 코트층(150)을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(150)은 상기 보조 전극(410)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(500)을 향한 상기 상부 오버 코트층(150)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(150)의 상기 상부면은 상기 하부 오버 코트층(140)의 상기 상부면과 평행할 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(150)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 오버 코트층(150)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(150)은 상기 하부 오버 코트층(140)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 발광 전극(510)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 발광 전극(510)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(510)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 금속의 반사 전극을 포함할 수 있다. 상기 하부 발광 전극(510)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 발광 전극(510)은 ITO 등과 같은 도전성 산화물을 포함하는 투명 전극층들 사이에 반사율이 높은 물질을 포함하는 반사층이 위치하는 구조일 수 있다.
상기 유기 발광층(520)은 상기 하부 발광 전극(510)과 상기 상부 발광 전극(530) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(520)은 유기 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emitting Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층(520)은 높은 발광 효율을 위하여 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(520)은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Tranport Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 상부 발광 전극(530)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 하부 발광 전극(510)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 발광 전극(530)은 투명 전극일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 발광층(520)에 의해 생성된 빛이 상기 상부 발광 전극(530)을 통해 방출될 수 있다.
상기 연결 클래드 전극(650)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 발광 구조물(500)의 상기 하부 발광 전극(510)을 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)와 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 상기 발광 구조물(500)이 해당 박막 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)에 의해 제어될 수 있다.
상기 연결 클래드 전극(650)은 상기 하부 오버 코트층(140)과 상기 상부 오버 코트층(150) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 상기 드레인 전극(260)과 연결된 상기 상부 커패시터 전극(330)의 일부 영역을 노출하는 전극 컨택홀(131h)을 포함할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(140)은 상기 전극 컨택홀(131h)과 중첩하는 하부 컨택홀(141h)을 포함할 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(150)은 상기 연결 클래드 전극(650)의 일부 영역을 노출하는 상부 컨택홀(151h)을 포함할 수 있다.
상기 상부 컨택홀(151h)은 상기 하부 컨택홀(141h)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 클래드 전극(650)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 하부 컨택홀(141h)과 중첩하는 부분을 포함하는 제 1 클래드 영역(651), 상기 상부 컨택홀(151h)과 중첩하는 부분을 포함하는 제 2 클래드 영역(652) 및 상기 제 1 클래드 영역(651)과 상기 제 2 클래드 영역(652) 사이에 위치하는 리페어 커팅 영역(653)을 포함할 수 있다. 상기 리페어 커팅 영역(653)은 상기 하부 기판(100)의 상기 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 리페어 커팅 영역(653)은 후속되는 리페어 공정에서 레이저가 조사되는 레이저 커팅부(CA) 내에 위치할 수 있다.
상기 연결 클래드 전극(650)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 연결 클래드 전극(650)의 투과율은 상기 하부 발광 전극(510)의 투과율보다 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 클래드 전극(650)은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 상기 연결 클래드 전극(650)은 상기 보조 클래드 전극(450)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 클래드 전극(653)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 발광 전극(510)을 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)와 연결하는 연결 클래드 전극(650)이 리페어 커팅 영역(653)을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 발광 구조물(500)의 발광 효율이 리페어 커팅 영역(653)의 투과율에 영향을 받지 않을 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 리페어 커팅 영역(653)을 포함하는 연결 클래드 전극(650)이 하부 발광 전극(510)보다 높은 투과율을 가짐으로써, 발광 효율의 손실 없이, 리페어 커팅 영역(653)에 의해 투과 영역(TA)의 면적 감소가 방지될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 연결 클래드 전극(650)을 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)의 상기 드레인 전극(260)과 전기적으로 연결하는 제 1 연결 전극(610)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 하부 오버 코트층(140)과 상기 상부 오버 코트층(150) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 클래드 전극(650) 은 상기 제 1 연결 전극(610) 상으로 연장할 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 연결 클래드 전극(650)의 상기 제 1 클래드 영역(651)에 의해 덮일 수 있다.
상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 전극 컨택홀(131h) 및 상기 하부 컨택홀(141h)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 전극 컨택홀(131h) 및 상기 하부 컨택홀(141h)을 통해 상기 상부 커패시터 전극(330)와 연결될 수 있다.
상기 제 1 연결 전극(610)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)의 전도율은 상기 연결 클래드 전극(650)의 전도율보다 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 연결 전극(610)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)의 투과율은 상기 연결 클래드 전극(650)의 투과율보다 낮을 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)의 구조는 상기 보조 전극(410)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 연결 전극(610)은 다중층 구조일 수 있다. 상기 제 1 연결 전극(610)은 제 1 하부 연결 전극(611) 및 상기 제 1 하부 연결 전극(611) 상에 위치하는 제 1 상부 연결 전극(612)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하부 연결 전극(611)은 상기 하부 보조 전극(411)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 상부 연결 전극(612)은 상기 상부 보조 전극(412)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역(EA) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역(EA) 상에서 상기 제 1 연결 전극(610)은 상기 연결 클래드 전극(650)을 따라 연장할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 연결 클래드 전극(650)에 의해 전기적으로 연결되는 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)와 발광 구조물(500) 사이의 저항이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 하부 오버 코트층(140)과 상기 연결 클래드 전극(650)의 상기 제 2 클래드 영역(652) 사이에 위치하는 제 2 연결 전극(620)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 연결 전극(620)은 상기 상부 오버 코트층(150)의 상기 상부 컨택홀(151h)과 중첩하는 부분을 포함할 수 있다. 상기 연결 클래드 전극(650)의 상기 제 2 클래드 영역(652)은 상기 제 2 연결 전극(620)을 덮을 수 있다.
상기 제 2 연결 전극(620)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)의 전도율은 상기 연결 클래드 전극(650)의 전도율보다 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 연결 전극(620)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)의 전도율은 상기 제 1 연결 전극(610)의 전도율과 동일할 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)의 투과율은 상기 연결 클래드 전극(650)의 투과율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 연결 전극(620)의 투과율은 상기 제 1 연결 전극(610)의 투과율과 동일할 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)의 구조는 상기 제 1 연결 전극(610)의 구조와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 연결 전극(620)은 다중층 구조일 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)의 구조는 상기 보조 전극(410)의 구조와 동일할 수 있다. 상기 제 2 연결 전극(620)은 제 2 하부 연결 전극(621) 및 상기 제 2 하부 연결 전극(621) 상에 위치하는 제 2 상부 연결 전극(622)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하부 연결 전극(621)은 상기 제 1 하부 연결 전극(611)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 상부 연결 전극(622)은 상기 제 1 상부 연결 전극(612)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 2 연결 전극(620)은 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역(EA) 상에 위치할 수 잇다. 예를 들어, 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역(EA) 상에서 상기 제 2 연결 전극(620)은 상기 연결 클래드 전극(650)을 따라 연장할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 연결 클래드 전극(650)에 의해 전기적으로 연결되는 해당 구동 박막 트랜지스터(TR2)와 발광 구조물(500) 사이의 저항이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 인접한 발광 구조물들(500) 사이를 절연하기 위한 뱅크 절연막(160)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(160)은 각 발광 구조물(500)의 하부 발광 전극(510)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 상기 발광층(520) 및 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 뱅크 절연막(160)에 의해 노출된 상기 하부 발광 전극(510)의 표면 상에 적층될 수 있다. 상기 뱅크 절연막(160)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(160)은 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(poly imide) 또는 포토 아크릴(photo-acryl) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(140) 및 상기 상부 오버 코트층(150)은 상기 뱅크 절연막(160)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광층(520) 및 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 뱅크 절연막(160) 상으로 연장할 수 있다. 상기 상부 발광 전극(530)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 보조 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상부 발광 전극(530)의 전압 강하에 의한 휘도 불균일을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a에 도시된 바와 같이, 상부 발광 전극(530)이 보조 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있는 공간을 마련하기 위한 격벽(700)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(520)의 일부 영역은 상기 격벽(700)에 의해 다른 영역들과 분리될 수 있다. 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 격벽(700)에 의해 상기 발광층(520)의 분리된 영역들 사이의 공간을 통해 상기 보조 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 격벽(700)의 수직 길이는 상기 뱅크 절연막(160)의 수직 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(700)은 하부 격벽(710) 및 상기 하부 격벽(710) 상에 위치하는 상부 격벽(720)을 포함할 수 있다. 상기 하부 격벽(710) 및 상기 상부 격벽(720)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 격벽(710)은 상기 뱅크 절연막(160)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 격벽(720)은 상기 하부 격벽(610)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 격벽(720)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2a에 도시된 바와 같이, 보조 전극(410)과 뱅크 절연막(160) 사이에 위치하는 중간 전극(550)을 더 포함할 수 있다. 상기 중간 전극(550)은 상기 보조 전극(410)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 오버 코트층(150)은 상기 보조 전극(410)의 일부 영역을 노출하는 관통홀(152h)을 포함할 수 있다. 상기 격벽(700)은 상기 중간 전극(550)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(520)은 상기 격벽(700)에 의해 상기 중간 전극(550)의 일부 영역을 노출할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(160)은 상기 중간 전극(550)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 상기 격벽(700)은 상기 뱅크 절연막(160) 사이에 위치할 수 있다. 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 격벽(700)에 의해 상기 발광층(520)이 형성되지 않은 상기 중간 전극(550)의 일부 영역과 접촉할 수 있다. 상기 상부 발광 전극(530)은 상기 중간 전극(550)을 통해 상기 보조 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 중간 전극(550)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 중간 전극(550)은 상기 하부 발광 전극(510)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 중간 전극(550)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 중간 전극(550)의 구조는 상기 하부 발광 전극(510)의 구조와 동일할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판(100)과 대향하는 상부 기판(800)을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(800)은 상기 하부 기판(100)의 상기 발광 영역(EA) 및 상기 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(800)은 상기 발광 구조물(500) 상에 위치할 수 있다. 상기 상부 기판(800)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(800)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(800)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 서브 발광 영역의 발광 구조물(500)이 동일한 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 각 서브 발광 영역의 발광 구조물(500)은 백색 유기 발광층(520)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상부 기판(800) 상에 위치하는 블랙 매트릭스(810) 및 컬러 필터(820)를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 동일한 색을 구현하는 발광 구조물(500)이 위치하는 각 서브 발광 영역이 서로 다른 색을 나타낼 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판(100)과 상부 기판(800) 사이를 채우는 충진제(900)를 더 포함할 수 있다. 상기 충진제(900)는 외부 충격에 의한 상기 발광 구조물(500)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 충진제(900)는 상기 발광 구조물(500)과 상기 블랙 매트릭스(810) 및 상기 컬러 필터(820) 사이로 연장할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 구조물(500)이 충진제(900)와 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 구조물(500)과 충진제(900) 사이에 위치하는 상부 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 외부 수분 등이 상기 발광 구조물(500)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 상부 보호막은 다중층 구조일 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막은 무기 물질을 포함하는 무기막 및 유기 물질을 포함하는 유기막이 적층된 구조일 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 발광 전극(510)과 다르게 발광 구조물(500)의 발광 효율에 영향을 주지 않는 연결 클래드 전극(650)이 투과 영역(TA)과 중첩하는 리페어 커팅 영역(653)을 포함하되, 상기 연결 클래드 전극(650)이 상기 하부 발광 전극(510)보다 높은 투과율을 갖도록 함으로써, 발광 영역(EA)의 면적 및 발광 구조물(500)의 발광 효율과 무관하게, 리페어 커팅 영역(653)에 의한 투과 영역(TA)의 면적 감소를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 발광 영역의 개구율 및 발광 효율의 손실 없이, 투과 영역의 투명도가 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 연결 전극(610) 및 제 2 연결 전극(620)이 발광 영역(EA) 상에 연결 클래드 전극(650)을 따라 연장하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 연결 클래드 전극(650)의 투과 영역(TA)과 중첩하는 리페어 커팅 영역(653)으로부터 발광 영역(EA) 상으로 연장하는 제 1 클래드 영역(651) 및 제 2 클래드 영역(652)이 제 1 연결 전극(610) 또는 제 2 연결 전극(620)과 중첩하지 않을 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 리페어 커팅 영역(653)에 의한 투과 영역(TA)의 면적 감소가 효율적으로 방지될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 서브 발광 영역의 연결 클래드 전극(650)이 인접한 서브 발광 영역의 하부 발광 전극(510) 아래에서 해당 커패시터(Cst)와 연결되는 것으로 도시/설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 상기 연결 클래드 전극들(650)은 다양하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 리페어 커팅 영역(653)이 동일한 방향에 위치하는 연결 클래드 전극들(650)이 커패시터(Cst)와 연결되는 지점이 인접하게 위치할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 다른 신호/전압 배선의 배치에 대한 자유도가 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 발광 영역 내에 위치하는 네 개의 서브 발광 영역들 각각의 회로부가 데이터 라인(D1-D4)과 나란히 배치되는 것으로 도시/설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 발광 영역들의 회로부들이 다양하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 서브 픽셀 영역의 회로부가 쿼드 타입(Quad type)으로 배치될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 발광 영역의 개구율 및 투과 영역의 투과 면적을 최대화할 수 있다.
100 : 하부 기판 130 : 하부 보호막
140 : 하부 오버 코트층 150 : 상부 오버 코트층
410 : 보조 전극 450 : 보조 클래드 전극
500 : 발광 구조물 610 : 제 1 연결 전극
620 : 제 2 연결 전극 650 : 연결 클래드 전극
653 : 리페어 커팅 영역

Claims (14)

  1. 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상기 발광 영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 위치하고, 순서대로 적층된 하부 발광 전극, 유기 발광층 및 상부 발광 전극을 포함하는 발광 구조물; 및
    상기 박막 트랜지스터와 상기 발광 구조물 사이를 전기적으로 연결하고, 상기 하부 발광 전극보다 높은 투과율을 갖는 연결 클래드 전극을 포함하되,
    상기 하부 기판의 상기 투과 영역은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 구조물의 외측에 위치하고,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 하부 기판의 상기 투과 영역과 중첩하는 리페어 커팅 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결 클래드 전극은 도전성 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 연결 클래드 전극은 ITO를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 발광 전극은 반사층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터와 상기 연결 클래드 전극 사이에 위치하고, 하부 관통홀을 포함하는 하부 오버 코트층;
    상기 연결 클래드 전극과 상기 발광 구조물 사이에 위치하고, 상기 하부 관통홀과 이격된 상부 관통홀을 포함하는 상부 오버 코트층; 및
    상기 하부 오버 코트층과 상기 상부 오버 코트층 사이에 위치하고, 상기 하부 관통홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제 1 연결 전극을 더 포함하되,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 제 1 연결 전극을 덮는 제 1 클래드 영역을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 연결 전극은 상기 하부 기판의 상기 발광 영역 상에서 상기 연결 클래드 전극을 따라 연장하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 하부 오버 코트층과 상기 연결 클래드 전극 사이에서 상기 제 1 연결 전극과 이격되고, 상기 상부 관통홀과 중첩되는 영역을 포함하는 제 2 연결 전극을 더 포함하되,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 제 2 연결 전극을 덮는 제 2 클래드 영역을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 리페어 커팅 영역은 상기 제 1 클래드 영역과 상기 제 2 클래드 영역 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극의 구조는 상기 제 1 연결 전극의 구조와 동일한 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극은 상기 하부 기판의 상기 발광 영역 상에서 상기 연결 클래드 전극을 따라 연장하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상기 발광 영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 위치하고, 상기 박막 트랜지스터의 일부 영역을 노출하는 하부 관통홀을 포함하는 하부 오버 코트층;
    상기 하부 오버 코트층 상에 위치하고, 상기 하부 관통홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 연결 전극;
    상기 하부 오버 코트층 상에 위치하고, 상기 제 1 연결 전극과 이격되는 제 2 연결 전극;
    상기 제 1 연결 전극 및 상기 제 2 연결 전극을 덮으며, 상기 제 2 연결 전극과 중첩하는 상부 관통홀을 포함하는 상부 오버 코트층;
    상기 상부 오버 코트층 상에 위치하고, 상기 상부 관통홀을 통해 상기 제 2 연결 전극과 연결되는 하부 발광 전극을 포함하는 발광 구조물; 및
    상기 하부 오버 코트층과 상기 상부 오버 코트층 사이에 위치하고, 상기 제 1 연결 전극과 상기 제 2 연결 전극 사이를 연결하는 연결 클래드 전극을 포함하되,
    상기 하부 기판의 상기 투과 영역은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 구조물의 외측에 위치하고,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 하부 기판의 상기 투과 영역과 중첩하는 리페어 커팅 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 제 1 연결 전극, 상기 제 2 연결 전극 및 상기 하부 발광 전극보다 높은 투과율을 갖는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 하부 오버 코트층과 상기 상부 오버 코트층 사이에 위치하는 보조 전극; 및
    상기 보조 전극을 덮으며, 상기 제 1 연결 전극, 상기 제 2 연결 전극 및 상기 연결 클래드 전극과 이격되는 보조 클래드 전극을 더 포함하되,
    상기 연결 클래드 전극은 상기 보조 클래드 전극과 동일한 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 연결 전극의 구조 및 상기 제 2 연결 전극의 구조는 상기 보조 전극의 구조와 동일한 유기 발광 표시 장치.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116583153A (zh) * 2017-07-21 2023-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法
CN109004015B (zh) * 2018-08-10 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN109166897A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 透明显示面板、其制备方法及显示装置
KR102553231B1 (ko) 2018-11-27 2023-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN109698224B (zh) * 2019-02-21 2021-04-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示面板
KR20210032798A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20210072452A (ko) * 2019-12-09 2021-06-17 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR20210078650A (ko) 2019-12-18 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
EP4012775A4 (en) * 2020-05-15 2022-10-12 BOE Technology Group Co., Ltd. PIXEL DRIVER, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE
US11903252B2 (en) 2020-05-15 2024-02-13 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Display panel and electronic device
KR20220086057A (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220086963A (ko) * 2020-12-17 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220096188A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115700051A (zh) * 2021-05-31 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 发光基板和显示装置
KR20230096570A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101048595B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-12 한국광기술원 광반사 구조체를 구비하는 발광 다이오드 및 그의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007125768A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法
KR101482162B1 (ko) * 2008-08-26 2015-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법
KR101084195B1 (ko) 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6111455B2 (ja) * 2012-03-12 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル、表示装置および電子機器
CN102760750B (zh) * 2012-07-27 2014-12-17 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled显示单元及其制造方法
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101581368B1 (ko) 2013-05-22 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 리페어 방법
KR102107008B1 (ko) * 2013-12-16 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR102411543B1 (ko) * 2015-06-29 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101048595B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-12 한국광기술원 광반사 구조체를 구비하는 발광 다이오드 및 그의 제조방법

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