CN109004015B - 一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，形成钝化层，在钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿钝化层的第一电极连接孔，在黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过第一电极连接孔与第一电极连接，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-emitting Diode，有机发光二极管)显示面板可以包括顶发射型OLED显示面板和底发射型OLED显示面板，顶发射型OLED显示面板的光线从阴极一侧出射，因此，为了保证光线的透过率，需要将阴极的厚度降低，但随着阴极厚度的降低，阴极电阻增大，因此，可在顶发射型OLED显示面板中的盖板上制作辅助阴极来降低阴极电阻，从而提高顶发射型OLED显示面板的显示质量；同时，为了进一步提高OLED显示面板的显示质量，在OLED显示面板中的盖板上制作光学传感器，通过光学传感器检测显示面板中每个像素的发光亮度，当像素的发光亮度较低时，对该像素进行光学补偿。
在顶发射型OLED显示面板中的盖板上同时制作辅助阴极和光学传感器时，一般采用如下步骤：如图1所示，首先在第一衬底11上依次形成缓冲层12、有源层13、栅绝缘层14和栅极15，接着沉积层间介质层16，在层间介质层16上制作过孔，并形成源极171和漏极172，从而制作得到薄膜晶体管，在薄膜晶体管的漏极172上制作形成光学传感器18，在光学传感器18上制作第一电极19，然后完成钝化层20的沉积，并在钝化层20上通过构图工艺形成第一电极连接孔，接着，在钝化层20上制作第一电极连接线21，将第一电极连接线21与光学传感器18上的第一电极19连接，然后，依次制作树脂层22、黑矩阵23、彩色滤光层24和平坦层25，在平坦层25上形成辅助阴极26，在辅助阴极26上形成支撑柱27，最后，在支撑柱27上制作第二电极28，并与辅助阴极26连接，在后续的工艺中，第二电极28与阴极接触，则可实现辅助阴极与阴极连接，从而降低阴极电阻。
但是，在顶发射型OLED显示面板中的盖板上同时制作辅助阴极和光学传感器，整个制作工艺步骤复杂，制作成本较高，且使得盖板在显示面板中的占用空间增大。
发明内容
本发明提供一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有的在盖板上同时制作辅助阴极和光学传感器，制作工艺步骤复杂，制作成本较高，且盖板的占用空间大的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种盖板的制作方法，包括：
在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极；
在所述钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿所述钝化层的第一电极连接孔；
在所述黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层；所述电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且所述第一电极连接线通过所述第一电极连接孔与所述第一电极连接；
通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，所述第二电极通过贯穿所述平坦层的第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
优选地，所述通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极的步骤，包括：
在所述钝化层上通过构图工艺形成彩色滤光层，所述彩色滤光层在所述钝化层上的正投影部分覆盖所述黑矩阵及所述第一电极连接线；
形成平坦层，所述平坦层覆盖所述电极连接层、所述黑矩阵和所述彩色滤光层；
在所述平坦层上通过构图工艺依次形成支撑柱及贯穿所述平坦层的第二电极连接孔；
通过构图工艺形成第二电极，所述第二电极覆盖所述支撑柱，并通过所述第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
优选地，所述在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极的步骤，包括：
在所述第一衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上通过构图工艺形成有源层；
在所述有源层上通过构图工艺依次形成栅绝缘层和栅极；
通过构图工艺形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
在所述层间介质层上通过构图工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接；
在所述漏极上形成光学传感器；
在所述光学传感器上背离所述漏极的一侧形成所述第一电极。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种盖板，包括：
第一衬底；
依次形成在第一衬底上的薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极；
钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极；
形成在所述钝化层上的黑矩阵；
形成在所述黑矩阵上的电极连接层；所述电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且所述第一电极连接线通过贯穿所述钝化层的第一电极连接孔与所述第一电极连接；
依次形成的彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，所述第二电极通过贯穿所述平坦层的第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
优选地，所述彩色滤光层形成在所述钝化层上，所述彩色滤光层在所述钝化层上的正投影部分覆盖所述黑矩阵及所述第一电极连接线；所述平坦层覆盖所述电极连接层、所述黑矩阵和所述彩色滤光层；所述支撑柱形成在所述平坦层上；所述第二电极覆盖所述支撑柱，并通过所述第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
优选地，所述电极连接层的厚度为
至
优选地，所述薄膜晶体管包括：
形成在所述第一衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的有源层；
依次形成在所述有源层上的栅绝缘层和栅极；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
形成在所述层间介质层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接。
优选地，所述光学传感器形成在所述漏极上，所述第一电极形成在所述光学传感器背离所述漏极的一侧。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，所述显示面板包括上述的盖板。
优选地，所述显示面板还包括显示基板，所述盖板扣置在所述显示基板上；
所述显示基板包括：层叠设置在第二衬底上的阳极、有机发光层和阴极，所述阴极与所述第二电极接触。
优选地，所述阴极与所述第二电极的接触部位位于支撑柱所在的位置。
为了解决上述问题，本发明另外公开了一种显示装置，包括上述的显示面板。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
通过在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，形成覆盖薄膜晶体管和第一电极的钝化层，在钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿钝化层的第一电极连接孔，在黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过第一电极连接孔与第一电极连接，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，第二电极通过贯穿平坦层的第二电极连接孔与辅助阴极连接。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
附图说明
图1示出了现有的一种盖板的结构示意图；
图2示出了本发明实施例的一种盖板的制作方法的流程图；
图3示出了本发明实施例中形成薄膜晶体管、光学传感器和钝化层后的结构示意图；
图4示出了本发明实施例中形成黑矩阵和第一电极连接孔后的结构示意图；
图5示出了本发明实施例中形成电极连接层后的结构示意图；
图6示出了本发明实施例中形成彩色滤光层后的结构示意图；
图7示出了本发明实施例中形成平坦层和第二电极连接孔后的结构示意图；
图8示出了本发明实施例中形成支撑柱后的结构示意图；
图9示出了本发明实施例的一种盖板的结构示意图；
图10示出了本发明实施例的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图2，示出了本发明实施例的一种盖板的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤201，在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极。
在本发明实施例中，在第一衬底上通过构图工艺形成薄膜晶体管，在薄膜晶体管的漏极上形成光学传感器，在光学传感器上形成第一电极。
其中，薄膜晶体管的漏极同时作为光学传感器的下电极，第一电极为光学传感器的上电极；第一电极可以采用透明导电材料，如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等，其厚度为
至
由于后续需要沉积钝化层，并在钝化层上刻蚀形成第一电极连接孔，因此，通过光学传感器上形成第一电极使得在刻蚀时不会影响光学传感器的性能，起到刻蚀阻挡的作用，此外，光学传感器上的第一电极还可起到与第一电极连接线连接的作用。
具体的，在所述第一衬底上形成缓冲层，在所述缓冲层上通过构图工艺形成有源层，在所述有源层上通过构图工艺依次形成栅绝缘层和栅极，通过构图工艺形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极，在所述层间介质层上通过构图工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接，在所述漏极上形成光学传感器，在所述光学传感器上背离所述漏极的一侧形成所述第一电极。
如图3所示，在第一衬底31上采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)或其它沉积方法沉积缓冲层32，该缓冲层32可以为氧化硅(SiOX)层、氮化硅(SiNX)层，或者氮化硅与氧化硅的复合膜层，其厚度为
至
接着在缓冲层32上沉积有源层薄膜，对有源层薄膜进行图案化处理形成有源层33，该有源层33的材料为IGZO(Indium GalliumZinc Oxide，铟镓锌氧化物)，其厚度为
至
此外，还需采用惰性气体的plasma(等离子体)轰击有源层33，如氦气等，进而实现对有源层33的导体化处理，减小导体化处理后的有源层33的电阻，提高电流传输效率，进而优化有源层33的性能，其中，有源层33的第一部分331的材料依旧为半导体材料，而有源层33的第二部分332的材料从半导体材料转化为导体材料。
在对有源层33进行导体化处理后，在有源层33上沉积栅绝缘层薄膜和栅极薄膜，并采用自对准工艺分别对栅绝缘层薄膜和栅极薄膜进行图案化处理，形成栅绝缘层34和栅极35；其中，栅绝缘层34可以称为GI(Gate Insulator，栅绝缘层)，采用的材料为氧化硅，厚度为
至
栅极35可采用铝、铝合金、铜等金属材料，其厚度为
至
然后，沉积层间介质层薄膜，并对层间介质层薄膜进行图案化处理，形成贯穿层间介质层36的过孔，层间介质层36覆盖缓冲层32、有源层33、栅绝缘层34和栅极35；其中，该层间介质层36也可称为ILD(Interlayer Dielectric，层间介质层)，该层间介质层36为氧化硅层、氮化硅层，或者氮化硅与氧化硅的复合膜层，其厚度为
至
接着，在层间介质层36上沉积源漏极金属层，并对源漏极金属层进行图案化处理，形成源极371和漏极372，且源极371和漏极372分别通过层间介质层36上的过孔与有源层33连接；其中，源极371和漏极372可采用铝、铝合金、铜等金属材料，其厚度为
至
最后，在漏极372形成光学传感器38，在光学传感器38上背离漏极372的一侧形成第一电极39。
步骤202，形成钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极。
如图3所示，在形成光学传感器38和第一电极39后，采用PECVD或其他沉积方法沉积钝化层40，该钝化层40覆盖薄膜晶体管和第一电极39，具体是覆盖层间介质层36、源极371、漏极372和第一电极39。
其中，该钝化层40采用的材料为氮化硅或氧化硅。
步骤203，在所述钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿所述钝化层的第一电极连接孔。
如图4所示，首先在钝化层40上形成黑矩阵41，然后，在钝化层40上采用构图工艺形成贯穿钝化层40的第一电极连接孔M，第一电极连接孔M与第一电极39的位置相对应。
其中，黑矩阵41的材料为有机材料，其厚度为1μm至3μm。
需要说明的是，在形成钝化层40后，先不制作贯穿钝化层40的第一电极连接孔M，防止在制作第一电极连接孔M后，再沉积黑矩阵41时，黑矩阵41的材料会残留在第一电极连接孔M中，影响后续第一电极连接孔M中形成的第一电极连接线的性能。
当然，还可以先在钝化层40上形成树脂层，然后在树脂层上形成黑矩阵，再在树脂层上形成贯穿树脂层和钝化层的第一电极连接孔。
步骤204，在所述黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层；所述电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且所述第一电极连接线通过所述第一电极连接孔与所述第一电极连接。
如图5所示，在黑矩阵41上通过构图工艺形成电极连接层42，该电极连接层42包括同层设置的辅助阴极421和第一电极连接线422，且第一电极连接线422通过第一电极连接孔M与第一电极39连接。
需要说明的是，在与栅极35同层的其他位置处，还形成有其他金属走线，第一电极连接线422在对应的位置处(图5中未示出)，通过过孔与栅极35同层的金属走线连接，或者，在与源极371和漏极372同层的其他位置处，形成有其他金属走线，第一电极连接线422在对应的位置处(图5中未示出)，通过过孔与源极371和漏极372同层的金属走线连接，向与栅极35同层的金属走线，或者与源极371和漏极372同层的金属走线提供电信号，通过第一电极连接线422为第一电极39供电，而薄膜晶体管的漏极372作为光学传感器38的下电极，在薄膜晶体管开启时，光学传感器38的下电极也有电压，进而可控制光学传感器38正常工作。
其中，电极连接层42采用的材料为导电金属，如钼等金属材料，其厚度为
至
也就是说，辅助阴极421和第一电极连接线422的厚度为
至
通过一次构图工艺可同时形成辅助阴极421和第一电极连接线422，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极421和第一电极连接线422同层设置，可节省盖板的占用空间。
步骤205，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，所述第二电极通过贯穿所述平坦层的第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
在本发明实施例中，在黑矩阵41上通过构图工艺形成电极连接层42后，通过构图工艺依次形成彩色滤光层43、平坦层44、支撑柱45和第二电极46，第二电极46通过贯穿平坦层44的第二电极连接孔N与辅助阴极421连接。
具体的，在所述钝化层上通过构图工艺形成彩色滤光层，所述彩色滤光层在所述钝化层上的正投影部分覆盖所述黑矩阵及所述第一电极连接线，形成平坦层，所述平坦层覆盖所述电极连接层、所述黑矩阵和所述彩色滤光层，在所述平坦层上通过构图工艺依次形成支撑柱及贯穿所述平坦层的第二电极连接孔，通过构图工艺形成第二电极，所述第二电极覆盖所述支撑柱，并通过所述第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
如图6所示，在钝化层40上通过构图工艺形成彩色滤光层43，彩色滤光层43在钝化层40上的正投影部分覆盖黑矩阵41及第一电极连接线422；其中，彩色滤光层43的材料为有机材料，其厚度为2μm至3μm。
通过将彩色滤光层43在钝化层40上的正投影部分覆盖黑矩阵41，防止黑矩阵41和彩色滤光层43之间存在间隙而导致漏光现象的发生。
如图7所示，在钝化层40上形成彩色滤光层43后，接着制作平坦层44进行平坦化处理，该平坦层44覆盖电极连接层42、黑矩阵43和彩色滤光层44；其中，该平坦层也可称为OC(Over Coat，平坦层)，其采用的材料为有机材料，厚度为2μm。
然后，在平坦层44上通过构图工艺依次形成支撑柱45及贯穿平坦层44的第二电极连接孔N；其中，支撑柱45采用的材料也为有机材料，其厚度为3μm至5μm。
如图7所述，先在平坦层44上通过构图工艺形成贯穿平坦层44的第二电极连接孔N，再在平坦层44上形成支撑柱45，得到如图8所示的结构；当然，也可以先在平坦层44上形成支撑柱45，再在平坦层44上形成贯穿平坦层44的第二电极连接孔N。也就是说，在平坦层44上形成支撑柱45及贯穿平坦层44的第二电极连接孔N的顺序可以互换。
如图9所示，通过构图工艺形成第二电极46，第二电极46覆盖支撑柱45，并通过第二电极连接孔N与辅助阴极421连接；其中，第二电极46可以采用透明导电材料，如ITO或IZO，其厚度为
至
需要说明的是，本发明实施例中的构图工艺一般包括曝光、显影、刻蚀等工艺。
在本发明实施例中，通过在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，形成覆盖薄膜晶体管和第一电极的钝化层，在钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿钝化层的第一电极连接孔，在黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过第一电极连接孔与第一电极连接，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，第二电极通过贯穿平坦层的第二电极连接孔与辅助阴极连接。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
实施例二
本发明实施例提供了一种盖板，包括第一衬底31；依次形成在第一衬底31上的薄膜晶体管、光学传感器38以及位于光学传感器38上的第一电极39；钝化层40，该钝化层40覆盖薄膜晶体管和第一电极39；形成在钝化层40上的黑矩阵41；形成在黑矩阵41上的电极连接层42，电极连接层42包括同层设置的辅助阴极421和第一电极连接线422，且第一电极连接线422通过贯穿钝化层40的第一电极连接孔M与第一电极39连接；依次形成的彩色滤光层43、平坦层44、支撑柱45和第二电极46，第二电极46通过贯穿平坦层44的第二电极连接孔N与辅助阴极421连接。
其中，彩色滤光层43形成在钝化层40上，彩色滤光层43在钝化层40上的正投影部分覆盖黑矩阵41及第一电极连接线422；平坦层44覆盖电极连接层42、黑矩阵41和彩色滤光层43；支撑柱45形成在平坦层44上；第二电极46覆盖支撑柱45，并通过第二电极连接孔N与辅助阴极421连接。
在本发明实施例中，电极连接层42的厚度为
至
形成在第一衬底31上的薄膜晶体管包括：形成在第一衬底31上的缓冲层32；形成在缓冲层32上的有源层33；依次形成在有源层33上的栅绝缘层34和栅极35；层间介质层36，层间介质层36覆盖缓冲层32、有源层33、栅绝缘层34和栅极35；形成在层间介质层36上的源极371和漏极372，源极371和漏极372分别通过层间介质层36上的过孔与有源层33连接。
其中，光学传感器38形成在漏极372上，第一电极39形成在光学传感器38背离漏极372的一侧。
在本发明实施例中，盖板包括第一衬底，依次形成在第一衬底上的薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，钝化层，钝化层覆盖薄膜晶体管和第一电极，形成在钝化层上的黑矩阵，形成在黑矩阵上的电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过贯穿钝化层的第一电极连接孔与第一电极连接，依次形成的彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，第二电极通过贯穿平坦层的第二电极连接孔与辅助阴极连接。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
实施例三
本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的盖板。
参照图10，示出了本发明实施例的一种显示面板的结构示意图。
在本发明实施例中，显示面板还包括显示基板，盖板扣置在显示基板上，显示基板包括：层叠设置在第二衬底51上的阳极52、有机发光层53和阴极54，阴极54与第二电极46接触。
如图10所示，阴极54与第二电极46的接触部位位于支撑柱45所在的位置。
其中，阴极54采用的材料为透明导电材料，如ITO或IZO等；将阴极54与第二电极43接触，而第二电极46通过第二电极连接孔N与辅助阴极421连接，从而实现阴极54与辅助阴极421的连接。
此外，关于盖板的具体描述可以参照实施例一和实施例二的描述，本实施例对此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板，该显示面板为顶发射型OLED显示面板。
在本发明实施例中，显示面板包括盖板和显示基板，盖板包括第一衬底，依次形成在第一衬底上的薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，钝化层，钝化层覆盖薄膜晶体管和第一电极，形成在钝化层上的黑矩阵，形成在黑矩阵上的电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过贯穿钝化层的第一电极连接孔与第一电极连接，依次形成的彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，第二电极通过贯穿平坦层的第二电极连接孔与辅助阴极连接。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间；此外，将阴极通过第二电极与辅助阴极连接，降低阴极电阻，提高显示面板的显示质量。
对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (12)
1.一种盖板的制作方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极；
在所述钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿所述钝化层的第一电极连接孔；
在所述黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层；所述电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且所述第一电极连接线通过所述第一电极连接孔与所述第一电极连接；
通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，所述第二电极通过贯穿所述平坦层的第二电极连接孔与所述辅助阴极连接；
其中，所述辅助阴极和所述第一电极连接线通过一次构图工艺同时形成。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极的步骤，包括：
在所述钝化层上通过构图工艺形成彩色滤光层，所述彩色滤光层在所述钝化层上的正投影部分覆盖所述黑矩阵及所述第一电极连接线；
形成平坦层，所述平坦层覆盖所述电极连接层、所述黑矩阵和所述彩色滤光层；
在所述平坦层上通过构图工艺依次形成支撑柱及贯穿所述平坦层的第二电极连接孔；
通过构图工艺形成第二电极，所述第二电极覆盖所述支撑柱，并通过所述第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极的步骤，包括：
在所述第一衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上通过构图工艺形成有源层；
在所述有源层上通过构图工艺依次形成栅绝缘层和栅极；
通过构图工艺形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
在所述层间介质层上通过构图工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接；
在所述漏极上形成光学传感器；
在所述光学传感器上背离所述漏极的一侧形成所述第一电极。
4.一种盖板，其特征在于，包括：
第一衬底；
依次形成在第一衬底上的薄膜晶体管、光学传感器以及位于所述光学传感器上的第一电极；
钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极；
形成在所述钝化层上的黑矩阵；
形成在所述黑矩阵上的电极连接层；所述电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且所述第一电极连接线通过贯穿所述钝化层的第一电极连接孔与所述第一电极连接；
依次形成的彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极，所述第二电极通过贯穿所述平坦层的第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
5.根据权利要求4所述的盖板，其特征在于，所述彩色滤光层形成在所述钝化层上，所述彩色滤光层在所述钝化层上的正投影部分覆盖所述黑矩阵及所述第一电极连接线；所述平坦层覆盖所述电极连接层、所述黑矩阵和所述彩色滤光层；所述支撑柱形成在所述平坦层上；所述第二电极覆盖所述支撑柱，并通过所述第二电极连接孔与所述辅助阴极连接。
6.根据权利要求4所述的盖板，其特征在于，所述电极连接层的厚度为
至
7.根据权利要求4所述的盖板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
形成在所述第一衬底上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的有源层；
依次形成在所述有源层上的栅绝缘层和栅极；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；
形成在所述层间介质层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接。
8.根据权利要求7所述的盖板，其特征在于，所述光学传感器形成在所述漏极上，所述第一电极形成在所述光学传感器背离所述漏极的一侧。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求4-8中任一项所述的盖板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括显示基板，所述盖板扣置在所述显示基板上；
所述显示基板包括：层叠设置在第二衬底上的阳极、有机发光层和阴极，所述阴极与所述第二电极接触。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述阴极与所述第二电极的接触部位位于支撑柱所在的位置。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-11中任一项所述的显示面板。
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